JP2664754B2 - 高密度電子パッケージ及びその製造方法 - Google Patents

高密度電子パッケージ及びその製造方法

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Description

【発明の詳細な説明】 （発明の背景） この発明は所定空間内により多くの電子素子又はディ
バイスを収納する、すなわち、所定容積を有する電子デ
ィバイスに対する所要空間を低減した、高密度電子パッ
ケージ及びその製造方法に関する。このようなパッケー
ジは特にコンピュータメモリー、制御ロジック、演算ユ
ニット等に有用なものである。
高密度電子機器は集積回路（IC）チップを積み重ねて
立体的構造体とすることにより得られる。この積層チッ
プ構造体は、（ａ）外部回路と電気接続される少なくと
も１つの接続平面を有するとともに（ｂ）その容積内に
非常に多数の電子装置を含有するものをいう。“接続平
面”（本明細書において“アクセス平面”ともいう）と
は、多数の電気リードが積層チップ構造体の平坦面に延
びているものをいう。
一般に、上述したような積層ICチップ構造体はその内
部回路で発生した熱が適当に放散されないのではないか
と危惧される。
本願の譲渡人に譲り渡された種々の先願発明および特
許発明において、シリコンICチップの積層構造体が提案
されている。そのような出願として、本願の発明者と同
一の発明者により1986年４月25日に出願された米国特許
出願第856835号（米国特許第4706166号）がある。この
出願明細書に積層又はチップ積み重ね立体モジュールが
開示され、各層に集積回路を担い、これらの集積回路の
リードは当該モジュールの接続平面に延びている。該モ
ジュールのアクセス平面に導電性バンプ群を配置すると
ともに支持基板上の導電性バンプ群と接続し、このよう
にして積み重ねられた各層の回路は外部回路と接続され
る。
上記従来形式のものにおける種々の制限及び不都合が
本発明を生み出すこととなった。そのような不都合な事
項として、ICチップが例えばメモリー素子等のように都
合良く生産者から標準仕様品（既製品）として得られる
ものであったとしても、そのようなICチップの外部リー
ドは、チップの両端部ではなくてその一端部にみに取り
付けるように調整しなければならないということがあ
る。
恐らく最も重大な問題点は、ガリウム砒化物およびサ
ファイア等の物質を除き、積み重ねられるチップ材料の
導電特性に基因している。接続平面における各電気リー
ドは半導体材料と絶縁する必要があるため、該接続平面
に不動態（パッシベーション）材料を適用してから接続
平面に金属膜電気導体部パターンを設けてＴ形電気接続
部を形成しなければならなかった。
これらの“Ｔ形接続部”は虚弱であり、したがって信
頼性が全くなかった。シスコンスタックにあっては、
“Ｔ形接続部”の信頼性はほとんど不動態層の品質に依
存する。その他の問題点は各層間のエポキシ接着剤を中
心として展開する。例えば接着剤層の厚みが種々に変わ
るとある処理工程時に問題を惹起するとともに該接着剤
により積み重ね作業温度が約100℃に制限される。ま
た、高温に基因して接着剤および不動態層の劣化を防止
するためにバンプ接着用材料の選択が制限される。
上記“Ｔ形接続部”問題および“接着剤”問題の他
に、基板に積層チップモジュールのフリップチップボン
ディング（バンプボンディング）に係る問題点もある。
このフリップチップボンディングは、電気接続を行う方
法としての例えば自動テープボンディング（TAB）とか
ワイヤーボンディング等の他の方法よりも信頼性が低
い。特に、大量生産の場合には全く実用的でない。
本発明のもう１つの課題は、特にICチップが高電力を
要する場合の熱伝達に関するものである。シリコン素子
はまずまずの熱伝達特性を有するが、シリコンスタック
においては過熱問題を生ずる虞れがある。また、ガリウ
ム砒化物（GaAs）等の低い熱伝導性を有する材料を用い
て製作された、熱伝導性が不十分なチップが用いられた
場合、このような積層チップモジュールにおいてはほと
んど克服できない熱放散問題が生じる。
上記したような熱伝導性が低い、GaAs等のチップは、
シリコン製チップより優れた、より高速で電気信号を扱
える等の利点を有する。一方、将来、高速かつ高温でガ
リウム砒素GaAs素子を使用する場合には、パッケージ
（包装）問題を生じる虞れがある。動作周波数がギガヘ
ルツ範囲のものに高まると、チップ温度が高まるととも
