KR102054312B1 - 인체 적외선 감지소자 및 그를 구비한 전자장치 - Google Patents

인체 적외선 감지소자 및 그를 구비한 전자장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 인체 적외선 감지 소자 및 그를 구비한 전자장치를 개시한다. 그의 소자는, 기판과, 상기 기판 상의 바나듐 산화막과, 상기 바나듐 산화막의 양측 상에 분리된 복수개의 전극들을 포함한다. 상기 바나듐 산화막은 바나듐 대비 산소는 1.5 내지 2.5의 농도 비를 가질 수 있다.

Description

인체 적외선 감지소자 및 그를 구비한 전자장치{sensor for detecting infrared of human body and electric device having the same}
본 발명은 감시 장치에 관한 것으로 더욱 상세하게는 사람의 존재를 인식할 수 있는 인체 적외선 감지소자 및 그를 구비한 전자장치에 관한 것이다.
인체는 체온 36.5oC (파장이 9.3 ~ 10.3oC정도임)의 블랙바디(Blackbody)로 간주되므로 그 온도에 상당하는 적외선을 방출한다. 초전센서(Pyroelectric Sensor)는 인간의 동작을 감지할 수 있다 초전센서는 Passive Infrared (PIR) 센서일 수 있다.
도 1은 일반적인 초전 센서(10)를 나타내는 사시도로서, 일반적인 초전 센서(10)는 기판(12), 초전 엘리멘트(13), 금속 케이스(14), 플레이트(16), 전계효과트랜지스터(18), 및 핀들(19)을 포함할 수 있다. 초전 엘리멘트(12)는 절연 유전체 물질로서 적외선이 입사되면, 유전체의 분극이 변하면서 생기는 초전전류(Pyroelectric current)를 흘릴 수 있다. 초전전류는 일종에 캐패시터(Capacitor)에 충전된 전류에 상당하므로 사람의 동작 변화가 없으면 금방 방전되어 전류가 흐르지 않는다. 따라서, 초전 센서(10)는 사람의 동작변화로 인해 생긴 초전의 변화를 감지하여 상기 사람의 동작을 감지한다. 단점으로는 사람의 움직임이 없거나 그 변화가 매우 작으면 초전전류가 사라져서 사람의 존재를 확인할 수 없는 것이다. 다시 말해 초전 센서(10)는 동작은 감지하나 사람의 유무를 감지할 수 없다. 그래서 초전 센서(10)를 이용하여 사람의 유무를 판단하는 별도의 장치들이 발명되기도 하였다. 초전 센서(10)의 전계효과트랜지스터(18)은 전기적 신호를 증폭시킬 수 있다. 그러나, 일반적인 초전 센서(10)는 저항(17) 및 전계효과트랜지스터(18)과 같은 부품들로 인해 생산성이 떨어질 수 있다.
한편, 금속-절연체 전이 물질로 잘 알려진 바나듐산화물(산화바나듐)은 저항온도계수TCR(Temperature coefficient of resistance) 이 큰 것으로 알려져서 볼로메타 적외선 센서재료로 사용되어왔다. 볼로메터에서 감지되는 적외선 파장은 7.5-14㎛이다. 이것은 물론 인체에서 나오는 파장(9.3 ~ 10.3㎛)을 포함하고 있다. 금속-절연체 전이를 겪지 않는 바나듐산화물 볼로메터 센서는 외부 온도상승 혹은 외부 적외선에 대해 저항이 줄어드는 음의 TCR 값을 가지고 있다. 음의 TCR이라는 것은 온도 상승에 따라 저항이 감소한다는 것을 의미한다. 이것은 적외선이 들어오면 적외선이 열선이므로 센서의 온도가 상승하여 재료의 저항이 감소하는 것이다. 그 재료의 온도가 상승하였기 때문에 빨리 식지 않아서 정확한 적외선을 감지하지 못하는 단점이 있다. 이 단점을 보강하기 위하여 적외선 감지기는 적외선 감지부를 공중에 띄우는 구조로 되어 있다.
