JPH0455336B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0455336B2 JPH0455336B2 JP60213258A JP21325885A JPH0455336B2 JP H0455336 B2 JPH0455336 B2 JP H0455336B2 JP 60213258 A JP60213258 A JP 60213258A JP 21325885 A JP21325885 A JP 21325885A JP H0455336 B2 JPH0455336 B2 JP H0455336B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- iron
- eyelet
- film
- cobalt
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 53
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 48
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- SBYXRAKIOMOBFF-UHFFFAOYSA-N copper tungsten Chemical compound [Cu].[W] SBYXRAKIOMOBFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 45
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 18
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 18
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- KGWWEXORQXHJJQ-UHFFFAOYSA-N [Fe].[Co].[Ni] Chemical compound [Fe].[Co].[Ni] KGWWEXORQXHJJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 7
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 abstract description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 2
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract 3
- QVYYOKWPCQYKEY-UHFFFAOYSA-N [Fe].[Co] Chemical compound [Fe].[Co] QVYYOKWPCQYKEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 3
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- OFLYIWITHZJFLS-UHFFFAOYSA-N [Si].[Au] Chemical compound [Si].[Au] OFLYIWITHZJFLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- -1 cobalt metal oxide Chemical class 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000006023 eutectic alloy Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910001209 Low-carbon steel Inorganic materials 0.000 description 1
- IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N cobalt(ii) oxide Chemical class [Co]=O IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/10—Containers; Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
- H01L2223/64—Impedance arrangements
- H01L2223/66—High-frequency adaptations
- H01L2223/6605—High-frequency electrical connections
- H01L2223/6616—Vertical connections, e.g. vias
- H01L2223/6622—Coaxial feed-throughs in active or passive substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は気密ガラス端子に関する。
（従来の技術）
半導体レーザー素子等の光素子を搭載する半導
体装置用気密ガラス端子は、光素子の特性は満足
させるため、気密特性、熱放散性に優れることが
