JP3051225B2 - 集積回路用パッケージ - Google Patents
集積回路用パッケージInfo
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、セラミック基板の表面
に低融点ガラスなどのフリットシールによって外部リー
ドを接続した集積回路用パッケージに関するものであ
る。
に低融点ガラスなどのフリットシールによって外部リー
ドを接続した集積回路用パッケージに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】フリットシールによって外部リードを接
続した集積回路用パッケージは、外部リードがボンディ
ングワイヤを介して直接、搭載される集積回路と電気的
に接続される構造であった。
続した集積回路用パッケージは、外部リードがボンディ
ングワイヤを介して直接、搭載される集積回路と電気的
に接続される構造であった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】外部リードに使用され
る材料は、４２アロイやコバールなどインダクタンスが
比較的大きい。電源や接地される外部リードのインダク
タンスが大きくなると、搭載される集積回路の誤作動を
招きやすくなる。この結果、従来の集積回路用パッケー
ジは、高速演算を行う集積回路の搭載が困難であった。
また、搭載される集積回路の備える電源端子の数や接地
端子の数に応じた外部リードが必要となり、外部リード
の数が多く、結果的に集積回路用パッケージが大型化し
てしまう。なお、高速演算を行う集積回路を搭載する集
積回路用パッケージとして、セラミックを積層して内部
に複数の導電層を形成した積層形基板を使用したものが
ある。しかるに、この種の集積回路用パッケージは、積
層基板の作成コストや、外部リード（ピンやバンプも含
む）と内部配線との接続コストが高く、結果的に集積回
路用パッケージのコストが高くなってしまう。
る材料は、４２アロイやコバールなどインダクタンスが
比較的大きい。電源や接地される外部リードのインダク
タンスが大きくなると、搭載される集積回路の誤作動を
招きやすくなる。この結果、従来の集積回路用パッケー
ジは、高速演算を行う集積回路の搭載が困難であった。
また、搭載される集積回路の備える電源端子の数や接地
端子の数に応じた外部リードが必要となり、外部リード
の数が多く、結果的に集積回路用パッケージが大型化し
てしまう。なお、高速演算を行う集積回路を搭載する集
積回路用パッケージとして、セラミックを積層して内部
に複数の導電層を形成した積層形基板を使用したものが
ある。しかるに、この種の集積回路用パッケージは、積
層基板の作成コストや、外部リード（ピンやバンプも含
む）と内部配線との接続コストが高く、結果的に集積回
路用パッケージのコストが高くなってしまう。
【０００４】
【発明の目的】本発明は、上記の事情に鑑みてなされた
もので、その目的は、高速演算を行う集積回路を搭載可
能な集積回路用パッケージを安価に提供することにあ
る。
もので、その目的は、高速演算を行う集積回路を搭載可
能な集積回路用パッケージを安価に提供することにあ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の集積回路用パッ
ケージは、次の技術的手段を採用した。請求項１に記載
された集積回路用パッケージは、セラミック基板と、前
記セラミック基板に搭載される集積回路と電気的に接続
される外部リードと、前記セラミック基板と前記外部リ
ードとを固着するフリットシールとを備え、前記セラミ
ック基板に封止板を固着して前記集積回路を気密封止す
る集積回路用パッケージにおいて、前記セラミック基板
の表面には、電源またはグランドに接続される前記外部
リードと導体柱を介して接続される導電層を備え、前記
導体柱は、その一部が前記外部リードに形成された穴に
充填されていることを特徴とする。請求項２に記載され
た集積回路用パッケージでは、請求項１記載の前記封止
板は、前記導体柱に対応する位置に凹部を有することを
特徴とする。 請求項３に記載された集積回路用パッケー
ジでは、請求項１又は２記載の前記導電層のうち少なく
