JP2552513Y2 - リードフレーム - Google Patents

リードフレーム

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JP2552513Y2
JP2552513Y2 JP1991068076U JP6807691U JP2552513Y2 JP 2552513 Y2 JP2552513 Y2 JP 2552513Y2 JP 1991068076 U JP1991068076 U JP 1991068076U JP 6807691 U JP6807691 U JP 6807691U JP 2552513 Y2 JP2552513 Y2 JP 2552513Y2
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JP
Japan
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lead
lead frame
package
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electronic component
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JP1991068076U
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JPH0536848U (ja
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廉可 國松
基 西田
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Kyocera Corp
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Kyocera Corp
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
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    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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    • H01L2924/161Cap
    • H01L2924/1615Shape
    • H01L2924/16152Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap

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  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本考案は、リードフレーム、特
に、電子部品収納用パッケージに取り付けられるリード
フレームに関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、電子部品収納用パッケージの外
周部には多数のリードが固定されている。この多数のリ
ードは、電子部品収納用パッケージ内で電子部品と電気
的に接続されている。このような多数のリードを電子部
品収納用パッケージに取り付けるために、多数のリード
と、リードの外周端に一体に形成された環状の支持帯と
を備えたリードフレームが用いられている。このリード
フレームは、例えば42アロイ又はコバール合金製であ
る。
【0003】
【考案が解決しようとする課題】多数のリードとパッケ
ージ本体とを接合させる際には、間に接着剤を配置して
高温に加熱して溶融させる。このとき、リードの熱膨張
率はセラミックからなるパッケージ本体の熱膨張率より
一般に大きいために、冷却収縮時にリード側に応力が残
留し、リードが反ったり曲がったりして変形してしま
う。また、そのために支持帯が変形又は破壊されたりも
する。
【0004】本考案の目的は、パッケージ製造時にリー
ドに変形が生じにくいリードフレームを提供することに
ある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本考案に係るリードフレ
ームは、電子部品収納用パッケージから外方に突出する
姿勢で電子部品収納用パッケージに取り付けられる多数
のリードと、リードの外周端に一体に形成された環状の
支持帯とを備えている。支持帯には、リードとの接合部
より小さな幅でリードとの接合部の内方側もしくは外方
側に湾曲状に突出する応力緩衝部が形成されている。
【0006】
【作用】本考案に係るリードフレームでは、電子部品収
納用パッケージに多数のリードをパッケージ外方に突出
する姿勢で取り付ける。このとき、接着剤等を用いてパ
ッケージとリードを固定する際に高温加熱を行う。この
結果、パッケージとリードとの熱膨張率の差によりリー
ド側に応力が生じるが、支持帯に形成された応力緩衝部
が応力を吸収するため、リードには変形が生じにくい。
【0007】
【実施例】本考案の一実施例が採用された半導体素子収
納用パッケージ1を図1及び図2に示す。半導体素子収
納用パッケージ1は、主に、絶縁基体2及び蓋体3から
なるパッケージ本体4と、パッケージ本体4の外周部に
取り付けられたリードフレーム5とから構成されてい
る。
【0008】リードフレーム5は、42アロイ又はコバ
ール合金製であり、多数のリード端子6とリード端子6
の外周端に一体に形成された環状の支持帯7とから構成
されている。支持帯7は、概ね四角形の薄い枠板であ
り、リード端子6が一体に形成された四辺の辺部7aと
隣り合う辺部7aを連結する角部7bとから構成されて
いる。
【0009】角部7bには、図4に拡大して示すよう
に、応力緩衝部としての屈曲部8及び切欠き9が形成さ
れている。屈曲部8は、支持帯7の他の部分に比べて幅
が狭く、内側にU字型に突出している。そのため、屈曲