に電気的／材料的特性が非常に重要なものとなる。その
結果、多くの他の電気的特性が影響を受けることにな
る。すなわち、信号伝達遅延時間、信号立ち上がり時
間、および特性インピーダンス等が影響を蒙る。これら
の問題の軽減化を助ける高密度パッケージの改良が大い
に要望されることとなった。GaAs素子（ディバイス）に
対しては特に温度に関し配慮してそれらの高速性能を毀
損することのないようなパッケージ方法を提供しようと
するものである。
（発明の要約） この発明は“額縁”概念を用いてモジュールスタック
アッセンブリに標準ICチップを使用可能とするものであ
る。各ICチップは隣接する２つのチップ支持基板間にス
ペーサーとして作用する平板状フレームに形成された
“開口部”内に配置される。このスペーサーは個別部品
とするか又はチップ支持基板に一体的に形成したものの
いずれであってもよい。
スタック支持基板、チップ支持基板および平板フレー
ム状のスペーサーは、例えば、高電力素子用としてベリ
リュウム酸化物（BeO）とか、低電力素子用としてアル
ミニウム酸化物（AlO2）等の電気絶縁性を有する熱良導
体材料を用いて形成する。
各“額縁”層（それぞれチップ支持基板、スペーサー
およびICチップにより構成される）を横方向に重ね合わ
せるとともに互いに接着することによりスタックを形成
し、このスタックをスタック支持基板に装着する。この
スタック支持基板は、好ましくは、チップ支持基板及び
スペーサーと同様、電気絶縁性を有する熱良導体材料を
用いて形成する。
各チップ支持基板は、ICチップを包囲するスペーサー
と別体として製作するのであれば、各チップ支持基板の
開口部を形成した面と対向する面の縁部及び／又は端面
部まで延びるようにメタライジングにより形成された各
電気リード又は電気導体部を、スタック支持基板の支持
面部に形成された電気リードと直接接続するようにす
る。一方、上記スペーサーがチップ支持基板と一体的に
形成された、チップ支持基板体においては、各電気リー
ドは裏面、即ちICチップ収容用の凹部が設けられた面と
反対側の面に形成する。
ICチップはチップ支持基板のチップ支持面上及び凹部
の空間部内に装着するようにしたから、標準ICチップを
使用することが出来る。必要なチップボンディングリー
ドはチップ支持基板のチップ支持面に形成される。これ
はまた異種タイプのチップの結合を可能にする。複数の
個別チップ、例えば高密度RAM、プロセッサーおよび制
御論理チップ等を単一のチップ支持基板に含ませること
が出来る。単一のチップ支持基板体に複数のICチップを
装着する利点はボンディングリードの簡素化が可能とな
ることである。
（図面の簡単な説明） 第１図は本発明の高密度電子機器を構成する構成素子
の分解斜視図、 第２図は組み立てられた高密度電子モジュールの斜視
図、 第３図および第４図はそれぞれ組み立て前の単一層の
平面図および側面図、 第５図は複数のサブモジュールを重ね合わせて成るス
タックの正面（アクセス平面）図、 第６図は外部接続用にメタライジングしたスタック支
持基板の拡大平面図、 第７図はフラットリード及びフィンガーが形成され、
ICチップのボンディングパッドをチップ支持基板のチッ
プ支持面におけるリードと接続するために大規模な自動
化生産に適用可能なメタライジングされたテープの部分
平面図、 第８図は本発明におけるチップ担体部の変形例の単一
型チップ担体部（サブモジュール）の断面図、 第９図は同一空間部の内部に複数のICチップが配置さ
れたサブモジュールの平面図である。
（実施例の詳細な説明） 第１図に示すように、本発明の電子モジュールは、ま
ず複数のチップ担体又はサブモジュール12を横方向に重
ね合わせて形成され、各サブモジュール12の空間部内に
ICチップ14が装着されている。次いで各サブモジュール
12を互いに固着してサブモジュールスタックアッセンブ
リ16が形成される。このスタックアッセンブリ16は１単
位構成体としての配線板又はスタック支持基板18のスタ
ック支持面に固定される。このスタックアッセンブリ16
における全てのサブモジュールの空間部は封止される。
図示されるように、エンドキャップ（カバー）又は端板
20が上記スタックの一端に取り付けられる。製造するモ
ジュールの種類によって、ICチップ14を収容する空間部
は気密状に封止される。
第２図は組み立てられた機器を示す。スタック支持基
板又は配線基板18のスタック支持面部24には該スタック