とも１つの導電層は、前記集積回路が搭載される面に形
成されることを特徴とする。 請求項４に記載された集積
回路用パッケージでは、請求項１ないし３のいずれか記
載の前記導体柱は、銀ガラスにて形成されていることを
特徴とする。
ケージは、次の技術的手段を採用した。請求項１に記載
された集積回路用パッケージは、セラミック基板と、前
記セラミック基板に搭載される集積回路と電気的に接続
される外部リードと、前記セラミック基板と前記外部リ
ードとを固着するフリットシールとを備え、前記セラミ
ック基板に封止板を固着して前記集積回路を気密封止す
る集積回路用パッケージにおいて、前記セラミック基板
の表面には、電源またはグランドに接続される前記外部
リードと導体柱を介して接続される導電層を備え、前記
導体柱は、その一部が前記外部リードに形成された穴に
充填されていることを特徴とする。請求項２に記載され
た集積回路用パッケージでは、請求項１記載の前記封止
板は、前記導体柱に対応する位置に凹部を有することを
特徴とする。 請求項３に記載された集積回路用パッケー
ジでは、請求項１又は２記載の前記導電層のうち少なく
とも１つの導電層は、前記集積回路が搭載される面に形
成されることを特徴とする。 請求項４に記載された集積
回路用パッケージでは、請求項１ないし３のいずれか記
載の前記導体柱は、銀ガラスにて形成されていることを
特徴とする。
【０００６】
【発明の作用および発明の効果】本発明の集積回路用パ
ッケージは、セラミック基板の表面に形成された導電層
を電源層あるいは接地層として使用することにより、こ
の電源層あるいは接地層と接続される外部リードのイン
ダクタンスを小さく抑えることができる。これにより、
高速演算を行う集積回路を搭載することができる。ま
た、搭載される集積回路の電源端子の数が多くても、電
源端子をセラミック基板の表面の電源層（電源と接続さ
れる導電層）に接続することで、電源と接続される外部
リードの数が１つで済む。同様に、搭載される集積回路
の接地端子の数が多くても、接地端子を接地層（グラン
ドと接続される導電層）に接続することで、接地と接続
される外部リードの数が１つで済む。つまり、外部リー
ドの数を従来に比較して減少させて、集積回路用パッケ
ージを小型化することができる。あるいは、搭載される
集積回路の入出力端子の数を増すことができる。さら
に、外部リードと導電層とは、導体柱を介して接続され
るため、凹部（キャビテイ）表面よりパッケージの上面
寄り（封止板寄り）に固着される外部リードにボンディ
ングワイヤを使用することなく、容易に導通を施すこと
ができる。 また、使用されるセラミック基板が、プレス
成形された単層のセラミック基板であるとともに、外部
リードをフリットシールによってセラミック基板に固着
した構造であるため、集積回路用パッケージの製造コス
トを、ＰＧＡやＬＤＣＣなど積層基板を使用した他の集
積回路用パッケージに比較して、低く抑えることができ
る。
ッケージは、セラミック基板の表面に形成された導電層
を電源層あるいは接地層として使用することにより、こ
の電源層あるいは接地層と接続される外部リードのイン
ダクタンスを小さく抑えることができる。これにより、
高速演算を行う集積回路を搭載することができる。ま
た、搭載される集積回路の電源端子の数が多くても、電
源端子をセラミック基板の表面の電源層（電源と接続さ
れる導電層）に接続することで、電源と接続される外部
リードの数が１つで済む。同様に、搭載される集積回路
の接地端子の数が多くても、接地端子を接地層（グラン
ドと接続される導電層）に接続することで、接地と接続
される外部リードの数が１つで済む。つまり、外部リー
ドの数を従来に比較して減少させて、集積回路用パッケ
ージを小型化することができる。あるいは、搭載される
集積回路の入出力端子の数を増すことができる。さら
に、外部リードと導電層とは、導体柱を介して接続され
るため、凹部（キャビテイ）表面よりパッケージの上面
寄り（封止板寄り）に固着される外部リードにボンディ
ングワイヤを使用することなく、容易に導通を施すこと
ができる。 また、使用されるセラミック基板が、プレス
成形された単層のセラミック基板であるとともに、外部
