JPH043501Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH043501Y2 JPH043501Y2 JP1364386U JP1364386U JPH043501Y2 JP H043501 Y2 JPH043501 Y2 JP H043501Y2 JP 1364386 U JP1364386 U JP 1364386U JP 1364386 U JP1364386 U JP 1364386U JP H043501 Y2 JPH043501 Y2 JP H043501Y2
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- JP
- Japan
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- semiconductor element
- base
- recess
- fixing material
- semiconductor package
- Prior art date
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- Expired
Links
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Landscapes
- Die Bonding (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本考案は半導体素子を収納するための半導体パ
ツケージの改良に関する。
ツケージの改良に関する。
（従来の技術）
従来、半導体素子、特に集積回路素子を収納す
るためのパツケージは、第２図に示すように、セ
ラミツク等の電気絶縁材料から成る絶縁基体１と
蓋体２、及び半導体素子と外部回路とを電気的に
接続するための外部リード端子３により構成され
ており、金（Au）等から成る固着用材料５を基
体１の凹部６底面にあらかじめ塗布し、該固着用
材料５を例えばヒータブロツク７の熱によつて加
熱溶融せしめると共に、半導体素子４を凹部６底
面に搭載して固着用材料５を固化せしめることに
より半導体素子４を固着し、しかる後蓋体２を基
体１上面に取着することによつて半導体素子４を
気密に封止している。
るためのパツケージは、第２図に示すように、セ
ラミツク等の電気絶縁材料から成る絶縁基体１と
蓋体２、及び半導体素子と外部回路とを電気的に
接続するための外部リード端子３により構成され
ており、金（Au）等から成る固着用材料５を基
体１の凹部６底面にあらかじめ塗布し、該固着用
材料５を例えばヒータブロツク７の熱によつて加
熱溶融せしめると共に、半導体素子４を凹部６底
面に搭載して固着用材料５を固化せしめることに
より半導体素子４を固着し、しかる後蓋体２を基
体１上面に取着することによつて半導体素子４を
気密に封止している。
（考案が解決しようとする問題点）
しかし乍ら、この従来の半導体パツケージで
は、セラミツク等から成る基体がその焼成工程で
凹部６方向に歪んだ場合、基体１底面の凹部６に
対応する部位Ｘはヒーターブロツク７に当接しな
いこととなり、その結果凹部６底面の固着用材料
５を完全に溶解せしめることができず、半導体素
子４の固着不良を生じてしまうという問題点を有
していた。
は、セラミツク等から成る基体がその焼成工程で
凹部６方向に歪んだ場合、基体１底面の凹部６に
対応する部位Ｘはヒーターブロツク７に当接しな
いこととなり、その結果凹部６底面の固着用材料
５を完全に溶解せしめることができず、半導体素
子４の固着不良を生じてしまうという問題点を有
していた。
この問題点を解消するために、基体１がその焼
成工程で歪んだ場合でも固着用材料５を完全に溶
融せしめることができる程度の高熱を基体１に印
加することも考えられるが、基体１が凹部６方向
に歪んだ場合、ヒーターブロツク７の熱は基体底
面の両端部に印加されることから、基体１の側面
に異形状に形成されたノツチ部（不図示）に熱応
力が集中し、このノツチ部にクラツク（ひび）を
生じてしまうという問題点を誘発する。
成工程で歪んだ場合でも固着用材料５を完全に溶
融せしめることができる程度の高熱を基体１に印
加することも考えられるが、基体１が凹部６方向
に歪んだ場合、ヒーターブロツク７の熱は基体底
面の両端部に印加されることから、基体１の側面
に異形状に形成されたノツチ部（不図示）に熱応
力が集中し、このノツチ部にクラツク（ひび）を
生じてしまうという問題点を誘発する。
（考案の目的）
本考案は上記問題点を鑑み案出されたものであ
り、その目的はセラミツク等から成る基体１がそ
の焼成工程で歪んだ場合でも基体底面の凹部に対