도 2는 일반적인 공중 부양 센서(20)를 나타내는 단면도로서, 공중 부양 센서(20)는 기판(26) 상의 미러(22)로부터 일정 거리 이상으로 이격되어 배치될 수 있다. 배선들(24)은 기판(26)의 상부로 연결될 수 있다. 그러나, 공중 부양 센서는 MEMS (micro-electromechanical systems) 기술로 제조되어왔다. 때문에, 장파장의 적외선 센서의 제조는 매우 어려운 것으로 알려졌다.
본 발명의 해결하고자 하는 사람의 존재를 인식할 수 있는 인체 적외선 감지소자 및 그를 구비한 전자장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 인체 적외선 감지 소자는, 기판; 상기 기판 상의 바나듐 산화막; 및 상기 바나듐 산화막의 양측 상에 분리된 복수개의 전극들을 포함한다. 여기서, 상기 바나듐 산화막은 바나듐 대비 산소는 1.5 내지 2.5의 농도 비를 가질 수 있다.
상기 기판은 결정 실리콘을 포함할 수 있다. 상기 결정 실리콘은 단위 체적당 1X1018개의 억셉터로 도핑될 수 있다.
상기 기판과 상기 바나듐 산화막 사이의 실리콘 산화막을 더 포함할 수 있다.
상기 바나듐 산화막과 상기 전극들을 덮는 몰드 층을 더 포함할 수 있다.
상기 몰드 층은 클리어 컴파운드 에폭시 또는 레신 에폭시를 더 포함할 수 있다. 상기 몰드 층 상에 배치된 프레즈넬 렌즈 혹은 인체적외선을 투과하는 렌즈를 더 포함할 수 있다.
상기 기판을 지지하는 플레이트; 상기 플레이트에 상기 기판을 고정하는 접착 층; 상기 복수개의 전극들에 연결된 전극 배선들; 및 상기 플레이트에 관통되어 상기 전극 배선들에 연결되는 복수개의 핀들을 더 포함할 수 있다. 상기 플레이트는 금속을 포함할 수 있다. 상기 핀들 중 어느 하나를 상기 플레이트로부터 절연시키는 절연 물질을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예에 따른 전자 장치는, 회로 기판; 상기 회로 기판 상에 집적된 전자 제어 부; 및 상기 전자 제어부와 연결되어 상기 회로 기판 상에 집적되고, 기판과, 상기 기판 상의 바나듐 산화막과 상기 바나듐 산화막의 양측 상에 분리된 복수개의 전극들을 구비한 인체 적외선 감지소자를 포함한다. 여기서, 상기 바나듐 산화막은 바나듐 대비 산소는 1.5 내지 2.5의 농도 비를 가질 수 있다.
상기 인체 적외선 감지소자는 복수 개로 구성되어 어레이 형태로 배열될 수 있다.
상기 인체 적외선 감지소자의 신호를 증폭하는 증폭 회로를 더 포함할 수 있다.
상기 회로 기판에 전기적으로 연결되는 조명 기기를 더 포함할 수 있다.
상기 전자 제어부는 마이크로프로세스 유니트를 포함할 수 있다. 상기 마이크로프로세스 유니트는 컴퓨터, 인터넷 폰, 또는 스마트 폰과 같은 포터블 기기 내에 집적될 수 있다. 상기 마이크로프로세스 유니트는 컴퓨터 모니터, 텔레비전, 에어컨, 선풍기, 또는 자동차에 탑제될 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 인체 적외선 감지소자는 기판, 바나듐 산화막, 및 전극들을 포함할 수 있다. 기판은 P형으로 도핑된 결정 실리콘뿐만 아니라 SiO2가 증착된 결정 실리콘을 포함할 수 있다. 인체 적외선이 제공되면, 기판과 바나듐 산화막은 각각의 격자가 증가될 수 있다. 증가된 격자를 갖는 바나듐 산화막은 저항이 증가될 수 있다. 바나듐 산화막과 기판은 양의 저항계수를 가질 수 있다.
