JP2522165B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JP2522165B2 JP2522165B2 JP5163383A JP16338393A JP2522165B2 JP 2522165 B2 JP2522165 B2 JP 2522165B2 JP 5163383 A JP5163383 A JP 5163383A JP 16338393 A JP16338393 A JP 16338393A JP 2522165 B2 JP2522165 B2 JP 2522165B2
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- cap
- semiconductor device
- sealing
- metallization
- sapphire plate
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に関し、特に
サファイアキャップを有する半導体装置に関する。
サファイアキャップを有する半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４（ａ）および（ｂ）ならびに図５
（ａ）および（ｂ）を参照すると、従来の半導体装置
は、サファイアキャップ１にチタン及び金をメタライズ
されたキャップ部メタライズ１８が形成されている（例
えば、特開昭６０−２５０６５４号公報）。
（ａ）および（ｂ）を参照すると、従来の半導体装置
は、サファイアキャップ１にチタン及び金をメタライズ
されたキャップ部メタライズ１８が形成されている（例
えば、特開昭６０−２５０６５４号公報）。
【０００３】このキャップを実際に封着する場合、図５
（ａ）及び（ｂ）に示すように、キャップ部メタライズ
１８が、金すず等のシールロー材７によって、セラミッ
クパッケージ１０のパッケージ側壁上に形成された、パ
ッケージ側シール部メタライズ８に３００℃程度の加熱
によるろう付けされ、メタライズ８及び１８の金とろう
材７が溶け、シール部合金層１９を形成して、半導体装
置を気密化していた。
（ａ）及び（ｂ）に示すように、キャップ部メタライズ
１８が、金すず等のシールロー材７によって、セラミッ
クパッケージ１０のパッケージ側壁上に形成された、パ
ッケージ側シール部メタライズ８に３００℃程度の加熱
によるろう付けされ、メタライズ８及び１８の金とろう
材７が溶け、シール部合金層１９を形成して、半導体装
置を気密化していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の半導体装置は、サファイアの表面に直接メタライズ
が形成されており、メタライズの密着性が悪い場合に
は、封着時の熱的歪でメタライズがはがれ、半導体装置
の気密性が悪くなり、その結果として半導体装置の気密
試験時に歩留りが低下するという問題点があった。
来の半導体装置は、サファイアの表面に直接メタライズ
が形成されており、メタライズの密着性が悪い場合に
は、封着時の熱的歪でメタライズがはがれ、半導体装置
の気密性が悪くなり、その結果として半導体装置の気密
試験時に歩留りが低下するという問題点があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
サファイア板から形成されたキャップを用いて半導体チ
ップを気密封止する半導体装置において、前記キャップ
のサファイア板に封着する前にあらかじめ低融点のろう
材をろう付され、前記キャップのサファイア板より熱伝
導率の低い材質で形成される側壁を備える。また、本発
明の半導体装置は、前記半導体チップをセラミックのケ
ースに収納することもできる。
サファイア板から形成されたキャップを用いて半導体チ
ップを気密封止する半導体装置において、前記キャップ
のサファイア板に封着する前にあらかじめ低融点のろう
材をろう付され、前記キャップのサファイア板より熱伝
導率の低い材質で形成される側壁を備える。また、本発
明の半導体装置は、前記半導体チップをセラミックのケ
ースに収納することもできる。
【０００６】さらにまた、本発明の半導体装置の前記側
壁はアルミナセラミックからなる構成とすることもでき
る。
壁はアルミナセラミックからなる構成とすることもでき
る。
【０００７】また、さらに本発明の半導体装置の前記側
壁の一部はエポキシ樹脂からなる構成とすることもでき
る。
壁の一部はエポキシ樹脂からなる構成とすることもでき
る。
【０００８】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【０００９】図１（ａ）及び（ｂ）は本発明の第１の実
施例の半導体装置のキャップの平面図及び断面図であ
る。
