JP2792377B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JP2792377B2 JP2792377B2 JP5028700A JP2870093A JP2792377B2 JP 2792377 B2 JP2792377 B2 JP 2792377B2 JP 5028700 A JP5028700 A JP 5028700A JP 2870093 A JP2870093 A JP 2870093A JP 2792377 B2 JP2792377 B2 JP 2792377B2
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- Japan
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- sensor element
- stem
- bare chip
- infrared sensor
- semiconductor device
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16135—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/16145—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
- H01L2924/1025—Semiconducting materials
- H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
- H01L2924/10253—Silicon [Si]
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体センサー素子を
実装した半導体装置に関するものである。
実装した半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、赤外線センサー素子等の半導体セ
ンサー素子と、その半導体センサー素子を駆動し、その
出力信号を処理する駆動用ＬＳＩのベアチップは個別に
パッケージングされ、プリント基板上に周辺の回路部品
と併せて実装されてセンサーモジュールとしての機能を
発揮していた。
ンサー素子と、その半導体センサー素子を駆動し、その
出力信号を処理する駆動用ＬＳＩのベアチップは個別に
パッケージングされ、プリント基板上に周辺の回路部品
と併せて実装されてセンサーモジュールとしての機能を
発揮していた。
【０００３】ここではまず、半導体センサー素子として
赤外線センサー素子を例にあげて、それを実装する従来
の半導体装置の一例について図２に基づき説明する。図
２（ａ）は、赤外線センサー素子の斜視図、図２（ｂ）
は、その断面図、図２（ｃ）は、その赤外線センサー素
子を実装した半導体装置１８の構造を示す断面図であ
る。
赤外線センサー素子を例にあげて、それを実装する従来
の半導体装置の一例について図２に基づき説明する。図
２（ａ）は、赤外線センサー素子の斜視図、図２（ｂ）
は、その断面図、図２（ｃ）は、その赤外線センサー素
子を実装した半導体装置１８の構造を示す断面図であ
る。
【０００４】図２（ｂ）で、１は赤外線センサー素子
で、サーミスタ２、熱絶縁膜３、シリコン基板４から構
成され、シリコン基板４にはサーミスタ２の熱が逃げに
くいように空隙部４ａが設けられている。赤外線センサ
ー素子１は、例えば、シリコン基板４上に熱絶縁膜３を
形成し、その上部にサーミスタ２を複数実装した後、シ
リコン基板４のサーミスタ２下方にあたる部分をエッチ
ング等にて部分的に触刻して空隙部４ａを形成して製造
される。
で、サーミスタ２、熱絶縁膜３、シリコン基板４から構
成され、シリコン基板４にはサーミスタ２の熱が逃げに
くいように空隙部４ａが設けられている。赤外線センサ
ー素子１は、例えば、シリコン基板４上に熱絶縁膜３を
形成し、その上部にサーミスタ２を複数実装した後、シ
リコン基板４のサーミスタ２下方にあたる部分をエッチ
ング等にて部分的に触刻して空隙部４ａを形成して製造
される。
【０００５】図２（ｃ）にて、５は赤外線センサー素子