따라서, 본 발명의 실시 예에 따른 인체 적외선 감지소자는 사람의 존재를 지속적으로 모니터링할 수 있다.
도 1은 일반적인 초전 센서를 나타내는 사시도이다.
도 2는 일반적인 공중 부양 센서를 나타내는 단면도이다.
도 3은 실시 예에 따른 인체 적외선 감지 소자를 나타내는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제 1 응용 예에 따른 인체 적외선 감지소자를 나타내는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제 2 응용 예에 따른 인체 적외선 감지소자를 나타내는 단면도이다.
도 6은 도 3 내지 도 5의 인체 적외선 감지소자의 출력 데이터를 나타낸 그래프이다.
도 7은 도 3의 인체 적외선 감지소자에서의 수신 감도를 따라 나타낸 그래프이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전문에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)으로 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
또한, 본 명세서에서 기술하는 실시예들은 본 발명의 이상적인 예시도인 단면도 및/또는 평면도들을 참고하여 설명될 것이다. 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. 따라서, 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. 예를 들면, 직각으로 도시된 식각 영역은 라운드지거나 소정 곡률을 가지는 형태일 수 있다. 따라서, 도면에서 예시된 영역들은 개략적인 속성을 가지며, 도면에서 예시된 영역들의 모양은 소자의 영역의 특정 형태를 예시하기 위한 것이며 발명의 범주를 제한하기 위한 것이 아니다.
도 3은 실시 예에 따른 인체 적외선 감지 소자를 나타내는 단면도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 인체 적외선 감지소자는 기판(30), 바나듐 산화막(40), 및 복수개의 전극들(50)을 포함할 수 있다. 기판(30)은 결정 실리콘 웨이퍼를 포함할 수 있다. 결정 실리콘 웨이퍼는 약 1 x 1018 cm- 3 의 억셉터(hole)로 도핑된 P형 반도체일 수 있다. P형 반도체는 저온에서 반도체 특성을 보이지만, 상온에서 금속적 특성을 가질 수 있다. 기판(10)은 인체온도 근처의 파장의 일부를 흡수하는 특성이 있으며 그 금속적 특성 때문에 열을 잘 전달할 수 있다.
바나듐 산화막(40)은 금속-절연체 전이 (Metal-Insulator Transition: MIT) 현상을 가질 수 있다. 바나듐 산화막(40) 내에서 산소는 바나듐 대비 1.5 내지 2.5의 농도비를 가질 수 있다. 바나듐 산화막(40)과 결정 실리콘의 기판(10)은 그들의 상호 작용에 의해 양의 저항온도계수(TCR)을 만들어 낼 수 있다.
기판(10)에 인체적외선이 흡수되면, 실리콘 원자들의 간격이 증가되어 상기 기판(10) 상의 바나듐 산화막(40)의 격자가 증가될 수 있다. 증가된 격자를 갖는 바나듐 산화막(40)은 저항이 증가될 수 있다. 이는 금속에서 절연체로 전이가 일어나는 과정으로 설명될 수 있다. 따라서, 바나듐 산화막(40)과 기판(10)은 양의 저항계수를 가질 수 있다.
양의 저항계수는 양자형 적외선 검출기의 원리와 다르고 볼로메터의 원리에서도 설명될 수 없는 새로운 개념일 수 있다. 양의 저항계수는 열의 축적이 없는 것이 특징이다. 따라서, 본 발명의 실시 예에 따른 인체 적외선 감지소자는 사람의 존재를 지속적으로 모니터링할 수 있다. 또한, 본 발명의 실시 예에 따른 인체 적외선 감지소자는 공중부양이 아닌 방식으로 음의 저항계수를 갖는 인체 적외선 센서도 가능하다.