施例の半導体装置のキャップの平面図及び断面図であ
る。
【００１０】このキャップの製造に当たっては、図１
（ｃ）に示すように、メタライズ５を施されたサファイ
ア板１及び高さが３ｍｍ、太さが０．５ｍｍ程度のアル
ミナセラミックのキャップ側壁３を、融点２６０℃程度
の金すずのろう材６でろう付けしてある。
（ｃ）に示すように、メタライズ５を施されたサファイ
ア板１及び高さが３ｍｍ、太さが０．５ｍｍ程度のアル
ミナセラミックのキャップ側壁３を、融点２６０℃程度
の金すずのろう材６でろう付けしてある。
【００１１】次に、図２（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、
前記キャップを封着する時の工程断面図である。
前記キャップを封着する時の工程断面図である。
【００１２】この時、融点２８０℃程度の金すずのシー
ルろう材７を３００℃程度に加熱されたセラミックパッ
ケージ１０のシール部に形成されたパッケージ側シール
部メタライズ８の上に置き、シールろう材７が、溶け始
めた頃に前記キャップを載せ、数秒で封着を行なう。
ルろう材７を３００℃程度に加熱されたセラミックパッ
ケージ１０のシール部に形成されたパッケージ側シール
部メタライズ８の上に置き、シールろう材７が、溶け始
めた頃に前記キャップを載せ、数秒で封着を行なう。
【００１３】この結果、従来のキャップの封着時におい
ての熱が直接サファイア板のメタライズに伝わっていた
のを、低熱伝導率のアルミナセラミックのキャップ側壁
３を追することによって、熱の伝わりを遅くし、サファ
イア板１のメタライズ５の温度が高くなる前に、封着を
完了でき、封着時の熱によるサファイア板のメタライズ
のはがれを防止することができる。
ての熱が直接サファイア板のメタライズに伝わっていた
のを、低熱伝導率のアルミナセラミックのキャップ側壁
３を追することによって、熱の伝わりを遅くし、サファ
イア板１のメタライズ５の温度が高くなる前に、封着を
完了でき、封着時の熱によるサファイア板のメタライズ
のはがれを防止することができる。
【００１４】また、封着時に、サファイア板１のメタラ
イズ５に熱が伝わりにくいため、サファイア板１のキャ
ップ側壁３へのろう付け温度を低くできるので、高熱に
よるサファイア板のメタライズのはがれを抑えることも
できる。
イズ５に熱が伝わりにくいため、サファイア板１のキャ
ップ側壁３へのろう付け温度を低くできるので、高熱に
よるサファイア板のメタライズのはがれを抑えることも
できる。
【００１５】さらに、この実施例において、キャップ側
壁３を、熱伝導率の低いエポキシ樹脂等を一部使用して
さらに効果を上げることもできる。
壁３を、熱伝導率の低いエポキシ樹脂等を一部使用して
さらに効果を上げることもできる。
【００１６】次に、本発明の第２の実施例の半導体装置
を説明する。図３（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ第２実施
例の半導体装置のキャップの平面図及び断面図である。
を説明する。図３（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ第２実施
例の半導体装置のキャップの平面図及び断面図である。
【００１７】このキャップにおいては、キャップ側壁１
６をサファイア板１のメタライズ２を覆うように形成し
ており、このため、半導体装置の封着時の周囲温度より
の熱を防ぐことができ、第１の実施例より、さらに効果
を上げることができる。
６をサファイア板１のメタライズ２を覆うように形成し
ており、このため、半導体装置の封着時の周囲温度より
の熱を防ぐことができ、第１の実施例より、さらに効果
を上げることができる。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、サファイ
ア板に熱伝導率の低いキャップ側壁を形成し、封着時の
熱が、サファイア板のメタライズのろう付け部に伝わり
にくくしたので、サファイア板のキャップ側壁へのろう
付けの温度を低くでき、サファイア板のメタライズのは
がれを、封着時及び、キャップ製造時に抑えることがで
き、また、工程ばらつきにより、サファイア板のメタラ
イズ貼り付き強度が低いものが発生しても、キャップ製
造時に発見でき、コストダウンにつながるという結果を
有する。
ア板に熱伝導率の低いキャップ側壁を形成し、封着時の
熱が、サファイア板のメタライズのろう付け部に伝わり
にくくしたので、サファイア板のキャップ側壁へのろう
付けの温度を低くでき、サファイア板のメタライズのは
がれを、封着時及び、キャップ製造時に抑えることがで
き、また、工程ばらつきにより、サファイア板のメタラ
イズ貼り付き強度が低いものが発生しても、キャップ製
造時に発見でき、コストダウンにつながるという結果を