リードをフリットシールによってセラミック基板に固着
した構造であるため、集積回路用パッケージの製造コス
トを、ＰＧＡやＬＤＣＣなど積層基板を使用した他の集
積回路用パッケージに比較して、低く抑えることができ
る。
【０００７】
【実施例】次に、本発明の集積回路用パッケージを、図
に示す一実施例に基づき説明する。 〔実施例の構成〕図１ないし図３は本発明の第１実施例
を示すもので、図１は集積回路用パッケージの断面図、
図２はセラミック基板の斜視図である。本実施例の集積
回路用パッケージ１は、集積回路２を搭載するセラミッ
ク基板３と、フリットシールである第１低融点ガラス４
によってセラミック基板３に固着される外部リード５と
からなる。そして、集積回路用パッケージ１は、集積回
路２を搭載した後に、集積回路２を封止するための封止
板６が固着される。
に示す一実施例に基づき説明する。 〔実施例の構成〕図１ないし図３は本発明の第１実施例
を示すもので、図１は集積回路用パッケージの断面図、
図２はセラミック基板の斜視図である。本実施例の集積
回路用パッケージ１は、集積回路２を搭載するセラミッ
ク基板３と、フリットシールである第１低融点ガラス４
によってセラミック基板３に固着される外部リード５と
からなる。そして、集積回路用パッケージ１は、集積回
路２を搭載した後に、集積回路２を封止するための封止
板６が固着される。
【０００８】セラミック基板３は、プレス成形されて焼
結された単層のセラミック焼結体で、中央部分に、集積
回路を搭載する凹部７を備える。この凹部７は、集積回
路２の外形よりもやや大きく設けられている。また、セ
ラミック基板３は、凹部７から１つの外部リード５（例
えばグランド接地されるリード）に向かって伸びる溝８
を備える（図２参照）。この凹部７および溝８（セラミ
ック基板３の表面である）の底部には、導電層９が設け
られている。この導電層９は、外部リード５を介してグ
ランド接地される接地層で、集積回路２の接地端子とボ
ンディングワイヤ１０で電気的に接続される。また、凹
部７の周囲（第１低融点ガラス４の内周部分、セラミッ
ク基板３の表面）にも、導電層９が設けられている。こ
の導電層９は、外部リード５を介して電源と接続される
電源層で、搭載される集積回路２の電源端子とボンディ
ングワイヤ１０で電気的に接続される。なお、導電層９
は、外部リード５と第１低融点ガラス４でセラミック基
板３に固着した後に、導電性の銀ガラス（導体柱）１１
によって外部リード５と電気的に接続されるものであ
る。
結された単層のセラミック焼結体で、中央部分に、集積
回路を搭載する凹部７を備える。この凹部７は、集積回
路２の外形よりもやや大きく設けられている。また、セ
ラミック基板３は、凹部７から１つの外部リード５（例
えばグランド接地されるリード）に向かって伸びる溝８
を備える（図２参照）。この凹部７および溝８（セラミ
ック基板３の表面である）の底部には、導電層９が設け
られている。この導電層９は、外部リード５を介してグ
ランド接地される接地層で、集積回路２の接地端子とボ
ンディングワイヤ１０で電気的に接続される。また、凹
部７の周囲（第１低融点ガラス４の内周部分、セラミッ
ク基板３の表面）にも、導電層９が設けられている。こ
の導電層９は、外部リード５を介して電源と接続される
電源層で、搭載される集積回路２の電源端子とボンディ
ングワイヤ１０で電気的に接続される。なお、導電層９
は、外部リード５と第１低融点ガラス４でセラミック基
板３に固着した後に、導電性の銀ガラス（導体柱）１１
によって外部リード５と電気的に接続されるものであ
る。
【０００９】外部リード５は、ボンディングワイヤ１０
を介して、あるいは銀ガラス１１、導電層９、ボンディ
ングワイヤ１０を介して、集積回路２の各端子と接続さ
れるもので、４２アロイ、コバール等の金属薄板をプレ
ス加工やエッチング処理によって形成したものである。
なお、導電層９と接続される外部リード５の端部は、図
３に示すように、銀ガラス１１を流し込み、銀ガラス１
１と電気的に接続される穴１２が設けられている。ま
た、外部リード５のワイヤボンディングされる部分、お
よび銀ガラス１１と電気的に接続される穴１２の周辺部
分には、蒸着やメッキによりアルミニウムや金、銀の層
