JP2870501B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置に係
り、特にマイクロ波送信用の高出力の半導体装置に関す
る。
り、特にマイクロ波送信用の高出力の半導体装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】この種の半導体装置の従来例を図４に示
す。この半導体装置は、上面に半導体素子載置部１ａを
有する放熱板１と、放熱板１の上面に半導体素子載置部
１ａを包囲するように金属ロウ材１０によって接合され
た金属枠２と、金属枠２の上端に載置されたセラミック
枠３と、セラミック枠３で囲まれた前記半導体素子載置
部１ａに固着された半導体素子４と、半導体素子４を固
着した状態でセラミック枠３の上端開口に被せられるこ
とで半導体素子４の収容空間を気密に塞ぐ金属蓋６とか
らなる。
す。この半導体装置は、上面に半導体素子載置部１ａを
有する放熱板１と、放熱板１の上面に半導体素子載置部
１ａを包囲するように金属ロウ材１０によって接合され
た金属枠２と、金属枠２の上端に載置されたセラミック
枠３と、セラミック枠３で囲まれた前記半導体素子載置
部１ａに固着された半導体素子４と、半導体素子４を固
着した状態でセラミック枠３の上端開口に被せられるこ
とで半導体素子４の収容空間を気密に塞ぐ金属蓋６とか
らなる。
【０００３】前記放熱板１は、全表面に厚さ１〜５μｍ
のＮｉめっきが施された例えば無酸素銅や銅−タングス
テン合金等よりなり、また、前記金属枠２は、無酸素銅
よりなり、その全表面に同様のＮｉめっきが施された四
角形のものである。また、セラミック枠３は、アルミナ
の表面に、タングステンまたはモリブデンからなる金属
の被膜を１５００℃前後で焼成・密着させた後、被膜表
面にＮｉめっきを施したものである。
のＮｉめっきが施された例えば無酸素銅や銅−タングス
テン合金等よりなり、また、前記金属枠２は、無酸素銅
よりなり、その全表面に同様のＮｉめっきが施された四
角形のものである。また、セラミック枠３は、アルミナ
の表面に、タングステンまたはモリブデンからなる金属
の被膜を１５００℃前後で焼成・密着させた後、被膜表
面にＮｉめっきを施したものである。
【０００４】放熱板１と金属枠２とは、前記したとお
り、金属ろう材１０によって接合されており、具体的に
は、銀−銅合金からなる金属ろう材１０を約８００℃で
溶融することにより相互接合されている。一方、放熱板
１の上面の半導体載置部１ａの周囲には、溝部７がプレ
スまたは切削加工により形成されている。この溝部７
は、底面が平面形状であり、この溝部７に、金属枠２の
下端が嵌まった状態で、金属枠２が放熱板１に金属ろう
材１０で固着されている。
り、金属ろう材１０によって接合されており、具体的に
は、銀−銅合金からなる金属ろう材１０を約８００℃で
溶融することにより相互接合されている。一方、放熱板
１の上面の半導体載置部１ａの周囲には、溝部７がプレ
スまたは切削加工により形成されている。この溝部７
は、底面が平面形状であり、この溝部７に、金属枠２の
下端が嵌まった状態で、金属枠２が放熱板１に金属ろう
材１０で固着されている。
【０００５】また、この半導体装置では、前記金属ろう
材１０による接合後に、放熱板１と金属枠２の接合部お
よび金属枠２とセラミック枠３の接合部を除く、放熱板
１と金属枠２の表面およびセラミック枠３のＮｉめっき
表面に、厚さ１〜５μｍのＮｉめっきが施され、Ｎｉめ
っき後に、更にＮｉめっき表面に厚さ０．５〜３μｍの
Ａｕめっきが施される。
材１０による接合後に、放熱板１と金属枠２の接合部お
よび金属枠２とセラミック枠３の接合部を除く、放熱板
１と金属枠２の表面およびセラミック枠３のＮｉめっき
表面に、厚さ１〜５μｍのＮｉめっきが施され、Ｎｉめ
っき後に、更にＮｉめっき表面に厚さ０．５〜３μｍの
Ａｕめっきが施される。
【０００６】半導体素子４は、溝部７で囲まれた放熱板
１の上面の半導体載置部１ａに、金−錫合金により固着
されており、半導体素子４の表面に形成された金電極と
