JP2924957B2 - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップの搭
載されたリードフレームを樹脂封止してなる樹脂封止型
半導体装置に関する。
載されたリードフレームを樹脂封止してなる樹脂封止型
半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置の多ピン化に伴い、Ｑ
ＦＰ（Quad Flat Package ）等に代表される樹脂封止型
半導体装置において、半導体チップのパッド電極の狭ピ
ッチ化及び半導体チップ縮小化によるパッド−ワイヤ間
距離の拡大による長ワイヤ化対応の技術として、半導体
チップとリードフレームとの接続にＴＡＢを用いた技術
が用いられている。
ＦＰ（Quad Flat Package ）等に代表される樹脂封止型
半導体装置において、半導体チップのパッド電極の狭ピ
ッチ化及び半導体チップ縮小化によるパッド−ワイヤ間
距離の拡大による長ワイヤ化対応の技術として、半導体
チップとリードフレームとの接続にＴＡＢを用いた技術
が用いられている。
【０００３】しかしながら、このように半導体チップと
リードフレームの接続にＴＡＢを用いた場合、半導体装
置の多ピン化に対応出来る一方、従来通りの樹脂封入技
術では、ＴＡＢリードを所定の位置に保持するサスペン
ダが樹脂封入時に上下に移動してしまうことになる。ま
た、その結果、樹脂封入時にサスペンダがパッケージ表
面に露出したり、パッケージ自体が反るといった不具合
が生じることになる。従って、従来通りの樹脂封入技術
では、この様な不具合を回避するために樹脂封入型半導
体装置の厚みを厚くせざるを得ないことになり、樹脂封
止型半導体装置の薄型化を達成することが困難であっ
た。
リードフレームの接続にＴＡＢを用いた場合、半導体装
置の多ピン化に対応出来る一方、従来通りの樹脂封入技
術では、ＴＡＢリードを所定の位置に保持するサスペン
ダが樹脂封入時に上下に移動してしまうことになる。ま
た、その結果、樹脂封入時にサスペンダがパッケージ表
面に露出したり、パッケージ自体が反るといった不具合
が生じることになる。従って、従来通りの樹脂封入技術
では、この様な不具合を回避するために樹脂封入型半導
体装置の厚みを厚くせざるを得ないことになり、樹脂封
止型半導体装置の薄型化を達成することが困難であっ
た。
【０００４】この種の問題を解決する手段及び構成を備
えた例としては、例えば、特開平６−１７７２８３号
（以下、従来例１）に開示されている樹脂封止型半導体
装置が挙げられる。
えた例としては、例えば、特開平６−１７７２８３号
（以下、従来例１）に開示されている樹脂封止型半導体
装置が挙げられる。
【０００５】従来例１の樹脂封止型半導体装置は、図１
１に示される様に、サスペンダ１０１（サスペンダ１０
１上のＴＡＢリード１０２）からパッケージ１００表面
までの距離ａとアイランド１０３からパッケージ１００
裏面までの距離ｂとの比を１．０〜１．６とし、且つ、
アイランド１０３寸法ｃをサスペンダ１０１寸法ｄより
小くすることにより、アイランド１０３の浮き沈みを低
減しようとするものである。
１に示される様に、サスペンダ１０１（サスペンダ１０
１上のＴＡＢリード１０２）からパッケージ１００表面
までの距離ａとアイランド１０３からパッケージ１００
裏面までの距離ｂとの比を１．０〜１．６とし、且つ、
アイランド１０３寸法ｃをサスペンダ１０１寸法ｄより
小くすることにより、アイランド１０３の浮き沈みを低
減しようとするものである。
【０００６】ここで、アイランド１０３とは、リードフ
レーム１０４における半導体チップ１０５を搭載するた
めパッドを言い、サスペンダ１０１とは、ＴＡＢテープ
におけるＴＡＢリード１０２を所定の位置に保持するた
めのフィルム部分を言う。
レーム１０４における半導体チップ１０５を搭載するた
めパッドを言い、サスペンダ１０１とは、ＴＡＢテープ
におけるＴＡＢリード１０２を所定の位置に保持するた
めのフィルム部分を言う。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来例
１の樹脂封止型半導体装置は、例えば上下ゲート方式に
より樹脂封止をする際に、以下に示す様な問題点を有し
ていた。
１の樹脂封止型半導体装置は、例えば上下ゲート方式に
より樹脂封止をする際に、以下に示す様な問題点を有し
ていた。
【０００８】即ち、従来例１の樹脂封止型半導体装置に
おいて、例えば上下ゲート方式により樹脂封入を行う場
合、アイランド及びサスペンダのシフトが大きくなるこ
とになり、依然としてパッケージ表面にサスペンダが露
出してしまうといった問題が生じていた。
おいて、例えば上下ゲート方式により樹脂封入を行う場
合、アイランド及びサスペンダのシフトが大きくなるこ
とになり、依然としてパッケージ表面にサスペンダが露
出してしまうといった問題が生じていた。
【０００９】これは、アイランド寸法ｃがサスペンダ寸
法ｄより小さいことから、たとえ樹脂を半導体チップの
上下に均等に注入しようとしても、半導体チップの上下
において樹脂の流れに差が生じることになり（一般的に
は、下側において樹脂の流れが早くなる）、その結果、
半導体チップやサスペンダなどのパッケージの内部構造
物を上方へ押し上げてしまうためである。
法ｄより小さいことから、たとえ樹脂を半導体チップの
上下に均等に注入しようとしても、半導体チップの上下