応する部位をヒーターブロツクに完全に当接せし
めて半導体素子の固着不良を解消すると共に、基
体の側面に形成されたノツチ部にクラツク等を生
ずることのない半導体パツケージを提供すること
にある。
り、その目的はセラミツク等から成る基体１がそ
の焼成工程で歪んだ場合でも基体底面の凹部に対
応する部位をヒーターブロツクに完全に当接せし
めて半導体素子の固着不良を解消すると共に、基
体の側面に形成されたノツチ部にクラツク等を生
ずることのない半導体パツケージを提供すること
にある。
（問題点を解決するための手段）
本考案の半導体パツケージは、半導体素子を収
納するための凹部が形成された絶縁基体と蓋体か
ら成る半導体パツケージにおいて、前記絶縁基体
の凹部とは反対側の面に凸状部を形成したことを
特徴とする。
納するための凹部が形成された絶縁基体と蓋体か
ら成る半導体パツケージにおいて、前記絶縁基体
の凹部とは反対側の面に凸状部を形成したことを
特徴とする。
（実施例）
以下、本考案を添付図面に示す実施例に基づき
詳細に説明する。
詳細に説明する。
尚、図中従来例と同一箇所には同一符号が付し
てある。
てある。
第１図ａは本考案の半導体パツケージの一実施
例を示す縦断面図、第１図ｂは同じく短手方向の
縦断面図であり、１はセラミツク等の電気絶縁材
料から成る基体、２は同じく電気絶縁材料から成
る蓋体である。
例を示す縦断面図、第１図ｂは同じく短手方向の
縦断面図であり、１はセラミツク等の電気絶縁材
料から成る基体、２は同じく電気絶縁材料から成
る蓋体である。
前記基体１の上面略中央部には半導体素子４を
収納するための凹部６が形成してあり、該凹部６
底面には半導体素子４を固着するための金
（Au）、銀（Ag）等のロウ材やガラス等から成る
固着用材料５が塗布されている。
収納するための凹部６が形成してあり、該凹部６
底面には半導体素子４を固着するための金
（Au）、銀（Ag）等のロウ材やガラス等から成る
固着用材料５が塗布されている。
前記基体１及び蓋体２には、その相対向する主
面に封止用のガラス層８ａ，８ｂがそれぞれ形成
されており、該ガラス層８ａ，８ｂを加熱溶融さ
せ一体化させることにより半導体素子４を気密に
封止する。
面に封止用のガラス層８ａ，８ｂがそれぞれ形成
されており、該ガラス層８ａ，８ｂを加熱溶融さ
せ一体化させることにより半導体素子４を気密に
封止する。
また、前記基体１の上面には導電性材料、例え
ばコバール（Fe−Ni−Co）、42アロイ（Fe−Ni）
等の金属から成る外部リード端子３が配されてお
り、該外部リード端子３は半導体素子４の各電極
がワイヤー９を介して電気的に接続され、外部リ
ード端子３を外部回路に接続することにより半導
体素子４が外部回路と接続されることとなる。
ばコバール（Fe−Ni−Co）、42アロイ（Fe−Ni）
等の金属から成る外部リード端子３が配されてお
り、該外部リード端子３は半導体素子４の各電極
がワイヤー９を介して電気的に接続され、外部リ
ード端子３を外部回路に接続することにより半導
体素子４が外部回路と接続されることとなる。
かくして、この半導体パツケージによれば、凹
部６底面に固着用材料５があらかじめ塗布された
基体１をヒータ−ブロツク７に載置して加熱し、
固着用材料５を溶融した後、半導体素子４を搭載
して固着用材料５を固化させることにより半導体
素子４を凹部６底面に固着し、該半導体素子４の
各電極をワイヤ９により外部リード端子３に接続
して、基体１と蓋体２を固着することによりその
内部に半導体素子４を気密に封止する。
部６底面に固着用材料５があらかじめ塗布された
基体１をヒータ−ブロツク７に載置して加熱し、
固着用材料５を溶融した後、半導体素子４を搭載
して固着用材料５を固化させることにより半導体
素子４を凹部６底面に固着し、該半導体素子４の
各電極をワイヤ９により外部リード端子３に接続
して、基体１と蓋体２を固着することによりその
内部に半導体素子４を気密に封止する。
本考案においては、基体１の凹部６とは反対側
の面に凸状部を形成することが重要である。
の面に凸状部を形成することが重要である。
このため、例えば第１図ａ，ｂに示す実施例で
は、基体１の底面略中央部に三次元の曲面状を有
する凸状部１０を形成している。
は、基体１の底面略中央部に三次元の曲面状を有
する凸状部１０を形成している。
このように、基体１底面の凹部６に対応する部
位に凸状部１０を形成することにより、基体１が
その焼成工程において凹部６方向に歪んだとして
も、凸状部１０が依然としてヒーターブロツク７
に当接することから、ヒーターブロツク７の熱を
固着用材料５に常に最短距離で直接印加すること
が可能となる。これにより、固着用材料５は完全
に溶融し、半導体素子４の固着不良が生ずること