内部電極とが直径３０μｍの金細線により結線されてい
る。
１の上面の半導体載置部１ａに、金−錫合金により固着
されており、半導体素子４の表面に形成された金電極と
内部電極とが直径３０μｍの金細線により結線されてい
る。
【０００７】前記金属蓋６は、鉄−ニッケル−コバルト
合金よりなるものであり、その表面に厚さ１〜５μｍの
Ｎｉめっきが施された後、厚さ０．５〜３μｍのＡｕめ
っきが施されている。そして、この金属蓋６は、セラミ
ック枠３の上端に金−錫合金によって固着され、これに
より半導体装置の気密封止がなされる。なお、図４中の
５は電気回路部品５である。
合金よりなるものであり、その表面に厚さ１〜５μｍの
Ｎｉめっきが施された後、厚さ０．５〜３μｍのＡｕめ
っきが施されている。そして、この金属蓋６は、セラミ
ック枠３の上端に金−錫合金によって固着され、これに
より半導体装置の気密封止がなされる。なお、図４中の
５は電気回路部品５である。
【０００８】前記の構成からなる半導体装置(高出力半
導体装置)では、半導体素子４から発生する熱を効率よ
く放熱する必要があるため、放熱板１としては、高い熱
伝導率を有し、安価な銅が用いられている。また、セラ
ミック枠３は、半導体素子４から引き出された内部電極
や外部引き出しリードを相互に絶縁する必要があるこ
と、また装置に要求される高信頼性を確保するのに不可
欠な気密性を安価に確保する必要があること等の理由で
用いられている。
導体装置)では、半導体素子４から発生する熱を効率よ
く放熱する必要があるため、放熱板１としては、高い熱
伝導率を有し、安価な銅が用いられている。また、セラ
ミック枠３は、半導体素子４から引き出された内部電極
や外部引き出しリードを相互に絶縁する必要があるこ
と、また装置に要求される高信頼性を確保するのに不可
欠な気密性を安価に確保する必要があること等の理由で
用いられている。
【０００９】更に、放熱板１と金属枠２、金属枠２とセ
ラミック枠３の接合に銀−銅合金からなる金属ろう材１
０が用いられているのは、同様に内部（空洞部）の気密
性を確保するためである。
ラミック枠３の接合に銀−銅合金からなる金属ろう材１
０が用いられているのは、同様に内部（空洞部）の気密
性を確保するためである。
【００１０】しかし、放熱板１に用いられる銅と、セラ
ミック枠３を構成するアルミナの熱膨張率は各々 ・銅 ： １１×１０-6〜１２×１０-6／℃ ・アルミナ： ７×１０-6〜 ８×１０-6／℃ であり、両者間には大きい熱膨張率差があるため、放熱
板１と金属枠２とセラミック枠３が金属ろう材１０で接
合された後、室温まで冷却される時に、放熱板１とセラ
ミック枠３の間で大きな熱収縮差が生じる。
ミック枠３を構成するアルミナの熱膨張率は各々 ・銅 ： １１×１０-6〜１２×１０-6／℃ ・アルミナ： ７×１０-6〜 ８×１０-6／℃ であり、両者間には大きい熱膨張率差があるため、放熱
板１と金属枠２とセラミック枠３が金属ろう材１０で接
合された後、室温まで冷却される時に、放熱板１とセラ
ミック枠３の間で大きな熱収縮差が生じる。
【００１１】金属枠２は、この熱収縮差に起因する放熱
板１とセラミック枠３内に発生する熱応力を、両者の間
で金属枠２が塑性変形することにより、吸収し抑制する
役目を果たすものである。アルミナからなるセラミック
枠３に大きな応力が働くと、クラックが発生し気密性が
十分に確保できなくなる。したがって、金属枠３とし
て、小さなヤング率と低い弾性限界を持つ銅が用いられ
ている。
板１とセラミック枠３内に発生する熱応力を、両者の間
で金属枠２が塑性変形することにより、吸収し抑制する
役目を果たすものである。アルミナからなるセラミック
枠３に大きな応力が働くと、クラックが発生し気密性が
十分に確保できなくなる。したがって、金属枠３とし
て、小さなヤング率と低い弾性限界を持つ銅が用いられ
ている。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前述した従
