JPS62285448A - ハ−メチツクシ−ル構造 - Google Patents

ハ−メチツクシ−ル構造

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Publication number
JPS62285448A
JPS62285448A JP61129009A JP12900986A JPS62285448A JP S62285448 A JPS62285448 A JP S62285448A JP 61129009 A JP61129009 A JP 61129009A JP 12900986 A JP12900986 A JP 12900986A JP S62285448 A JPS62285448 A JP S62285448A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
outer ring
metal outer
seal structure
metallic outer
hermetic seal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP61129009A
Other languages
English (en)
Inventor
Hitoshi Miyashita
宮下 仁
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shinko Electric Industries Co Ltd
Original Assignee
Shinko Electric Industries Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shinko Electric Industries Co Ltd filed Critical Shinko Electric Industries Co Ltd
Priority to JP61129009A priority Critical patent/JPS62285448A/ja
Publication of JPS62285448A publication Critical patent/JPS62285448A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched

Landscapes

  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 3、発明の詳細な説明 〔産業上の利用分野) 本発明はハーメチックシール構造に係り、特に半導体素
子をパッケージ内に気密封止するためのハーメチックシ
ール構造に関する。
(従来技術とその問題点) 従来、半導体素子をパッケージ内に取(;Jけ気密封止
する半導体パッケージには、金属外環とリード線をガラ
スで気密封止した気密ガラス端子を用いるものがあり、
熱伝導性がよいことから銅−タングステン合金材(Cu
−W材)を他の材料からなる金属外環にろう付等で固定
し、このCu−W材上に素子を取付けるものがある。
しかし、上記手段では、素子を取付けるCU−W材が別
体であるため、素子の位胃精度をだすことが困難である
等の問題がある。
そこで、Cu−W材で金属外環全体を形成し、このCu
−W材の金属外環上に直接半導体素子を取付け、その素
子に接続されるリード線と金属外11をガラスにより気
密封止したものがある。
しかし、この場合は、Cu−W材とガラスとの接合強度
や気密特性が悪く、特にg4の熱履歴を経た復の気!特
性が著しく低下するという問題があり、これを解消する
ため、Cu−W材の表面にFe等のめっきを施し、この
めっき被膜を酸化処理して酸化膜を形成して、耐熱性や
気密特性を向上させる必要があるが、このような酸化膜
形成のだめのめっきが必要となるため、費用が嵩み経済
的でないという問題を有している。
〔発明の目的〕
本発明は上記した点に鑑みてなされたもので、素子の熱
放散性を低下させることなく、耐熱性、気密特性に優れ
たハーメチックシール構造を提供することを目的とする
ものである。
(発明の概要〕 上記目的達成のため本発明に係るハーメグツクシール構
造は、金属外環上に素子を取付け、この金属外環を貫通
し上記素子に接続されるリード線部分をガラス等で気密
封止するためのハーメグーツクシール構造において、上
記金属外環を上記素子取付側にCu−W材を有する2層
クラッド材として構成しており、上記Cu−W材をクラ
ッド材として一体に形成することにより熱放散性を高め
、クラッド材の他の材料により耐熱性、気密特性を高め
るようにしている。
〔発明の実施例) 以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明する
第1図は本発明の一実施例を示したもので、素子取付用
の金属外環1は、素子取付側にCu−W材2を有する2
層構造のクラッド材とされtおり、この金属外環1のC
u−W材2以外の材料には、第2図乃至第4図に示すよ
うに、Fe−N1−GO合金(コバール)材3、Fe−
Ni合金材4あるいはl”e材5が用いられている。上
記金属外環1には、リード線6を貫通させる孔部7が穿
設され、リードtlA6はガラス12により金属外環1
と気密封止されている。金属外環1の上側には、Cu−
W+42をとり囲むようにキャップ8が密着固定されて
いる。そして、金属外環1のCu−W材2の上面には、
半導体素子10が取付けられ、この素子10とリード線
6の先端とはワイヤ11により接続されている。なお、
Cu−W材2は、全面クラッド材から切削加工等により
所望の形状に形成することができる。
したがって、本実施例においては、金属外環1の外側に
従来から使用されている材料を用いているので、従来の
製造方法によっても耐熱性や気密特性が低下することが
なく、しかも、熱伝導性に優れたCU−W材2が他の材
料3.4.5とクラッド材として一体に形成されている
ので、CU−W材をろう付等で金属外環1に固定する場
合に比べて製造工程が簡略であり、素子10を高い位置
精度で取付けることができる。また、金属外環1の孔部
7内面に酸化膜形成のためのめつき答を流す必要がない
ので、経済性も高い。
また、第5図は本発明の他の実施例を示したもので、C
u−W材2とコバール月3とからなる金属外環1におい
て、Cu−W材2を切削加工等により所望形状に形成し
、素子取付部を得るようにしている。この金属外環1上
に形成したCu−W材2からなるヒートシンク9の側面
には、発光索子13が取付けられ、金属外環1上面には
受光素子15が取付けられている。キャップ8の上面中
央には、光透過用窓14が形成されている。
本実施例においても、素子の位置精度を確保することが
でき、かつ、耐熱性、気密特性および熱放散性を高める
ことが可能となる。
〔発明の効果〕
以上述べたように本発明に係るハーメチックシール構造
は、金属外環を素子取付側にCu−W材を有する2層ク
ラッド材としており、Cu−W材を一体に形成するよう
にしたので、素子数(=Iけの位置精度を高めることが
でき、また、金属外環の外側のクラッド材の他の材料は
、従来一般的に用いられる材料により形成されているの
で、耐熱性、気密特性を旧うことがなく、熱放散性も優
れる等の効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す縦断面図、第2図、第
3図および第4図はそれぞれ金属外I責部分の縦部分断
面図、第5図は本発明の他の実施例を示す縦断面図であ
る。 1・・・金属外環、2・・・Cu−W材、6・・・リー
ド線、8・・・キャップ、10.13.15・・・素子
、12・・・ガラス。 第1図 第5図 第2図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  金属外環上に素子を取付け、この金属外環を貫通し上
    記素子に接続されるリード線部分をガラス等で気密封止
    するためのハーメチックシール構造において、上記金属
    外環を上記素子取付側に銅−タングステン合金材を有す
    る2層クラッド材としたことを特徴とするハーメチック
    シール構造。
JP61129009A 1986-06-03 1986-06-03 ハ−メチツクシ−ル構造 Pending JPS62285448A (ja)

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JP61129009A JPS62285448A (ja) 1986-06-03 1986-06-03 ハ−メチツクシ−ル構造

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JPS62285448A true JPS62285448A (ja) 1987-12-11

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ID=14998905

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JP61129009A Pending JPS62285448A (ja) 1986-06-03 1986-06-03 ハ−メチツクシ−ル構造

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JP (1) JPS62285448A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6717720B2 (en) * 2001-06-06 2004-04-06 Keopsys, Inc. Hermetic pump module for double cladding fiber amplifiers and method for making same
JP2016205873A (ja) * 2015-04-16 2016-12-08 株式会社不二工機 圧力センサ

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6717720B2 (en) * 2001-06-06 2004-04-06 Keopsys, Inc. Hermetic pump module for double cladding fiber amplifiers and method for making same
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