JPS63131557A - レジン封止型半導体装置用リ−ドフレ−ム及びレジン封止型半導体装置 - Google Patents

レジン封止型半導体装置用リ−ドフレ−ム及びレジン封止型半導体装置

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Publication number
JPS63131557A
JPS63131557A JP27661286A JP27661286A JPS63131557A JP S63131557 A JPS63131557 A JP S63131557A JP 27661286 A JP27661286 A JP 27661286A JP 27661286 A JP27661286 A JP 27661286A JP S63131557 A JPS63131557 A JP S63131557A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
lead frame
semiconductor device
dam
type semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP27661286A
Other languages
English (en)
Inventor
Katsuhiro Tabata
田畑 克弘
Bunji Kuratomi
倉富 文司
Shingo Osaka
慎悟 大坂
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Renesas Semiconductor Package and Test Solutions Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Hokkai Semiconductor Ltd
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Hokkai Semiconductor Ltd, Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Hokkai Semiconductor Ltd
Priority to JP27661286A priority Critical patent/JPS63131557A/ja
Publication of JPS63131557A publication Critical patent/JPS63131557A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置に関し、特に、レジン封止型半導
体装置用リードフレーム及びパッケージに適用して有効
な技術に関するものである。
〔従来の技術〕
周知のようにレジン封止型半導体装置は、耐湿性が他の
ガラス封止なとの封止構造に較べて劣るが、低価格に封
止を行なうことができる利点かあるため、一般に使用さ
れている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかしながら、発明者は、かかる技術を検討した結果、
次の問題点を見出した。
すなわち、前記リードフレームを用いてレジンをモール
ドする際に、モールド型のパーティング面でリードフレ
ームを均一にクランプするため、レジンの加圧時にレジ
ンバリ(レジンのはみ出し)が均一に発生する。このた
め、ダムの部分を切り取った時アウターリード面にレジ
ンバリが残ってしまう。このレジンバリの残在により、
半田メッキ、半田コート不良(ぬれ不良、実装不良等)
が発生するので、この残在したレジンバリをブラシで除
去するか、あるいは化学的にニッティングで除去しなけ
ればならない。
本発明の目的は、封止用レジンのパリの除去工程を省略
することができる技術を提供することにある。
本発明の他の目的は、低コストで信頼性の高い半導体装
置を得ることができる技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。
〔問題点を解決するための手段〕
本願において開示される発明のうち1代表的なものの概
要を説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、レジン封止型半導体装置用リードフレームに
おいて、該リードフレームのダムのレジン側に凸部を設
けたものである。
また、前記リードフレームを使用したレジン封止型半導
体装置であって、上レジンパッケージ部の幅と下レジン
パッケージ部の幅がそれぞれ異なるように構成したもの
である。
〔作 用〕
前記した手段によれば、リードフレームのダムのレジン
側に凸部を設け、このリードフレームを使用し、上レジ
ンパッケージ部の幅と下レジンパッケージ部の幅がそれ
ぞれ異なるように構成したことにより、現状のダム切断
手段でダムを切断すると同時にダム側凸部が上レジンパ
ッケージ部よりはがされ、ダム内レジンは皆無となるの
で、レジンバリを除去する工程がなくなり、この工程に
おけるレジンパッケージに与える応力がなくなるので、
レジンパッケージに亀裂等を発生しない。
これより半導体装置の信頼性を向上することができる。
以下1本発明を一実施例とともに説明する。
なお、企図において、同一の機能を有するものは同一の
符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
〔実施例〕
第1図は1本発明の一実施例のレジン封止型半導体装置
用リードフレームの全体概略構成を示す平面図。
第2図は、第1図に示すレジン封止型半導体装置用リー
ドフレームの使用方法を説明するための要部平面図、 第3図は、第1図に示すレジン封止型半導体装置用リー
ドフレームを用いた半導体装置の断面図である。
本実施例のレジン封止型半導体装置用リードフレームは
、第1図に示すように、例えば、鉄・ニッケル(Fe−
Ni)合金、銅(Cu)等のリードフレーム1から成っ
ている。このリードフレーム1は、半導体チップ2を取
り着けるタブ3を有するタブリード4と、前記タブ3に
向かって延る複数のリード5と、これらのタブリード4
及びり一ド5の外端を保持する外枠6と、それぞれのり
一ド5を補強するとともにレジンモールド時に、このレ
ジンの流出を防ぐように設けられたダム7とから成って
いる。
前記ダム7のレジン側には、第1図及び第2図に示すよ
