JPH0714651U - 中空封止パッケージ - Google Patents

中空封止パッケージ

Info

Publication number
JPH0714651U
JPH0714651U JP043717U JP4371793U JPH0714651U JP H0714651 U JPH0714651 U JP H0714651U JP 043717 U JP043717 U JP 043717U JP 4371793 U JP4371793 U JP 4371793U JP H0714651 U JPH0714651 U JP H0714651U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
insulating film
substrate
resin
chip
semiconductor chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP043717U
Other languages
English (en)
Inventor
博 上野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Faurecia Clarion Electronics Co Ltd
Original Assignee
Clarion Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Clarion Co Ltd filed Critical Clarion Co Ltd
Priority to JP043717U priority Critical patent/JPH0714651U/ja
Publication of JPH0714651U publication Critical patent/JPH0714651U/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched

Landscapes

  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 生産コストがかからず、小型で密封度の高い
封止が可能な、優れた中空封止パッケージを提供する。 【構成】 基板1上に、導電性樹脂接着法によりチップ
2を固定する。チップ2の回路と基板1のパターンとを
ワイヤボンディングにより接続する。チップ2上を覆う
ように、絶縁性フィルム8を被せる。このとき、絶縁性
フィルム8とチップ2との間に空気、N,Ar等の気体
を含ませる。絶縁性フィルム8を樹脂6によって覆った
後、樹脂8を加熱して硬化させる。絶縁性フィルム8と
チップ2との間の気体が熱によって膨脹し、絶縁性フィ
ルム8とチップ2との間に中空部5が形成される。樹脂
6が硬化し、樹脂6に密着した絶縁性フィルム8が中空
部5を保ったまま固定される。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
本考案は、たとえば弾性表面波素子などの半導体チップを、中空部を有する形 で気密封止することによって形成される中空封止パッケージに関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体素子のチップは、電極付けをした後に、特性が劣化しないように、しか も機械的強度を増すために、封止をおこなう。この封止方法には、あらかじめ作 った金属製、ガラス製、セラミック製などのパッケージに素子を入れて密封する 気密封止法と、チップを直接樹脂のなかに封止する樹脂封止法とがある。このう ち、気密封止法は、製品の密封度が高い反面、製造コストも高くなるため、経済 面で不利である。一方、樹脂封止法では、製造コストが低く、量産性の面でも有 利であるが、この方法では、チップが樹脂に直接覆われてしまうので、特定の半 導体素子には適用できない。たとえば、弾性表面波素子のチップは、チップ上を 表面波が伝搬しなければならないため、この表面波を疎外しないような中空部を 、チップ上に設ける必要があり、従来の樹脂封止法で封止することはできなかっ た。
【0003】 そこで、近年では、弾性表面波素子のチップを封止する場合、チップ上に蓋を 乗せることにより内部に中空部を形成し、さらに樹脂封止法の利点を生かすため 蓋の周囲を樹脂で覆うことによって、製品の密封性を高めている。