はない。
位に凸状部１０を形成することにより、基体１が
その焼成工程において凹部６方向に歪んだとして
も、凸状部１０が依然としてヒーターブロツク７
に当接することから、ヒーターブロツク７の熱を
固着用材料５に常に最短距離で直接印加すること
が可能となる。これにより、固着用材料５は完全
に溶融し、半導体素子４の固着不良が生ずること
はない。
尚、前記凸状部１０の厚みは、基体１の焼成工
程における歪みの可能性を考慮して決定すればよ
く、例えば50＋40μm程度に形成される。
程における歪みの可能性を考慮して決定すればよ
く、例えば50＋40μm程度に形成される。
また、前記凸状部１０は、プレス成形機の杵を
凹状に形成して基体１のプレス成形時に基体１を
形成するのと同時に形成するか、基体１底面を平
面状に形成した後に周縁部を研削することにより
形成される。
凹状に形成して基体１のプレス成形時に基体１を
形成するのと同時に形成するか、基体１底面を平
面状に形成した後に周縁部を研削することにより
形成される。
（考案の効果）
以上詳述したように、本考案の半導体パツケー
ジによれば、固着用材料が塗布された凹部とは反
対側の面に凸状部を形成したことから、基体１が
焼成工程で凹部方向に歪んだとしても、凹部に対
応する底面は常にヒーターブロツクに当接せしめ
ることができ、もつて固着用材料を完全に溶融せ
しめて半導体素子を常に強固に固着することがで
きる半導体パツケージの提供が可能となる。
ジによれば、固着用材料が塗布された凹部とは反
対側の面に凸状部を形成したことから、基体１が
焼成工程で凹部方向に歪んだとしても、凹部に対
応する底面は常にヒーターブロツクに当接せしめ
ることができ、もつて固着用材料を完全に溶融せ
しめて半導体素子を常に強固に固着することがで
きる半導体パツケージの提供が可能となる。
また、本考案の半導体パツケージによれば、ヒ
ータブロツクの熱が基体底面の略中央部から均一
に印加されることから、基体側面に異形状に形成
されたノツチ部に熱応力が集中することはなく、
もつてノツチ部にクラツチ等が発生することも皆
無となる。
ータブロツクの熱が基体底面の略中央部から均一
に印加されることから、基体側面に異形状に形成
されたノツチ部に熱応力が集中することはなく、
もつてノツチ部にクラツチ等が発生することも皆
無となる。
第１図ａは本考案の半導体パツケージの一実施
例を示す縦断面図、第１図ｂは同じく短手方向の
縦断面図、第２図は従来の半導体パツケージを示
す縦断面図である。 １……絶縁基体、２……蓋体、４……半導体素
子、６……凹部、１０……凸状部。
例を示す縦断面図、第１図ｂは同じく短手方向の
縦断面図、第２図は従来の半導体パツケージを示
す縦断面図である。 １……絶縁基体、２……蓋体、４……半導体素
子、６……凹部、１０……凸状部。
Claims (1)
- 半導体素子を収納するための凹部が形成された
絶縁基体と蓋体から成る半導体パツケージにおい
て、前記絶縁基体の凹部とは反対側の面に凸状部
を形成したことを特徴とする半導体パツケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1364386U JPH043501Y2 (ja) | 1986-01-31 | 1986-01-31 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1364386U JPH043501Y2 (ja) | 1986-01-31 | 1986-01-31 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62131444U JPS62131444U (ja) | 1987-08-19 |
| JPH043501Y2 true JPH043501Y2 (ja) | 1992-02-04 |
Family
ID=30802896
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1364386U Expired JPH043501Y2 (ja) | 1986-01-31 | 1986-01-31 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH043501Y2 (ja) |
-
1986
- 1986-01-31 JP JP1364386U patent/JPH043501Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62131444U (ja) | 1987-08-19 |
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