도 4는 본 발명의 제 1 응용 예에 따른 인체 적외선 감지 소자를 나타내는 단면도이다. 제 1 응용 예는 실시 예에서의 기판(10)과 바나듐 산화막(40) 사이에 실리콘 산화막(42)이 형성된 것이다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 제 1 응용 예에 따른 인체 적외선 감지 소자는 기판(10)과 바나듐 산화막(40) 사이의 실리콘 산화막(42)을 포함할 수 있다. 실리콘 산화막(42)은 바나듐 산화막(40)에서의 인체적외선의 흡수를 증가시킬 수 있다.
도 5는 본 발명의 제 2 응용 예에 따른 인체 적외선 감지소자를 나타내는 단면도이다. 본 발명의 제 2 응용 예는 실시 예의 패키징을 나타낸 것이다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 응용 예에 따른 인체 적외선 감지소자는 기판(30), 바나듐 산화막(40), 전극들(50), 몰드 층(60), 금속 플레이트(70), 접착 층(32), 배선들(72), 전극 핀들(74), 및 절연물(76)을 포함할 수 있다.
몰드 층(60)은 기판(30), 바나듐 산화막(40), 및 전극들(50)을 덮을 수 있다. 몰드 층(60)은 클리어 컴파운드 에폭시 (Clear compound epoxy) 또는 레이신 에폭시 (resin epoxy)를 포함할 수 있다.
금속 플레이트(70)는 기판(30)을 지지할 수 있다. 접착 층(32)은 금속 플레이트(70)와 기판(30)을 고정할 수 있다. 전극 핀들(74)은 금속 플레이트(70)에 고정될 수 있다. 전극 핀들(74) 중의 하나는 금속 플레이트(70)에 전기적으로 연결될 수 있다. 전극 핀들(74)의 나머지 하나는 절연물(76)에 의해 플레이트(70)으로부터 절연될 수 있다. 배선들(72)은 전극 핀들(76)과 전극들(50)에 각각 연결될 수 있다.
도 5는 본 발명의 제 3 응용 예에 따른 인체 적외선 감지소자를 나타내는 단면도이다. 제 3 응용 예는 제 2 응용 예의 몰드 층(60) 상단에 프레즈넬 렌즈가 형성된 것이다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 제 3 응용 예에 따른 인체 적외선 감지소자는 몰드 층(60) 상에 배치된 프레즈넬 렌즈(Fresnel Lenz, 62)를 포함할 수 있다. 프레즈넬 렌즈(62)는 몰드 층(60) 상부의 적외선을 기존보다 넓은 영역에서 수집할 수 있다. 본 발명의 제 2 응용 예는 제 1 응용 예의 인체 적외선 감지 소자 상에 프레즈넬 렌즈(62)가 배치된 것이다.
도 7은 도 3 내지 도 6의 인체 적외선 감지소자의 출력 데이터를 나타낸 그래프이다.
도 7을 참조하면, 본 발명의 인체 적외선 감지 소자는 저항 값의 변화에 대응되는 적외선 감지 신호를 출력할 수 있다. 가로 축은 감지시간이고, 세로 축은 인체 적외선 감지 소자의 저항 값이다. 예를 들어, 인체 적외선 감지 소자는 약 500000Ω의 피크 저항(82)에 대응되는 감지신호를 출력할 수 있다. 인체 감지 지속 시간(84)은 약 40초 정도일 수 있다. 이때, 대기 저항은 약 400000Ω 일 수 있다.
도 8은 도 3의 인체 적외선 감지소자에서의 수신 감도를 따라 나타낸 그래프이다.
도 8을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 인체 적외선 감지 소자는 제 1 지점(92), 제 2 지점(94), 및 제 3 지점(96)으로 인체에 가까워지면, 점진적으로 증가되는 감지 신호 값을 획득할 수 있다.
도 9는 도 4의 본 발명의 제 1 응용 예에 따른 인체 적외선 센서에서의 출력 값을 나타낸 그래프이다.