【0004】 このような方法で封止された中空封止パッケージの一例を図面にしたがって以 下に説明する。すなわち、図13に示すように、基板1上にチップ2が実装され 、基板1のパターンとチップ2の回路とが、ワイヤ3によって電気的に接続され ている。このワイヤ3による接続は、Au,Al,Cu等の細線を用いて接続す るワイヤボンディングによりおこなわれている。そして、チップ2の上部を覆う ように、箱状の蓋4が乗せられているので、この蓋4と基板1およびチップ2と の間に中空部5が形成されている。さらに、この構造全体が、樹脂6によって覆 われ、パッケージングされている。なお、図中7は、基板1のパターンに接続さ れた外部リードである。このような蓋4および樹脂6を使用した中空封止パッケ ージは、単純な樹脂封止法による場合と同様に樹脂6によって一定の密封性を確 保でき、また単純な樹脂封止法ではできなかった中空部5を形成できる。さらに 、蓋4および樹脂6を使用した中空封止パッケージは、従来の気密封止法におい て必要とした高価なセラミックスや金属を必要としないので、製造コストを低く することができ、経済的で実用性が高い。
【0005】 なお、基板1のパターンとチップ2の回路との電気的接続を、ワイヤボンディ ングではなく、フリップチップやTABといったワイヤレスボンディングによっ ておこなう方法も提案されている。ここで、フリップチップとは、以下のような 方法である。すなわち、まず、チップ2の回路に半田のボールを形成する。この ボールは突起電極(バンプ)と呼ぶ。また、基板1のパターン上にも半田を供給 しておく。次に、チップ2を裏返して突起電極と基板1のパターンの位置を合わ せて仮止めする。さらに、この後半田を溶かしてチップ2を基板1に固定すると 同時に電気的な接続をおこなう。
【0006】 また、TABとは、以下のような方法である。すなわち、まず、フリップチッ プと同様に、チップ2に突起電極を設ける。そして、樹脂製のテープにフォトエ ッチングによってリードを形成し、半田付けによりリードの内側端部にチップ2 の突起電極を接続する。つぎに、リードの外側端部を基板1のパターンに半田付 けする。このとき、リードの余った部分を切断してテープから切り離す。
【0007】 このようなワイヤレスボンディングによって接続する場合、チップ2と基板1 との接続箇所が突起電極部分のみなので、あらかじめ固定したチップ2をワイヤ 3で配線するワイヤボンディングに比べて保持力が弱い。これに対処するため、 チップ2と基板1との接続部分を樹脂6で覆うことがおこなわれている。
【0008】
【考案が解決しようとする課題】
しかしながら、以上のような蓋4および樹脂6を用いた中空封止パッケージに は、以下のような問題点があった。すなわち、単純な樹脂封止法によって製造さ れる中空封止パッケージと比べると、蓋4を使用する分だけコストが高く、蓋4 を被せるという工程を要するので、量産性の点で不利である。そして、セラミッ クや金属のパッケージを用いた気密封止法によって製造された中空封止パッケー ジに比べると、密封性がやや劣るという欠点もあった。
【0009】 また、図13からも明らかなように、パッケージ全体の厚みが、素子2の厚み に比べてはるかに厚くなるので、電子部品一般に要求される小型化や薄型化が実 現しにくく、高密度の実装に不利である。
【0010】 このような問題点に対処するため、本出願人により特願平3−11130,特 願平4−210368が提案されているが、本考案は、これらの発明が解決しよ うとする課題を、これらの発明と異なる方法により解決するために提案されたも のである。
【0011】 さらに、ワイヤレスボンディングの場合、チップ2の保持力を高めるために、 チップ2と基板1との接続部分を樹脂6で覆うことがおこなわれているが、この 場合、チップ2表面に樹脂6が入り込んでしまうことがある。とくに、弾性表面 波素子の場合、チップ2表面に樹脂6が付着してしまうことは、上述のような理 由から好ましくない。
【0012】 本考案は、以上のような従来技術の課題を解決するために提案されたものであ り、その目的は、生産コストがかからず、小型で密封度の高い封止が可能な、優 れた中空封止パッケージを提供することである。
【0013】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、請求項1記載の本考案は、少なくとも一つの半 導体チップが基板上に実装され、前記半導体チップが前記基板上に形成された導 体パターンに接続されるとともに、前記半導体チップが前記基板上に設けられた 保護層で覆われ、前記保護層と前記半導体チップとの間に中空部が形成されてい る中空封止パッケージにおいて、前記保護層として、絶縁性フィルムおよび樹脂 を用いたことを特徴とする。
【0014】 また、請求項2記載の本考案は、前記絶縁性フィルムとして、前記樹脂の重み で変形しない程度の剛性を備えたものを用いたことを特徴とする。
【0015】 また、請求項3記載の本考案は、前記保護層と前記基板との間に接着剤によっ て接着層を形成したことを特徴とする。
