JPS6281737A - 半導体装置の製造方法及びリ−ドフレ−ム - Google Patents

半導体装置の製造方法及びリ−ドフレ−ム

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JPS6281737A
JPS6281737A JP22181885A JP22181885A JPS6281737A JP S6281737 A JPS6281737 A JP S6281737A JP 22181885 A JP22181885 A JP 22181885A JP 22181885 A JP22181885 A JP 22181885A JP S6281737 A JPS6281737 A JP S6281737A
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resin
lead frame
lead
holes
outer frame
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JP22181885A
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Yoshio Misono
御園 喜夫
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Hitachi Ltd
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Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は半導体装置の製造ておける樹脂モールド方法及
びリードフレームの構造に関する。
〔背景技術〕
半導体集積回路装置(以下ICと称する)は一枚の半導
体チップ内に多数の能動素子や受動素子を形成したもの
であり、チップとの多数の電極端子数は微細ワイヤを介
して外部リードへと導通される。
かかる半導体チップは適当なパッケージに封止する必要
があるが、最も一般的な方法としてトランスファモール
ド法による樹脂モールド方法が採用されている。(特公
昭51−4905参照)この樹脂モールド方法により半
導体チップをパッケージ封止するにあたって、半導体チ
ップは通常鉄系の薄板を打抜いたリードフレームに取り
付けられる。このリードフレームは第3図に示すように
半導体チップ1を取付けるためのタブ2を中心にして、
このタブ2を両方向で支持するタブ釣りリード3、タブ
2を囲んで周辺に設けた複数のリード4、各リード4に
直交してリード間を連結するダム5.ダム50両側及び
タブ釣りリード3に連結された外枠6かもなるもので、
このような単位リードフレームを外枠6にそって複数組
連続させて短連又は長連のリードフレームとしている。
このようなリードフレームのタブ2上に半導体チップ1
をボンディングした後、チップ1上の電極端子と周囲の
リードの内端部との間でワイヤボンディングが行われる
この後リードフレームは第4図に示すように先ず下型A
上にチャージされ、上5Bにより加圧された状態でキャ
ビティCにレジン(樹脂)が注入され、第5図に示す樹
脂パッケージ7が形成される。レジンモールド時に上下
型A−Hの隙間からレジンの一部が流出され、第5図に
示すようにキャビティ側面部分ではダム5がストッパト
ナってこれより外方に流出しないが、レジンを注入する
ゲート側G及びゲート対向部であるエアベント(通気)
側Eでレジンフラソシェとなって第6図に示すようにリ
ード及び外枠面にそってあられれ。
「フラッシュバリ」8として付着することがわかった。
さらにこのフラッシュパリ現象はリード表面の半田ヌレ
不良を起すとともに外観不良となり、このため手作業に
より[パリ取り」を行うことはコスト大につながること
がわかった。
本発明者らはフラッシュバリの発生原因が第5図のW、
、W2の長さ関係がW2 >Wlになると発生しやすい
ことをつきとめた。
〔発明の目的〕
本発明は上述のような問題点を解決したものであり、そ
の目的はレジ/の「フラッシュバリ」取りによる工数の
倍加をなくすとともに、半導体装置の信頼性を高めるこ
とにある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は1
本明細書の記述および添付図面からあきらかになろう。
〔発明の概要〕
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば下記のとおりである。
すなわち、レジンモールドにあたって、外枠、少すくと
もレジンモールドの際のベント側又は及びゲート側とな
る外枠にレジン貫通穴な設けたリードフレームを使用し
、このレジン貫通穴を利用してレジンの一部を流出させ
ながらレジン注入を行うことKよりレジン圧力が減少9
分散されることより、レジンのフラノシーバリの発生を
防止し。
半田ヌレ不良をなくシ、半導体装置の信頼性を高め前記
