JPS6236287Y2 - - Google Patents
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- JPS6236287Y2 JPS6236287Y2 JP7443182U JP7443182U JPS6236287Y2 JP S6236287 Y2 JPS6236287 Y2 JP S6236287Y2 JP 7443182 U JP7443182 U JP 7443182U JP 7443182 U JP7443182 U JP 7443182U JP S6236287 Y2 JPS6236287 Y2 JP S6236287Y2
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- Japan
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- ceramic substrate
- cap
- semiconductor device
- recess
- melting point
- Prior art date
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- Expired
Links
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Landscapes
- Casings For Electric Apparatus (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
(a) 考案の技術分野
本考案は半導体装置、特にその容器の構造に関
するものである。
するものである。
(b) 技術の背景
従来から半導体、特に集積回路素子を組み込む
為の容器としては、メタルシールパツケージ、フ
リツトシールパツケージ、サーデツプシールパツ
ケージ、プラスチツクシールパツケージ等が使用
されている。
為の容器としては、メタルシールパツケージ、フ
リツトシールパツケージ、サーデツプシールパツ
ケージ、プラスチツクシールパツケージ等が使用
されている。
(c) 従来技術と問題点
従来のフリツトシールパツケージの一例を第１
図に示す。素子接続部１を有するセラミツク基板
２上に金属細線接続用配線金属膜３をメタライズ
し、セラミツク基板２の側面の外部リードロウ付
用パツド４に外部リード５をロウ付けすると共に
セラミツク基板２の上面封止部に長方形のキヤツ
プ６が低融点ガラス７の接続剤により封止されて
いる。
図に示す。素子接続部１を有するセラミツク基板
２上に金属細線接続用配線金属膜３をメタライズ
し、セラミツク基板２の側面の外部リードロウ付
用パツド４に外部リード５をロウ付けすると共に
セラミツク基板２の上面封止部に長方形のキヤツ
プ６が低融点ガラス７の接続剤により封止されて
いる。
又集積回路素子８はセラミツク基板２上の素子
接続部１に接着され、素子８と金属膜３との間は
アルミニウムまたは金などの金属細線９により接
続されている。又金属膜３とパツド４はセラミツ
ク基板２内を通じて電気的に接続されている。
接続部１に接着され、素子８と金属膜３との間は
アルミニウムまたは金などの金属細線９により接
続されている。又金属膜３とパツド４はセラミツ
ク基板２内を通じて電気的に接続されている。
しかしながらこのような構成からなるフリツト
シールパツケージにおいては、キヤツプを封止す
る工程において接着面が平担な為接着強度、熱衝
撃性、またキヤツプ上面への低融点ガラスの這い
上り及びガラスのダレによる外部リード間のブリ
ツジ不良という問題があつた。
シールパツケージにおいては、キヤツプを封止す
る工程において接着面が平担な為接着強度、熱衝
撃性、またキヤツプ上面への低融点ガラスの這い
上り及びガラスのダレによる外部リード間のブリ
ツジ不良という問題があつた。
(d) 考案の目的
本考案は低融点ガラスのぬれ面積を増大しキヤ
ツプとセラミツク基板の接着強度を増し、ストレ
スを分散させることにより熱衝撃性を向上させ、
低融点ガラスの逃げ部を設けることにより、キヤ
ツプ上面へのガラスの這い上りを防ぎ、かつセラ
ミツク基板へのガラスダレを防ぎ、外部リードの
ブリツジ不良を改良した半導体装置を提供するこ
とを目的とする。
ツプとセラミツク基板の接着強度を増し、ストレ
スを分散させることにより熱衝撃性を向上させ、
低融点ガラスの逃げ部を設けることにより、キヤ
ツプ上面へのガラスの這い上りを防ぎ、かつセラ
ミツク基板へのガラスダレを防ぎ、外部リードの
ブリツジ不良を改良した半導体装置を提供するこ
とを目的とする。
(e) 考案の構成
その目的は本考案によれば凹部に半導体素子が
取付けられたセラミツク基板と平板状キヤツプと
よりなり、該キヤツプの縁辺部側面は凹部又は段
差形状を有し、セラミツク基板の上面封止部とそ
の上に載置されるキヤツプの周辺部間は低融点ガ
ラスによつて気密結合されていることを特徴とす
る半導体装置によつて達成される。
取付けられたセラミツク基板と平板状キヤツプと
よりなり、該キヤツプの縁辺部側面は凹部又は段
差形状を有し、セラミツク基板の上面封止部とそ
の上に載置されるキヤツプの周辺部間は低融点ガ
ラスによつて気密結合されていることを特徴とす
る半導体装置によつて達成される。
(f) 考案の実施例
以下図を用いて本考案半導体装置の実施例につ
いて詳細に説明する。
いて詳細に説明する。
第２図は本考案半導体装置の一実施例の半導体
容器の断面図、第３図は本考案半導体装置の他の
実施例の半導体容器の断面図を示す。
容器の断面図、第３図は本考案半導体装置の他の
実施例の半導体容器の断面図を示す。
第２図において凹部に素子接続部１１を有する
セラミツク基板１２上に金属細線接続用配線金属
膜１３をメタライズし、セラミツク基板１２の側
面の外部リードロウ付用パッド１４に外部リード