において樹脂の流れに差が生じることになり（一般的に
は、下側において樹脂の流れが早くなる）、その結果、
半導体チップやサスペンダなどのパッケージの内部構造
物を上方へ押し上げてしまうためである。
【００１０】更に、従来例１の樹脂封止型半導体装置
は、当然のことながら、従来、一般的であったＴＡＢを
用いないタイプの樹脂封止型半導体装置を考慮したもの
ではなかった。即ち、通常、インナリードボンディング
に用いられるワイヤには、サスペンダに該当するものが
なく、従って、サスペンダ寸法等に基づく従来例の解決
策を適用することはできなかった。
は、当然のことながら、従来、一般的であったＴＡＢを
用いないタイプの樹脂封止型半導体装置を考慮したもの
ではなかった。即ち、通常、インナリードボンディング
に用いられるワイヤには、サスペンダに該当するものが
なく、従って、サスペンダ寸法等に基づく従来例の解決
策を適用することはできなかった。
【００１１】そこで、本発明の目的は、樹脂を半導体チ
ップの上下に均等に注入出来る様にして、樹脂封止型半
導体装置において、パッケージ表面に対するサスペンダ
の露出を低減することができる手段を提供することにあ
る。
ップの上下に均等に注入出来る様にして、樹脂封止型半
導体装置において、パッケージ表面に対するサスペンダ
の露出を低減することができる手段を提供することにあ
る。
【００１２】また、本発明の目的は、半導体チップとリ
ードフレームとの接続にワイヤボンディングを用いた場
合においても、上記課題を解決するための応用可能な手
段を提供することにある。
ードフレームとの接続にワイヤボンディングを用いた場
合においても、上記課題を解決するための応用可能な手
段を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の発明者らは、上
述した課題を解決するために、上記従来例１とは、異な
るアプローチをすることにした。即ち、従来例１の様に
パッケージ各部の寸法比に着目することで上述した問題
を解決するのではなく、本発明においては、以下に示す
様にリードフレームの形状に着目することで上述した問
題を解決することにした。また、このようなアプローチ
をすることにより、ＴＡＢの代わりにワイヤボンディン
グを行った場合においても、同様に生じ得る問題を解決
することにした。
述した課題を解決するために、上記従来例１とは、異な
るアプローチをすることにした。即ち、従来例１の様に
パッケージ各部の寸法比に着目することで上述した問題
を解決するのではなく、本発明においては、以下に示す
様にリードフレームの形状に着目することで上述した問
題を解決することにした。また、このようなアプローチ
をすることにより、ＴＡＢの代わりにワイヤボンディン
グを行った場合においても、同様に生じ得る問題を解決
することにした。
【００１４】即ち、本発明によれば、第１の樹脂封止型
半導体装置として、半導体チップを搭載するアイランド
及びこのアイランドを支持する吊りピンを含んだリード
フレームを有する樹脂封止型半導体装置において、前記
吊りピンに樹脂流入用貫通孔が設けられ、この吊りピン
及び樹脂流入用貫通孔は、アイランドに向かって次第に
幅広となっている部分が存することを特徴とする樹脂封
止型半導体装置が得られる。
半導体装置として、半導体チップを搭載するアイランド
及びこのアイランドを支持する吊りピンを含んだリード
フレームを有する樹脂封止型半導体装置において、前記
吊りピンに樹脂流入用貫通孔が設けられ、この吊りピン
及び樹脂流入用貫通孔は、アイランドに向かって次第に
幅広となっている部分が存することを特徴とする樹脂封
止型半導体装置が得られる。
【００１５】また、本発明によれば、第２の樹脂封止型
半導体装置として、半導体チップを搭載するアイランド
及びこのアイランドを支持する吊りピンを含んだリード
フレームを有する樹脂封止型半導体装置において、前記
吊りピンに樹脂流入用貫通孔が設けられ、この吊りピン
及び樹脂流入用貫通孔は、樹脂封止後にモールド縁端と
なるモールドラインに接すると共に、モールドラインよ
りアイランド側で更に幅広である部分が存することを特
徴とする樹脂封止型半導体装置が得られる。
半導体装置として、半導体チップを搭載するアイランド
及びこのアイランドを支持する吊りピンを含んだリード
フレームを有する樹脂封止型半導体装置において、前記
吊りピンに樹脂流入用貫通孔が設けられ、この吊りピン
及び樹脂流入用貫通孔は、樹脂封止後にモールド縁端と
なるモールドラインに接すると共に、モールドラインよ
りアイランド側で更に幅広である部分が存することを特
徴とする樹脂封止型半導体装置が得られる。
【００１６】また、本発明によれば、第３の樹脂封止型
半導体装置として、前記第２の樹脂封止型半導体装置に
おいて、吊りピン及び樹脂流入用貫通孔は、モールドラ
インよりアイランドに向かって次第に幅広となっている
部分が存することを特徴とする樹脂封止型半導体装置が
得られる。
半導体装置として、前記第２の樹脂封止型半導体装置に
おいて、吊りピン及び樹脂流入用貫通孔は、モールドラ
インよりアイランドに向かって次第に幅広となっている
部分が存することを特徴とする樹脂封止型半導体装置が
得られる。
【００１７】更に、本発明によれば、第４の樹脂封止型
半導体装置として、前記第１乃至第３のいずれかの樹脂
封止型半導体装置において、前記貫通孔部面積は、樹脂
封止された部分の平面面積の０．１〜１．５％であるこ