発明の目的を達成できる。
〔実施例〕
第2図、第2因は本発明の一実施例ケ示すものであって
、このうち第2図はリードフレームのレジンモールド前
の形態を示す平面図である。
2はタブでこの上に半導体チップがボンディングされる
。3はタブつりリード、4は複数のリード、5はダム、
6は外枠である。9は貫流穴で外枠6でゲート側及びエ
アベント側のダムに接する部分に設けられる。
樹脂パッケージングのためにレジンモールドな行うにあ
たっては、上記貫流穴を設けたリードフレームを使用し
、貫通穴を利用してレジンの一部をゲート側及びエアベ
ント側へ流出させながらレジンを注入する。
、第2図はレジンモールド後のリードフレームの状態を
示す平面図である。外枠の内側に設けた貫流穴によって
、注入されたレジンの一部はレジンダム空間が1.5〜
2倍に拡大され、レジンの圧力が低減1分散されること
により、リード表面に7ラノシユパリ8の付着するのが
防止される。ちなみに同図A、Bの面積関係はA)Bと
し、好ましくは、1.5〜2倍の面積関係があればフラ
ッシュバリは低減できる。
〔発明の効果〕
(1)本発明によれば貫通穴を設けることでレジンフラ
ジシュバリ不良が従来の20%から1%以下に低減され
た。
(2)このため半田ヌレ不良がなくなり半導体装置の信
頼性が向上するとともに外観不良の問題も解消した。
(3)半田ヌレ不良防止のためのレジンフラッシュバリ
除去作業が不要となり、コスト節減ができる。
(4)従来パッケージ内に発生したボイド(気泡)がワ
イヤ断線や腐食発生の原因となったが貫通穴により流出
したレジンにボイドが集中し、パッケージ内のボイドを
大幅に低減し、それにともないボイド不良を低減した。
以上本発明によってなされた発明を実施例にもとづき具
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で穐々変更可能
である。
〔利用分野〕
本発明は樹脂パッケージ半導体装置全般にわたって適用
可能である。
本発明はとくにディジタルIC1多ピン(たとえば14
−24ピン)リードフレームに応用した場合に最も効果
がある。
【図面の簡単な説明】
第2図及び第2図は本発明の一実施例を示し、このうち
、第2図はIC用リードフレームの平面図である。第2
図はレジンモールド後のICパッケージとリードフレー
ムの状態を示す平面図である。 第3図乃至第6図はこれまでのICの例を示す。 このうち第3図はリードフレームの平面図である。 第4図はレジンモールド時の金型の断面図である。 第5図はレジンモールド後のパッケージとリードフレー
ムの状態を示す平面図である。 第6図はレジンフラッシュバリ状態を示す一部断面図で
ある。 1・・・半導体チップ、2・・・タブ、3・・・タブつ
りリード、4・・・リード、5・・・ダム、6・・・外
枠、7・・・レジンパッケージ、8・・・フラッシュバ
リ、9・・・貫流穴。 第  3  図 第  4  z 第  5  図 第  6  図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、リードフレームのタブ上に半導体チップを接続し、
    この半導体チップを封止するために樹脂モールドを行う
    にあたって、一部に樹脂貫流穴9をあけたリードフレー
    ムを使用し、上記樹脂貫流穴を利用して樹脂の一部をゲ
    ート、エアベント側へ流出しながら樹脂を注入すること
    を特徴とする半導体装置の製造方法。 2、半導体チップを取付けるためのタブと、タブ釣りリ
    ードと、タブを挾んで周辺に設けられた複数のリードと
    、リードに直交してリード間を連結するダム及び、ダム
    の両側に連結された外枠とからなり、上記外枠に一部の
    樹脂流出用の貫流穴を設けたことを特徴とするリードフ
    レーム。 3、上記貫流穴は少なくとも樹脂モールドの際のエアベ
    ント側又は及びゲート側となる外枠の内側に設ける特許
    請求の範囲第2項に記載のリードフレーム。
JP22181885A 1985-10-07 1985-10-07 半導体装置の製造方法及びリ−ドフレ−ム Pending JPS6281737A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01276657A (ja) * 1988-04-27 1989-11-07 Matsushita Electron Corp リードフレーム
JPH0536848U (ja) * 1991-08-27 1993-05-18 京セラ株式会社 リードフレーム
JPH0536847U (ja) * 1991-10-16 1993-05-18 株式会社三井ハイテツク リードフレーム
JPH0546044U (ja) * 1991-11-22 1993-06-18 株式会社三井ハイテツク 半導体装置用リードフレーム

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