１を実装する金属製のステム、６は端子、７はガラス等
の封着材、８はダイボンドペースト、９はボンディング
ワイヤー、１０は金属製のキャップ、１１はフィルタ、
１２は接着剤である。
１を実装する金属製のステム、６は端子、７はガラス等
の封着材、８はダイボンドペースト、９はボンディング
ワイヤー、１０は金属製のキャップ、１１はフィルタ、
１２は接着剤である。
【０００６】ステム５は赤外線センサー素子１の実装基
台となるもので、その周縁にはキャップ１０との接合部
となるステム鍔部５ａが設けられている。端子６は外部
回路との接続用のもので、ガラス等の封着材７によりス
テム５にそれとは絶縁された状態で保持されている。１
０はキャップで下方の開口端周縁にはキャップ鍔部１０
ａが設けられている。
台となるもので、その周縁にはキャップ１０との接合部
となるステム鍔部５ａが設けられている。端子６は外部
回路との接続用のもので、ガラス等の封着材７によりス
テム５にそれとは絶縁された状態で保持されている。１
０はキャップで下方の開口端周縁にはキャップ鍔部１０
ａが設けられている。
【０００７】組立はキャップ１０側とステム５側に分け
て行われ、最後に真空中、大気中または任意雰囲気中に
てキャップ１０とステム５をそれぞれの鍔部を重ね合わ
せ、その両側から１５０〜６００ｋｇｆの力で加圧し数
十Ａの大電流を流し接合して行われる。
て行われ、最後に真空中、大気中または任意雰囲気中に
てキャップ１０とステム５をそれぞれの鍔部を重ね合わ
せ、その両側から１５０〜６００ｋｇｆの力で加圧し数
十Ａの大電流を流し接合して行われる。
【０００８】キャップ１０とステム５の固着に先立っ
て、キャップ１０には、フィルタ１１が、例えば、接着
剤１２により固着される。ステム５には、端子６がガラ
ス等の封着材７を介して取付けられ、赤外線センサー素
子１がダイボンドペースト８を介して実装され、ボンデ
ィングワイヤー９により端子６と赤外線センサー素子１
の電極パッドは接続される。
て、キャップ１０には、フィルタ１１が、例えば、接着
剤１２により固着される。ステム５には、端子６がガラ
ス等の封着材７を介して取付けられ、赤外線センサー素
子１がダイボンドペースト８を介して実装され、ボンデ
ィングワイヤー９により端子６と赤外線センサー素子１
の電極パッドは接続される。
【０００９】ステム５及びキャップ１０の材料として
は、コバール等の金属が一般的であるが、これは、圧延
や絞りなどの加工が容易に行え、膨張率の温度特性がガ
ラスのそれとよく一致しており、接合技術が確立されて
いるためである。
は、コバール等の金属が一般的であるが、これは、圧延
や絞りなどの加工が容易に行え、膨張率の温度特性がガ
ラスのそれとよく一致しており、接合技術が確立されて
いるためである。
【００１０】次に、図３に基づいて、赤外線センサー素
子を実装したセンサーモジュールについて説明する。図
３（ａ）は従来の駆動用ＬＳＩ２０の斜視図、図３
（ｂ）がその断面図である。図３（ｃ）は、図２に示し
た赤外線センサー素子１８で、図３（ｄ）がセンサーモ
ジュールを示す側面図で、プリント基板１９には、図３
（ａ）の樹脂封止された駆動用ＬＳＩ２０と、図３
（ｃ）のＣＡＮパッケージに封止された赤外線センサー
素子１８と、抵抗やコンデンサーの周辺回路部品２１が
実装されている。
子を実装したセンサーモジュールについて説明する。図
３（ａ）は従来の駆動用ＬＳＩ２０の斜視図、図３
（ｂ）がその断面図である。図３（ｃ）は、図２に示し
た赤外線センサー素子１８で、図３（ｄ）がセンサーモ
ジュールを示す側面図で、プリント基板１９には、図３
（ａ）の樹脂封止された駆動用ＬＳＩ２０と、図３
（ｃ）のＣＡＮパッケージに封止された赤外線センサー
素子１８と、抵抗やコンデンサーの周辺回路部品２１が
実装されている。
【００１１】図３（ａ）に示した駆動用ＬＳＩ２０は表
面実装用のＳＯＰ形状のもので、１３は駆動用ＬＳＩベ
アチップ、１４は駆動用ＬＳＩベアチップ１３を実装す
るダイパッド、１５は外部回路と接続するためのリード
で、表面実装用に曲げ加工が施されている。１６はリー
ド１５と駆動用ＬＳＩベアチップ１３の電極パッドを接
続するボンディングワイヤー、１７は駆動用ＬＳＩを保
護するエポキシ樹脂等の封止樹脂で、このＬＳＩは赤外