来の半導体装置においては、放熱板１と金属枠２の接合
時に、融解した金属ろう材１０が放熱板１の上面に形成
した溝部７の底面全体に溜まるようになっている。
来の半導体装置においては、放熱板１と金属枠２の接合
時に、融解した金属ろう材１０が放熱板１の上面に形成
した溝部７の底面全体に溜まるようになっている。
【００１３】しかし、このとき、金属ろう材１０と化学
的親和性の高いＮｉめっきが施された金属枠２が約８０
０℃に加熱されるので、金属ろう材１０の一部が金属枠
２の側面を這い上がる現象が発生する。
的親和性の高いＮｉめっきが施された金属枠２が約８０
０℃に加熱されるので、金属ろう材１０の一部が金属枠
２の側面を這い上がる現象が発生する。
【００１４】その結果、金属枠２の幅が、放熱板１と金
属枠２が接合される前の幅よりも大きくなってしまい、
機械的強度が増す。そのため、室温まで冷却されるとき
に、金属枠２が塑性変形を起こしにくくなり、セラミッ
ク枠３に発生する熱応力を十分に抑制できずに、結果的
にセラミック枠３にクラックが生じやすくなってしまう
という問題点があった。
属枠２が接合される前の幅よりも大きくなってしまい、
機械的強度が増す。そのため、室温まで冷却されるとき
に、金属枠２が塑性変形を起こしにくくなり、セラミッ
ク枠３に発生する熱応力を十分に抑制できずに、結果的
にセラミック枠３にクラックが生じやすくなってしまう
という問題点があった。
【００１５】本発明は、上記事情を考慮し、金属ろう材
の這い上がり現象を抑制し、セラミック枠のクラックの
発生を防止して、十分な気密性確保を図ることのできる
半導体装置を提供することを目的とする。
の這い上がり現象を抑制し、セラミック枠のクラックの
発生を防止して、十分な気密性確保を図ることのできる
半導体装置を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
上面に半導体素子載置部を有する放熱板と、放熱板の上
面に半導体素子載置部を包囲するように金属ロウ材によ
って接合された金属枠と、金属枠の上端に載置され且つ
金属ロウ材で金属枠に接合されたセラミック枠と、セラ
ミック枠で囲まれた放熱板上の半導体素子載置部に金属
ロウ材で固着された半導体素子と、半導体素子を固着し
た状態で前記セラミック枠の上端開口に被せられること
で半導体素子の収容空間を気密に塞ぐ蓋とを備えた半導
体装置を前提とし、それに対して次の特徴のいずれかを
付加したものである。
上面に半導体素子載置部を有する放熱板と、放熱板の上
面に半導体素子載置部を包囲するように金属ロウ材によ
って接合された金属枠と、金属枠の上端に載置され且つ
金属ロウ材で金属枠に接合されたセラミック枠と、セラ
ミック枠で囲まれた放熱板上の半導体素子載置部に金属
ロウ材で固着された半導体素子と、半導体素子を固着し
た状態で前記セラミック枠の上端開口に被せられること
で半導体素子の収容空間を気密に塞ぐ蓋とを備えた半導
体装置を前提とし、それに対して次の特徴のいずれかを
付加したものである。
【００１７】(1) 金属枠と放熱板の接合面の近傍の放熱
板上に、接合用の金属ろう材が流れ込むよう，接合面よ
り低い位置に設定したろう材受部を形成した(請求項
１)、(2) 金属枠の表面のうち、放熱板およびセラミッ
ク枠に対する接合面を除く表面に酸化膜を形成した(請
求項２)、(3) 放熱板と金属枠を接合した金属ロウ材と
の化学的親和性が金属枠に対して大きい金属片を、金属
枠の近傍に配置した(請求項３)、半導体装置である。
板上に、接合用の金属ろう材が流れ込むよう，接合面よ
り低い位置に設定したろう材受部を形成した(請求項
１)、(2) 金属枠の表面のうち、放熱板およびセラミッ
ク枠に対する接合面を除く表面に酸化膜を形成した(請
求項２)、(3) 放熱板と金属枠を接合した金属ロウ材と
の化学的親和性が金属枠に対して大きい金属片を、金属
枠の近傍に配置した(請求項３)、半導体装置である。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。 （第１の実施形態）図１は本発明の第１実施形態の半導