【0016】 また、請求項4記載の本考案は、前記絶縁性フィルムを前記基板もしくは前記 半導体チップに接着させる際、吸引用窓を設けた凹型状のツールを用いることに より前記絶縁性フィルムをドーム型または箱型に構成したことを特徴とする。
【0017】 また、請求項5記載の本考案は、前記保護層と前記樹脂との間に接着剤によっ て接着層を形成したことを特徴とする。
【0018】 また、請求項6記載の本考案は、前記保護層として、金属箔の表面に酸化膜も しくは絶縁性フィルムを形成したシート、および樹脂を用いたことを特徴とする 。
【0019】 また、請求項7記載の本考案は、前記中空部に、熱によって膨脹する気体を封 入したことを特徴とする。
【0020】 さらに、請求項8記載の本考案は、前記絶縁性フィルムに導電パターンを形成 し、前記絶縁性フィルムを前記半導体チップに被せ、前記導電パターンによって 前記半導体チップと前記基板の導体パターンとを接続したことを特徴とする。
【0021】
【作用】
上記の様な構成を有する本考案の作用は次の通りである。
【0022】 即ち、請求項1記載の本考案においては、絶縁性フィルムおよび樹脂によって 、半導体チップが外部の影響から守られるので、特性の劣化が防止され、機械的 強度が増す。
【0023】 また、請求項2記載の本考案においては、保護層の絶縁性フィルムが、樹脂の 重みで変形しない程度の剛性を有しているので、絶縁性フィルムと半導体チップ との間に中空部を形成しても、樹脂の重みで中空部が潰れることがない。
【0024】 また、請求項3記載の本考案においては、保護層と基板との間に接着層が設け られているので、密封度の高いパッケージが形成される。
【0025】 また、請求項4記載の本考案では、保護層としての絶縁性フィルムの接着工程 において、凹型状の専用ツールの吸引用窓が絶縁性フィルムを吸引することによ り、市販されている平板なテープ状のフィルムを容易にドーム型または箱型にす ることができる。したがって、接着工程の自動化が容易になると共に、接着後の 形状の安定化を図ることができる。
【0026】 また、請求項5記載の本考案においては、保護層と樹脂との間に接着層が設け られているので、密封度の高いパッケージが形成される。
【0027】 また、請求項6記載の本考案においては、金属箔の表面に酸化膜を設けたもの 、もしくは金属箔の表面に絶縁性フィルムを設けたものと、樹脂とによって保護 層が形成されているので、シールド効果が向上する。
【0028】 また、請求項7記載の本考案においては、保護層と半導体チップとの間の中空 部に、熱によって膨脹する気体が封入されているので、保護層として樹脂を用い た場合、樹脂を硬化させるときの熱で気体を膨脹させることによって中空部を形 成できる。
【0029】 さらに、請求項8記載の本考案においては、前記半導体チップと基板の導体パ ターンとの接続を、保護層の絶縁性フィルムに形成した導電パターンによってお こなうことができるので、接続用部材を別に設ける必要がない。
【0030】
【実施例】
以上説明したような本考案による中空封止パッケージの実施例について、図1 〜図12を参照して具体的に説明する。なお、図13に示した従来技術と同一部 材には、同一符号を付し、説明を省略する。
【0031】 (1)第1実施例 請求項1および請求項7記載の本考案の中空封止パッケージに対応する一実施 例を第1実施例として以下に説明する。まず、本実施例の構成は、以下の通りで ある。すなわち、図1に示すように、プリント基板である基板1上に、チップ2 がICの作られた面を上にして固定されている。この固定は、チップ2を、金、 銀の粉末を含む導電性エポキシ樹脂で基板1上に接着するという導電性樹脂接着 法によりおこなわれている。このように、チップ2は基板1上に固定されている が、このチップ2の回路と基板1のパターンとは、電気的に接続されている。こ の接続は、Au,Al,Cu等の細線で接続するワイヤボンディングによりおこ なわれている。そして、チップ2上を覆うように、絶縁性フィルム8が被せられ 、絶縁性フィルム8とチップ2との間には、中空部5が形成されている。さらに 、絶縁性フィルム8は硬化した樹脂6によって覆われている。
【0032】 このようなチップ2と絶縁性フィルム8との間に設けられた中空部5の形成方 法は、以下の通りである。すなわち、絶縁性フィルム8を被せる際に、絶縁性フ ィルム8とチップ2との間に空気、N,Ar等の気体を含ませる。そして、樹脂 6で絶縁性フィルム8を覆った後、樹脂8を加熱して硬化させる。すると、絶縁 性フィルム8とチップ2との間の気体が熱によって膨脹するので、絶縁性フィル ム8が持ち上げられて樹脂6に密着し、チップ2との間に中空部5が形成される 。さらに、加熱することにより樹脂6が硬化するので、樹脂6に密着した絶縁性 フィルム8が中空部5を保ったまま固定される。なお、この方法による場合は、 中空部5の気体が外部に逃げて中空部5が潰されないように、チップ2のサイズ に応じて樹脂6の粘度を適性にする必要がある。