支持基板18の縁部まで延びる複数の電気導体22が形成さ
れる。図示するように、各電気導体22はスタック支持基
板18の端面部28に形成された電気導体26と接続される。
スタックアッセンブリ16は交互に重ね合わされる、複
数のチップ支持基板30と“額縁”スペーサー32とを有
し、該スペーサー32は空間又はキャビティを包囲し、該
空間又はキャビティ内にICチップが装着される。エンド
キャップ（カバー）又は端板20が未端のスペーサーを被
覆している。スタックアッセンブリ16における各チップ
支持基板30の下端面部34が配線板又はスタック支持基板
18上に支持されかつ固定される。このスタック支持基板
18に各チップ支持基板30の端面部34を固定する適当な方
法はリフロー半田付けであり、この方法により有効な熱
伝導路および電気通路が形成される。
スタック支持基板18並びに該スタック支持基板18上に
互いに重ね合わされたチップ支持基板30および額縁形の
スペーサー32は電気絶縁性および熱良導性を兼ね備えた
材料を用いて形成するようにする。そのような好ましい
材料はベリリュウム酸化物（BeO）が挙げられる。良好
な熱伝導性を有するセラミック材料であってもよい。上
述したように、操作温度がしばしば電子回路密度の高度
化における制限要件となる。本発明において、この問題
は有効な熱放散および比較的高温の耐熱性材料の利用に
より処置される。
第１図において、スタック支持基板18の外縁部におけ
る各導体22の未端位置に形成されたノッチ19を有する。
第２図は異なる構造体を示す。この構造体において、各
導体22がスタック支持基板の端部28に形成された導体26
と接続される。第１図におけるノッチを設けた基板上の
各導体は各ノッチ内の半田を介してプリント配線（PC）
基板と直接半田付けされるようになっている。この構成
は当該産業界の“表面実装法”規準と適合する。第２図
はもう１つの接続方法を適用したものであり、そこでは
各リード（図示しない）が金属膜電気導体22又は26にク
リップ取り付け又はろう付けされる。
第３図は単一チップ担体又はサブモジュール12を示
す。第４図および第５図は複数のサブモジュール12を用
いて形成されたスタックアッセンブリ16の一部分を示
す。各サブモジュール12は平板状のチップ支持基板30と
スペーサー32とで構成され、各チップ支持基板30の一方
の、全面が平坦なチップ支持面にICチップ36が装着され
る。前述した米国特許出願第856835号に開示されている
ものよりも優れている本発明の利点の１つは、ICチップ
の端面に形成されたリードの配置を変更する必要もな
く、量産標準チップを使用出来ることである。第３図に
おいて、方形のICチップ36の両側の端部に、多数のワイ
ヤボンディングパッド又は端子38が形成されるとともに
もう１つの端部に単一パッド又は端子が形成されてい
る。また、使用するICチップの型式は制限されず、例え
ば、ガリウム砒化物、シリコン等の材料を用いて形成さ
れたものであってもよい。
動作時は高温となるから、チップ支持基板30にICチッ
プ36を固定する材料としてエポキシ樹脂を使用しないよ
うにすることが好ましい。チップ支持基板30にICチップ
36をダイボンディングするには、共融合金、例えば金と
シリコンから成る合金を用いることができる。金−シリ
コン合金は操作温度に十分耐え得る高融点を有する。低
合金温度（370℃）はダイボンディング処理を容易なも
のにする。その他、リフロー半田付け方法、即ちチップ
の背面に半田を付着させ、該半田を溶融して接着を行う
方法を用いてもよい。更には、接着剤として金属−ガラ
ス材料、例えば銀ガラス等を用いることが出来る。
電気導体40のパターンが適当なメタライジング（金属
化処理）によってチップ支持基板30のチップ支持平面上
に形成される。チップ支持基板としてセラミック基板が
使用される場合、その基板表面は可成り粗いので薄膜電
気導体よりも厚膜電気導体とすることが推奨される。
接続ワイヤー42によって示されるように、各導体40は
ボンディングパッド38とワイヤボンディングを行うよう
にしてもよい。これは当該機器の生産に信頼性のある方
法である。各層の厚みを低減する必要にせまられたなら
ば、他のチップリード接続方法、例えばフリップチップ
ボンディング又はテープボンディング（TAB）等を用い
るようにする。しかしながら、フリップチップボンディ
ングはワイヤボンディングより信頼性が劣る。テープボ
ンディングは高度に自動化された大規模生産に適合した