要求される。特に近年は気密ガラス端子の小型
化、搭載する素子の高出力化に伴い熱放散性に優
れることが特に要求される。
体装置用気密ガラス端子は、光素子の特性は満足
させるため、気密特性、熱放散性に優れることが
要求される。特に近年は気密ガラス端子の小型
化、搭載する素子の高出力化に伴い熱放散性に優
れることが特に要求される。
ところで気密ガラス端子には、一般にいわゆる
マツチド型とコンプレツシヨン型の二種類のタイ
プのものがある。
マツチド型とコンプレツシヨン型の二種類のタイ
プのものがある。
一般にマツチド型の気密ガラス端子は、アイレ
ツト（金属製外環）およびリード線の素材として
共に鉄−ニツケル−コバルト合金を用い、リード
線を固定するガラスには硬質ガラスを用いてい
る。
ツト（金属製外環）およびリード線の素材として
共に鉄−ニツケル−コバルト合金を用い、リード
線を固定するガラスには硬質ガラスを用いてい
る。
またコンプレツシヨン型の気密ガラス端子は、
アイレツトに軟鋼、リード線に52アロイ（鉄−ニ
ツケル合金）を用い、リード線を固定するガラス
には軟質ガラスを用いている。
アイレツトに軟鋼、リード線に52アロイ（鉄−ニ
ツケル合金）を用い、リード線を固定するガラス
には軟質ガラスを用いている。
このうちマツチド型の気密ガラス端子は鉄−ニ
ツケル−コバルト合金から成るアイレツト、リー
ド線上にガラスの濡れ性を向上させるべく金属酸
化膜（Fe3O4あるいはC0O・Fe2o3等）を形成し
てガラスを溶着するようにしているため、気密特
性に優れる。
ツケル−コバルト合金から成るアイレツト、リー
ド線上にガラスの濡れ性を向上させるべく金属酸
化膜（Fe3O4あるいはC0O・Fe2o3等）を形成し
てガラスを溶着するようにしているため、気密特
性に優れる。
しかしながら、アイレツト上に銅のヒートシン
クを介して、あるいは直接光素子が固着され、銅
のヒートシンクおよびアイレツトを通じて熱放散
が図られるのであるが、マツチド型のアイレツト
の素材である鉄−ニツケル−コバルト合金の熱伝
導率は0.04cal／sec・cm・degと低く、またコン
プレツシヨン型のアイレツトの素材である軟網の
熱伝導率は0.18cal／sec・cm・degと低いことか
ら、熱放散性に劣る問題点がある。
クを介して、あるいは直接光素子が固着され、銅
のヒートシンクおよびアイレツトを通じて熱放散
が図られるのであるが、マツチド型のアイレツト
の素材である鉄−ニツケル−コバルト合金の熱伝
導率は0.04cal／sec・cm・degと低く、またコン
プレツシヨン型のアイレツトの素材である軟網の
熱伝導率は0.18cal／sec・cm・degと低いことか
ら、熱放散性に劣る問題点がある。
この熱放散性を改善すべく、アイレツトの素材
として熱伝導率の高い銅−タングステン合金（熱
伝導率0.5〜0.7cal／sec・cm・deg）を用いた気密
ガラス端子が知られている（特開昭60−86878
号）。
として熱伝導率の高い銅−タングステン合金（熱
伝導率0.5〜0.7cal／sec・cm・deg）を用いた気密
ガラス端子が知られている（特開昭60−86878
号）。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、アイレツトに銅−タングステン
合金、リード線に鉄−ニツケル−コバルト合金、
ガラスの硬質ガラスを用いて、いわゆるマツチド
型に準じたタイプにした場合、この銅−タングス
テン合金は、鉄あるいは鉄系合金と異なり、ガラ
スの濡れ性を向上させる良質な金属酸化膜が形成
できない。
合金、リード線に鉄−ニツケル−コバルト合金、
ガラスの硬質ガラスを用いて、いわゆるマツチド
型に準じたタイプにした場合、この銅−タングス
テン合金は、鉄あるいは鉄系合金と異なり、ガラ
スの濡れ性を向上させる良質な金属酸化膜が形成
できない。
したがつてガラスとアイレツトとの密着が不十
分なため、光素子を金−シリコン共晶合金等で固
着する際の400℃を越える加熱による熱履歴を受
けると気密特性が著しく低下する問題点がある。
分なため、光素子を金−シリコン共晶合金等で固
着する際の400℃を越える加熱による熱履歴を受
けると気密特性が著しく低下する問題点がある。
またいわゆるコンプレツシヨン型に準じたタイ
プとしてアイレツトに銅−タングステン合金、リ
ード線に鉄−ニツケル合金、ガラスに軟質ガラス
を用いた場合には、銅−タングステン合金の熱膨
張率が軟質ガラスのそれと比して小さいため、圧
縮応力により気密性を得ることは極めて困難であ
る。
プとしてアイレツトに銅−タングステン合金、リ
ード線に鉄−ニツケル合金、ガラスに軟質ガラス
を用いた場合には、銅−タングステン合金の熱膨
張率が軟質ガラスのそれと比して小さいため、圧
縮応力により気密性を得ることは極めて困難であ
る。
したがつてアイレツトに銅−タングステン合金
は用いた場合には、光素子をアイレツトまたはヒ
ートシンク上に固着する際の加熱（約400〜450
℃）による熱膨張を受けることによつてアイレツ
トとガラス間の気密特性が著しく阻害される。
は用いた場合には、光素子をアイレツトまたはヒ
ートシンク上に固着する際の加熱（約400〜450
℃）による熱膨張を受けることによつてアイレツ
トとガラス間の気密特性が著しく阻害される。
本発明は上記の問題点に鑑みてなされたもので