【0033】 以上のような本実施例の効果は以下の通りである。すなわち、安価な絶縁性フ ィルム8を用いることによって、高価な蓋を使用しなくても中空部5を形成でき るので、生産コストを削減できると同時に小形化を実現できる。そして、中空部 5は樹脂6を硬化させるときの熱によって形成することができるので、製造工程 を簡略化できる。また、樹脂6が硬化することにより高い密封性を得ることがで き、中空部5が確実に保持される。
【0034】 (2)第2実施例 そして、請求項1記載の本考案の中空封止パッケージに対応する実施例で、第 1実施例と異なる製造方法によるものを第2実施例として以下に説明する。なお 、第1実施例と同様の部材は同一の符号を付し、説明を省略する。すなわち、ま ず、チップ2を絶縁性フィルム8で覆い、さらにその上を樹脂6によって覆う。 そして、基板1を裏返すと、樹脂6と絶縁性フィルム8の重みで絶縁性フィルム 8とチップ2との間に中空部5が形成される。この状態で樹脂6を硬化させるこ とによって、中空部5を固定させる。
【0035】 このような本実施例の効果は以下の通りである。すなわち、蓋を用いることな く中空部5を形成できるので、生産コストを削減できると同時に小形化を実現で きる。そして、中空部5は基板1を裏返し、樹脂6を硬化させることによって形 成することができるので、製造工程が簡略化できる。また、樹脂6を硬化させる ことにより高い密封性を得ることができ、中空部5が確実に保持される。
【0036】 (3)第3実施例 また、請求項2記載の本考案の中空封止パッケージに対応する一実施例を第3 実施例として以下に説明する。なお、第1実施例と同様の部材は同一の符号を付 し、説明を省略する。すなわち、まず、絶縁性フィルム8の素材として、剛性の 高いものを用いる。そして、絶縁性フィルム8をドーム状または箱状に形成し、 絶縁性フィルム8によってチップ2を覆う。すると、絶縁性フィルム8とチップ 2との間に、ドーム状または箱状の中空部5が形成される。さらに、絶縁性フィ ルム8上を樹脂6で覆って、この樹脂6を硬化させる。このとき、絶縁性フィル ム8は剛性の高い素材で作られているので、中空部5は樹脂6の重みで潰れるこ とはなく、確実に保持される。
【0037】 このような、本実施例の効果は以下の通りである。すなわち、蓋を使用しなく ても中空部5を形成できるので、生産コストを削減できると同時に小形化を実現 できる。そして、第1実施例のように気体を利用することなく中空部5を形成す ることが可能なので、製造工程を一層簡略化できる。
【0038】 (4)第4実施例 つぎに、請求項3記載の本考案の中空封止パッケージに対応する一実施例を第 4実施例として、以下に説明する。なお、第1実施例と同一の部材は同一の符号 を付し、説明は省略する。すなわち、図2に示すように、絶縁性フィルム8によ ってチップ2上を覆う際に、絶縁性フィルム8と基板1との間に接着剤により接 着層9を設ける。そして、さらにその絶縁性フィルム8上を樹脂6によって覆う 。絶縁性フィルム8とチップ2との間の中空部5は、他の実施例と同様な方法に より形成する。
【0039】 以上のような本実施例の効果は、以下の通りである。すなわち、絶縁性フィル ム8と基板1との間に接着層9が設けられているので、高い密封性を得ることが でき、樹脂6がチップ2上に侵入してくることはない。したがって、信頼性の高 い製品を製造することができる。
【0040】 (5)第5実施例 また、請求項3記載の本考案の中空封止パッケージに対応する一実施例を第5 実施例として、以下に説明する。なお、本実施例は第3実施例の改良型であり、 第3実施例と同一の部材は同一の符号を付す。すなわち、図3に示すように、絶 縁性フィルム8の片面全体に接着層9を形成する。そして、この接着層9を下に してチップ2を覆う。さらに絶縁性フィルム8上を樹脂6によって覆い、絶縁性 フィルム8とチップ2との間の中空部5を他の実施例と同様な方法により形成す る。
【0041】 以上のような本実施例の効果は、以下の通りである。すなわち、接着層9は絶 縁性フィルム8の片面全体に形成すればよく、局部的に形成するよりも手間がか からない。また、接着剤付きのポリミイド樹脂フィルムは安価なものが市販され ており、このフィルムを絶縁性フィルム8として用いれば、コストがかからない 。