方法である。テープボンディング法を以下に述べる。
本発明の電子パッケージの利点は、各厚膜電気導体40
がチップ支持基板30の端面部34までずっと延びているこ
とである。チップ支持基板30の下端面部34に形成された
帯状電気導体44（第５図参照）は上記電気導体40と接続
されている。上記サブモジュール12における電気導体40
及び帯状電気導体44はスタック支持基板又は配線板18の
厚膜電気導体22（第２図参照）と接続される。
チップ支持基板30と組み合わされるスペーサー32は比
較的大きな中央開口部46を有する矩形フレームとされ、
該中央開口部46はICチップ36を収容する空間部を構成す
る。上記スペーサー32を形成するにあたり、チップ支持
基板30と同様、電気絶縁性及び熱伝導性を有する材料を
用いて形成するのが好ましい。スペーサー32及びチップ
支持基板30は、気密状に封止する必要があればガラスに
より、又は気密封止が不要であればエポキシ材で互いに
接着するようにする。第３図および第４図に示すよう
に、各基板30の下端部が対応するフレーム32の下端部を
越えて下方に延びる。これにより、半田、フラックス及
びほこり等を除去するための清浄ポートとか点検空間と
して有用な空間部33が形成される。ペーサー／チップ支
持基板アッセンブリから成る分離型チップ担体部は、後
述するように、メタライジングされたチップ装着面と対
向する面にチップ収容用凹部を一体的に形成した単一型
チップ担体部とすることができる。
ICチップ／チップ支持基板／スペーサーアッセンブリ
は、本発明の電子パッケージの構成単位ブロック、すな
わち、サブモジュールを構成する。所望数のサブモジュ
ールを組み合わせてサブモジュールスタックアッセンブ
リを形成し、このスタックアッセンブリをリフロー半田
付けによりスタック支持基板又は配線板18に固定され
る。
第６図はスタック支持基板18の拡大平面図である。こ
のスタック支持基板18のスタック支持面に多数の短い帯
状の金属膜により形成された電気導体又はバンプ48が形
成され、これら帯状電気導体48は各チップ支持基板30の
端面部34に形成された帯状の電気導体44（第５図参照）
と対応するように設けられる。
第６図に、縦方向に９列をもって配列された電気導体
群が示され、これは当該スタックが９つのサブモジュー
ルにより構成されることを示す。第５図はスタックの一
部分のみを示すもので、３つのチップ支持基板30、３つ
のスペーサー32及び端板20が示される。また、第６図
に、横方向に16行をもって配列された電気導体群が示さ
れ、これら短い帯状の電気導体48は、第５図に示される
ように、スタックアッセンブリの各層あたり16個づつ設
けられた、帯状の金属膜により形成された電気導体44と
対応している。
各層および配線板における各電気導体の材料は好まし
くは金とされる。帯状電気導体44と48は、好ましくはリ
フロー半田付けにより接続される。半田コーティングは
各帯状電気導体44及び48の頂部にシルクスクリーン印刷
法により形成される。次いで、半田が上昇させられた温
度で暫時還流させられ、このようにしてスタックの各サ
ブモジュール12がスタック支持基板18のスタック支持面
に固定されるとともに対応する電気導体44と48間が電気
接続される。各サブモジュール12とスタック支持基板18
間のギャップにエポキシ材を充填することにより熱放散
を増大させることができる。
第６図に示す金属膜電気導体部パターン、すなわち、
配線パターンは、重ね合わされる、上記サブモジュール
12の回路要件に応じて定められる。各サブモジュールの
ICチップ36はそれぞれ個別の２つのリード（データ入力
およびデータ出力用の電気導体部）を必要とし、これら
リードは他のICチップに対応するリードと母線化するこ
とが出来ない。各リードは、第６図に示すように、２つ
の行50および52に配置されている。行50における各電気
導体又は半田バンプ48は、それぞれ、第６図の上部に示
される９つの端子54と接続され、行52における各電気導
体又は半田バンプ48は、それぞれ、第６図の下部に示さ
れる９つの端子56と接続される。その他の行58における
各電気導体又は半田バンプはバスリードであり、これら
バスリードは９つのICチップ36の全てと接続されるとと
もにスタック支持基板18の両側部に設けられた複数の端
子60と接続される。
第７図は上述したテープボンディング（TAB）工程で
用いられる形式のテープセグメント（１区画分）を示
