JP2823063B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に関し、より詳しくは、半導体チップをセラミック製パ
ッケージにより封止する工程を含む半導体装置の製造方
法に関する。
に関し、より詳しくは、半導体チップをセラミック製パ
ッケージにより封止する工程を含む半導体装置の製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体チップを封止するセラミック製パ
ッケージは、ＤＩＰ（dual in line package）型ととも
に、図３(a),(b) に示すような表面実装型のパッケージ
P1，P2が使用されるようになっており、そのリードL1，
L2は、Ｊ字状やＬ字状に湾曲されている。
ッケージは、ＤＩＰ（dual in line package）型ととも
に、図３(a),(b) に示すような表面実装型のパッケージ
P1，P2が使用されるようになっており、そのリードL1，
L2は、Ｊ字状やＬ字状に湾曲されている。
【０００３】なお、図３に示すパッケージP1，P2は、Ｅ
ＰＲＯＭを収納するもので、その上方には窓ガラスG1，
G2が取付けられている。セラミック製パッケージによっ
て半導体チップを封止する場合には次に述べる工程を経
ることになる。
ＰＲＯＭを収納するもので、その上方には窓ガラスG1，
G2が取付けられている。セラミック製パッケージによっ
て半導体チップを封止する場合には次に述べる工程を経
ることになる。
【０００４】まず、図４(a) に示すように、セラミック
キャップ４１の下面周縁に沿って低融点ガラス４２を0.
４〜0.５ｍｍの厚さに塗布しておく。そして、図４(b)
に示すように、セラミック基板４３の中央に凹設された
キャビティ４４に半導体チップ４５を載せ、その周囲に
複数のリード４６を取付けて、ついで、半導体チップ４
５とリード４６をアルミニウム線４７により接続する。
キャップ４１の下面周縁に沿って低融点ガラス４２を0.
４〜0.５ｍｍの厚さに塗布しておく。そして、図４(b)
に示すように、セラミック基板４３の中央に凹設された
キャビティ４４に半導体チップ４５を載せ、その周囲に
複数のリード４６を取付けて、ついで、半導体チップ４
５とリード４６をアルミニウム線４７により接続する。
【０００５】ついで、セラミックキャップ４１をセラミ
ック基板４３の上に置き、これを加熱炉（不図示）に入
れて温度を４２５℃から４４５℃まで上昇させると、低
融点ガラス４２が溶融してこれによりセラミックキャッ
プ４１とセラミック基板４３が封着されることになる
（図４(c))。
ック基板４３の上に置き、これを加熱炉（不図示）に入
れて温度を４２５℃から４４５℃まで上昇させると、低
融点ガラス４２が溶融してこれによりセラミックキャッ
プ４１とセラミック基板４３が封着されることになる
（図４(c))。
【０００６】しかし、このような封着方法によれば、加
熱の際にキャビティ４４内の気体が膨張し、セラミック
キャップ４１に傾きが生じてしまう。そこで、図５(a)
に示すように、低融点ガラス４２を塗布する際に、セラ
ミックキャップ４１の一部が表出するような深さの溝４
８を１ケ以上設けるようにしている。
熱の際にキャビティ４４内の気体が膨張し、セラミック
キャップ４１に傾きが生じてしまう。そこで、図５(a)
に示すように、低融点ガラス４２を塗布する際に、セラ
ミックキャップ４１の一部が表出するような深さの溝４
８を１ケ以上設けるようにしている。
【０００７】これによれば、セラミック基板４３の上に
セラミックキャップ４１を載せた状態で（図５(b))低融
点ガラス４２を加熱炉内で加熱すると、キャビティ４４
内で膨張した気体は溝４８から外部に逃げ、セラミック
キャップ４１の傾きが生じなくなる（図５(b) 〜(d))。
低融点ガラス４２が溶融する際には、図５(b) 〜(d)に
示すように、溝４８は低融点ガラス４２によってセラミ
ック基板４３方向から徐々に浸食され、加熱温度が４４
５℃〜４５０℃に達した時点で消滅することになる。
セラミックキャップ４１を載せた状態で（図５(b))低融
点ガラス４２を加熱炉内で加熱すると、キャビティ４４
内で膨張した気体は溝４８から外部に逃げ、セラミック
キャップ４１の傾きが生じなくなる（図５(b) 〜(d))。
低融点ガラス４２が溶融する際には、図５(b) 〜(d)に
示すように、溝４８は低融点ガラス４２によってセラミ
ック基板４３方向から徐々に浸食され、加熱温度が４４
５℃〜４５０℃に達した時点で消滅することになる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、溝４８が縮小
する過程においては、キャビティ４４の内圧とセラミッ
クキャップ４１の外圧が等しくなるので、低融点ガラス
４２は、セラミックキャップ４１又はセラミック基板４
３の重さにより押圧されて横方向にはみ出し、低融点ガ
ラス４２の膜厚が薄くなって接着力が弱くなったり、あ
るいはガラスがはみ出すことによる封止外観が劣悪にな
るといった問題が生じる。
する過程においては、キャビティ４４の内圧とセラミッ
クキャップ４１の外圧が等しくなるので、低融点ガラス
４２は、セラミックキャップ４１又はセラミック基板４
３の重さにより押圧されて横方向にはみ出し、低融点ガ
ラス４２の膜厚が薄くなって接着力が弱くなったり、あ
るいはガラスがはみ出すことによる封止外観が劣悪にな
るといった問題が生じる。
【０００９】本発明はこのような問題に鑑みてなされた
ものであって、セラミック基板とセラミックキャップを
接着するガラスの薄層化を抑制することができる半導体
装置の製造方法を提供することを目的とする。
ものであって、セラミック基板とセラミックキャップを
接着するガラスの薄層化を抑制することができる半導体
装置の製造方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記した課題は、図１に
例示するように、セラミックよりなるキャップ１の一面
の周縁に、該キャップ１を露出させない深さの凹部３を
設けたガラス膜２を形成する工程と、中央に半導体チッ
プ３６を載置するキャビティ５を形成したセラミック製
の基板４の周囲にリード７を配置する工程と、前記キャ
ップ１によって前記基板４のキャビティ５側を覆う工程
と、前記ガラス膜２を加熱溶融することにより前記キャ
ップ１と前記基板４を接着して前記半導体チップ３６を
封止する工程とを有することを特徴とする半導体装置の
製造方法により達成する。
例示するように、セラミックよりなるキャップ１の一面
の周縁に、該キャップ１を露出させない深さの凹部３を
設けたガラス膜２を形成する工程と、中央に半導体チッ
プ３６を載置するキャビティ５を形成したセラミック製
の基板４の周囲にリード７を配置する工程と、前記キャ
ップ１によって前記基板４のキャビティ５側を覆う工程
と、前記ガラス膜２を加熱溶融することにより前記キャ
ップ１と前記基板４を接着して前記半導体チップ３６を
封止する工程とを有することを特徴とする半導体装置の
製造方法により達成する。
【００１１】または、図２に例示するように、セラミッ
クよりなるキャップ１の一面の周縁のガラス膜形成領域
の少なくとも一部に、溶けたガラスの流れの良い金属膜
14を形成した後に、該金属膜14を露出させる凹部13を設
けたガラス膜12を前記ガラス膜形成領域に形成する工程
と、中央に半導体チップ６を載置するキャビティ６を形
成したセラミック製の基板４の周囲にリード７を配置す
る工程と、前記キャップ１により前記基板４のキャビテ
ィ側を覆う工程と、前記ガラス膜12を加熱溶融すること
により前記キャップ１と前記基板４を接着して前記半導
体チップ６を封止する工程とを有することを特徴とする
半導体装置の製造方法により達成する。
クよりなるキャップ１の一面の周縁のガラス膜形成領域
の少なくとも一部に、溶けたガラスの流れの良い金属膜
14を形成した後に、該金属膜14を露出させる凹部13を設
けたガラス膜12を前記ガラス膜形成領域に形成する工程
と、中央に半導体チップ６を載置するキャビティ６を形
成したセラミック製の基板４の周囲にリード７を配置す
る工程と、前記キャップ１により前記基板４のキャビテ
ィ側を覆う工程と、前記ガラス膜12を加熱溶融すること
により前記キャップ１と前記基板４を接着して前記半導
体チップ６を封止する工程とを有することを特徴とする
半導体装置の製造方法により達成する。
【００１２】または、少なくとも前記ガラス膜２に当た
る領域の前記リード７にアルミニウム膜８が形成されて
いることを特徴とする前記２つの半導体装置の製造方法
によって達成する。
る領域の前記リード７にアルミニウム膜８が形成されて
いることを特徴とする前記２つの半導体装置の製造方法
によって達成する。
【００１３】
【作 用】第１、２の発明によれば、キャップ１の一面
に形成するガラス膜２にキャップ１を露出しない凹部３
を形成したり、あるいは、キャップ１の表面に、溶けた
ガラスの流れの良い金属膜１４を形成してその上にガラ
ス膜12の凹部13を形成している。
に形成するガラス膜２にキャップ１を露出しない凹部３
を形成したり、あるいは、キャップ１の表面に、溶けた
ガラスの流れの良い金属膜１４を形成してその上にガラ
ス膜12の凹部13を形成している。
【００１４】このため、キャップ１と基板４を合わせて
ガラス膜２，12を加熱溶融すれば、溶けたガラス膜２が
短時間で凹部３，13を収縮、消滅させることになる。こ
の場合、キャビティ５内で膨張した気体の一部は凹部３
を通して抜け出すが、その凹部３が短時間で閉じるため
に、キャビティ５の内圧が外圧よりも高い状態に保持さ
れ、キャップ１がその重さによりガラス膜２を押圧して
薄くすることはない。しかも、そのキャビティ５内の気
体は、キャップ１を傾けるまでの圧力を有しておらず、
加熱後のキャップ１には位置ズレが生じていないことが
確かめられている。
ガラス膜２，12を加熱溶融すれば、溶けたガラス膜２が
短時間で凹部３，13を収縮、消滅させることになる。こ
の場合、キャビティ５内で膨張した気体の一部は凹部３
を通して抜け出すが、その凹部３が短時間で閉じるため
に、キャビティ５の内圧が外圧よりも高い状態に保持さ
れ、キャップ１がその重さによりガラス膜２を押圧して
薄くすることはない。しかも、そのキャビティ５内の気
体は、キャップ１を傾けるまでの圧力を有しておらず、
加熱後のキャップ１には位置ズレが生じていないことが
確かめられている。
【００１５】また、第３の発明によれば、ガラス膜２が
当たる領域のリード７にアルミニウム膜８を形成してい
るために、溶けたガラスの流れがさらによくなる。
当たる領域のリード７にアルミニウム膜８を形成してい
るために、溶けたガラスの流れがさらによくなる。
【００１６】
【実施例】（ａ）本発明の一実施例の説明 図１は、本発明の一実施例の半導体チップ封止工程を示
す平面図と側面図である。
す平面図と側面図である。
【００１７】図において符号１は、アルミナのような絶
縁性セラミックよりなる平面矩形状のキャップで、その
下面周縁の環状領域には４３０℃以上の温度で溶融する
低融点のガラス膜２が１〜３mmの幅、0.４０〜0.５０mm
の厚さに積層されている。また、そのガラス膜２の１ヵ
所又は数カ所には、図１(a),(b) に示すように、0.４４
〜0.３０mmの深さ（Ｄ）、0.２〜0.４mmの長さ（Ｌ）の
凹部３がガラス膜２を幅方向に横切って形成されてい
る。
縁性セラミックよりなる平面矩形状のキャップで、その
下面周縁の環状領域には４３０℃以上の温度で溶融する
低融点のガラス膜２が１〜３mmの幅、0.４０〜0.５０mm
の厚さに積層されている。また、そのガラス膜２の１ヵ
所又は数カ所には、図１(a),(b) に示すように、0.４４
〜0.３０mmの深さ（Ｄ）、0.２〜0.４mmの長さ（Ｌ）の
凹部３がガラス膜２を幅方向に横切って形成されてい
る。
【００１８】ガラス膜２は、例えば0.０６〜0.１０mmの
厚さのガラスをスクリーン印刷により複数回塗布して形
成したもので、ガラス膜２の中層や上層部分を積層する
際に凹部形成領域を除いた部分のみにガラスを印刷すれ
ば、凹部３は容易に形成される。
厚さのガラスをスクリーン印刷により複数回塗布して形
成したもので、ガラス膜２の中層や上層部分を積層する
際に凹部形成領域を除いた部分のみにガラスを印刷すれ
ば、凹部３は容易に形成される。
【００１９】４は、中央に凹状のキャビティ５を有する
セラミック製の基板で、そのキャビティ５の中にはＥＰ
ＲＯＭを有する半導体チップ６が金錫共晶や銀ガラス等
により接着され、また、その周囲には、外側にＬ字状に
折り曲げられた複数の４２アロイリード７がガラスによ
り貼付けられている。さらに、リード７のうちキャップ
１に当たる部分とワイヤボンディング部分の表面はアル
ミニウム膜８で覆われており、ワイヤボンディング部分
と半導体チップ６上のパッド（不図示）とはアルミニウ
ムワイヤー９により接続されている。
セラミック製の基板で、そのキャビティ５の中にはＥＰ
ＲＯＭを有する半導体チップ６が金錫共晶や銀ガラス等
により接着され、また、その周囲には、外側にＬ字状に
折り曲げられた複数の４２アロイリード７がガラスによ
り貼付けられている。さらに、リード７のうちキャップ
１に当たる部分とワイヤボンディング部分の表面はアル
ミニウム膜８で覆われており、ワイヤボンディング部分
と半導体チップ６上のパッド（不図示）とはアルミニウ
ムワイヤー９により接続されている。
【００２０】このような状態で、まず、ガラス膜２の形
成面を下にしてキャップ１を基板４の上に載置した後
に、これらを加熱炉（不図示）の中に入れる（図１
(c))。この場合の加熱炉は例えば４２５℃以下の温度に
設定しておく。
成面を下にしてキャップ１を基板４の上に載置した後
に、これらを加熱炉（不図示）の中に入れる（図１
(c))。この場合の加熱炉は例えば４２５℃以下の温度に
設定しておく。
【００２１】次に、キャップ１を載せた基板４を加熱炉
に入れた後に炉内温度を４４５℃〜４５０℃まで徐々に
上昇させると、キャップ１下面のガラス膜２は４３０℃
から溶け出す。このとき、ガラス膜２の凹部３は、溶融
したガラスによって周囲全体から収縮されてついには消
滅し、その速度は速く、加熱温度４３０℃に達した時点
で短時間で進行する（図１(d))。
に入れた後に炉内温度を４４５℃〜４５０℃まで徐々に
上昇させると、キャップ１下面のガラス膜２は４３０℃
から溶け出す。このとき、ガラス膜２の凹部３は、溶融
したガラスによって周囲全体から収縮されてついには消
滅し、その速度は速く、加熱温度４３０℃に達した時点
で短時間で進行する（図１(d))。
【００２２】また、キャビティ５内で膨張した気体の一
部は凹部３を通して抜け出すが、その凹部３が短時間で
閉じるために、キャビティ５の内圧が外圧よりも高い状
態となり、キャップ１がその重さによりガラス膜２を押
圧して薄くすることはない。しかも、そのキャビティ５
内の気体は、キャップ１を傾けるまでの圧力を有してお
らず、加熱後のキャップ１には位置ズレが生じないこと
が確かめられている。
部は凹部３を通して抜け出すが、その凹部３が短時間で
閉じるために、キャビティ５の内圧が外圧よりも高い状
態となり、キャップ１がその重さによりガラス膜２を押
圧して薄くすることはない。しかも、そのキャビティ５
内の気体は、キャップ１を傾けるまでの圧力を有してお
らず、加熱後のキャップ１には位置ズレが生じないこと
が確かめられている。
【００２３】このように、気体の抜け孔となる凹部３の
消滅が速いのは、溶けたガラスはガラス上を速く流れる
からである。これに対して、溶けたガラスはセラミック
上では流れにくく、図５に示すような従来方法による場
合には溝３８の収縮速度は遅く、キャビティ３４からの
気体の放出量が多くなって内圧と外圧が等しくなり、こ
の結果、キャップ３１はその重さによりガラス３２を押
圧すると考えられる。
消滅が速いのは、溶けたガラスはガラス上を速く流れる
からである。これに対して、溶けたガラスはセラミック
上では流れにくく、図５に示すような従来方法による場
合には溝３８の収縮速度は遅く、キャビティ３４からの
気体の放出量が多くなって内圧と外圧が等しくなり、こ
の結果、キャップ３１はその重さによりガラス３２を押
圧すると考えられる。
【００２４】なお、図中符号５ａは、キャップ１の内領
域に凹設した上側のキャビティ、１５は、キャップ１の
キャビティ５ａの中央に形成した窓ガラスを示してい
る。さらに、上記実施例では、リード７をＬ字状にして
図３(b) に示すような断面になるがリード７をＪ字状に
して同図(a) に示すような構造にすることもできる。
域に凹設した上側のキャビティ、１５は、キャップ１の
キャビティ５ａの中央に形成した窓ガラスを示してい
る。さらに、上記実施例では、リード７をＬ字状にして
図３(b) に示すような断面になるがリード７をＪ字状に
して同図(a) に示すような構造にすることもできる。
【００２５】（ｂ）本発明のその他の実施例の説明 上記した実施例では、ガラス膜３に、キャップ１が露出
しない程度の深さの凹部３を形成しているが、図２に示
すように、少なくとも凹部を形成する領域のキャップ１
の表面に、アルミニウムのようなガラスの流れが良くな
る金属膜１４を予め塗布し、凹部１３から金属膜１４を
露出するようにしておけば、凹部１３は第１実施例と同
様に速く消滅してガラス膜１２の薄層化が防止される。
しない程度の深さの凹部３を形成しているが、図２に示
すように、少なくとも凹部を形成する領域のキャップ１
の表面に、アルミニウムのようなガラスの流れが良くな
る金属膜１４を予め塗布し、凹部１３から金属膜１４を
露出するようにしておけば、凹部１３は第１実施例と同
様に速く消滅してガラス膜１２の薄層化が防止される。
【００２６】また、上記実施例では、ガラス膜２の積層
工程において凹部３を形成するようにしたが、ガラス膜
２を一様の厚さに形成した後に、その一部を削って凹部
３を形成するようにしてもよい。
工程において凹部３を形成するようにしたが、ガラス膜
２を一様の厚さに形成した後に、その一部を削って凹部
３を形成するようにしてもよい。
【００２７】なお、上記した実施例では、キャップ１を
基板４の上に載せて加熱するようにしているが、ガラス
膜２を上向きにしてキャップ１の上に基板４を載せるよ
うにしてもよい。
基板４の上に載せて加熱するようにしているが、ガラス
膜２を上向きにしてキャップ１の上に基板４を載せるよ
うにしてもよい。
【００２８】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、キャ
ップの一面に形成するガラス膜のキャップを露出しない
深さの凹部を形成したり、或いは、キャップの表面に溶
けたガラスの流れの良い膜を形成し、その上にガラス膜
の凹部を形成するようにしているので、溶けたガラス膜
の流れが溝の下のセラミックキャップ表面によって妨げ
られずに平坦化するように流れ、溶けたガラス膜の凹部
を短時間で消滅することができる。この結果、キャビテ
ィの内圧を低下させる際にキャビティの内圧が外圧より
も低くなることが防止され、セラミックキャップがその
重さによりガラス膜を薄層化することを未然に防止でき
る。
ップの一面に形成するガラス膜のキャップを露出しない
深さの凹部を形成したり、或いは、キャップの表面に溶
けたガラスの流れの良い膜を形成し、その上にガラス膜
の凹部を形成するようにしているので、溶けたガラス膜
の流れが溝の下のセラミックキャップ表面によって妨げ
られずに平坦化するように流れ、溶けたガラス膜の凹部
を短時間で消滅することができる。この結果、キャビテ
ィの内圧を低下させる際にキャビティの内圧が外圧より
も低くなることが防止され、セラミックキャップがその
重さによりガラス膜を薄層化することを未然に防止でき
る。
【００２９】しかも、そのキャビティ内の気体は、キャ
ップを傾けるまでの圧力を有しておらず、加熱後のキャ
ップの位置ズレの発生を防止できる。さらに、ガラス膜
が当たる基板の領域にアルミニウム膜を形成しているの
で、溶けたガラスの流れがさらに良くなり、凹部を短時
間で消滅することができる。
ップを傾けるまでの圧力を有しておらず、加熱後のキャ
ップの位置ズレの発生を防止できる。さらに、ガラス膜
が当たる基板の領域にアルミニウム膜を形成しているの
で、溶けたガラスの流れがさらに良くなり、凹部を短時
間で消滅することができる。
【図１】本発明の第１実施例を示す平面図及び側面図で
ある。
ある。
【図２】本発明の第２実施例を示す平面図及び側面図で
ある。
ある。
【図３】半導体装置の一例を示す断面図である。
【図４】従来方法の第１の例を示す平面図及び側面図で
ある。
ある。
【図５】従来方法の第２の例を示す側面図である。