도 9를 참조하면, 본 발명의 제 1 응용 예에 따른 인체 적외선 센서는 인체 적외선을 감지하면, 그래프에 대응되는 감지 신호를 출력한다. 여기서, 감지 신호는 인체 적외선이 감지될 때, 급격히 감소될 수 있다.
한편, 본 발명의 실시 예, 제 1 내지 제 3 응용 예에 따른 인체 적외선 감지소자는 전자 장치의 회로 기판 상에 집적될 수 있다. 전자 장치는 인체 적외선 감지소자로부터의 전기적 신호를 증폭하는 증폭부 및 마이크로프로세스 유니트와 같은 전자 제어부를 가질 수 있다. 증폭부는 트랜지스터 또는 증폭기와 결합된 증폭회로를 포함할 수 있다.
회로 기판 상에 조명 기기가 집적될 수 있다. 조명 기기는 인체 적외선 감지소자와 결합될 수 있다. 또한, 인체 적외선 감지소자는 이차원 어레이로 제작되어 이미지 관측용으로 사용될 수 있다. 이때, 적외선 감지소자는 어레이에서 직렬 또는 병렬로 연결될 수 있다.
인체 적외선 감지소자는 마이크로프로세스 유니트 (Microprocessor Unit: MPU)와 결합될 수 있다. MPU 시스템은 컴퓨터, 인터넷 폰 혹은 스마트 폰과 같은 포터블 기기와 같은 포터블 시스템에 적용될 수 있다. MPU 시스템은 컴퓨터 모니터, 테레비젼, 에어컨, 선풍기, 자동차와 같이 사람의 접근을 인지하는 시스템에 적용되는 것을 특징으로 하는 사람인지 시스템에 적용할 수 있다. 또 다른 응용으로 동작감지기, Smart Phone 인체 감지기능, 컴퓨터, 조명용 시스템, 자동차 등 많은 곳에 응용이 예상된다.
마지막으로, 본 발명의 실시 예, 제 1 응용 예, 및 제 2 응용 예에 따른 인체 적외선 감지소자는 초전센서에서 센서보호 및 필터의 역할로 사용되는 Si, Ge, 등의 재료를 사용하지 않고 별도의 필터를 필요로 하지 않는다. 그리고 본 발명은 복잡한 MEMS 기술을 사용하는 적외선 감지부의 공중부양이 필요하지 않는다.
이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
10: 초전 센서 12: 초전 기판
13: 초전 엘리멘트 14: 금속 케이스
16: 플레이트 18: 전계효과트랜지스터
19: 핀들 20: 공중 부양 센서
22: 미러 24: 배선들
26: 바닥 기판 30: 기판
32: 접착 층 40: 바나듐 산화막
42: 실리콘 산화막 50: 전극들
60: 몰드 층 62: 프레즈넬 렌즈
70: 금속 플레이트 72: 배선들
74: 전극 핀들 76: 절연물
82: 피크 저항 84: 지속 시간
92: 제 1 지점 94: 제 2 지점
96: 제 3 지점

Claims (17)

  1. 기판;
    상기 기판 상의 바나듐 산화막; 및
    상기 바나듐 산화막의 양측 상에 분리된 복수개의 전극들을 포함하되,
    상기 바나듐 산화막은 바나듐 대비 산소는 1.5 내지 2.5의 농도 비를 갖고,
    상기 기판은 단위 체적당 5X1017개 이상 및 5X1018개 이하의 정공으로 도핑된 결정 실리콘을 포함하고,
    상기 바나듐 산화막은 상기 결정 실리콘의 상부 면에 접촉하여 양의 온도 계수를 갖는 인체 적외선 감지소자.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 바나듐 산화막과 상기 전극들을 덮는 몰드 층을 더 포함하는 인체 적외선 감지소자.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 몰드 층은 클리어 컴파운드 에폭시 또는 레신 에폭시를 더 포함하는 인체 적외선 감지소자.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 몰드 층 상에 배치된 프레즈넬 렌즈를 더 포함하는 인체 적외선 감지소자.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판을 지지하는 플레이트;
    상기 플레이트에 상기 기판을 고정하는 접착 층;
    상기 복수개의 전극들에 연결된 전극 배선들; 및
    상기 플레이트에 관통되어 상기 전극 배선들에 연결되는 복수개의 핀들을 더 포함하는 인체 적외선 감지소자.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 플레이트는 금속을 포함하는 인체 적외선 감지소자.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 핀들 중 어느 하나를 상기 플레이트로부터 절연시키는 절연 물질을 더 포함하는 인체 적외선 감지소자.