す。この図は単に一般的なボンディング工程を例示する
に過ぎないものである。図示する電気リードの数は前述
した図面に示す電子パッケージに要求されるよりも多い
ものである。オリジナルテープは連続体である。第７図
においてセグメント62は線64、66をもって区画されてい
る。
ポリイミド裏塗り材料を用いて形成されたこのテープ
は金属化フィンガー又は電気導体68の担体として機能
し、これらの電気導体68は最終的にICチップ36のボンデ
ィングパッド38とチップ支持基板体30の電気導体40間を
接続し、すなわちテープに設けられた各フィンガーはワ
イヤーボンディングパッド38を電気導体40のうちの１つ
と接続する。各導体フィンガー68はテープ上に大量生産
用の適当な金属化方法により形成される。第７図は、テ
ープの１区画部分にチップ36を取り付けた状態を示す。
上記テープに示されるほとんどのメタライゼーション
は最終的にテープトリミングにより除去される。一方、
端子パッド70を設けて、チップと接続導体間の電気的検
査が行えるようにされる。そのような検査の後、テープ
はチップワイヤー接続パッド38を基板30のリード40と接
続するのに必要な短いフィンガーのみを残してトリミン
グされる（第３図参照）。各フィンガー68の両端が（テ
ープフィンガー又はチップおよび基板上のいずれかに設
けられた）予め付着された半田バンプを用いて（該チッ
プ上のパッドおよび該基板パッドに）半田付けされる。
それらの半田バンプは溶融されて最終的導電接続を行
う。
第８図は額縁型チップ支持基板体の変形例を示し、こ
の実施例は第１図〜第６図に示すものにおけるある点を
改良したものである。上記サブモジュールを構成する、
チップ支持基板と平板フレーム状のスペーサーは個別の
部材とする代りに、第８図における空間部を一体的に形
成した平板体、例えば、セラミック材料、好ましくはベ
リリウム酸化物から成る、チップ支持基板体74を用いる
ことができる。このチップ支持基板体74の一方の面に凹
部72が形成され、もう一方の全面の平坦な面78にICチッ
プ76が装着される。上記凹部72はICチップ36を収容する
空間部である。
第８図の変形例の利点は部品点数をより少なくして製
造時間を短縮出来ることである。また、インターフェー
ス接着ライン数が低減され、したがって製造上の主要問
題点の１つが解消される。更に、チップ支持用に設けら
れた平坦状空間はTABプロセスの使用（更に高密度化を
図ることが出来る）を容易化する。
第９図はスタックの１つの層に複数のICチップを接続
する概念説明図である。第４図又は第８図の電子パッケ
ージにおける各層のチップ支持基板体80に４つのチップ
82、84、86及び88が支持され、これらチップのボンディ
ングパッドはチップ支持基板体80の一方の平面に形成さ
れた適当な電気リード又は電気導体と接続したボンディ
ングパッドを有する。これらチップは１つの層内で相互
接続されて所定の機能を発揮するようにされる。チップ
支持基板体80における読出し電気導体は当該層の縁部お
よび端面まで延びている。このスタックアッセンブリに
おける各サブモジュールは前述した方法でスタック支持
基板と接続される。
各層に多数のICチップを結合することは該層内での回
路接続を可能とし、これは外部電気リードの繁雑さを顕
著に低減させる。
前述したように、本明細書に記述した構造体およびそ
の製造方法は該明細書の導入部に要約されるような顕著
な動作上の利点が得られることは明らかなことである。
下記の請求の範囲は上記の特定の１実施例を包含する
ことは勿論のことであるのみならず、本明細書において
先行技術によって許容される最大限かつ包括的に説明さ
れる発明概念を越えた優れた利点を有する。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 実開 昭60−179045（ＪＰ，Ｕ) ＩＢＭ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｄｉｓ ｃｌｏｓｕｒｅ Ｂｕｌｌｅｔｉｎ，Ｖ ｏｌ．10 Ｎｏ．７ （1967年12月）ｐ 890−891

Claims (15)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】熱伝導性を有し、一方の平坦面に金属膜電
    気導体パターンを設けてスタック支持平面を形成したス
    タック支持基板；及び それぞれ、少なくとも１つのICチップを包含し、起立状