ありその目的とするところは、光素子を固着する
際の400℃を越える加熱後も気密特性、熱放散性
共に優れる気密ガラス端子を提供するにある。
ありその目的とするところは、光素子を固着する
際の400℃を越える加熱後も気密特性、熱放散性
共に優れる気密ガラス端子を提供するにある。
（課題を解決するための手段）
本発明は上記目的を達成するため次の構成を備
える。
える。
すなわち、アイレツトにリード線をガラスを用
いて封着する気密ガラス端子において、前記アイ
レツトには銅−タングステン合金が用いられ、ガ
ラスとの密着面には、コバルトめつき層の下に直
接またはニツケルめつき層を介して鉄めつき層が
形成された多層めつき皮膜が形成され、酸化処理
されて多層めつき皮膜上に形成された鉄、コバル
ト系酸化膜を介して前記ガラスが封着されている
ことを特徴としている。
いて封着する気密ガラス端子において、前記アイ
レツトには銅−タングステン合金が用いられ、ガ
ラスとの密着面には、コバルトめつき層の下に直
接またはニツケルめつき層を介して鉄めつき層が
形成された多層めつき皮膜が形成され、酸化処理
されて多層めつき皮膜上に形成された鉄、コバル
ト系酸化膜を介して前記ガラスが封着されている
ことを特徴としている。
（作用）
コバルトめつき層の下に直接またはニツケルめ
つき層を介して鉄めつき層を形成することで、酸
化処理の際の加熱により鉄成分が上層に拡散し
て、多層めつき皮膜の表面に良質な鉄、コバルト
系の金属酸化皮膜が形成される。
つき層を介して鉄めつき層を形成することで、酸
化処理の際の加熱により鉄成分が上層に拡散し
て、多層めつき皮膜の表面に良質な鉄、コバルト
系の金属酸化皮膜が形成される。
この金属酸化皮膜は、主としてC0O・Fe2O3の
鉄、コバルト系酸化皮膜であつて、ガラスとの密
着性が極めて良好である。
鉄、コバルト系酸化皮膜であつて、ガラスとの密
着性が極めて良好である。
（実施例）
以下には本発明を具体化した好適な実施例を添
付図面に基づいて詳細に説明する。
付図面に基づいて詳細に説明する。
第１図ａにおいて、１０はアイレツトであり、
銅−タングステン合金が用いている。
銅−タングステン合金が用いている。
１２は鉄−ニツケル−コバルト合金製のリード
線であり、硬質ガラス１４によつてアイレツト１
０に電気的に絶縁して封着されている。
線であり、硬質ガラス１４によつてアイレツト１
０に電気的に絶縁して封着されている。
１６は同じく鉄−ニツケル−コバルト合金製の
アースリード線であり、アイレツト１０と導通し
て固定されている。
アースリード線であり、アイレツト１０と導通し
て固定されている。
１８はアイレツト１０上に金−シリコン共晶合
金等によつて固定されている光素子であり、金属
ワイヤ２０によつてリード線１２先端と接続され
る。なおアイレツト１０上には適宜なキヤツプ、
光コネクタ等（図示せず）が固定される。
金等によつて固定されている光素子であり、金属
ワイヤ２０によつてリード線１２先端と接続され
る。なおアイレツト１０上には適宜なキヤツプ、
光コネクタ等（図示せず）が固定される。
第１図ｂはアイレツトの形状が異なる他の実施
例を示す。同一の部材は同一の符号で示す。
例を示す。同一の部材は同一の符号で示す。
本発明において特徴的なことは、アイレツト１
０の硬質ガラス１４との封着面に、第２図に示す
ように、鉄めつき層２４、ニツケルめつき層２
６、コバルトめつき層２８からなる多層めつき皮
膜２２を形成し、酸化雰囲気中で加熱（酸化処
理）して、多層めつき皮膜２２上に主として鉄、
コバルト系酸化膜を形成し、この酸化膜を介して
硬質ガラス１４によりリード線１２を気密封止し
た点にある。
０の硬質ガラス１４との封着面に、第２図に示す
ように、鉄めつき層２４、ニツケルめつき層２
６、コバルトめつき層２８からなる多層めつき皮
膜２２を形成し、酸化雰囲気中で加熱（酸化処
理）して、多層めつき皮膜２２上に主として鉄、
コバルト系酸化膜を形成し、この酸化膜を介して
硬質ガラス１４によりリード線１２を気密封止し
た点にある。
硬質ガラス１４での封着は1000℃の中性雰囲気
中で行うのが好適である。
中で行うのが好適である。
なお硬質ガラス１４と封着するリード線１２、
アースリード線１６上にもあらかじめ酸化処理に
より金属酸化皮膜を形成しておく。
アースリード線１６上にもあらかじめ酸化処理に
より金属酸化皮膜を形成しておく。
多層めつき皮膜２２は上記の他、第３図に示す
ように、鉄めつき層２４、コバルトめつき層２８
の２層めつきであつてもよい。なおこの場合鉄め
つき層２４の下にニツケルめつき層（図示せず）
を形成した３層の多層めつき皮膜に形成してもよ
い。
ように、鉄めつき層２４、コバルトめつき層２８
の２層めつきであつてもよい。なおこの場合鉄め
つき層２４の下にニツケルめつき層（図示せず）
を形成した３層の多層めつき皮膜に形成してもよ
い。
すなわち、本発明では、多層めつき皮膜２２
は、コバルトめつき層２８を最上層にして、この
コバルトめつき層２８の下に直接またはニツケル
めつき層２６を介して鉄めつき層２４を形成した
ものと定義される。
は、コバルトめつき層２８を最上層にして、この
コバルトめつき層２８の下に直接またはニツケル
めつき層２６を介して鉄めつき層２４を形成した
ものと定義される。
このようにコバルトめつき層２８の下に直接ま
たはニツケルめつき層２６を介して鉄めつき層２