とを特徴とする樹脂封止型半導体装置が得られる。
半導体装置として、前記第１乃至第３のいずれかの樹脂
封止型半導体装置において、前記貫通孔部面積は、樹脂
封止された部分の平面面積の０．１〜１．５％であるこ
とを特徴とする樹脂封止型半導体装置が得られる。
【００１８】また、本発明によれば、第５の樹脂封止型
半導体装置として、前記第１乃至第４のいずれかの樹脂
封止型半導体装置において、半導体チップのパッド電極
とリードフレームのインナリードとを電気的に接続する
ためにＴＡＢを用いたことを特徴とする樹脂封止型半導
体装置が得られる。
半導体装置として、前記第１乃至第４のいずれかの樹脂
封止型半導体装置において、半導体チップのパッド電極
とリードフレームのインナリードとを電気的に接続する
ためにＴＡＢを用いたことを特徴とする樹脂封止型半導
体装置が得られる。
【００１９】更に本発明によれば、第６の樹脂封止型半
導体装置として、前記第１乃至第４のいずれかの樹脂封
止型半導体装置において、半導体チップのパッド電極と
リードフレームのインナリードとを電気的に接続するた
めにワイヤボンディングを用いたことを特徴とする樹脂
封止型半導体装置が得られる。
導体装置として、前記第１乃至第４のいずれかの樹脂封
止型半導体装置において、半導体チップのパッド電極と
リードフレームのインナリードとを電気的に接続するた
めにワイヤボンディングを用いたことを特徴とする樹脂
封止型半導体装置が得られる。
【００２０】また、本発明によれば、上記した樹脂封止
型半導体装置の製造方法として、以下に挙げる様々な樹
脂封止型半導体装置の製造方法が得られる。
型半導体装置の製造方法として、以下に挙げる様々な樹
脂封止型半導体装置の製造方法が得られる。
【００２１】即ち、本発明によれば、前記第１の樹脂封
止型半導体装置の製造方法として、アイランドに半導体
チップを搭載し、半導体チップのパッド電極とリードフ
レームのインナリードとを電気的に接続したリードフレ
ームを用意し、キャビティと該キャビティに樹脂を注入
するためのゲートとを備えた金型を用意し、前記ゲート
及びリードフレームの吊りピンに設けられた樹脂流入用
貫通孔を介して前記キャビティに樹脂を注入することを
特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法が得られ
る。
止型半導体装置の製造方法として、アイランドに半導体
チップを搭載し、半導体チップのパッド電極とリードフ
レームのインナリードとを電気的に接続したリードフレ
ームを用意し、キャビティと該キャビティに樹脂を注入
するためのゲートとを備えた金型を用意し、前記ゲート
及びリードフレームの吊りピンに設けられた樹脂流入用
貫通孔を介して前記キャビティに樹脂を注入することを
特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法が得られ
る。
【００２２】また、本発明によれば、前記第２又は第３
の樹脂封止型半導体装置の製造方法として、アイランド
に半導体チップを搭載し、半導体チップのパッド電極と
リードフレームのインナリードとを電気的に接続したリ
ードフレームを用意し、キャビティと該キャビティに樹
脂を注入するためのゲートとを備えた金型を用意し、前
記リードフレームの吊りピンに設けられた樹脂流入用貫
通孔が、前記ゲートを跨ぐようにリードフレームを配置
し、前記ゲート及び前記樹脂流入用貫通孔を介して前記
キャビティに樹脂を注入することを特徴とする樹脂封止
型半導体装置の製造方法が得られる。
の樹脂封止型半導体装置の製造方法として、アイランド
に半導体チップを搭載し、半導体チップのパッド電極と
リードフレームのインナリードとを電気的に接続したリ
ードフレームを用意し、キャビティと該キャビティに樹
脂を注入するためのゲートとを備えた金型を用意し、前
記リードフレームの吊りピンに設けられた樹脂流入用貫
通孔が、前記ゲートを跨ぐようにリードフレームを配置
し、前記ゲート及び前記樹脂流入用貫通孔を介して前記
キャビティに樹脂を注入することを特徴とする樹脂封止
型半導体装置の製造方法が得られる。
【００２３】また、本発明によれば、前記いずれかの樹
脂封止型半導体装置の製造方法において、前記金型は、
前記ゲートが前記半導体装置の下側及び上側の両方に存
する形状を有していることを特徴とする樹脂封止型半導
体装置の製造方法が得られる。
脂封止型半導体装置の製造方法において、前記金型は、
前記ゲートが前記半導体装置の下側及び上側の両方に存
する形状を有していることを特徴とする樹脂封止型半導
体装置の製造方法が得られる。
【００２４】更に、本発明によれば、前記いずれかの樹
脂封止型半導体装置の製造方法において、前記金型は、
前記ゲートが前記半導体装置の下側のみに存する形状を
有していることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製
造方法が得られる。
脂封止型半導体装置の製造方法において、前記金型は、
前記ゲートが前記半導体装置の下側のみに存する形状を
有していることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製
造方法が得られる。
【００２５】また、本発明によれば、前記いずれかの樹
脂封止型半導体装置の製造方法において、前記リードフ
レームの有する複数のインナリードの夫々と、前記半導
体チップの有する複数のパッド電極の夫々とを電気的に