線センサー素子１を実装した半導体装置１８に電流を供
給し、その出力信号に対して演算、判断等の処理を行う
ものである。
面実装用のＳＯＰ形状のもので、１３は駆動用ＬＳＩベ
アチップ、１４は駆動用ＬＳＩベアチップ１３を実装す
るダイパッド、１５は外部回路と接続するためのリード
で、表面実装用に曲げ加工が施されている。１６はリー
ド１５と駆動用ＬＳＩベアチップ１３の電極パッドを接
続するボンディングワイヤー、１７は駆動用ＬＳＩを保
護するエポキシ樹脂等の封止樹脂で、このＬＳＩは赤外
線センサー素子１を実装した半導体装置１８に電流を供
給し、その出力信号に対して演算、判断等の処理を行う
ものである。
【００１２】組立は周知の通り、ダイパッド１４及びリ
ード１５が形成されたリードフレームへの駆動用ＬＳＩ
ベアチップ１３搭載、駆動用ＬＳＩベアチップ１３の電
極パッドとリード１５間のワイヤーボンディング、樹脂
封止、分断等によって行われる。
ード１５が形成されたリードフレームへの駆動用ＬＳＩ
ベアチップ１３搭載、駆動用ＬＳＩベアチップ１３の電
極パッドとリード１５間のワイヤーボンディング、樹脂
封止、分断等によって行われる。
【００１３】図３（ｄ）で、半導体装置１８は、プリン
ト基板１９のスルーホールにその端子を挿入して半田付
けにより実装され、駆動用ＬＳＩ２０及びその他の周辺
回路部品２１は基板の両面に表面実装されている。ま
た、２２はレンズで、赤外線センサー素子１の効率を上
げるために半導体装置１８のフィルタ１１の前面に配置
されたものである。
ト基板１９のスルーホールにその端子を挿入して半田付
けにより実装され、駆動用ＬＳＩ２０及びその他の周辺
回路部品２１は基板の両面に表面実装されている。ま
た、２２はレンズで、赤外線センサー素子１の効率を上
げるために半導体装置１８のフィルタ１１の前面に配置
されたものである。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、従来、
赤外線センサー素子等の半導体センサー素子を実装する
半導体装置はＣＡＮパッケージ、その駆動用ＬＳＩは樹
脂封止と、個別にパッケージングされ、プリント基板上
でその他の周辺部品と共に接続されていたが、それぞれ
の部品でパッケージが占める体積が大きいため、プリン
ト基板の実装密度が低かった。
赤外線センサー素子等の半導体センサー素子を実装する
半導体装置はＣＡＮパッケージ、その駆動用ＬＳＩは樹
脂封止と、個別にパッケージングされ、プリント基板上
でその他の周辺部品と共に接続されていたが、それぞれ
の部品でパッケージが占める体積が大きいため、プリン
ト基板の実装密度が低かった。
【００１５】本発明は、上記問題点に鑑みなされたもの
で、その目的とするところは、半導体センサー素子を実
装する半導体装置及びその駆動用ＬＳＩがプリント基板
上に占めるスペースを小さくし、プリント基板の実装密
度を向上させることにより、電子機器の小型化、薄型化
が図れる半導体装置の構造を提供することにある。
で、その目的とするところは、半導体センサー素子を実
装する半導体装置及びその駆動用ＬＳＩがプリント基板
上に占めるスペースを小さくし、プリント基板の実装密
度を向上させることにより、電子機器の小型化、薄型化
が図れる半導体装置の構造を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
本発明は、半導体センサー素子を実装する半導体装置に
おいて、半導体センサー素子と、その半導体センサー素
子を突起電極を介してその上面に実装し、前記半導体セ
ンサー素子を駆動し、その出力信号を処理する駆動用Ｌ
ＳＩベアチップと、その駆動用ＬＳＩベアチップをダイ
ボンドペーストを介してその上面に実装するステムと、
そのステムに貫通保持され、ボンディングワイヤーにて
前記駆動用ＬＳＩベアチップと接続される端子と、下方
の開口に前記ステムが固着された略筒状の内部保護用の
キャップと、そのキャップの上方の開口に固着されるフ
ィルタを有することを特徴とするものである。
本発明は、半導体センサー素子を実装する半導体装置に
おいて、半導体センサー素子と、その半導体センサー素
子を突起電極を介してその上面に実装し、前記半導体セ