体装置の外観を示す斜視図であり、図２はその断面図で
ある。この半導体装置は、放熱板１と、金属枠２と、セ
ラミック枠３とからなるパッケージに、半導体素子４と
電気部品５を搭載し、Ａｕ線で外部リードと電気的に接
続した後、金属蓋６にて封止した構造を有している。
基づいて説明する。 （第１の実施形態）図１は本発明の第１実施形態の半導
体装置の外観を示す斜視図であり、図２はその断面図で
ある。この半導体装置は、放熱板１と、金属枠２と、セ
ラミック枠３とからなるパッケージに、半導体素子４と
電気部品５を搭載し、Ａｕ線で外部リードと電気的に接
続した後、金属蓋６にて封止した構造を有している。
【００１９】放熱板１は無酸素銅からなり、上面には、
四角枠状の溝部７がプレス加工にて形成されている。金
属枠２は、無酸素銅からなる四角い枠体であり、下端が
前記溝部７に入るように構成されている。セラミック枠
３は、一部表面にタングステンの被膜が焼成・密着され
た後、その上に厚さ１〜５μｍのＮｉめっきが施された
ものである。
四角枠状の溝部７がプレス加工にて形成されている。金
属枠２は、無酸素銅からなる四角い枠体であり、下端が
前記溝部７に入るように構成されている。セラミック枠
３は、一部表面にタングステンの被膜が焼成・密着され
た後、その上に厚さ１〜５μｍのＮｉめっきが施された
ものである。
【００２０】パッケージ製造工程において、放熱板１
と、金属枠２と、セラミック枠３とが銀−銅合金からな
る金属ろう材１０と共に約８００℃に加熱され、金属ろ
う材１０が融解固化することで、放熱板１と、金属枠２
と、セラミック枠３とが相互に固着されている。
と、金属枠２と、セラミック枠３とが銀−銅合金からな
る金属ろう材１０と共に約８００℃に加熱され、金属ろ
う材１０が融解固化することで、放熱板１と、金属枠２
と、セラミック枠３とが相互に固着されている。
【００２１】図２に示すように、放熱板１の溝部７の底
面は、中央が高くなった凸状になっており、その両側が
低くなっている。この場合、高くなった凸部８の頂面
に、金属枠２の下端が載置された状態で金属ろう材１０
により固着されている。また、凸部８の両側の低くなっ
た部分が、金属ろう材１０の流れ込む受部７ａとなって
おり、この受部７ａに金属ろう材１０が流れ込んでい
る。
面は、中央が高くなった凸状になっており、その両側が
低くなっている。この場合、高くなった凸部８の頂面
に、金属枠２の下端が載置された状態で金属ろう材１０
により固着されている。また、凸部８の両側の低くなっ
た部分が、金属ろう材１０の流れ込む受部７ａとなって
おり、この受部７ａに金属ろう材１０が流れ込んでい
る。
【００２２】金属ろう材１０による接合の際に、金属ろ
う材１０は、溝部７の凸部８から受部７ａに流れ込んで
受部７ａの底面全体に広がるので、金属枠２の側面に這
い上がる金属ろう材１０の量が低減される。したがっ
て、金属枠２の厚みの増加が防止され、金属枠２の熱応
力吸収能力が阻害されなくなる。
う材１０は、溝部７の凸部８から受部７ａに流れ込んで
受部７ａの底面全体に広がるので、金属枠２の側面に這
い上がる金属ろう材１０の量が低減される。したがっ
て、金属枠２の厚みの増加が防止され、金属枠２の熱応
力吸収能力が阻害されなくなる。
【００２３】なお、凸部８と受部７ａとの間に、金属枠
２から離れるに従い下り傾斜する傾斜面を設けてもよ
い。
２から離れるに従い下り傾斜する傾斜面を設けてもよ
い。
【００２４】（第２の実施形態）次に、第２実施形態に
ついて前掲の図２を参照して説明する。この実施形態
は、図２に示した第１実施形態の半導体装置の一部に若
干の変更を加えたものである。
ついて前掲の図２を参照して説明する。この実施形態
は、図２に示した第１実施形態の半導体装置の一部に若
干の変更を加えたものである。
【００２５】即ち、パッケージ製造工程の金属ろう材１
０による接合に先だって、金属枠２の表面のうち、前記
凸部８と接合される面と、セラミック枠３の下端面と接
合される面を除く表面に、酸素雰囲気中での加熱処理等