    にかつ横方向に互いに重ね合わせて接着するとともに下
    端部を上記スタック基板のスタック支持面に固定するよ
    うに形成した、複数のサブモジュールにより構成され、 各サブモジュールの電気導体部が上記スタック支持基板
    における対応する電気導体部と電気接続するとともにこ
    れらサブモジュールから該スタック支持基板に至る熱伝
    導路を形成した、高密度電子パッケージにおいて、 上記サブモジュールは、 熱伝導性を有する電気絶縁材製平板体の、全面が平坦な
    一方の面に、該平板体の縁部及び／又は該縁部と連続す
    る端面部にまで延びる金属膜電気導体パターンを設けて
    形成した、チップ支持基板； 上記チップ支持基板の上記一方の面に設けた金属膜電気
    導体パターンにおける対応する電気導体部と電気接続し
    て装着される、少なくとも１つのICチップ；及び 開口部を有する平板状フレームであって、一方の面が上
    記チップ支持基板の一方の平坦な面に固着されるととも
    に該開口部に該チップ支持基板の一方の面に装着された
    ICチップを包容する一方、他方の面が隣接するサブモジ
    ュールにおけるチップ支持基板の、ICチップが装着され
    た面と反対側のもう１つの面に接着されるように形成し
    た、スペーサーにより構成したことを特徴とする、高密
    度電子パッケージ。
  2. 【請求項２】スタック支持基板のスタック支持面と各サ
    ブモジュールにおけるスペーサーの下端面との間に、貫
    通空間部を形成した、第１項記載の高密度電子パッケー
    ジ。
  3. 【請求項３】最外側に配置されたサブモジュールにおけ
    るスペーサーの面に端板を接着して該スペーサーの開口
    部を気密状に封止するとともにその他のサブモジュール
    のスペーサーの開口部を気密状に封止した、第１項又は
    第２項記載の高密度電子パッケージ。
  4. 【請求項４】スタック支持基板、チップ支持基板体及び
    スペーサーがともに熱良導性を有する電気絶縁材料を用
    いて形成された、第１項〜第３項のいずれかに記載の高
    密度電子パッケージ。
  5. 【請求項５】熱伝導性を有し、一方の平坦面に金属膜電
    気導体パターンを設けてスタック支持平面を形成したス
    タック支持基板；及び それぞれ、少なくとも１つのICチップを包含し、起立状
    にかつ横方向に互いに重ね合わせて接着するとともに下
    端部を上記スタック基板のスタック支持面に固定するよ
    うに形成した、複数のサブモジュールにより構成され、 各サブモジュールの電気導体部が上記スタック支持基板
    における対応する電気導体部と電気接続するとともにこ
    れらサブモジュールから該スタック支持基板に至る熱伝
    導路を形成した、高密度電子パッケージにおいて、 上記サブモジュールは、 熱伝導性を有する電気絶縁材製平板体の、全面が平坦な
    一方の面に、該平板体の縁部及び／又は該縁部と連続す
    る端面部にまで延びる金属膜電気導体パターンを設ける
    一方、上記平板体の他方の面に、隣接するサブモジュー
    ルに装着されたICチップを包容可能な凹部を設けて形成
    された、チップ支持基板体；及び 上記チップ支持基板体の上記一方の面に設けた金属膜電
    気導体パターンにおける対応する電気導体部と電気接続
    した、少なくとも１つのICチップにより構成したことを
    特徴とする、高密度電子パッケージ。
  6. 【請求項６】スタック支持基板のスタック支持面と少な
    くとも１つのサブモジュールにおけるチップ支持基板体
    の下端面との間に、貫通空間部を形成した、第５項記載
    の高密度電子パッケージ。
  7. 【請求項７】最外側に配置されたサブモジュールにおけ
    るチップ支持基板体の凹部が形成された平面に端板を接
    着して該凹部を気密状に封止するとともにその他のサブ
    モジュールの凹部を気密状に封止した、第５項又は第６
    項記載の高密度電子パッケージ。
  8. 【請求項８】スタック支持基板及びチップ支持基板体が
    ともに熱良導性を有する電気絶縁材料を用いて形成され
    た、第５項〜第７項のいずれかに記載の高密度電子パッ
    ケージ。
  9. 【請求項９】高密度電子パッケージを製造するにあた
    り、 熱伝導性を有する電気絶縁材製平板体の、全面が平坦な