ンサー素子を駆動し、その出力信号を処理する駆動用Ｌ
ＳＩベアチップと、その駆動用ＬＳＩベアチップをダイ
ボンドペーストを介してその上面に実装するステムと、
そのステムに貫通保持され、ボンディングワイヤーにて
前記駆動用ＬＳＩベアチップと接続される端子と、下方
の開口に前記ステムが固着された略筒状の内部保護用の
キャップと、そのキャップの上方の開口に固着されるフ
ィルタを有することを特徴とするものである。
【００１７】
【作用】本発明の半導体装置においては、駆動用ＬＳＩ
ベアチップは、赤外線センサー素子を固定する実装台と
して働き、それらの電極パッド間に形成された突起電極
は、駆動用ＬＳＩベアチップと半導体センサー素子を電
気的に接続する。
ベアチップは、赤外線センサー素子を固定する実装台と
して働き、それらの電極パッド間に形成された突起電極
は、駆動用ＬＳＩベアチップと半導体センサー素子を電
気的に接続する。
【００１８】また、ステムとキャップとフィルタは、赤
外線センサー素子、駆動用ＬＳＩベアチップ、ボンディ
ングワイヤー及び端子を保護する外郭となる。
外線センサー素子、駆動用ＬＳＩベアチップ、ボンディ
ングワイヤー及び端子を保護する外郭となる。
【００１９】
【実施例】図１は本発明の一実施例を示す断面図で、図
中、１は図２（ａ）及び（ｂ）に示した赤外線センサー
素子、２はサーミスタ、５は円板状のステムで金属製で
ある。ステム５は、その上面に後述する駆動用ＬＳＩベ
アチップ１３をＡｇペースト等のダイボンドペースト８
を介して実装している。このステム５にはガラス等の封
着材７を介して端子６が貫通保持されている。また、そ
の周縁には、後述するキャップ１０との溶接部となる鍔
部５ａが全周にわたって形成されている。
中、１は図２（ａ）及び（ｂ）に示した赤外線センサー
素子、２はサーミスタ、５は円板状のステムで金属製で
ある。ステム５は、その上面に後述する駆動用ＬＳＩベ
アチップ１３をＡｇペースト等のダイボンドペースト８
を介して実装している。このステム５にはガラス等の封
着材７を介して端子６が貫通保持されている。また、そ
の周縁には、後述するキャップ１０との溶接部となる鍔
部５ａが全周にわたって形成されている。
【００２０】９は、Ａｕワイヤー等のボンディングワイ
ヤーで、駆動用ＬＳＩベアチップ１３の電極パッドと端
子６を電気的に接続するものである。１０は、円筒状の
キャップで、ステム５に取り付けられ半導体装置内部を
保護するものである。その周縁には、ステム５に溶接す
るための鍔部１０ａが形成されている。１１はフィルタ
で、赤外線が透過するガラス等でできており、接着剤１
２によりキャップ１０に取り付けられている。１３は駆
動用ＬＳＩベアチップで、その上面には突起電極２３を
介して赤外線センサー素子１が実装されている。この駆
動用ＬＳＩベアチップ１３は、赤外線センサー素子１に
電流を供給すると共に、その出力信号を演算、判断して
端子６に出力する機能がある。２３は突起電極（バン
プ）で、駆動用ＬＳＩベアチップ１３の電極パッドと赤
外線センサー素子１の電極パッドを電気的に接続するも
のである。
ヤーで、駆動用ＬＳＩベアチップ１３の電極パッドと端
子６を電気的に接続するものである。１０は、円筒状の
キャップで、ステム５に取り付けられ半導体装置内部を
保護するものである。その周縁には、ステム５に溶接す
るための鍔部１０ａが形成されている。１１はフィルタ
で、赤外線が透過するガラス等でできており、接着剤１
２によりキャップ１０に取り付けられている。１３は駆
動用ＬＳＩベアチップで、その上面には突起電極２３を
介して赤外線センサー素子１が実装されている。この駆
動用ＬＳＩベアチップ１３は、赤外線センサー素子１に
電流を供給すると共に、その出力信号を演算、判断して
端子６に出力する機能がある。２３は突起電極（バン
プ）で、駆動用ＬＳＩベアチップ１３の電極パッドと赤
外線センサー素子１の電極パッドを電気的に接続するも
のである。
【００２１】実施例では、ステム５は円板状、キャップ
１０は円筒状であり、それぞれ溶接用の鍔部を有すると
したが、その形状は特に限定されるものではなく、ま
た、その材料としてセラミックス等を用いてもよい。ス
テム５へのキャップ１０の固定及びキャップ１０へのフ
ィルタ１１の固定も溶接によらず、陽極接合法や接着等