接続するために、ＴＡＢを用いることを特徴とする樹脂
封止型半導体装置の製造方法が得られる。
脂封止型半導体装置の製造方法において、前記リードフ
レームの有する複数のインナリードの夫々と、前記半導
体チップの有する複数のパッド電極の夫々とを電気的に
接続するために、ＴＡＢを用いることを特徴とする樹脂
封止型半導体装置の製造方法が得られる。
【００２６】更に、本発明によれば、前記いずれかの樹
脂封止型半導体装置の製造方法において、前記リードフ
レームの有する複数のインナリードの夫々と、前記半導
体チップの有する複数のパッド電極の夫々とを電気的に
接続するために、ワイヤボンディングを用いることを特
徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法が得られる。
脂封止型半導体装置の製造方法において、前記リードフ
レームの有する複数のインナリードの夫々と、前記半導
体チップの有する複数のパッド電極の夫々とを電気的に
接続するために、ワイヤボンディングを用いることを特
徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法が得られる。
【００２７】尚、吊りピンに孔が設けられたリードフレ
ームを備える樹脂封止型半導体装置の例としては、特開
平６−２４４３１２号公報（従来例２）及び特開平７−
９４６５４号公報（従来例３）に開示されているものが
挙げられる。
ームを備える樹脂封止型半導体装置の例としては、特開
平６−２４４３１２号公報（従来例２）及び特開平７−
９４６５４号公報（従来例３）に開示されているものが
挙げられる。
【００２８】しかしながら、従来例２の樹脂封止型半導
体装置は、吊りピンに設けられた孔が放熱用のものであ
ることから理解される様に、吊りピンに設けられた貫通
孔を利用して樹脂封入時における樹脂の流れを制御しよ
うとする本発明の概念を含むものではない。従って、当
然のことながら、従来例２においては、吊りピンに設け
られる孔の位置及び大きさ等について言及されていな
い。
体装置は、吊りピンに設けられた孔が放熱用のものであ
ることから理解される様に、吊りピンに設けられた貫通
孔を利用して樹脂封入時における樹脂の流れを制御しよ
うとする本発明の概念を含むものではない。従って、当
然のことながら、従来例２においては、吊りピンに設け
られる孔の位置及び大きさ等について言及されていな
い。
【００２９】また、従来例３の樹脂封止型半導体装置
は、本発明と同様、吊りピンに対して樹脂流入用貫通孔
を設けている。また、該樹脂流入用貫通孔の形状及び数
に関しては、特に制限しないとしている。しかしなが
ら、従来例３において、樹脂流入用貫通孔の設けられる
吊りピンは、従来からある形状、即ち、樹脂流入用貫通
孔の設けられていない吊りピンの形状と同一の形状を有
している。また、樹脂流入用貫通孔の設けられた吊りピ
ンの強度を補償すると共に、樹脂の流れ易さを保持すべ
く、隣接するインナリードに対しても樹脂流入用貫通孔
を設けることとしている。従って、従来例３において
は、樹脂流入用貫通孔の形状等を制限していないとはい
うものの、実際には、従来からある吊りピンの面積内の
大きさ及び形状に制限されるものである。その結果、従
来例３の樹脂封止型半導体装置は、樹脂流入用貫通孔の
面積を十分に大きくとることが出来ず、サスペンダ及び
アイランドのシフトを抑えるという点において、依然と
して十分な効果が期待出来ないものであった。
は、本発明と同様、吊りピンに対して樹脂流入用貫通孔
を設けている。また、該樹脂流入用貫通孔の形状及び数
に関しては、特に制限しないとしている。しかしなが
ら、従来例３において、樹脂流入用貫通孔の設けられる
吊りピンは、従来からある形状、即ち、樹脂流入用貫通
孔の設けられていない吊りピンの形状と同一の形状を有
している。また、樹脂流入用貫通孔の設けられた吊りピ
ンの強度を補償すると共に、樹脂の流れ易さを保持すべ
く、隣接するインナリードに対しても樹脂流入用貫通孔
を設けることとしている。従って、従来例３において
は、樹脂流入用貫通孔の形状等を制限していないとはい
うものの、実際には、従来からある吊りピンの面積内の
大きさ及び形状に制限されるものである。その結果、従
来例３の樹脂封止型半導体装置は、樹脂流入用貫通孔の
面積を十分に大きくとることが出来ず、サスペンダ及び
アイランドのシフトを抑えるという点において、依然と
して十分な効果が期待出来ないものであった。
【００３０】それに対して、本発明によれば、樹脂流入
用貫通孔の設けられる吊りピンの形状として以下に示す
様な形状を有するリードフレームを備えた樹脂封止型半
導体装置が得られる。即ち、該吊りピンの形状は、樹脂
流入用貫通孔の設けられない吊りピンと比較して大きな
外周面積を有し、樹脂封止後に樹脂モールド縁端となる
モールドラインに関し、該モールドラインよりアイラン
ド側において、少なくとも２つ以上に分岐する部分を有
するものである。また、該分岐する部分は、樹脂流入用
貫通孔の一部を形成するものであり、一つ以上であれば
良い。更に、樹脂流入用貫通孔は、該吊りピンの形状に
対応して出来るだけ大きな面積を有する様にして、決定
された形状を備えていれば良い。このような形状を有す
るリードフレームを備えた樹脂封止型半導体装置におい
ては、従来例３と比較して、樹脂流入用貫通孔の面積を
十分に大きくとることができる。
用貫通孔の設けられる吊りピンの形状として以下に示す