１３が設けられている。そして、外部リード５が第１低
融点ガラス４によってセラミック基板３に固着された後
に、周囲のリードフレーム（図示しない）が切断される
ものである。
を介して、あるいは銀ガラス１１、導電層９、ボンディ
ングワイヤ１０を介して、集積回路２の各端子と接続さ
れるもので、４２アロイ、コバール等の金属薄板をプレ
ス加工やエッチング処理によって形成したものである。
なお、導電層９と接続される外部リード５の端部は、図
３に示すように、銀ガラス１１を流し込み、銀ガラス１
１と電気的に接続される穴１２が設けられている。ま
た、外部リード５のワイヤボンディングされる部分、お
よび銀ガラス１１と電気的に接続される穴１２の周辺部
分には、蒸着やメッキによりアルミニウムや金、銀の層
１３が設けられている。そして、外部リード５が第１低
融点ガラス４によってセラミック基板３に固着された後
に、周囲のリードフレーム（図示しない）が切断される
ものである。
【００１０】第１低融点ガラス４は、上述のごとく、外
部リード５をセラミック基板３に固着するためのフリッ
トシールで、外部リード５と導電層９とを電気的に接続
する部分には、銀ガラス１１を設けるべく、開口して設
けられる。そして、外部リード５をセラミック基板３に
固着した後、銀ガラス１１を外部リード５の穴１２より
流し込み、導電層９と外部リード５との接続を行ってい
る（図３参照）。
部リード５をセラミック基板３に固着するためのフリッ
トシールで、外部リード５と導電層９とを電気的に接続
する部分には、銀ガラス１１を設けるべく、開口して設
けられる。そして、外部リード５をセラミック基板３に
固着した後、銀ガラス１１を外部リード５の穴１２より
流し込み、導電層９と外部リード５との接続を行ってい
る（図３参照）。
【００１１】封止板６を除く集積回路用パッケージ１の
製造方法の一例を簡単に説明する。実施例に示すセラミ
ック基板３は、アルミナが主成分である粉末原料を、凹
部７や溝８を有する所定形状にプレス成形する。次い
で、１４００〜１５００℃で焼結する。焼結後、凹部７
の周囲に導電層９となる導電性のインクを印刷し、乾燥
させる。続いて、凹部７および溝８内の底部に導電性の
インクを塗布あるいは印刷し、乾燥させる。その後、８
５０〜９５０℃でセラミック表面に設けられたインクを
焼成して、凹部７の周囲と、凹部７、溝８内の底部に導
電層９を形成する。次いで、セラミック基板３の表面
に、第１低融点ガラス４を印刷技術によってプリントす
る。この時、導電層９の露出部分を、第１低融点ガラス
４が覆わないように、開口してプリントされる。次に、
第１低融点ガラス４の表面に外部リード５を配置し、第
１低融点ガラス４の融点以上に一旦加熱して、外部リー
ド５をセラミック基板３に固着する。続いて、銀ガラス
１１によってセラミック基板３の導電層９と外部リード
５とを電気的に接続する。以上の工程によって、集積回
路用パッケージ１が完成する。
製造方法の一例を簡単に説明する。実施例に示すセラミ
ック基板３は、アルミナが主成分である粉末原料を、凹
部７や溝８を有する所定形状にプレス成形する。次い
で、１４００〜１５００℃で焼結する。焼結後、凹部７
の周囲に導電層９となる導電性のインクを印刷し、乾燥
させる。続いて、凹部７および溝８内の底部に導電性の
インクを塗布あるいは印刷し、乾燥させる。その後、８
５０〜９５０℃でセラミック表面に設けられたインクを
焼成して、凹部７の周囲と、凹部７、溝８内の底部に導
電層９を形成する。次いで、セラミック基板３の表面
に、第１低融点ガラス４を印刷技術によってプリントす
る。この時、導電層９の露出部分を、第１低融点ガラス
４が覆わないように、開口してプリントされる。次に、
第１低融点ガラス４の表面に外部リード５を配置し、第
１低融点ガラス４の融点以上に一旦加熱して、外部リー
ド５をセラミック基板３に固着する。続いて、銀ガラス
１１によってセラミック基板３の導電層９と外部リード
５とを電気的に接続する。以上の工程によって、集積回
路用パッケージ１が完成する。
【００１２】封止板６は、セラミック基板３とほぼ同じ
熱膨張率を備えるセラミック板で、第１低融点ガラス４
よりも融点の低い第２低融点ガラス１４によって封止板