    一方の面に、該平板体の縁部及び／又は該縁部と連続す
    る端面部まで延びる金属膜電気導体パターンを設けて構
    成される、複数のチップ支持基板を形成し、 上記各チップ支持基板の上記一方の面に設けた金属膜電
    気導体パターンにおける対応する電気導体部に、少なく
    とも１つのICチップの電気端子を電気接続して装着し、 上記各チップ支持基板のICチップ装着面にそれぞれ平板
    状フレームから成るスペーサーの一方の面を接着すると
    ともに該スペーサーの開口部に該チップ支持基板に装着
    されたICチップを包容した、複数のサブモジュールを形
    成し、 熱伝導性を有するスタック支持基板の一方の平坦な面に
    上記サブモジュールのチップ支持基板における金属膜電
    気導体パターンと対応した金属膜電気導体パターンを設
    けてスタック支持面を形成し、 複数のサブモジュールのチップ支持基板を起立させて横
    方向に重ね合わせて互いに接着するとともにこれらサブ
    モジュールのチップ支持基板の下端部を上記スタック支
    持基板のスタック支持面に固定し、これらサブモジュー
    ルのチップ支持基板の金属膜電気導体パターンにおける
    電気導体部を上記スタック支持基板のスタック支持面上
    の電気導体パターンにおける対応する電気導体部と電気
    接続するとともにこれらサブモジュールのチップ支持基
    板から上記スタック支持基板に至る熱伝導路を形成する
    ことを特徴とする、高密度電子パッケージの製造方法。
  10. 【請求項１０】スタック支持基板のスタック支持面と少
    なくとも１つのサブモジュールにおけるスペーサーの下
    端面との間に、貫通空間部を形成する、第９項記載の方
    法。
  11. 【請求項１１】チップ支持基板及びスペーサーがともに
    熱良導性を有する電気絶縁材料を用いて形成される、第
    ９項又は第10項記載の方法。
  12. 【請求項１２】高密度電子パッケージを製造するにあた
    り、 熱伝導性を有する電気絶縁材製平板体の、全面が平坦な
    一方の面に、該平板体の縁部及び／又は該縁部と連続す
    る端面部まで延びる金属膜電気導体パターンを設けると
    ともに他方の平面に凹部を設けて構成される、複数のチ
    ップ支持基板体を形成し、 上記各チップ支持基板体の上記一方の面に設けた金属膜
    電気導体パターンにおける対応する電気導体部に、少な
    くとも１つのICチップの電気端子を電気接続して構成さ
    れる、複数のサブモジュールを形成し、 熱伝導性を有するスタック支持基板の一方の平坦な面
    に、上記サブモジュールのチップ支持基板体における金
    属膜電気導体パターンと対応した金属膜電気導体パター
    ンを設けてスタック支持面を形成し、 複数のサブモジュールのチップ支持基板体を起立させて
    横方向に重ね合わせ、サブモジュールのチップ支持基板
    体の一方の平坦面に装着されたICチップが隣接するサブ
    モジュールのチップ支持基板体の他方の平面に形成され
    た凹部に包容されるように、これらチップ支持基板体を
    互いに接着するとともにこれらチップ支持基板体の下端
    部を上記スタック支持基板のスタック支持面に固定し、
    これらサブモジュールのチップ支持基板体の金属膜電気
    導体パターンにおける電気導体部を上記スタック支持基
    板のスタック支持面上の金属膜電気導体パターンにおけ
    る対応する電気導体部と電気接続するとともにこれらサ
    ブモジュールのチップ支持基板体から上記スタック支持
    基板に至る熱伝導路を形成することを特徴とする、高密
    度電子パッケージの製造方法。
  13. 【請求項１３】スタック支持基板のスタック支持面と少
    なくとも１つのサブモジュールのチップ支持基板体の下
    端面との間に、貫通空間部を形成する、第12項記載の方
    法。
  14. 【請求項１４】チップ支持基板体の他方の平面に食刻法
    により凹部を形成する、第12項又は第13項記載の方法。
  15. 【請求項１５】スタック支持基板及びチップ支持基板体
    がともに熱良導性を有する電気絶縁材料を用いて形成さ
    れる、第13項記載の方法。
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