JPS6012287Y2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6012287Y2 JPS6012287Y2 JP13468078U JP13468078U JPS6012287Y2 JP S6012287 Y2 JPS6012287 Y2 JP S6012287Y2 JP 13468078 U JP13468078 U JP 13468078U JP 13468078 U JP13468078 U JP 13468078U JP S6012287 Y2 JPS6012287 Y2 JP S6012287Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal cap
- sealing frame
- seam
- semiconductor device
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Description
【考案の詳細な説明】
この考案は半導体装置、特に金属キャップをシームウェ
ルドして成る半導体装置の金属キャップに関する。
ルドして成る半導体装置の金属キャップに関する。
従来から半導体装置は第２図のように半導体素子７を保
護するために収容した封止枠部２を有するセラミック容
器４と第１図の如く中央部に位置決め部となる凹部を有
する容器を封止するための金属キャップ１から戒り、金
属キャップ１は金属キャップ１の絞り部とシームウェル
ドする部分とはほぼ同一厚さの金属キャップで形成され
ている。
護するために収容した封止枠部２を有するセラミック容
器４と第１図の如く中央部に位置決め部となる凹部を有
する容器を封止するための金属キャップ１から戒り、金
属キャップ１は金属キャップ１の絞り部とシームウェル
ドする部分とはほぼ同一厚さの金属キャップで形成され
ている。
そして金属キャップの凹部の中央部にはロット陥、製品
名等の捺印を行なうことがある。
名等の捺印を行なうことがある。
また、最近の半導体装置用金属キャップは半導体素子の
集積度を向上せしめるため、半導体装置の封止枠部が大
型から角型へなるので当然金属キャップも角型となり、
位置決め部となる中央部の凹部の形状も角型となる。
集積度を向上せしめるため、半導体装置の封止枠部が大
型から角型へなるので当然金属キャップも角型となり、
位置決め部となる中央部の凹部の形状も角型となる。
しかしながら、半導体装置用金属キャップは位置決め部
となる中央部の凹部の形状が角型になるとしばしば絞り
部にヒビ及びクラックが入り易くなる。
となる中央部の凹部の形状が角型になるとしばしば絞り
部にヒビ及びクラックが入り易くなる。
そこで、金属キャップの絞り部にヒビ及びクラックが発
生しにくい様にするために金属キャップの板厚を厚く形
成することが行なわれる。
生しにくい様にするために金属キャップの板厚を厚く形
成することが行なわれる。
しかし金属キャップの板厚は半導体装置の封止枠部とシ
ームウェルドする条件に非常影響する。
ームウェルドする条件に非常影響する。
例えば金属キャップの板厚が０．１ｍｍから０．１５ｍ
ｍと厚くすると金属キャップの絞り部にヒビ及びクラッ
クが入りにくくなるため、金属キャップの絞り部からリ
ークすることはなくなる。
ｍと厚くすると金属キャップの絞り部にヒビ及びクラッ
クが入りにくくなるため、金属キャップの絞り部からリ
ークすることはなくなる。
しかし、金属キャップの板厚の増加に伴ない封止するシ
ームウェルド条件、特に流す電流を増加させなければな
らない。
ームウェルド条件、特に流す電流を増加させなければな
らない。
そのため、半導体装置のセラミック積層部及びシームウ
ェルドする封止枠部とセラミック積層部とのロー付部に
多大な熱が加わり、金属とセラミックとの熱膨張係数の
違いにより、クラック等が発生し、気密性をそこなうこ
とがある。
ェルドする封止枠部とセラミック積層部とのロー付部に
多大な熱が加わり、金属とセラミックとの熱膨張係数の
違いにより、クラック等が発生し、気密性をそこなうこ
とがある。
又安定なシームウェルド条件の範囲も狭く作業性が非常
に悪くなり、高信頼性を有する角型シームウェルド封止
するセラミック積層型半導体装置を提供することが出来
なかった。
に悪くなり、高信頼性を有する角型シームウェルド封止
するセラミック積層型半導体装置を提供することが出来
なかった。
本考案の目的はシームウェルド条件は変更せずに金属キ
ャップの絞り部のクラック及びヒビ等の発生のない高い
信頼性を有するシームウェルドしてなるセラミック積層
型半導体装置を提供するものである。
ャップの絞り部のクラック及びヒビ等の発生のない高い
信頼性を有するシームウェルドしてなるセラミック積層
型半導体装置を提供するものである。
本考案による半導体装置はシームウェルドする金属キャ
ップの周縁部の板厚はシームウェルド条件の範囲が広く
、又、低い電流でシームウェルドできる板厚に形成し、
それ以外の部分は絞り部にクラック及びヒビが発生しに
くい板厚に形成したことを特徴とする。
ップの周縁部の板厚はシームウェルド条件の範囲が広く
、又、低い電流でシームウェルドできる板厚に形成し、
それ以外の部分は絞り部にクラック及びヒビが発生しに
くい板厚に形成したことを特徴とする。
次に第３図、第４図を参照して本考案の一実施例を説明
する。
する。
シームウェルドする金属キャップ１１はシームウェルド
する部分の板厚の薄い金属キャップ周縁部１１′から威
り、半導体装置はセラミック積層部１４の側面にロー付
は材１５で外部リード１６をロー付けし、セラミック積
層部１４の略中央部にマウントロー材１８で半導体素子