６をセラミック基板３に固着して、内部に搭載された集
積回路２を気密に保つのである。なお、本実施例の封止
板６は、プレス成形体を焼結したものである。
熱膨張率を備えるセラミック板で、第１低融点ガラス４
よりも融点の低い第２低融点ガラス１４によって封止板
６をセラミック基板３に固着して、内部に搭載された集
積回路２を気密に保つのである。なお、本実施例の封止
板６は、プレス成形体を焼結したものである。
【００１３】〔実施例の効果〕上記構成よりなる本実施
例の集積回路用パッケージ１は、次の効果を奏する。 ａ）集積回路用パッケージ１は、セラミック基板３の表
面に形成した２層の導電層９を電源層と接地層として使
用することにより、この電源層および接地層と接続され
る外部リード５のインダクタンスを低く抑えることがで
きる。これにより、搭載される集積回路２の動作による
電位の変動が従来に比較して抑えられ、高速演算を行う
集積回路２の誤作動が防がれるため、結果的に高速演算
を行う集積回路２を搭載することが可能となる。 ｂ）搭載される集積回路２の電源端子の数が多くても、
電源端子をセラミック基板３の表面の電源層（電源と接
続される導電層９）に接続することで、電源と接続され
る外部リード５の数が１つで済む。同様に、搭載される
集積回路２の接地端子の数が多くても、接地端子を接地
層（グランドと接続される導電層９）に接続すること
で、接地と接続される外部リード５の数が１つで済む。
この結果、外部リード５の数を従来に比較して減少させ
て、集積回路用パッケージ１を小型化することができ
る。 ｃ）セラミック基板３が単層のプレス成形セラミックで
有るとともに、外部リード５を第１低融点ガラス４によ
ってセラミック基板３に固着した構造であるため、本実
施例の集積回路用パッケージ１の製造コストを、ＰＧＡ
やＬＤＣＣなど積層基板を使用した他の集積回路用パッ
ケージに比較して、低く抑えることができる。
例の集積回路用パッケージ１は、次の効果を奏する。 ａ）集積回路用パッケージ１は、セラミック基板３の表
面に形成した２層の導電層９を電源層と接地層として使
用することにより、この電源層および接地層と接続され
る外部リード５のインダクタンスを低く抑えることがで
きる。これにより、搭載される集積回路２の動作による
電位の変動が従来に比較して抑えられ、高速演算を行う
集積回路２の誤作動が防がれるため、結果的に高速演算
を行う集積回路２を搭載することが可能となる。 ｂ）搭載される集積回路２の電源端子の数が多くても、
電源端子をセラミック基板３の表面の電源層（電源と接
続される導電層９）に接続することで、電源と接続され
る外部リード５の数が１つで済む。同様に、搭載される
集積回路２の接地端子の数が多くても、接地端子を接地
層（グランドと接続される導電層９）に接続すること
で、接地と接続される外部リード５の数が１つで済む。
この結果、外部リード５の数を従来に比較して減少させ
て、集積回路用パッケージ１を小型化することができ
る。 ｃ）セラミック基板３が単層のプレス成形セラミックで
有るとともに、外部リード５を第１低融点ガラス４によ
ってセラミック基板３に固着した構造であるため、本実
施例の集積回路用パッケージ１の製造コストを、ＰＧＡ
やＬＤＣＣなど積層基板を使用した他の集積回路用パッ
ケージに比較して、低く抑えることができる。
【００１４】〔第２実施例〕図４は第２実施例を示す集
積回路用パッケージ１の断面図である。上述の第１実施
例の封止板６は、プレス成形体を焼結した一体形のもの
であるが、本実施例は、封止板６を枠体１５と蓋体１６
とに別けて形成し、枠体１５を第２低融点ガラス１４で
集積回路用パッケージ１に固着し、その後、第２低融点
ガラス１４よりも融点の低い第３低融点ガラスや、Ａｕ
−Ｓｎシール材、エポキシシール材、半田シール材等の
固着材１７を使用して、枠体１５に蓋体１６を固着した
ものである。なお、枠体１５と蓋体１６とを固着して封
止板６を形成した後に、封止板６を集積回路用パッケー
ジ１に固着させても良い。
積回路用パッケージ１の断面図である。上述の第１実施
例の封止板６は、プレス成形体を焼結した一体形のもの
であるが、本実施例は、封止板６を枠体１５と蓋体１６
とに別けて形成し、枠体１５を第２低融点ガラス１４で