様な形状を有するリードフレームを備えた樹脂封止型半
導体装置が得られる。即ち、該吊りピンの形状は、樹脂
流入用貫通孔の設けられない吊りピンと比較して大きな
外周面積を有し、樹脂封止後に樹脂モールド縁端となる
モールドラインに関し、該モールドラインよりアイラン
ド側において、少なくとも２つ以上に分岐する部分を有
するものである。また、該分岐する部分は、樹脂流入用
貫通孔の一部を形成するものであり、一つ以上であれば
良い。更に、樹脂流入用貫通孔は、該吊りピンの形状に
対応して出来るだけ大きな面積を有する様にして、決定
された形状を備えていれば良い。このような形状を有す
るリードフレームを備えた樹脂封止型半導体装置におい
ては、従来例３と比較して、樹脂流入用貫通孔の面積を
十分に大きくとることができる。
【００３１】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を図
面を参照して説明する。
面を参照して説明する。
【００３２】本実施の形態の樹脂封止型半導体装置は、
図１に示される様な構成のリードフレームを備えてい
る。
図１に示される様な構成のリードフレームを備えてい
る。
【００３３】即ち、本実施の形態におけるリードフレー
ム１０は、半導体チップとリードフレームとの接続にＴ
ＡＢを用いた樹脂封止型半導体装置に用いられるもので
あって、アイランド１１と、４つの吊りピン１２、１３
と、インナリード１４とを備えている。
ム１０は、半導体チップとリードフレームとの接続にＴ
ＡＢを用いた樹脂封止型半導体装置に用いられるもので
あって、アイランド１１と、４つの吊りピン１２、１３
と、インナリード１４とを備えている。
【００３４】更に詳しくは、アイランド１１は、半導体
チップを搭載するためのものである。また、４つの吊り
ピン１２、１３は、アイランド１１を所定の位置に保持
するために、アイランド１１の４つの角の夫々に接続さ
れている（４つの角から夫々延設されている）ものであ
る。また、インナリード１４は、アイランド１１に搭載
される半導体チップの電極と電気的に接続されるもので
あり、樹脂封止後においてはパッケージ外部にその一部
を引き出されるものである。
チップを搭載するためのものである。また、４つの吊り
ピン１２、１３は、アイランド１１を所定の位置に保持
するために、アイランド１１の４つの角の夫々に接続さ
れている（４つの角から夫々延設されている）ものであ
る。また、インナリード１４は、アイランド１１に搭載
される半導体チップの電極と電気的に接続されるもので
あり、樹脂封止後においてはパッケージ外部にその一部
を引き出されるものである。
【００３５】ここで、本実施の形態の第１の特徴は、４
つの吊りピンの内の１つである、吊りピン１２が、図１
に示される様に、他の３つの吊りピン１３と比較して大
きな外周面積（全体幅）を有し、更に、異なる形状を有
している点である。即ち、吊りピン１２の一端は、アイ
ランド１１の１つの角からモールドライン１６に対して
延設されている。また、吊りピン１２のアイランド１１
から延設された部分は、モールドライン１６よりもアイ
ランド１１側において２つに分岐している。更に、吊り
ピン１２の分岐した２つの部分は、アイランド１１から
見てモールドライン１６よりも外側において、再び１つ
に合流している。また、別の見方をすれば、吊りピン１
２は、モールドライン１６からみて、アイランド１１側
に向かって次第に幅広になるような形状を有している。
つの吊りピンの内の１つである、吊りピン１２が、図１
に示される様に、他の３つの吊りピン１３と比較して大
きな外周面積（全体幅）を有し、更に、異なる形状を有
している点である。即ち、吊りピン１２の一端は、アイ
ランド１１の１つの角からモールドライン１６に対して
延設されている。また、吊りピン１２のアイランド１１
から延設された部分は、モールドライン１６よりもアイ
ランド１１側において２つに分岐している。更に、吊り
ピン１２の分岐した２つの部分は、アイランド１１から
見てモールドライン１６よりも外側において、再び１つ
に合流している。また、別の見方をすれば、吊りピン１
２は、モールドライン１６からみて、アイランド１１側
に向かって次第に幅広になるような形状を有している。
【００３６】尚、モールドライン１６とは、樹脂封入後
において、樹脂モールド縁端となる線である。また、吊
りピン１２の外周面積（全体幅）とは、アイランド１１
から延設された部分の面積と、更に、分岐・合流した部
分により囲まれた部分の面積との和の面積である。別の
表現では、吊りピン１２の外周面積とは、吊りピン１２
の実際にアイランドを支持する部分の面積と、樹脂流入
用貫通孔の一部分の面積との和の面積である。
において、樹脂モールド縁端となる線である。また、吊
りピン１２の外周面積（全体幅）とは、アイランド１１
から延設された部分の面積と、更に、分岐・合流した部
分により囲まれた部分の面積との和の面積である。別の
表現では、吊りピン１２の外周面積とは、吊りピン１２
の実際にアイランドを支持する部分の面積と、樹脂流入
用貫通孔の一部分の面積との和の面積である。
【００３７】また、本実施の形態の第２の特徴は、吊り
ピン１２に対して、樹脂封入時において樹脂流れを半導
体チップの上下に流れやすくするための樹脂流入用貫通
孔１５を備えている点である。この、樹脂流入用貫通孔
１５は、吊りピン１２における上記分岐・合流した部分
により囲まれる様にして形成されている貫通孔である。