【0042】 (6)第6実施例 また、請求項4記載の本考案の中空封止パッケージに対応する一実施例を第6 実施例として、以下に説明する。なお、本実施例は中空封止パッケージの製造方 法であり、他の実施例と同一の部材は同一の符号を付す。すなわち、第6実施例 では絶縁性フィルム8によってチップ2上を覆う際に、図4に示すような凹型の ツール12を用いる。このツール12は、金属、樹脂、プラスチック等の材料か ら成り、下方に開口する凹部14を有している。凹部14の中には複数の吸引用 窓13が設けられている。また、ツール12の上部中央には排気口12aが形成 されている。なお、吸引用窓13の数、大きさ、配置は絶縁性フィルム8の大き さや剛性、フィルム接着後の形状などにより、適宜変化をもたせることが可能で ある。
【0043】 図5に示すようにツール12の底面部に平らなテープ状の絶縁性フィルム8を 合わせて排気口12aから凹部14内の空気を排気すると、吸引用窓13が絶縁 性フィルム8を吸引する。そのため、図6に示すように絶縁性フィルム8をツー ル12側に吸い寄せることができ、たとえば図のようにドーム型になる。ここで 絶縁性フィルム8は台の上に置いて上からツール12に合わせてもいいし、ツー ル12を逆さまにして絶縁性フィルム8をツール12に乗せてもよい。次に図6 のような状態のまま、チップ2が搭載されている基板1もしくはチップ2自身に 図7のように押し付けて接着させる。このとき絶縁性フィルム8がドーム型であ るため、フィルム8とチップ2との間には中空部5が形成される。
【0044】 またツール12の凹部14の周囲部分は平たくなっており、絶縁性フィルム8 が押されて接着できるようになっている。接着は絶縁性フィルム8に接着剤があ らかじめついているものを用いるか、基板1に付けておくようにする。また、接 着剤は常温で接着できるものでもよいし、熱を加えて接着するものでもよい。こ のように絶縁性フィルム8を接着させた後、ツール12をはずすと図8のように ドーム型形状にフィルムが形成される。さらに、図9に示すように絶縁性フィル ム8上を樹脂6で覆って、この樹脂6を硬化させる。
【0045】 以上のような本実施例の効果は、以下の通りである。すなわち、平板なテープ 状のフィルム8は安価なものが市販されており、これをツール12の凹部14の 形状により、ドーム状または箱型にすることが容易にできるため生産コストを削 減できる。しかも、絶縁性フィルム8の剛性、張力、接着するときの熱による内 部空気の膨脹等により、その形状の安定化が図ることができる。また、絶縁性フ ィルム8の接着工程の自動化を容易に達成できる。
【0046】 (7)第7実施例 さらに、請求項5記載の本考案の中空封止パッケージに対応する一実施例を第 7実施例として、以下に説明する。なお、本実施例は第3実施例の改良型であり 、第3実施例と同一の部材は同一の符号を付す。すなわち、図10に示すように 、絶縁性フィルム8の両面全体に接着層9を形成し、この絶縁性フィルム8によ ってチップ2を覆う。そして、絶縁性フィルム8上を樹脂6によって覆い、絶縁 性フィルム8とチップ2との間の中空部5を他の実施例と同様な方法により形成 する。
【0047】 以上のような本実施例の効果は、以下の通りである。すなわち、絶縁性フィル ム8の接着層9が、樹脂6との間にも形成されているので、絶縁性フィルム8と 接着層9との密着度が高まる。たとえば、絶縁性フィルム8としてポリミイド樹 脂を用い、樹脂6としてエポキシ樹脂を用いた場合、ポリミイド樹脂とエポキシ 樹脂とは密着性があまりよくないが、その間に接着層9を設けることによって密 着度を高め、耐湿性等の特性を向上させることができる。
【0048】 (8)第8実施例 さらに、請求項6記載の本考案の中空封止パッケージに対応する一実施例を第 8実施例として、以下に説明する。本実施例では、上述の実施例における絶縁性 フィルム8のかわりに、アルミニウムなどの金属箔の片面に酸化膜10aを設け たシート10を用いる。すなわち、図11に示すように、シート10を、その酸 化膜10a側を下にしてチップ2を覆う。そして、このシート10上を樹脂で覆 い、上述の実施例と同様にチップ2と絶縁性フィルム8との間に中空部5を形成 する。なお、シート10は金属箔の両面に酸化膜10aを設けたものであっても 構わないし、金属箔に酸化膜10aではなく絶縁性フィルム8を貼り付けたもの を用いてもよい。
【0049】 このような本実施例の効果は以下の通りである。すなわち、チップ2が金属箔 を主体としたシート10によって覆われるので、高いシールド効果が得られ、製 品の特性が向上する。