集積回路用パッケージ１に固着し、その後、第２低融点
ガラス１４よりも融点の低い第３低融点ガラスや、Ａｕ
−Ｓｎシール材、エポキシシール材、半田シール材等の
固着材１７を使用して、枠体１５に蓋体１６を固着した
ものである。なお、枠体１５と蓋体１６とを固着して封
止板６を形成した後に、封止板６を集積回路用パッケー
ジ１に固着させても良い。
【００１５】〔第３実施例〕図５は第３実施例を示す集
積回路用パッケージ１の要部断面図である。本実施例
は、封止板６および第２低融点ガラス１４に凹部１８を
設け、この凹部１８によって、外部リード５と導電層９
との接続を行う銀ガラス１１の頂部を覆うものである。
本実施例によって、封止板６の接合時、封止板６の荷重
が銀ガラス１１の周囲に均等に加わるため、脆い銀ガラ
ス１１が、封止板６の接合時に加わる荷重によって割れ
るのを防ぐものである。
積回路用パッケージ１の要部断面図である。本実施例
は、封止板６および第２低融点ガラス１４に凹部１８を
設け、この凹部１８によって、外部リード５と導電層９
との接続を行う銀ガラス１１の頂部を覆うものである。
本実施例によって、封止板６の接合時、封止板６の荷重
が銀ガラス１１の周囲に均等に加わるため、脆い銀ガラ
ス１１が、封止板６の接合時に加わる荷重によって割れ
るのを防ぐものである。
【００１６】〔第４実施例〕図６は第４実施例を示す集
積回路用パッケージ１の断面図である。本実施例の集積
回路用パッケージ１のセラミック基板３は、集積回路２
が搭載される部分に、導電層９を施さず、集積回路２の
搭載される周囲に導電層９を設けたものである。これに
よって集積回路２の搭載される部分には、金などの高価
なメッキを施さないため、製造コストを低く抑えること
ができる。なお、集積回路２は銀ガラス等１９で集積回
路用パッケージ１に搭載される。
積回路用パッケージ１の断面図である。本実施例の集積
回路用パッケージ１のセラミック基板３は、集積回路２
が搭載される部分に、導電層９を施さず、集積回路２の
搭載される周囲に導電層９を設けたものである。これに
よって集積回路２の搭載される部分には、金などの高価
なメッキを施さないため、製造コストを低く抑えること
ができる。なお、集積回路２は銀ガラス等１９で集積回
路用パッケージ１に搭載される。
【００１７】〔第６実施例〕図７は第５実施例を示す外
部リード５と導電層７との接合部分の断面図である。第
１実施例では外部リード５に設けた穴より銀ガラス１１
を流し込んだ例を示したが、本実施例は、銀ガラス１１
を外部リード５の一辺に固着させたものである。なお、
銀ガラス１１と接合される外部リード５の接合部分を曲
折して設けることで、銀ガラス１１と外部リード５との
接合性を向上させることができる。
部リード５と導電層７との接合部分の断面図である。第
１実施例では外部リード５に設けた穴より銀ガラス１１
を流し込んだ例を示したが、本実施例は、銀ガラス１１
を外部リード５の一辺に固着させたものである。なお、
銀ガラス１１と接合される外部リード５の接合部分を曲
折して設けることで、銀ガラス１１と外部リード５との
接合性を向上させることができる。
【００１８】〔変形例〕上記の実施例では、電極層と接
地層とを備えるセラミック基板を例に示したが、一方の
みを備えるものでも良い。導電層と外部リードとの接続
に銀ガラスを使用した例を示したが、他の導電性の材料
によって接続したり、ボンディングワイヤによって接続
しても良い。
地層とを備えるセラミック基板を例に示したが、一方の
みを備えるものでも良い。導電層と外部リードとの接続
に銀ガラスを使用した例を示したが、他の導電性の材料
によって接続したり、ボンディングワイヤによって接続
しても良い。
【図１】集積回路用パッケージの断面図である（第１実
施例）。
施例）。
【図２】セラミック基板の斜視図である（第１実施
例）。
例）。
【図３】外部リードと導電層との接合部分の断面図であ
る（第１実施例）。
る（第１実施例）。
【図４】集積回路用パッケージの断面図である（第２実
施例）。
施例）。
【図５】集積回路用パッケージの要部断面図である（第
３実施例）。
３実施例）。
【図６】集積回路用パッケージの断面図である（第４実
施例）。
施例）。