によって、酸化膜を形成しておく。そうした場合、酸化
膜を形成した表面は、金属ろう材１０との密着性が弱く
なるため、金属ろう材１０が金属枠２の表面に這い上が
るのを防止することができる。
０による接合に先だって、金属枠２の表面のうち、前記
凸部８と接合される面と、セラミック枠３の下端面と接
合される面を除く表面に、酸素雰囲気中での加熱処理等
によって、酸化膜を形成しておく。そうした場合、酸化
膜を形成した表面は、金属ろう材１０との密着性が弱く
なるため、金属ろう材１０が金属枠２の表面に這い上が
るのを防止することができる。
【００２６】（第３の実施形態）次に、第３実施形態に
ついて説明する。図３は第３実施形態の半導体装置の断
面を示す。この半導体装置では、放熱板１の上面の溝部
７の底面が、図４の従来例と同様に平面となっており、
この溝部７の底面に金属ろう材１０を介して金属枠２の
下端が固着されている。
ついて説明する。図３は第３実施形態の半導体装置の断
面を示す。この半導体装置では、放熱板１の上面の溝部
７の底面が、図４の従来例と同様に平面となっており、
この溝部７の底面に金属ろう材１０を介して金属枠２の
下端が固着されている。
【００２７】ただし、この場合は、金属枠２の内側また
は外側の近傍に、金属枠２よりも金属ろう材１０との化
学的親和性が高い銅などの金属片９を載置し、金属枠２
と同時に、放熱板１の溝部７の底面に金属片９を固着す
る。
は外側の近傍に、金属枠２よりも金属ろう材１０との化
学的親和性が高い銅などの金属片９を載置し、金属枠２
と同時に、放熱板１の溝部７の底面に金属片９を固着す
る。
【００２８】こうした場合、金属ろう材１０は、炉内で
約８００℃に加熱された時に、より親和性の高い金属片
９の方に流れるため、金属枠２の側面を這い上がる金属
ろう材１０の量を少なく抑えることができる。この場合
の金属片９は、枠状のものであってもよい。本実施形態
によれば、放熱板１の溝部７の底面はフラットな構造で
よく、放熱板１の加工上も有利である。
約８００℃に加熱された時に、より親和性の高い金属片
９の方に流れるため、金属枠２の側面を這い上がる金属
ろう材１０の量を少なく抑えることができる。この場合
の金属片９は、枠状のものであってもよい。本実施形態
によれば、放熱板１の溝部７の底面はフラットな構造で
よく、放熱板１の加工上も有利である。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体装
置によれば、金属ろう材によるセラミック枠と金属枠と
放熱板の固着の際に、金属枠の側面に金属ろう材が這い
上がるのを防止することができる。したがって、金属ろ
う材の這い上がりによる金属枠の強度増加がないため、
熱環境の変化によって引き起こされるセラミック枠と放
熱板との間の熱膨張・熱収縮によるクラックの発生を抑
えることが可能となり、結果的に信頼性の高い半導体装
置を実現することができる。
置によれば、金属ろう材によるセラミック枠と金属枠と
放熱板の固着の際に、金属枠の側面に金属ろう材が這い
上がるのを防止することができる。したがって、金属ろ
う材の這い上がりによる金属枠の強度増加がないため、
熱環境の変化によって引き起こされるセラミック枠と放
熱板との間の熱膨張・熱収縮によるクラックの発生を抑
えることが可能となり、結果的に信頼性の高い半導体装
置を実現することができる。
【図１】本発明の第１実施形態の半導体装置の外観斜視
図である。
図である。
【図２】本発明の第１実施形態の半導体装置の内部構造
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図３】本発明の第３実施形態の半導体装置の内部構造
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図４】従来の半導体装置の断面図である。
１ 放熱板 ２ セラミック枠 ３ 金属枠 ４ 半導体素子 ５ 電気回路部品 ６ 金属蓋 ７ａ 受部 ８ 凸部 ９ 金属片 １０ 金属ろう材