また、樹脂流入用貫通孔１５は、吊りピン１２と同様
に、モールドライン１６からアイランド１１側に向かっ
て次第に幅広になるような形状を有している。更に、樹
脂流入用貫通孔１５は、モールドライン１６にまたがる
様な形状を有している。また樹脂流入用貫通孔１５は、
モールドライン１６よりアイランド１１側に存する部分
である内側貫通孔部１５ａの面積（内側貫通孔部面積）
が、アイランド１１からみてモールドライン１６より外
側に存する部分である外側貫通部１５ｂの面積（外側貫
通孔部面積）よりも大きい様な形状を有する貫通孔であ
る。従って、以下に示す製造工程から理解される様に、
完成後の樹脂封止型半導体装置において、吊りピン１２
及び樹脂流入用貫通孔１５は、モールドライン１６に接
することになる。更に、樹脂流入用貫通孔１５は、内側
貫通孔部面積が、樹脂封止後のパッケージ（樹脂封止型
半導体装置）において樹脂封止される部分の平面面積の
０．１〜１．５％となるようにして設けられている。
ピン１２に対して、樹脂封入時において樹脂流れを半導
体チップの上下に流れやすくするための樹脂流入用貫通
孔１５を備えている点である。この、樹脂流入用貫通孔
１５は、吊りピン１２における上記分岐・合流した部分
により囲まれる様にして形成されている貫通孔である。
また、樹脂流入用貫通孔１５は、吊りピン１２と同様
に、モールドライン１６からアイランド１１側に向かっ
て次第に幅広になるような形状を有している。更に、樹
脂流入用貫通孔１５は、モールドライン１６にまたがる
様な形状を有している。また樹脂流入用貫通孔１５は、
モールドライン１６よりアイランド１１側に存する部分
である内側貫通孔部１５ａの面積（内側貫通孔部面積）
が、アイランド１１からみてモールドライン１６より外
側に存する部分である外側貫通部１５ｂの面積（外側貫
通孔部面積）よりも大きい様な形状を有する貫通孔であ
る。従って、以下に示す製造工程から理解される様に、
完成後の樹脂封止型半導体装置において、吊りピン１２
及び樹脂流入用貫通孔１５は、モールドライン１６に接
することになる。更に、樹脂流入用貫通孔１５は、内側
貫通孔部面積が、樹脂封止後のパッケージ（樹脂封止型
半導体装置）において樹脂封止される部分の平面面積の
０．１〜１．５％となるようにして設けられている。
【００３８】以下に、本実施の形態のリードフレーム１
０を用いて樹脂封止型半導体装置を製造するまでの工程
について、図２乃至図１０を用いて説明する。
０を用いて樹脂封止型半導体装置を製造するまでの工程
について、図２乃至図１０を用いて説明する。
【００３９】まず、図２及び図３に示される様に、ＴＡ
Ｂテープ２０に半導体チップ３１を接続する。
Ｂテープ２０に半導体チップ３１を接続する。
【００４０】更に詳しくは、ＴＡＢテープ２０は、絶縁
フィルム２１に、半導体チップ３１を囲むような形状を
有するデバイスホール２２と、アウターリードホール２
３と、スプロケットホール２４の３種類の孔をパンチン
グにより形成し、次に、該絶縁フィルム２１に対して金
属膜を接着剤にて貼り合わせ、その後、レジスト・パタ
ーニング工程等を経て、アウタリード２５、インナリー
ド２６、テストパッド２７を形成してなるものである。
フィルム２１に、半導体チップ３１を囲むような形状を
有するデバイスホール２２と、アウターリードホール２
３と、スプロケットホール２４の３種類の孔をパンチン
グにより形成し、次に、該絶縁フィルム２１に対して金
属膜を接着剤にて貼り合わせ、その後、レジスト・パタ
ーニング工程等を経て、アウタリード２５、インナリー
ド２６、テストパッド２７を形成してなるものである。
【００４１】ここで、絶縁フィルム２１の材料等として
は、例えば、ポリイミド等が挙げられ、金属膜として
は、例えば銅泊等が挙げられる。また、スプロケットホ
ール２４は、コマ送り孔とも呼ばれるものであり、量産
工程において、ＴＡＢテープ２０を現工程から次工程に
送るためのものである。テストパッド２７は、ＴＡＢテ
ープ２０に対して半導体チップ３１を取り付けた状態に
おいて、インナリード２６と半導体チップ３１の電極と
が電気的に接続されているかどうかをテストするための
電極である。また、絶縁フィルム２１の内、特にインナ
リード２６の下の部分は、サスペンダ２８と呼ばれるも
のであり、このサスペンダ２８は、インナリード２６を
所定の位置及び間隔に保持するためのものである。
は、例えば、ポリイミド等が挙げられ、金属膜として
は、例えば銅泊等が挙げられる。また、スプロケットホ
ール２４は、コマ送り孔とも呼ばれるものであり、量産
工程において、ＴＡＢテープ２０を現工程から次工程に
送るためのものである。テストパッド２７は、ＴＡＢテ
ープ２０に対して半導体チップ３１を取り付けた状態に
おいて、インナリード２６と半導体チップ３１の電極と
が電気的に接続されているかどうかをテストするための
電極である。また、絶縁フィルム２１の内、特にインナ
リード２６の下の部分は、サスペンダ２８と呼ばれるも
のであり、このサスペンダ２８は、インナリード２６を
所定の位置及び間隔に保持するためのものである。
【００４２】このような構成を備えるＴＡＢテープ２０
のインナリード２６と、半導体チップ３１のパッド電極
とをＡｕバンプ２９を用いて接続する。
のインナリード２６と、半導体チップ３１のパッド電極
とをＡｕバンプ２９を用いて接続する。
【００４３】次に、インナリード２６と半導体チップ３
１の電極とがＡｕバンプ２９により接続された後、図４