【図７】外部リードと導電層との接合部分の断面図であ
る（第５実施例）。
る（第５実施例）。
１ 集積回路用パッケージ ２ 集積回路 ３ セラミック基板 ４ 第１低融点ガラス（フリットシール） ５ 外部リード６ 封止板 ９ 導電層１１ 銀ガラス（導体柱）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−203357（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−186670（ＪＰ，Ａ) 実開 平２−38736（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭54−133771（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/50
Claims (4)
- 【請求項１】 セラミック基板と、前記セラミック基板
に搭載される集積回路と電気的に接続される外部リード
と、前記セラミック基板と前記外部リードとを固着する
フリットシールとを備え、前記セラミック基板に封止板
を固着して前記集積回路を気密封止する集積回路用パッ
ケージにおいて、 前記セラミック基板の表面には、電源またはグランドに
接続される前記外部リードと導体柱を介して接続される
導電層を備え、前記導体柱は、その一部が前記外部リー
ドに形成された穴に充填されていることを特徴とする集
積回路用パッケージ。 - 【請求項２】 前記封止板は、前記導体柱に対応する位
置に凹部を有することを特徴とする請求項１記載の集積
回路用パッケージ。 - 【請求項３】 前記導電層のうち少なくとも１つの導電
層は、前記集積回路が搭載される面に形成されることを
特徴とする請求項１又は２記載の集積回路用パッケー
ジ。 - 【請求項４】 前記導体柱は、銀ガラスにて形成されて
いることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか記載
の集積回路用パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29899091A JP3051225B2 (ja) | 1991-11-14 | 1991-11-14 | 集積回路用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29899091A JP3051225B2 (ja) | 1991-11-14 | 1991-11-14 | 集積回路用パッケージ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05136311A JPH05136311A (ja) | 1993-06-01 |
| JP3051225B2 true JP3051225B2 (ja) | 2000-06-12 |
Family
ID=17866802
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29899091A Expired - Lifetime JP3051225B2 (ja) | 1991-11-14 | 1991-11-14 | 集積回路用パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3051225B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995028740A1 (en) * | 1994-04-14 | 1995-10-26 | Olin Corporation | Electronic package having improved wire bonding capability |
-
1991
- 1991-11-14 JP JP29899091A patent/JP3051225B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05136311A (ja) | 1993-06-01 |
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