【0050】 (9)第9実施例 また、請求項8記載の本考案の中空封止パッケージ製造方法に対応する一実施 例を第9実施例として、以下に説明する。なお、第1実施例と同一の部材は同一 の符号を付し、説明は省略する。本実施例は、基板1とチップ2との接続をワイ ヤレスボンディングによっておこなう場合の実施例である。すなわち、図12に 示すように、チップ2に半田によって突起電極を形成する。また、基板1のパタ ーン上にも半田を供給しておく。つぎに、絶縁性フィルム8にあらかじめ導電パ ターン11を形成しておき、この導電パターン11側を下にしてチップ2を覆う 。そして、半田を溶かすことにより、導電パターン11の内側にチップ2の突起 電極を接続し、導電パターン11の外側に基板1のパターンを接続する。さらに 、このような絶縁性フィルム8を樹脂6によって覆い、上述の実施例と同様に、 チップ2と絶縁性フィルム8との間に中空部5を形成する。
【0051】 以上のような本実施例の効果は以下の通りである。すなわち、チップ2を樹脂 6によって覆っても、チップ2は絶縁性フィルム8によって保護され、また、チ ップ2の位置は基板1よりも高い位置にあるので、チップ2表面に樹脂6が入り 込むことがない。したがって、品質の安定した素子を生産することができる。
【0052】 (10)その他の実施例 なお、本考案は、上述した実施例に限定されるものではなく、具体的な各部材 の形状等は適宜変更可能である。
【0053】 たとえば、基板1は、プリント基板に限らず、セラミック基板、ガラス基板、 金属パッケージ等であってもよい。
【0054】 また、第1実施例において、チップ2を基板1に固定する方法として、導電性 樹脂接着法を採ったが、金めっきしたケースまたはリードフレームに、シリコン ペレットをこすりつけて接着させる金シリコン共晶合金法や、チップ2裏面にあ らかじめAu,Ni等の被膜を形成してから、半田を用いて接着させる半田接着 法によってもよい。
【0055】 また、第6実施例において、ツール12の凹部14の周囲の形状は、必ずしも 平でなくてもよく、接着が確実にできるように、丸みを帯びさせる等基板の形状 に合わせた形状にしてよい。
【0056】 また、第9実施例において、絶縁性フィルム8に形成する導電パターン11は 、チップ2と基板1との接続部分だけ露出していればよく、中間の配線部分は露 出していなくてもよい。
【0057】 また、チップ2と基板1との配線は、ワイヤボンディング、フリップチップ、 TABに限らず、電気的に接続できる方法であればよい。
【0058】 また、絶縁性フィルム8の素材はポリミイド樹脂に限らず、その他の樹脂でも よいし、樹脂6の素材はエポキシ樹脂に限らず、その他の樹脂でもよい。
【0059】 また、本考案はチップ全体を覆うタイプのパッケージとして用いるものである が、チップ上を樹脂で覆い、その内部に中空部を設けるタイプのパッケージにも 適用することができる。
【0060】 なお、このような本考案の目的の対象となる素子は、代表的には、弾性表面波 素子であるが、IC、LSI、その他の各種の素子も同様に本発明の目的の対象 である。
【0061】
【考案の効果】
以上のような本考案によれば、半導体チップを覆う保護層として、絶縁性フィ ルムと樹脂を用いるという簡単な構成によって、生産コストがかからず、小型で 密封度の高い封止が可能な、優れた中空封止パッケージを提供することができる 。
【図面の簡単な説明】
【図1】本考案の第1実施例、第2実施例および第3実
施例による中空封止パッケージを示す断面図
【図2】本考案の第5実施例による中空封止パッケージ
を示す断面図
【図3】本考案の第6実施例による中空封止パッケージ
を示す断面図
【図4】本考案の第4実施例において使用されるツール
の断面図
【図5】図4に示すツールおよび絶縁性フィルムの断面
【図6】図4に示すツールおよび絶縁性フィルムの断面
【図7】本考案の第4実施例により製造される中空封止
パッケージおよび図4に示すツールを示す断面図
【図8】本考案の第4実施例により製造される中空封止
パッケージを示す断面図
【図9】本考案の第4実施例により製造される中空封止
パッケージを示す断面図
【図10】本考案の第7実施例による中空封止パッケー
ジを示す断面図
【図11】本考案の第8実施例による中空封止パッケー
ジを示す断面図
【図12】本考案の第9実施例により製造される中空封
止パッケージを示す断面図
【図13】従来の中空封止パッケージの一例を示す断面
【符号の説明】
1…基板 2…チップ 3…ワイヤ 4…蓋 5…中空部 6…樹脂 7…外部リード 8…絶縁性フィルム 9…接着層 10…シート 10a…酸化膜 11…導電パターン 12…ツール 12a…排気口 13…吸引用窓 14…凹部
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H03H 9/25 A 7259−5J

Claims (8)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 少なくとも一つの半導体チップが基板上
    に実装され、前記半導体チップが前記基板上に形成され
    た導体パターンに接続されるとともに、前記半導体チッ