１７を固着したのち、金属細線１９で配線し、金属キャ
ップをシームウェルドするためにセラミック積層部１４
にロー付は材１３を介して封止枠部１２がロー付けされ
ている。
する部分の板厚の薄い金属キャップ周縁部１１′から威
り、半導体装置はセラミック積層部１４の側面にロー付
は材１５で外部リード１６をロー付けし、セラミック積
層部１４の略中央部にマウントロー材１８で半導体素子
１７を固着したのち、金属細線１９で配線し、金属キャ
ップをシームウェルドするためにセラミック積層部１４
にロー付は材１３を介して封止枠部１２がロー付けされ
ている。
シームウェルドする金属キャップの板厚は約０．１５ｍ
ｍでシームウェルドする部分の金属キャップ周縁１１′
の板厚は０．１ｍｍとなっている。
ｍでシームウェルドする部分の金属キャップ周縁１１′
の板厚は０．１ｍｍとなっている。
したがって、金属キャップの絞り部の板厚は厚いのでヒ
ビ及びクラックの発生もなくなり、金属キャップ表面に
行なうロット陥、製品名等の捺印作業時のキズ等の発生
もなくなる。
ビ及びクラックの発生もなくなり、金属キャップ表面に
行なうロット陥、製品名等の捺印作業時のキズ等の発生
もなくなる。
又、シームウェルドする部分の金属キャップ周縁の板厚
が薄いのでシームウェルド条件の設定範囲も広くとるこ
とが出来るから安定で信頼性の高い半導体装置を得るこ
とが出来る。
が薄いのでシームウェルド条件の設定範囲も広くとるこ
とが出来るから安定で信頼性の高い半導体装置を得るこ
とが出来る。
以上、本考案について説明したがシームウェルド封止す
るあらゆる形状に効果がある。
るあらゆる形状に効果がある。
第１図ａ、 ｂはそれぞれ従来の金属キャップの平面図
および断面図、第２図は従来の半導体装置の断面図、第
３図ａ、 ｂは本考案で用いる金属キャップのそれぞれ
平面図、断面図、第４図は本考案の一実施例の半導体装
置の断面図である。 １１・・・・・・金属キャップ、１１′・・・・・・金
属キャップ周縁部、１２・・・・・・封止枠部、１３・
・・・・・ロー付は材、１４・・・・・・セラミック積
層部、１５・曲・ロー付は材、１６・・・・・・外部リ
ード、１７・・・・・・半導体素子、１Ｂ・・・・・・
マウントロー材、１９・・・・・・金属細線。
および断面図、第２図は従来の半導体装置の断面図、第
３図ａ、 ｂは本考案で用いる金属キャップのそれぞれ
平面図、断面図、第４図は本考案の一実施例の半導体装
置の断面図である。 １１・・・・・・金属キャップ、１１′・・・・・・金
属キャップ周縁部、１２・・・・・・封止枠部、１３・
・・・・・ロー付は材、１４・・・・・・セラミック積
層部、１５・曲・ロー付は材、１６・・・・・・外部リ
ード、１７・・・・・・半導体素子、１Ｂ・・・・・・
マウントロー材、１９・・・・・・金属細線。
Claims (1)
- 中央部に凹部を有する金属キャップの周縁部を、セラミ
ック積層部上に設けた封止枠部の上に載置し、該金属キ
ャップと該封止枠部とをシームウェルドした半導体装置
において、前記金属キャップの周縁部はその下面が一様
に平担でその面が一様に平担な前記封止枠部の上面に接
しており、かつ、前記封止枠部上の金属キャップの周縁
部の上面は、該封止枠部の外周近傍上の部分に凹みを有
し、これにより、該金属キャップの周縁部の板厚は、該
封止枠部の外周近傍上の部分においてうずくなっており
、該封止枠部の内周近傍上の部分において厚くなってい
ることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13468078U JPS6012287Y2 (ja) | 1978-09-29 | 1978-09-29 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13468078U JPS6012287Y2 (ja) | 1978-09-29 | 1978-09-29 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5549589U JPS5549589U (ja) | 1980-03-31 |
| JPS6012287Y2 true JPS6012287Y2 (ja) | 1985-04-20 |
Family
ID=29104293
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13468078U Expired JPS6012287Y2 (ja) | 1978-09-29 | 1978-09-29 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6012287Y2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63177292U (ja) * | 1987-05-07 | 1988-11-16 | ||
| JPH01116116U (ja) * | 1988-01-30 | 1989-08-04 | ||
| JP2803636B2 (ja) * | 1996-04-26 | 1998-09-24 | 日本電気株式会社 | 半導体集積回路パッケージ及びその製造方法 |
-
1978
- 1978-09-29 JP JP13468078U patent/JPS6012287Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5549589U (ja) | 1980-03-31 |
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