４を形成することで、酸化処理の際の加熱により
鉄成分が上層に拡散して、多層めつき皮膜２２の
表面に良質な鉄、コバルト系の金属酸化皮膜が形
成される。
たはニツケルめつき層２６を介して鉄めつき層２
４を形成することで、酸化処理の際の加熱により
鉄成分が上層に拡散して、多層めつき皮膜２２の
表面に良質な鉄、コバルト系の金属酸化皮膜が形
成される。
この金属酸化皮膜は、主としてC0O・Fe2O3の
鉄、コバルト系酸化皮膜であつて、ガラスとの密
着性が極めて良好である。
鉄、コバルト系酸化皮膜であつて、ガラスとの密
着性が極めて良好である。
アイレツト１０素材である銅−タングステン合
金、リード線１２、アースリード線１６素材であ
る鉄−ニツケル−コバルト合金、硬質ガラス１４
の熱膨張率は比較的に近接しているとともに、ガ
ラス１４と鉄、コバルト系酸化物との密着性は極
めて強固であるから、光素子固着時の加熱後も気
密特性が極めて良好のまま保持される。
金、リード線１２、アースリード線１６素材であ
る鉄−ニツケル−コバルト合金、硬質ガラス１４
の熱膨張率は比較的に近接しているとともに、ガ
ラス１４と鉄、コバルト系酸化物との密着性は極
めて強固であるから、光素子固着時の加熱後も気
密特性が極めて良好のまま保持される。
もちろん銅−タングステン合金は前記したよう
に熱伝導率が従来の軟網や鉄−ニツケル−コバル
ト合金に比して格段に高いから、従来にもの比し
て少なくとも２〜５倍もの優れた熱放散性を有す
る気密端子が得られた。
に熱伝導率が従来の軟網や鉄−ニツケル−コバル
ト合金に比して格段に高いから、従来にもの比し
て少なくとも２〜５倍もの優れた熱放散性を有す
る気密端子が得られた。
なお、本発明は、高素子用に限られず、特に熱
放散性が必要とされる気密ガラス端子に適用でき
ることはもちろんである。
放散性が必要とされる気密ガラス端子に適用でき
ることはもちろんである。
（発明の効果）
以上のように本発明によれば、アイレツトに銅
−タングステン合金を用いたので熱放散性にすぐ
れ、またコバルトめつき層の下に直接またはニツ
ケルめつき層を介して鉄めつき層を形成した多層
めつき皮膜を酸化処理して多層めつき皮膜上に
鉄、コバルト系酸化膜を形成し、この酸化膜を介
してガラスを封着するようにしたので、ガラスの
密着性が極めて良好で、気密特性に優れる気密ガ
ラス端子を提供できる。
−タングステン合金を用いたので熱放散性にすぐ
れ、またコバルトめつき層の下に直接またはニツ
ケルめつき層を介して鉄めつき層を形成した多層
めつき皮膜を酸化処理して多層めつき皮膜上に
鉄、コバルト系酸化膜を形成し、この酸化膜を介
してガラスを封着するようにしたので、ガラスの
密着性が極めて良好で、気密特性に優れる気密ガ
ラス端子を提供できる。
第１図は本発明に係る気密ガラス端子の一例を
示す断面図、第２図はそのアイレツト表面に形成
する多層めつき皮膜の説明断面図、第３図はアイ
レツト表面に形成するめつき皮膜の他の実施例を
示す説明断面図である。 １０……アイレツト、１２……リード線、１４
……硬質ガラス、１６……アースリード線、１８
……光素子、２０……金属ワイヤ、２２……金属
皮膜、２４……鉄めつき、２６……ニツケルめつ
き、２８……コバルトめつき。
示す断面図、第２図はそのアイレツト表面に形成
する多層めつき皮膜の説明断面図、第３図はアイ
レツト表面に形成するめつき皮膜の他の実施例を
示す説明断面図である。 １０……アイレツト、１２……リード線、１４
……硬質ガラス、１６……アースリード線、１８
……光素子、２０……金属ワイヤ、２２……金属
皮膜、２４……鉄めつき、２６……ニツケルめつ
き、２８……コバルトめつき。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ アイレツトにリード線をガラスを用いて封着
する気密ガラス端子において、 前記アイレツトには銅−タングステン合金が用
いられ、ガラスとの密着面には、コバルトめつき
層の下に直接またはニツケルめつき層を介して鉄
めつき層が形成された多層めつき皮膜が形成さ
れ、酸化処理されて多層めつき皮膜上に形成され
た鉄、コバルト系酸化膜を介して前記ガラスが封
着されていることを特徴とする気密ガラス端子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21325885A JPS6273648A (ja) | 1985-09-26 | 1985-09-26 | 気密ガラス端子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21325885A JPS6273648A (ja) | 1985-09-26 | 1985-09-26 | 気密ガラス端子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6273648A JPS6273648A (ja) | 1987-04-04 |
| JPH0455336B2 true JPH0455336B2 (ja) | 1992-09-03 |
Family
ID=16636116