    プが前記基板上に設けられた保護層で覆われ、前記保護
    層と前記半導体チップとの間に中空部が形成されている
    中空封止パッケージにおいて、 前記保護層として、絶縁性フィルムおよび樹脂を用いた
    ことを特徴とする中空封止パッケージ。
  2. 【請求項2】 前記絶縁性フィルムとして、前記樹脂の
    重みで変形しない程度の剛性を備えたものを用いたこと
    を特徴とする請求項1記載の中空封止パッケージ。
  3. 【請求項3】 前記保護層と前記基板との間に接着剤に
    よって接着層を形成したことを特徴とする請求項1記載
    の中空封止パッケージ。
  4. 【請求項4】 前記絶縁性フィルムを前記基板もしくは
    前記半導体チップに接着させる際、吸引用窓を設けた凹
    型状のツールを用いることにより前記絶縁性フィルムを
    ドーム型または箱型に構成したことを特徴とする請求項
    1記載の中空封止パッケージ。
  5. 【請求項5】 前記保護層と前記樹脂との間に接着剤に
    よって接着層を形成したことを特徴とする請求項1記載
    の中空封止パッケージ。
  6. 【請求項6】 少なくとも一つの半導体チップが基板上
    に実装され、前記半導体チップが前記基板上に形成され
    た導体パターンに接続されるとともに、前記半導体チッ
    プが前記基板上に設けられた保護層で覆われ、前記保護
    層と前記半導体チップとの間に中空部が形成されている
    中空封止パッケージにおいて、 前記保護層として、金属箔の表面に酸化膜もしくは絶縁
    性フィルムを形成したシート、および樹脂を用いたこと
    を特徴とする中空封止パッケージ。
  7. 【請求項7】 少なくとも一つの半導体チップが基板上
    に実装され、前記半導体チップが前記基板上に形成され
    た導体パターンに接続されるとともに、前記半導体チッ
    プが前記基板上に設けられた保護層で覆われ、前記保護
    層と前記半導体チップとの間に中空部が形成されている
    中空封止パッケージにおいて、 前記中空部に、熱によって膨脹する気体を封入したこと
    を特徴とする中空封止パッケージ。
  8. 【請求項8】 少なくとも一つの半導体チップが基板上
    に実装され、前記半導体チップが前記基板上に形成され
    た導体パターンに接続されるとともに、前記半導体チッ
    プが前記基板上に設けられた保護層で覆われ、前記保護
    層と前記半導体チップとの間に中空部が形成されている
    中空封止パッケージにおいて、 前記絶縁性フィルムに導電パターンを形成し、前記絶縁
    性フィルムを前記半導体チップに被せ、前記導電パター
    ンによって前記半導体チップと前記基板の導体パターン
    とを接続したことを特徴とする中空封止パッケージ。
JP043717U 1993-05-10 1993-08-10 中空封止パッケージ Pending JPH0714651U (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP043717U JPH0714651U (ja) 1993-05-10 1993-08-10 中空封止パッケージ

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5-23922 1993-05-10
JP2392293 1993-05-10
JP043717U JPH0714651U (ja) 1993-05-10 1993-08-10 中空封止パッケージ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0714651U true JPH0714651U (ja) 1995-03-10

Family

ID=26361369

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP043717U Pending JPH0714651U (ja) 1993-05-10 1993-08-10 中空封止パッケージ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0714651U (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013069961A (ja) * 2011-09-26 2013-04-18 Nec Corp 中空封止構造の製造方法および中空封止構造
JP2015056572A (ja) * 2013-09-13 2015-03-23 新日本無線株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2015056571A (ja) * 2013-09-13 2015-03-23 新日本無線株式会社 半導体装置およびその製造方法