うに、凸部(突起部)8がダム7と一体に設けられてい
る。
このように構成されたリードフレーム1を用いて、第3
図に示すように、前記タブ3の上に半導体チップ2を塔
載し、各リード5と半導体チップ2とをボンディングワ
イヤ9で電気的に接続した後、エポキシ樹脂等からなる
レジン10でモールド封止してレジン封止型半導体装置
を製作する。
前記レジンモールドを行なう際、上レジンパッケージ部
10Aの幅を現状のものと同じくし、下レジンパッケー
ジ部10Bの幅をダム7の凸部8より内側まで小さくす
る。
前述のようにリードフレーム1のダム7のレジン側に凸
部8を設け、このリードフレーム1を使用し、上レジン
パッケージ部10Aの幅を現状のものと同じクシ、下レ
ジンパッケージ部10Bの幅をダム7の凸部8より内側
まで小さくすることにより、現状のダム切断手段でダム
7を切断する(第2図及び第3図に斜線7Aで示す部分
)と同時にダム7側の凸部8が上レジンパッケージ部1
0Aよりはがされ、ダム7内のレジン10は皆無となる
ので、レジンバリを除去する工程がなくなる。また、こ
のレジンバリを除去する工程におけるレジンパッケージ
に与える応力がなくなるので、レジンパッケージに亀裂
等を発生しない。これにより半導体装置の信頼性を向上
することができる。
また、レジンバリを除去する等の工数を低減することが
できる。
また、モールド型の精度が低くてもよいので、低価格化
がはかれる。
また、ダム切断型の刃にレジンが当らないので。
ダム切断型の刃の長寿命化がはかれる。
以上1本発明を実施例にもとすき具体的に説明したが、
本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲において種々変更し得ることはい
うまでもない。
【図面の簡単な説明】
第1図は1本発明の一実施例のレジン封止型半導体装置
用リードフレームの全体概略構成を示す平面図。 第2図は、第1図に示すレジン封止型半導体装置用リー
ドフレームの使用方法を説明するための要部平面図、 第3図は、第1図に示すレジン封止型半導体装置用リー
ドフレームを用いた半導体装置の断面図である。 図中、■・・・リードフレーム、2・・・半導体チップ
。 3・・・タブ、4・・・タブリード、5・・・リード、
6・・・外枠、7・・・ダム、8・・・ダムの凸部、9
・・・ボンディングワイヤ、10・・・レジン、10A
・・・上レジンパッケージ部、IOB・・・下レジンパ
ッケージ部である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、レジン封止型半導体装置用リードフレームにおいて
    、該リードフレームのダムのレジン側に凸部を設けたこ
    とを特徴とするレジン封止型半導体装置用リードフレー
    ム。 2、前記リードフレームのダムと凸部は、一体に形成さ
    れたものであることを特徴とする特許請求の範囲第1項
    記載のレジン封止型半導体装置用リードフレーム。 3、ダムのレジン側に凸部を設けたリードフレームを使
    用したレジン封止型半導体装置であって、上レジンパッ
    ケージ部の幅と下レジンパッケージ部の幅がそれぞれ異
    なるように構成したことを特徴とするレジン封止型半導
    体装置。 4、前記リードフレームは、鉄・ニッケル合金(Fe・
    Ni)合金又は銅(Cu)材からなることを特徴とする
    特許請求の範囲第3項 に記載のレジン封止型半導体装置 。
JP27661286A 1986-11-21 1986-11-21 レジン封止型半導体装置用リ−ドフレ−ム及びレジン封止型半導体装置 Pending JPS63131557A (ja)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5126824A (en) * 1989-08-09 1992-06-30 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Carrier tape and method of manufacturing semiconductor device employing the same
US5271148A (en) * 1988-11-17 1993-12-21 National Semiconductor Corporation Method of producing a leadframe
KR950021459A (ko) * 1993-12-10 1995-07-26 가나이 쓰토무 측면에 플랜지를 가진 패케지 반도체장치 및 그 제조방법
US5821610A (en) * 1995-01-18 1998-10-13 Nec Corporation Leadframe allowing easy removal of tie bars in a resin-sealed semiconductor device
WO1999052149A1 (de) * 1998-04-06 1999-10-14 Infineon Technologies Ag Verwendung der baulichen beschaffenheit eines elektronischen bauteils als referenz bei der positionierung des bauteils

Cited By (6)

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WO1999052149A1 (de) * 1998-04-06 1999-10-14 Infineon Technologies Ag Verwendung der baulichen beschaffenheit eines elektronischen bauteils als referenz bei der positionierung des bauteils
US6541311B1 (en) 1998-04-06 2003-04-01 Infineon Technologies Ag Method of positioning a component mounted on a lead frame in a test socket

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