有する。
【図１】本発明の第１の実施例の半導体装置を示す図
で、（ａ）は半導体装置のキャップの平面図を示し、
（ｂ）は部分図（ａ）のＡ−Ａ′での断面図を示し、
（ｃ）はキャップ製造時の断面図を示す。
で、（ａ）は半導体装置のキャップの平面図を示し、
（ｂ）は部分図（ａ）のＡ−Ａ′での断面図を示し、
（ｃ）はキャップ製造時の断面図を示す。
【図２】図１に示したキャップの封着時の工程断面図で
ある。
ある。
【図３】本発明の第２の実施例の半導体装置を示す図
で、（ａ）は半導体装置のキャップの平面図を示し、
（ｂ）は部分図（ａ）のＢ−Ｂ′での断面図を示す。
で、（ａ）は半導体装置のキャップの平面図を示し、
（ｂ）は部分図（ａ）のＢ−Ｂ′での断面図を示す。
【図４】従来の半導体装置を示す図で、（ａ）は半導体
装置のキャップの平面図を示し、（ｂ）は部分図（ａ）
のＣ−Ｃ′での断面図を示す。
装置のキャップの平面図を示し、（ｂ）は部分図（ａ）
のＣ−Ｃ′での断面図を示す。
【図５】図４に示したキャップの封着時の工程断面図で
ある。
ある。
１ サファイア板 ２ キャップ部合金層 ３ キャップ側壁 ４ キャップ側シール部メタライズ ５ メタライズ ６ ろう材 ７ シールろう材 ８ パッケージ側シール部メタライズ ９ リード １０ セラミックパッケージ １１ マウント部 １２ ペレット １３ ボンディングワイヤ １４ シール部合金層 １５ キャップ部合金層 １６ キャップ側壁 １７ キャップ側シール部メタライズ １８ キャップ部メタライズ １９ シール部合金層
Claims (4)
- 【請求項１】 サファイア板から形成されたキャップを
用いて半導体チップを気密封止する半導体装置におい
て、前記キャップのサファイア板に封着する前にあらか
じめ低融点のろう材をろう付され、前記キャップのサフ
ァイア板より熱伝導率の低い材質で形成される側壁を備
えることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 前記半導体チップをセラミックのケース
の収納することを特徴とする請求項１記載の半導体装
置。 - 【請求項３】 前記側壁はアルミナセラミックからなる
ことを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置。 - 【請求項４】 前記側壁の一部はエポキシ樹脂からなる
ことを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5163383A JP2522165B2 (ja) | 1993-07-01 | 1993-07-01 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5163383A JP2522165B2 (ja) | 1993-07-01 | 1993-07-01 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0722534A JPH0722534A (ja) | 1995-01-24 |
| JP2522165B2 true JP2522165B2 (ja) | 1996-08-07 |
Family
ID=15772849
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5163383A Expired - Fee Related JP2522165B2 (ja) | 1993-07-01 | 1993-07-01 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2522165B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4637647B2 (ja) * | 2005-05-26 | 2011-02-23 | 京セラ株式会社 | 電子部品収納用パッケージおよび電子装置 |
-
1993
- 1993-07-01 JP JP5163383A patent/JP2522165B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0722534A (ja) | 1995-01-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19960402 |
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| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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