及び図５に示される様に、ＴＡＢテープ２０のアウタリ
ードホール２３の位置で絶縁フィルム２１を切断して、
インナーユニット３０を形成する。この状態では、絶縁
フィルム２１の内、前述のサスペンダ２８のみが残るこ
とになり、また、アウタリード２５が該サスペンダ２８
よりも外部に存することになる。
１の電極とがＡｕバンプ２９により接続された後、図４
及び図５に示される様に、ＴＡＢテープ２０のアウタリ
ードホール２３の位置で絶縁フィルム２１を切断して、
インナーユニット３０を形成する。この状態では、絶縁
フィルム２１の内、前述のサスペンダ２８のみが残るこ
とになり、また、アウタリード２５が該サスペンダ２８
よりも外部に存することになる。
【００４４】次に、図６及び図７に示される様に、本実
施の形態のリードフレーム１０のインナリード１４と、
インナーユニット３０のアウタリード２５とをボンディ
ングツール４１を用いて接続することにより、半導体チ
ップの搭載されたリードフレーム４０を形成する。
施の形態のリードフレーム１０のインナリード１４と、
インナーユニット３０のアウタリード２５とをボンディ
ングツール４１を用いて接続することにより、半導体チ
ップの搭載されたリードフレーム４０を形成する。
【００４５】この半導体チップの搭載されたリードフレ
ーム４０を、図８及び図９に示される様に、従来ＱＦＰ
等に用いられている金型５１のキャビティ５２に配置し
て、金型５１における樹脂封入口であるゲートからキャ
ビティ５２内部に樹脂を封入する。ここで、本実施の形
態において、金型５１は、図８に示される様に従来下ゲ
ート方式に用いられていたものであっても、図９に示さ
れる様に従来上下ゲート方式にて用いられていたもので
あっても良い。但し、樹脂流入用貫通孔１５を有する吊
りピン１２が最もゲートよりに位置するようにして、本
実施の形態における半導体チップの搭載されたリードフ
レーム４０をキャビティ内部に配置する。このような状
態で樹脂を封入すると、図９に示される上下ゲート方式
においては勿論のこと、図８に示される様に下ゲート方
式用の金型５１を用いた場合であっても、樹脂封入時に
おいて、従来例３と比較して大きな面積を有する樹脂流
入用貫通孔１５から、半導体チップ３１の上方へ対して
も、樹脂がスムーズに流れることになる。即ち、本実施
の形態のリードフレーム１０の有する樹脂流入用貫通孔
１５は、ゲートと同様の働きをすることになる。従っ
て、本実施の形態においては、下側のゲート５３と上側
のゲート５４とに対して、樹脂流入用貫通孔１４を中ゲ
ートと定義することとし、それに伴って、従来の下ゲー
ト方式用の金型５１を用いた樹脂封止方式を下中ゲート
方式と呼ぶこととする。
ーム４０を、図８及び図９に示される様に、従来ＱＦＰ
等に用いられている金型５１のキャビティ５２に配置し
て、金型５１における樹脂封入口であるゲートからキャ
ビティ５２内部に樹脂を封入する。ここで、本実施の形
態において、金型５１は、図８に示される様に従来下ゲ
ート方式に用いられていたものであっても、図９に示さ
れる様に従来上下ゲート方式にて用いられていたもので
あっても良い。但し、樹脂流入用貫通孔１５を有する吊
りピン１２が最もゲートよりに位置するようにして、本
実施の形態における半導体チップの搭載されたリードフ
レーム４０をキャビティ内部に配置する。このような状
態で樹脂を封入すると、図９に示される上下ゲート方式
においては勿論のこと、図８に示される様に下ゲート方
式用の金型５１を用いた場合であっても、樹脂封入時に
おいて、従来例３と比較して大きな面積を有する樹脂流
入用貫通孔１５から、半導体チップ３１の上方へ対して
も、樹脂がスムーズに流れることになる。即ち、本実施
の形態のリードフレーム１０の有する樹脂流入用貫通孔
１５は、ゲートと同様の働きをすることになる。従っ
て、本実施の形態においては、下側のゲート５３と上側
のゲート５４とに対して、樹脂流入用貫通孔１４を中ゲ
ートと定義することとし、それに伴って、従来の下ゲー
ト方式用の金型５１を用いた樹脂封止方式を下中ゲート
方式と呼ぶこととする。
【００４６】このようにして、半導体チップの搭載され
たリードフレーム４０を樹脂６１にて封止することによ
り、図１０に示される様なパッケージ（樹脂封止型半導
体装置）が得られる。
たリードフレーム４０を樹脂６１にて封止することによ
り、図１０に示される様なパッケージ（樹脂封止型半導
体装置）が得られる。
【００４７】尚、本実施の形態においては、一つの吊り
ピン１２にのみ樹脂流入用貫通孔１５が形成された例を
挙げて説明してきたが、樹脂流入用貫通孔１５は他の吊
りピンに形成されていても良く、本実施の形態に制限さ
れるものではない。
ピン１２にのみ樹脂流入用貫通孔１５が形成された例を
挙げて説明してきたが、樹脂流入用貫通孔１５は他の吊
りピンに形成されていても良く、本実施の形態に制限さ
れるものではない。
【００４８】また、吊りピン１２は、モールドライン１
６よりアイランド１１側において、２つに分岐した部分
を有するものとして説明してきたが、３つ以上に分岐し
た部分を有する様な形状としても良い。更に、吊りピン
１２は、１つの分岐した部分を有するものとして説明し
てきたが、２つ以上の分岐した部分を有するものとして
も良い。
６よりアイランド１１側において、２つに分岐した部分
を有するものとして説明してきたが、３つ以上に分岐し
た部分を有する様な形状としても良い。更に、吊りピン