  11. 회로 기판;
    상기 회로 기판 상에 집적된 전자 제어 부; 및
    상기 전자 제어부와 연결되어 상기 회로 기판 상에 집적되고, 기판과, 상기 기판 상의 바나듐 산화막과 상기 바나듐 산화막의 양측 상에 분리된 복수개의 전극들을 구비한 인체 적외선 감지소자를 포함하되,
    상기 바나듐 산화막은 바나듐 대비 산소는 1.5 내지 2.5의 농도 비를 갖고,
    상기 기판은 단위 체적당 5X1017개 이상 및 5X1018개 이하의 정공으로 도핑된 결정 실리콘을 포함하고,
    상기 바나듐 산화막은 상기 결정 실리콘의 상부 면에 접촉하여 양의 온도 계수를 갖는 전자 장치.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 인체 적외선 감지소자는 복수 개로 구성되어 어레이 형태로 배열되는 전자 장치.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 인체 적외선 감지소자의 신호를 증폭하는 증폭 회로를 더 포함하는 전자 장치.
  14. 제 11 항에 있어서,
    상기 회로 기판에 전기적으로 연결되는 조명 기기를 더 포함하는 전자 장치.
  15. 제 11 항에 있어서,
    상기 전자 제어부는 마이크로프로세스 유니트를 포함하는 전자 장치.
  16. 제 15항에 있어서,
    상기 마이크로프로세스 유니트는 컴퓨터, 인터넷 폰, 또는 스마트 폰과 같은 포터블 기기 내에 집적되는 전자 장치.
  17. 제 15 항에 있어서,
    상기 마이크로프로세스 유니트는 컴퓨터 모니터, 텔레비전, 에어컨, 선풍기, 또는 자동차에 탑제된 전자 장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103776545B (zh) * 2014-02-11 2016-04-20 南京天溯自动化控制系统有限公司 自获能热释电探测器及根据储能状态的自适应探测方法
KR101942094B1 (ko) 2017-09-05 2019-01-24 한국전자통신연구원 산소 리치 바나듐산화물 전자파 센서 및 그 시스템
CN113494974A (zh) * 2020-03-18 2021-10-12 高尔科技股份有限公司 红外线热能传感器
KR102483821B1 (ko) * 2022-06-10 2023-01-03 (주) 동보파워텍 전력기기 열화상태 감지 및 감전사고 예방 기능이 구비된 웹 기반 하이브리드 모니터링장치 내장형 수배전반

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010054486A (ja) * 2008-08-29 2010-03-11 Toshiba Lighting & Technology Corp 赤外線センサ装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2792377B2 (ja) * 1993-02-18 1998-09-03 松下電工株式会社 半導体装置
US5801383A (en) * 1995-11-22 1998-09-01 Masahiro Ota, Director General, Technical Research And Development Institute, Japan Defense Agency VOX film, wherein X is greater than 1.875 and less than 2.0, and a bolometer-type infrared sensor comprising the VOX film
JP4134912B2 (ja) * 2004-01-22 2008-08-20 株式会社デンソー 光検出器

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010054486A (ja) * 2008-08-29 2010-03-11 Toshiba Lighting & Technology Corp 赤外線センサ装置

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