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21325885A Granted JPS6273648A (ja) | 1985-09-26 | 1985-09-26 | 気密ガラス端子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6273648A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103907249B (zh) * | 2011-11-30 | 2015-02-25 | 松下电器产业株式会社 | 氮化物半导体发光装置 |
| CN102569102A (zh) * | 2011-12-10 | 2012-07-11 | 中国振华集团永光电子有限公司 | 晶体管管座与管脚的气密封装方法及结构 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4936778A (ja) * | 1972-08-10 | 1974-04-05 | ||
| JPS4960682A (ja) * | 1972-10-13 | 1974-06-12 | ||
| JPS53136960A (en) * | 1977-05-06 | 1978-11-29 | Toshiba Corp | Manufacture of stem |
| JPS6086878A (ja) * | 1983-10-18 | 1985-05-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光素子パツケ−ジ |
-
1985
- 1985-09-26 JP JP21325885A patent/JPS6273648A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4936778A (ja) * | 1972-08-10 | 1974-04-05 | ||
| JPS4960682A (ja) * | 1972-10-13 | 1974-06-12 | ||
| JPS53136960A (en) * | 1977-05-06 | 1978-11-29 | Toshiba Corp | Manufacture of stem |
| JPS6086878A (ja) * | 1983-10-18 | 1985-05-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光素子パツケ−ジ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6273648A (ja) | 1987-04-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4141029A (en) | Integrated circuit device | |
| JPH0455336B2 (ja) | ||
| JPH0141028B2 (ja) | ||
| US4765528A (en) | Plating process for an electronic part | |
| US4227300A (en) | Method for the electrical bonding of thin film tantalum capacitor networks to other networks | |
| US3553828A (en) | Lead assembly structure for semiconductor devices | |
| JPS5916353A (ja) | リ−ドフレ−ム | |
| JPH0590465A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS58175852A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6060742A (ja) | リ−ドフレ−ム | |
| KR830000962B1 (ko) | 기밀단자(氣密端子) | |
| JPS60195953A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS58509B2 (ja) | メツキホウホウ | |
| JPS6041860B2 (ja) | 気密端子の製造方法 | |
| JPH02144864A (ja) | 気密端子の製造方法 | |
| JPS6233327Y2 (ja) | ||
| JPS5851543A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS60206054A (ja) | リ−ドフレ−ム | |
| JPS59141179A (ja) | 気密端子 | |
| JPS6032774Y2 (ja) | 半導体装置用ステム | |
| JPS58100967A (ja) | 金属部品の製造方法 | |
| JP2575163B2 (ja) | 半導体素子のボンディング用被覆線 | |
| JPS637653A (ja) | 半導体用気密封止金属パツケ−ジ | |
| JPS62285448A (ja) | ハ−メチツクシ−ル構造 | |
| JPS6316582A (ja) | 気密ガラス端子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |