JPH07122668A - 半導体装置及びそのパッケージ - Google Patents
半導体装置及びそのパッケージInfo
- Publication number
- JPH07122668A JPH07122668A JP27071693A JP27071693A JPH07122668A JP H07122668 A JPH07122668 A JP H07122668A JP 27071693 A JP27071693 A JP 27071693A JP 27071693 A JP27071693 A JP 27071693A JP H07122668 A JPH07122668 A JP H07122668A
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- JP
- Japan
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- metal plate
- semiconductor device
- package
- case body
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- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】内部に整合回路等を有するマイクロ波電力用途
のパッケージにおいて、整合回路等をその上に載せる中
敷の金属板のロー付時のロー材はい上がりを防ぎ歩留を
確保する。 【構成】中敷きの金属板２の側面に斜めの切れ込みを形
成しておくことにより、それがケース本体１の凸部につ
き当てられる際に空間を保ち、ロー材３が上部にはい上
がるのを防ぐことができる。
のパッケージにおいて、整合回路等をその上に載せる中
敷の金属板のロー付時のロー材はい上がりを防ぎ歩留を
確保する。 【構成】中敷きの金属板２の側面に斜めの切れ込みを形
成しておくことにより、それがケース本体１の凸部につ
き当てられる際に空間を保ち、ロー材３が上部にはい上
がるのを防ぐことができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に関し、特に
内部に整合回路もしくは整合用素子を有し、数ワット以
上のマイクロ波電力用半導体装置をパッケージする半導
体装置に関する。
内部に整合回路もしくは整合用素子を有し、数ワット以
上のマイクロ波電力用半導体装置をパッケージする半導
体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】内部に整合回路もしくは整合用素子を有
する数ワット以上の高出力マイクロ波電力用半導体装置
のパッケージは特性の向上を計る為に熱抵抗，接地イン
ピーダンスを下げると共に、信頼性を確保する為、その
パッケージの反り量も考慮しなければならない。図５に
おいて、ケース本体２５の温度変化による応力ひずみに
より一般に中心部が浮き、厚さｄの反り量が生じる。こ
の反り量は温度サイクル数、及びケース本体の長さｌに
比例して大きくなり、例えばケース本体が銅の場合ｌ＝
１７ｍｍ，−６５〜＋１７５℃の温度サイクル５０回に
おいて約１００μｍ程度の反り量が観測される。この反
り量が多いとパッケージクラックが発生し、信頼度を著
しく低下させるので、反り量を小さくする必要がある。
加えて熱抵抗及び接地インピーダンスを下げるため、厚
みが６０μｍ程の薄いチップを用いているのが通例とな
っている。これらの要求を満足させるため、従来は図４
に示す様に、銅のケース本体１８の一部に凸部を設け、
凸部最高部をチップの載置部２４とし、さらに反り量を
温度サイクル５０回で約５０μｍ程度に抑えるため、例
えばモリブデンから成る厚み０．２〜０．８ｍｍ程の中
敷の金属板１９を金シリコン等のロー材２０でケース本
体１８にロー付けし、基板ないしチップコンデンサの表
面がチップコンデンサの表面とほぼ同じ高さになるよう
にして、ボンディング性を良くしている。ここで、通常
中敷の金属板１９はチップの載置部２４と、基板ないし
チップコデンサの載置部との間を狭め、ボンディングワ
イヤ長を短くするためにケース本体１８の一部の凸部に
つき当てて用いられる。またロー材ははい上がり防止用
の溝２５を設けた例も報告されている（実願昭５７−９
２７２５）。
する数ワット以上の高出力マイクロ波電力用半導体装置
のパッケージは特性の向上を計る為に熱抵抗，接地イン
ピーダンスを下げると共に、信頼性を確保する為、その
パッケージの反り量も考慮しなければならない。図５に
おいて、ケース本体２５の温度変化による応力ひずみに
より一般に中心部が浮き、厚さｄの反り量が生じる。こ
の反り量は温度サイクル数、及びケース本体の長さｌに
比例して大きくなり、例えばケース本体が銅の場合ｌ＝
１７ｍｍ，−６５〜＋１７５℃の温度サイクル５０回に
おいて約１００μｍ程度の反り量が観測される。この反
り量が多いとパッケージクラックが発生し、信頼度を著
しく低下させるので、反り量を小さくする必要がある。
加えて熱抵抗及び接地インピーダンスを下げるため、厚
みが６０μｍ程の薄いチップを用いているのが通例とな
っている。これらの要求を満足させるため、従来は図４
に示す様に、銅のケース本体１８の一部に凸部を設け、
凸部最高部をチップの載置部２４とし、さらに反り量を
温度サイクル５０回で約５０μｍ程度に抑えるため、例
えばモリブデンから成る厚み０．２〜０．８ｍｍ程の中
敷の金属板１９を金シリコン等のロー材２０でケース本
体１８にロー付けし、基板ないしチップコンデンサの表
面がチップコンデンサの表面とほぼ同じ高さになるよう
にして、ボンディング性を良くしている。ここで、通常
中敷の金属板１９はチップの載置部２４と、基板ないし
チップコデンサの載置部との間を狭め、ボンディングワ
イヤ長を短くするためにケース本体１８の一部の凸部に
つき当てて用いられる。またロー材ははい上がり防止用
の溝２５を設けた例も報告されている（実願昭５７−９
２７２５）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この従来の半導体装置
のパッケージは通常中敷の金属板をケース本体１８の凸
部につき当てて用いるため、金シリコン等のロー材２０
がはい上がりしばしばチップマウント部まで達し、半導
体チップが金すずロー材にてロー付けできなくなるため
無視できない歩留り低下が生じている。ケース本体１８
に溝２５を設けた場合においても中敷の金属をケース本
体１８の凸部につき当てて用いる場合は、ロー材２０の
はい上がりを防ぐことはできない。
のパッケージは通常中敷の金属板をケース本体１８の凸
部につき当てて用いるため、金シリコン等のロー材２０
がはい上がりしばしばチップマウント部まで達し、半導
体チップが金すずロー材にてロー付けできなくなるため
無視できない歩留り低下が生じている。ケース本体１８
に溝２５を設けた場合においても中敷の金属をケース本
体１８の凸部につき当てて用いる場合は、ロー材２０の
はい上がりを防ぐことはできない。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置のパ
ッケージは中敷の金属板の側面に斜めの切れ込みや凹み
を設けた構造をしている。凹みの深さは約０．２ｍｍ以
上が望ましい。
ッケージは中敷の金属板の側面に斜めの切れ込みや凹み
を設けた構造をしている。凹みの深さは約０．２ｍｍ以
上が望ましい。
【０００５】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の第１の実施例の半導体パッケージの
断面図である。
る。図１は本発明の第１の実施例の半導体パッケージの
断面図である。
【０００６】例えば銅から成るケース本体１にはリード
５及びリード５との絶縁を保つためのセラミック４がロ
ー付され、またそのケース本体１の内部には凸部が設け
られ、その上にチップの載置部７がある。例えばモリブ
デンから成る厚さ約０．３ｍｍ前後のモリブデン板は一
方の側面を上面の方が低面より約０．２ｍｍ以上長くな
るように斜めに切断しておく。これによりケース本体１
の凸部につき当てられた時ロー材３の留まる空間ができ
るためロー材３は上部にはい上がらずパッケージの歩留
りが確保できる。
５及びリード５との絶縁を保つためのセラミック４がロ
ー付され、またそのケース本体１の内部には凸部が設け
られ、その上にチップの載置部７がある。例えばモリブ
デンから成る厚さ約０．３ｍｍ前後のモリブデン板は一
方の側面を上面の方が低面より約０．２ｍｍ以上長くな
るように斜めに切断しておく。これによりケース本体１
の凸部につき当てられた時ロー材３の留まる空間ができ
るためロー材３は上部にはい上がらずパッケージの歩留
りが確保できる。
【０００７】図２は本発明の第２の実施例である。この
場合、モリブデン板９は一部を削られている。ひさしの
長さは約０．２ｍｍ以上が望ましい。
場合、モリブデン板９は一部を削られている。ひさしの
長さは約０．２ｍｍ以上が望ましい。
【０００８】図３は本発明の第３の実施例である。この
場合、中敷の金属板は側面をエッチングにより加工され
凹部が形成されている。
場合、中敷の金属板は側面をエッチングにより加工され
凹部が形成されている。
【０００９】
【発明の効果】以上説明したように本発明は中敷の金属
板の側面に斜の切れ込みや凹みを設けているため、ロー
材のはい上がりを防止でき、中敷の金属板をロー付けす
る時の歩留低下を防止できるという効果を有する。
板の側面に斜の切れ込みや凹みを設けているため、ロー
材のはい上がりを防止でき、中敷の金属板をロー付けす
る時の歩留低下を防止できるという効果を有する。
【図１】本発明の第１の実施例の断面図。
【図２】本発明の第２の一実施例の断面図。
【図３】本発明の第３の一実施例の断面図。
【図４】従来の実施例の断面図。
【図５】ケース本体の反りを表わす断面図。
１，８，１３，１８，２６ ケース本体 ２，９，１４，１９ 中敷の金属板 ３，１０，１５，２０ ロー材 ４，１１，１６，２１ セラミック ５，１２，１６，２２ リード ６，２３ 基板ないしチップコンデンサの載置部 ７，２４ チップの載置部 ２５ 溝
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体装置を搭載し、中敷の金属板を設
けるパッケージにおいて、前記中敷の金属板の側面に斜
めの切れ込み或いは凹みを設けたことを特徴とするパッ
ケージ。 - 【請求項２】 前記ヘッダー半導体チップとチップ載置
用基台と、前記半導体チップと基台との間に存在する金
属板とを有する半導体装置において、前記金属板の側面
の少なくとも一面に凹凸部又は傾斜部を有することを特
徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5270716A JP2522183B2 (ja) | 1993-10-28 | 1993-10-28 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5270716A JP2522183B2 (ja) | 1993-10-28 | 1993-10-28 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07122668A true JPH07122668A (ja) | 1995-05-12 |
| JP2522183B2 JP2522183B2 (ja) | 1996-08-07 |
Family
ID=17489968
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5270716A Expired - Fee Related JP2522183B2 (ja) | 1993-10-28 | 1993-10-28 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2522183B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003188318A (ja) * | 2001-12-19 | 2003-07-04 | Denso Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| US7617731B2 (en) | 2006-07-18 | 2009-11-17 | Panasonic Corporation | Ultrasonic measuring apparatus and ultrasonic measuring method |
-
1993
- 1993-10-28 JP JP5270716A patent/JP2522183B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003188318A (ja) * | 2001-12-19 | 2003-07-04 | Denso Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| US7617731B2 (en) | 2006-07-18 | 2009-11-17 | Panasonic Corporation | Ultrasonic measuring apparatus and ultrasonic measuring method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2522183B2 (ja) | 1996-08-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19960402 |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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