１ キャップ ２ ガラス膜 ３ 凹部 ４ 基板 ５ キャビティ ６ 半導体チップ ７ リード ８ アルミニウム膜 12 ガラス膜 13 凹部 14 金属膜 15 窓ガラス
Claims (3)
- 【請求項１】セラミックよりなるキャップ（１）の一面
の周縁に、該キャップ（１）を露出させない深さの凹部
（３）を設けたガラス膜（２）を形成する工程と、 中央に半導体チップ（６）を載置するキャビティ（５）
を形成したセラミック製の基板（４）の周囲にリード
（７）を配置する工程と、 前記キャップ（１）によって、前記基板（４）のキャビ
ティ（５）側を覆う工程と、 前記ガラス膜（２）を加熱溶融することにより前記キャ
ップ（１）と前記基板（４）を接着して前記半導体チッ
プ（６）を封止する工程とを有することを特徴とする半
導体装置の製造方法。 - 【請求項２】セラミックよりなるキャップ（１）の一面
の周縁のガラス膜形成領域の少なくとも一部に、溶けた
ガラスの流れの良い金属膜（14）を形成した後に、該金
属膜（14）を露出させる凹部（13）を設けたガラス膜
（12）を前記ガラス膜形成領域に形成する工程と、 中央に半導体チップ（６）を載置するキャビティ（６）
を形成したセラミック製の基板（４）の周囲にリード
（７）を配置する工程と、 前記キャップ（１）により前記基板（４）のキャビティ
側を覆う工程と、 前記ガラス膜（12）を加熱溶融することにより前記キャ
ップ（１）と前記基板（４）を接着して前記半導体チッ
プ（６）を封止する工程とを有することを特徴とする半
導体装置の製造方法。 - 【請求項３】少なくとも前記ガラス膜（２、12）に当た
る領域の前記リード（７）表面にアルミニウム膜（８）
が形成されていることを特徴とする請求項１、２記載の
半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3200848A JP2823063B2 (ja) | 1991-08-09 | 1991-08-09 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3200848A JP2823063B2 (ja) | 1991-08-09 | 1991-08-09 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0547948A JPH0547948A (ja) | 1993-02-26 |
| JP2823063B2 true JP2823063B2 (ja) | 1998-11-11 |
Family
ID=16431230
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3200848A Expired - Fee Related JP2823063B2 (ja) | 1991-08-09 | 1991-08-09 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2823063B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2693694B2 (ja) * | 1992-11-10 | 1997-12-24 | 日本碍子株式会社 | 半導体素子収納用パッケージのキャップ封止方法 |
| JP2673928B2 (ja) * | 1993-05-11 | 1997-11-05 | 株式会社巴川製紙所 | 電子部品素子封止用蓋材 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63275147A (ja) * | 1987-05-07 | 1988-11-11 | Nec Corp | 気密封止形半導体装置の製造方法 |
-
1991
- 1991-08-09 JP JP3200848A patent/JP2823063B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0547948A (ja) | 1993-02-26 |
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