による方法としてもよい。
１０は円筒状であり、それぞれ溶接用の鍔部を有すると
したが、その形状は特に限定されるものではなく、ま
た、その材料としてセラミックス等を用いてもよい。ス
テム５へのキャップ１０の固定及びキャップ１０へのフ
ィルタ１１の固定も溶接によらず、陽極接合法や接着等
による方法としてもよい。
【００２２】図に示すように本発明の半導体装置は、駆
動用ＬＳＩベアチップ１３と赤外線センサー素子１を突
起電極（バンプ）２３を介して接続し、１つのパッケー
ジに収めたことを特徴とするものである。駆動用ＬＳＩ
ベアチップ１３及び半導体センサー素子１の基台は共に
Ｓｉ製で線膨張係数が同じであるため、このように構成
することにより、温度変化による熱応力が、接続箇所で
ある突起電極２３の部分にかからず、信頼性が向上する
という利点も生まれる。
動用ＬＳＩベアチップ１３と赤外線センサー素子１を突
起電極（バンプ）２３を介して接続し、１つのパッケー
ジに収めたことを特徴とするものである。駆動用ＬＳＩ
ベアチップ１３及び半導体センサー素子１の基台は共に
Ｓｉ製で線膨張係数が同じであるため、このように構成
することにより、温度変化による熱応力が、接続箇所で
ある突起電極２３の部分にかからず、信頼性が向上する
という利点も生まれる。
【００２３】組立は、例えば、駆動用ＬＳＩベアチップ
１３または赤外線センサー素子１にＡｕ製の突起電極２
３を形成しておき、駆動用ＬＳＩベアチップ１３上に赤
外線センサー素子１を、対応する電極パッドと突起電極
２３の位置合わせをして配置し、加圧、加熱して赤外線
センサー素子１を駆動用ＬＳＩベアチップ１３上に接合
した後、この駆動用ＬＳＩベアチップ１３をダイボンド
ペースト８を介してステム５に実装し、端子６と駆動用
ＬＳＩベアチップ１３の電極パッドとをボンディングワ
イヤー９にて接続し、キャップ１０をステム５に溶接し
て行われる。
１３または赤外線センサー素子１にＡｕ製の突起電極２
３を形成しておき、駆動用ＬＳＩベアチップ１３上に赤
外線センサー素子１を、対応する電極パッドと突起電極
２３の位置合わせをして配置し、加圧、加熱して赤外線
センサー素子１を駆動用ＬＳＩベアチップ１３上に接合
した後、この駆動用ＬＳＩベアチップ１３をダイボンド
ペースト８を介してステム５に実装し、端子６と駆動用
ＬＳＩベアチップ１３の電極パッドとをボンディングワ
イヤー９にて接続し、キャップ１０をステム５に溶接し
て行われる。
【００２４】ここで、図１の赤外線センサー素子１が、
図２（ｃ）の従来例の赤外線センサー素子１と比べて、
上下が逆になっているのは、図２（ｃ）の例では、サー
ミスタ２が搭載された面にある電極パッドと端子６をボ
ンディングワイヤー９により接続していたのに対して、
図１の例では、サーミスタ２が搭載された面にある電極
パッドと駆動用ＬＳＩベアチップ１３の電極パッドを突
起電極２３を介して接続するようにしたためである。
図２（ｃ）の従来例の赤外線センサー素子１と比べて、
上下が逆になっているのは、図２（ｃ）の例では、サー
ミスタ２が搭載された面にある電極パッドと端子６をボ
ンディングワイヤー９により接続していたのに対して、
図１の例では、サーミスタ２が搭載された面にある電極
パッドと駆動用ＬＳＩベアチップ１３の電極パッドを突
起電極２３を介して接続するようにしたためである。
【００２５】突起電極２３の材料としては、Ａｕが一般
的であるがインジュームや半田等でも同じ構成とするこ
とができる。また、突起電極２３の形成方法としては、
Ａｕワイヤーボンディングの第一ボンドのネックでワイ
ヤーを切断して行うスタッドバンプ法が一般的である
が、メッキによりＡｕを析出し形成することもでき、特
に限定されるものではない。
的であるがインジュームや半田等でも同じ構成とするこ
とができる。また、突起電極２３の形成方法としては、
Ａｕワイヤーボンディングの第一ボンドのネックでワイ
ヤーを切断して行うスタッドバンプ法が一般的である
が、メッキによりＡｕを析出し形成することもでき、特
に限定されるものではない。
【００２６】
【発明の効果】以上のように構成することで、赤外線セ
ンサー素子等の半導体センサー素子と駆動用ＬＳＩベア
チップを一体化して扱うことができ、１つのパッケージ