部8及び切欠き9が形成された角部7bは支持帯7の他
の部分に比べて変形しやすくなっている。絶縁基体2
は、図1に示すように、概ね正方形の平板状の部材であ
り、例えばアルミナセラミック製である。絶縁基体2の
上面2aの概ね中央部分には凹部2bが形成されてい
る。この凹部2bの底面には接着剤を介して半導体素子
10が装着されている。また、絶縁基体2の上面2a上
には低融点ガラスからなるガラス層11が形成されてい
る。
【0010】ガラス層11の上部には、リード端子6の
内周端が固着されている。また、リード端子6の内周端
は、ボンディングワイヤ12により半導体素子10の各
電極と電気的に接続されている。絶縁基体2の上方に載
置された蓋体3は、絶縁基体2と同様に概ね正方形の平
板状部材であり、セラミック等の電気絶縁材料からな
る。蓋体3は、主面3a(下面)側の概ね中央部に凹部
3bを有している。蓋体3の主面3aにはガラス層13
が形成されている。ガラス層13はガラス層11と同様
に低融点ガラスからなる。ガラス層11,13は融合状
態で固化しており、これによってパッケージ本体4内部
が気密状態で封止されている。
【0011】次に、上述の実施例の製造方法を説明す
る。まず、粉末状の材料からプレス成形により、絶縁基
体2となる部材を形成する。次に、例えば低融点のガラ
ス粉末に適当な溶剤を添加して得られたガラスペースト
を用い、周知のスクリーン印刷により複数回の印刷を行
い、ガラス層11を形成する。それらを仮焼きした後、
リードフレーム5のリード端子6内周部をガラス層11
上に仮留めする。この際には、加熱によってガラス層1
1をわずかに溶融させ、その中にリード端子6の内周端
を埋め込む(図3)。次に、絶縁基体2及びリードフレ
ーム5に、周知の電解メッキ法により、ニッケルメッ
キ,金メッキを順に行う。
【0012】次に、半導体素子10を絶縁基体2の凹部
2b内に接着剤を介して装着する。そして、ボンディン
グワイヤ12を用いて半導体素子10の電極とリード端
子6とをそれぞれ電気的に接続する。続いて、主面3a
にガラス層13が形成された蓋体3を絶縁基体2の上方
から被せる。この状態で、高温加熱によりガラス層1
1,13を融合させ、パッケージ本体4の内部を気密封
止する。
【0013】以上のガラス層11又はガラス層13の溶
融時に高温に加熱されるため、リードフレーム5は膨張
する。冷却時にリードフレーム5は収縮するが、リード
フレーム5の熱膨張率がセラミックからなるパッケージ
本体4の熱膨張率より大きいため、リードフレーム5側
に熱収縮差に伴う応力が生じる。この実施例では、リー
ドフレーム5側に生じた応力は、角部7bに形成された
屈曲部8が変形することにより吸収される。つまり、リ
ードフレーム5の支持帯7の最も変形しやすい屈曲部8
が変形することで、リード端子6の変形が抑制される。
【0014】〔他の実施例〕 (a) 前記実施例では、リード端子6はパッケージ本
体4にガラス層11,13により取り付けられている
が、リード端子に合わせてそれぞれ独立して形成された
銀ロウ層により取り付けられても良い。
【0015】この半導体素子収納用パッケージを製造す
る際には、絶縁基体の上面に銀ロウのプリフォームを配
置し、各銀ロウのプリフォーム上にリード端子がそれぞ
れ配置されるようにリードフレームをセットする。この
状態で、絶縁基体及びリードフレームを850〜900
℃程度の高温加熱して銀ロウのプリフォームを溶融さ
せ、リード端子を絶縁基体に固着させる。このときに
も、リードフレームに形成された応力緩衝部により応力
が吸収され、リード端子には変形が生じにくい。
【0016】
【考案の効果】本考案に係るリードフレームには、パッ
ケージ製造時に生じた応力を吸収する応力緩衝部が形成
されている。したがって、例えばパッケージ製造時の熱
膨張及び収縮に伴うリードフレームの応力は応力緩衝部
により吸収され、リードには変形が生じにくい。
【図面の簡単な説明】
【図1】本考案の一実施例が採用された半導体素子収納
用パッケージの外観斜視図。
【図2】図1のII−II断面図。
【図3】半導体素子収納用パッケージの製造工程の一過
程を示す縦断面図。
【図4】図1の部分拡大平面図。
【符号の説明】
1 半導体素子収納用パッケージ 4 パッケージ本体 5 リードフレーム 6 リード端子 7 支持帯 8 屈曲部 9 切欠き

Claims (1)

    (57)【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】電子部品収納用パッケージから四方に突出
    する姿勢で前記電子部品収納用パッケージに取り付けら
    れる多数のリードと、前記リードの外周端に一体に形成
    された環状の支持帯とを備えたリードフレームにおい
    て、 前記支持帯には、前記リードとの接合部より小さな幅で
    前記リードとの接合部の内方側もしくは外方側に湾曲状
    に突出する応力緩衝部が形成されていることを特徴とす
    るリードフレーム。
JP1991068076U 1991-08-27 1991-08-27 リードフレーム Expired - Lifetime JP2552513Y2 (ja)

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JPH0536848U JPH0536848U (ja) 1993-05-18
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS5923553A (ja) * 1982-07-30 1984-02-07 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
JPS6281737A (ja) * 1985-10-07 1987-04-15 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法及びリ−ドフレ−ム

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