Claims (3)
- 【請求項１】 上面に半導体素子載置部を有する放熱板
と、 該放熱板の上面に前記半導体素子載置部を包囲するよう
に金属ロウ材によって接合された金属枠と、 該金属枠の上端に載置され且つ金属ロウ材で金属枠に接
合されたセラミック枠と、 該セラミック枠で囲まれた放熱板上の前記半導体素子載
置部に金属ロウ材で固着された半導体素子と、 半導体素子を固着した状態で前記セラミック枠の上端開
口に被せられることで半導体素子の収容空間を気密に塞
ぐ蓋と、からなる半導体装置において、 前記金属枠と放熱板の接合面の近傍の前記放熱板上に、
接合用の金属ろう材が流れ込むよう前記接合面より低い
位置に設定したろう材受部を形成したことを特徴とする
半導体装置。 - 【請求項２】 上面に半導体素子載置部を有する放熱板
と、 該放熱板の上面に前記半導体素子載置部を包囲するよう
に金属ロウ材によって接合された金属枠と、 該金属枠の上端に載置され且つ金属ロウ材で金属枠に接
合されたセラミック枠と、 該セラミック枠で囲まれた放熱板上の前記半導体素子載
置部に金属ロウ材で固着された半導体素子と、 半導体素子を固着した状態で前記セラミック枠の上端開
口に被せられることで半導体素子の収容空間を気密に塞
ぐ蓋と、からなる半導体装置において、 前記金属枠の表面のうち、前記放熱板およびセラミック
枠に対する接合面を除く表面に酸化膜を形成したことを
特徴とする半導体装置。 - 【請求項３】 上面に半導体素子載置部を有する放熱板
と、 該放熱板の上面に前記半導体素子載置部を包囲するよう
に金属ロウ材によって接合された金属枠と、 該金属枠の上端に載置され且つ金属ロウ材で金属枠に接
合されたセラミック枠と、 該セラミック枠で囲まれた放熱板上の前記半導体素子載
置部に金属ロウ材で固着された半導体素子と、 半導体素子を固着した状態で前記セラミック枠の上端開
口に被せられることで半導体素子の収容空間を気密に塞
ぐ蓋と、からなる半導体装置において、 前記放熱板と前記金属枠を接合した前記金属ロウ材との
化学的親和性が金属枠に対して大きい金属片を、前記金
属枠の近傍に配置したことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23116996A JP2870501B2 (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23116996A JP2870501B2 (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1074853A JPH1074853A (ja) | 1998-03-17 |
| JP2870501B2 true JP2870501B2 (ja) | 1999-03-17 |
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ID=16919401
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP23116996A Expired - Fee Related JP2870501B2 (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2870501B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011228591A (ja) * | 2010-04-22 | 2011-11-10 | Kyocera Corp | 素子収納用パッケージ、およびこれを備えた電子装置 |
-
1996
- 1996-08-30 JP JP23116996A patent/JP2870501B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1074853A (ja) | 1998-03-17 |
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