に収めることができるようになるため、プリント基板の
実装密度を向上させることができ、機器の小型化、薄型
化が図れる。
ンサー素子等の半導体センサー素子と駆動用ＬＳＩベア
チップを一体化して扱うことができ、１つのパッケージ
に収めることができるようになるため、プリント基板の
実装密度を向上させることができ、機器の小型化、薄型
化が図れる。
【図１】本発明の半導体装置の一例を示す断面図であ
る。
る。
【図２】（ａ）は赤外線センサー素子の一例を示す斜視
図、（ｂ）はその断面図である。（ｃ）は赤外線センサ
ー素子を実装した半導体装置の従来例を示す断面図であ
る。
図、（ｂ）はその断面図である。（ｃ）は赤外線センサ
ー素子を実装した半導体装置の従来例を示す断面図であ
る。
【図３】（ａ）は従来の駆動用ＬＳＩの一例を示す斜視
図、（ｂ）はその断面図であり、（ｃ）は赤外線センサ
ー素子を実装した従来の半導体装置の断面図、（ｄ）は
従来のセンサーモジュールの側面図である。
図、（ｂ）はその断面図であり、（ｃ）は赤外線センサ
ー素子を実装した従来の半導体装置の断面図、（ｄ）は
従来のセンサーモジュールの側面図である。
１ 赤外線センサー素子 ２ サーミスタ ３ 熱絶縁膜 ４ シリコン基板 ４ａ 空隙部 ５ ステム ５ａ ステム鍔部 ６ 端子 ７ 封着材 ８ ダイボンドペースト ９ ボンディングワイヤー １０ キャップ １０ａ キャップ鍔部 １１ フィルタ １２ 接着剤 １３ 駆動用ＬＳＩベアチップ １４ ダイパッド １５ リード １６ ボンディングワイヤー １７ 封止樹脂 １８ 半導体装置 １９ プリント基板 ２０ 駆動用ＬＳＩ ２１ 周辺回路部品 ２２ レンズ ２３ 突起電極
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G01J 1/02 G01J 5/02 G01J 5/20
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体センサー素子を実装する半導体装
置において、半導体センサー素子と、その半導体センサ
ー素子を突起電極を介してその上面に実装し、前記半導
体センサー素子を駆動し、その出力信号を処理する駆動
用ＬＳＩベアチップと、その駆動用ＬＳＩベアチップを
ダイボンドペーストを介してその上面に実装するステム
と、そのステムに貫通保持され、ボンディングワイヤー
にて前記駆動用ＬＳＩベアチップと接続される端子と、
下方の開口に前記ステムが固着された略筒状の内部保護
用のキャップと、そのキャップの上方の開口に固着され
るフィルタを有することを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5028700A JP2792377B2 (ja) | 1993-02-18 | 1993-02-18 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5028700A JP2792377B2 (ja) | 1993-02-18 | 1993-02-18 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06241889A JPH06241889A (ja) | 1994-09-02 |
| JP2792377B2 true JP2792377B2 (ja) | 1998-09-03 |
Family
ID=12255747
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5028700A Expired - Lifetime JP2792377B2 (ja) | 1993-02-18 | 1993-02-18 | 半導体装置 |
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-
1993
- 1993-02-18 JP JP5028700A patent/JP2792377B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
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