１５をロウ付けすると共にセラミツク基板１２の
上面封止部に側面に凹部を有する平板状キヤツプ
１６が低融点ガラス１７の接着剤により封止され
ている。
セラミツク基板１２上に金属細線接続用配線金属
膜１３をメタライズし、セラミツク基板１２の側
面の外部リードロウ付用パッド１４に外部リード
１５をロウ付けすると共にセラミツク基板１２の
上面封止部に側面に凹部を有する平板状キヤツプ
１６が低融点ガラス１７の接着剤により封止され
ている。
又集積回路素子１８はセラミツク基板１２上の
凹部の素子接続部１１に接着され、素子１８と金
属膜１３との間は、アルミニウムまたは金などの
金属細線１９により接続されている。又金属膜１
３とパツド１４はセラミツク基板１２内を通じて
電気的に接続されている。
凹部の素子接続部１１に接着され、素子１８と金
属膜１３との間は、アルミニウムまたは金などの
金属細線１９により接続されている。又金属膜１
３とパツド１４はセラミツク基板１２内を通じて
電気的に接続されている。
次に第３図は第２図で説明した本考案の半導体
装置の一実施例の構成の内、平板状キヤツプ２６
の側面に段差が設けられているほかは第２図と全
く同じである。
装置の一実施例の構成の内、平板状キヤツプ２６
の側面に段差が設けられているほかは第２図と全
く同じである。
(g) 考案の効果
以上第２図及び第３図で説明した本考案の半導
体装置においては、低融点ガラスのぬれ面積を増
大し平板状キヤツプとセラミツク基板の接着強度
を増すことができる。
体装置においては、低融点ガラスのぬれ面積を増
大し平板状キヤツプとセラミツク基板の接着強度
を増すことができる。
またストレスを分散させることにより熱衝撃性
を向上させ信頼性向上に役立つものである。更に
低融点ガラスの逃げ部を設けることによりキヤツ
プ上面へのガラスの這い上がりを防ぎ、かつセラ
ミツク基板へのガラスダレを防ぎ、外部リードの
ブリツジ不良を改善することが可能となり歩留向
上に寄与すること大である。
を向上させ信頼性向上に役立つものである。更に
低融点ガラスの逃げ部を設けることによりキヤツ
プ上面へのガラスの這い上がりを防ぎ、かつセラ
ミツク基板へのガラスダレを防ぎ、外部リードの
ブリツジ不良を改善することが可能となり歩留向
上に寄与すること大である。
以上実施例は本考案の一例としてあげたもので
あり本考案の範囲を制限するものではない。
あり本考案の範囲を制限するものではない。
第１図は従来の半導体装置の断面図、第２図は
本考案半導体装置の一実施例の半導体容器の断面
図、第３図は本考案半導体装置の他の実施例の半
導体容器の断面図を示す。 第１図において、１……素子接続部、２……セ
ラミツク基板、３……金属細線接続用配線金属
膜、４……外部リードロウ付用パツド、５……外
部リード、６……キヤツプ、７……低融点ガラ
ス、８……集積回路素子、９……金属細線、第
２，３図において１１，２１……素子接続部、１
２，２２……セラミツク基板、１３，２３……金
属細線接続用配線金属膜、１４，２４……外部リ
ードロウ付用パツド、１５，２５……外部リー
ド、１６，２６……キヤツプ、１７，２７……低
融点ガラス、１８，２８……集積回路素子、１
９，２９……金属細線。
本考案半導体装置の一実施例の半導体容器の断面
図、第３図は本考案半導体装置の他の実施例の半
導体容器の断面図を示す。 第１図において、１……素子接続部、２……セ
ラミツク基板、３……金属細線接続用配線金属
膜、４……外部リードロウ付用パツド、５……外
部リード、６……キヤツプ、７……低融点ガラ
ス、８……集積回路素子、９……金属細線、第
２，３図において１１，２１……素子接続部、１
２，２２……セラミツク基板、１３，２３……金
属細線接続用配線金属膜、１４，２４……外部リ
ードロウ付用パツド、１５，２５……外部リー
ド、１６，２６……キヤツプ、１７，２７……低
融点ガラス、１８，２８……集積回路素子、１
９，２９……金属細線。
Claims (1)
- 凹部に半導体素子が取付けられたセラミツク基
板と平板状キヤツプとよりなり、該キヤツプの縁
辺部側面は凹部又は段差形状を有し、セラミツク
基板の上面封止部とその上に載置されるキヤップ
の周辺部間は低融点ガラスによつて気密結合され
ていることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7443182U JPS58177947U (ja) | 1982-05-20 | 1982-05-20 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7443182U JPS58177947U (ja) | 1982-05-20 | 1982-05-20 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58177947U JPS58177947U (ja) | 1983-11-28 |
| JPS6236287Y2 true JPS6236287Y2 (ja) | 1987-09-16 |
Family
ID=30083861
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7443182U Granted JPS58177947U (ja) | 1982-05-20 | 1982-05-20 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58177947U (ja) |
-
1982
- 1982-05-20 JP JP7443182U patent/JPS58177947U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58177947U (ja) | 1983-11-28 |
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