WO2019130943A1 (ja) * 2017-12-26 2019-07-04 株式会社村田製作所 弾性波装置および弾性波モジュール

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013069961A (ja) * 2011-09-26 2013-04-18 Nec Corp 中空封止構造の製造方法および中空封止構造
JP2015056572A (ja) * 2013-09-13 2015-03-23 新日本無線株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2015056571A (ja) * 2013-09-13 2015-03-23 新日本無線株式会社 半導体装置およびその製造方法
WO2019130943A1 (ja) * 2017-12-26 2019-07-04 株式会社村田製作所 弾性波装置および弾性波モジュール
CN111527697A (zh) * 2017-12-26 2020-08-11 株式会社村田制作所 弹性波装置以及弹性波模块
US20200313647A1 (en) * 2017-12-26 2020-10-01 Murata Manufacturing Co., Ltd. Acoustic wave device and acoustic wave module
US11637543B2 (en) 2017-12-26 2023-04-25 Murata Manufacturing Co., Ltd. Acoustic wave device and acoustic wave module
CN111527697B (zh) * 2017-12-26 2023-09-12 株式会社村田制作所 弹性波装置以及弹性波模块
DE112018006603B4 (de) 2017-12-26 2023-09-14 Murata Manufacturing Co., Ltd. Schallwellenvorrichtung und Schallwellenmodul

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3420057B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置
JP2001196488A (ja) 電子部品装置及びその製造方法
JPH1140694A (ja) 半導体パッケージおよび半導体装置とその製造方法
JP3418373B2 (ja) 弾性表面波装置及びその製造方法
US5841183A (en) Chip resistor having insulating body with a continuous resistance layer and semiconductor device
JPH03204965A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JP2895920B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPH10284873A (ja) 半導体集積回路装置およびicカードならびにその製造に用いるリードフレーム
JPH11214596A (ja) 半導体装置及びその製造方法並びに電子機器
KR0157857B1 (ko) 반도체 패키지
JPH0714651U (ja) 中空封止パッケージ
JPH11126865A (ja) 半導体素子および製造方法
JP2792377B2 (ja) 半導体装置
JP2668995B2 (ja) 半導体装置
JPH10335366A (ja) 半導体装置
JPH0817870A (ja) 半導体装置
JPH0917910A (ja) 半導体装置及びその製造方法、検査方法、実装基板
JP3454192B2 (ja) リードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
JP4033780B2 (ja) 半導体装置とその製造方法
JP3051225B2 (ja) 集積回路用パッケージ
JPH0812896B2 (ja) 半導体装置
JP3545171B2 (ja) 半導体装置
JP2004047897A (ja) 電子部品および電子部品の製造方法
KR100641511B1 (ko) 고집적 반도체 패키지 및 그 제조 방법
JP2000124251A (ja) 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器