１２は、１つの分岐した部分を有するものとして説明し
てきたが、２つ以上の分岐した部分を有するものとして
も良い。
【００４９】また、樹脂流入用貫通孔１５は、モールド
ライン１６からアイランド１１側に向かって次第に幅広
になるような形状を有するものとして説明してきたが、
どのような形状であっても良い。しかしながら、樹脂の
流れ易さを確保する観点から、樹脂流入用貫通孔１５
は、出来るだけ大きな面積を有する様にして、その形状
が決定されることが望ましい。
ライン１６からアイランド１１側に向かって次第に幅広
になるような形状を有するものとして説明してきたが、
どのような形状であっても良い。しかしながら、樹脂の
流れ易さを確保する観点から、樹脂流入用貫通孔１５
は、出来るだけ大きな面積を有する様にして、その形状
が決定されることが望ましい。
【００５０】また、本実施の形態においては、リードフ
レーム１０が４つの吊りピンを備えているものとして説
明してきたが、リードフレーム１０が４つ以外（例え
ば、３つや５つ）の吊りピンを備えているものとしても
良く、本実施の形態に制限されるものではない。
レーム１０が４つの吊りピンを備えているものとして説
明してきたが、リードフレーム１０が４つ以外（例え
ば、３つや５つ）の吊りピンを備えているものとしても
良く、本実施の形態に制限されるものではない。
【００５１】更に、本実施の形態においては、内側貫通
孔部面積が樹脂封止後のパッケージにおいて樹脂封止さ
れた部分の平面面積の０．１〜１．５％であるような樹
脂封止型半導体装置を用いて説明してきたが、他の条
件、即ち、内側貫通孔部面積が外側貫通孔部面積よりも
大きいなどの条件を満たしているリードフレームを用い
た樹脂封止型半導体装置を前提としたものである。
孔部面積が樹脂封止後のパッケージにおいて樹脂封止さ
れた部分の平面面積の０．１〜１．５％であるような樹
脂封止型半導体装置を用いて説明してきたが、他の条
件、即ち、内側貫通孔部面積が外側貫通孔部面積よりも
大きいなどの条件を満たしているリードフレームを用い
た樹脂封止型半導体装置を前提としたものである。
【００５２】また、本実施の形態においては、リードフ
レーム１０のインナリード１４と、半導体チップ３１の
パッド電極とを接続するために、ＴＡＢを用いた例を挙
げて説明してきたが、ワイヤボンディングを用いた場合
にも同様にして適用できることはいうまでもない。その
場合、半導体チップがアイランドに搭載された状態で、
例えばＡｕやＡｌ等からなるワイヤで半導体チップのパ
ッド電極とリードフレームのインナリードとを接続する
ことになる。本実施の形態の有する概念は、ＴＡＢによ
る接続の代わりにワイヤボンディングを用いた接続の場
合に適用すると、ワイヤが樹脂表面に露出するなどの問
題を解決できるため、樹脂封止型半導体装置の薄型化に
貢献することができる。
レーム１０のインナリード１４と、半導体チップ３１の
パッド電極とを接続するために、ＴＡＢを用いた例を挙
げて説明してきたが、ワイヤボンディングを用いた場合
にも同様にして適用できることはいうまでもない。その
場合、半導体チップがアイランドに搭載された状態で、
例えばＡｕやＡｌ等からなるワイヤで半導体チップのパ
ッド電極とリードフレームのインナリードとを接続する
ことになる。本実施の形態の有する概念は、ＴＡＢによ
る接続の代わりにワイヤボンディングを用いた接続の場
合に適用すると、ワイヤが樹脂表面に露出するなどの問
題を解決できるため、樹脂封止型半導体装置の薄型化に
貢献することができる。
【００５３】
【発明の効果】以上説明してきた様に、本発明のリード
フレームは、少なくとも吊りピンの一つは、他の吊りピ
ンと比較して大きな外周面積（全体幅）を有し、更に、
該大きな外周面積（全体幅）を有する吊りピンに対し
て、従来例３と比較しても、大きな面積を有する樹脂流
入用貫通孔を備えていることから、実質的にゲートの大
きさを大きくすることになり、吊りピンの強度を保持し
たまま、樹脂封入時において、半導体チップの上下に樹
脂がスムーズに流れることになり、アイランドやサスペ
ンダのシフトを低減することができるため、従来困難で
あった樹脂封止型半導体装置の薄型化に貢献することが
出来る。尚、吊りピン及び樹脂流入用貫通孔をアイラン
ドに向かって次第に幅広とすることにより、リードフレ
ームのインナリードのレイアウトへの影響を少なくで
き、設計のし易さを維持できる。
フレームは、少なくとも吊りピンの一つは、他の吊りピ
ンと比較して大きな外周面積（全体幅）を有し、更に、
該大きな外周面積（全体幅）を有する吊りピンに対し
て、従来例３と比較しても、大きな面積を有する樹脂流
入用貫通孔を備えていることから、実質的にゲートの大
きさを大きくすることになり、吊りピンの強度を保持し
たまま、樹脂封入時において、半導体チップの上下に樹
脂がスムーズに流れることになり、アイランドやサスペ
ンダのシフトを低減することができるため、従来困難で
あった樹脂封止型半導体装置の薄型化に貢献することが
出来る。尚、吊りピン及び樹脂流入用貫通孔をアイラン
ドに向かって次第に幅広とすることにより、リードフレ
ームのインナリードのレイアウトへの影響を少なくで
き、設計のし易さを維持できる。
【００５４】また、本発明のリードフレームは、ワイヤ
に対しても同様の問題を解決することができる
に対しても同様の問題を解決することができる
【図１】本発明の実施の形態における樹脂封止型半導体
装置のリードフレームの形状を示す平面図である。
装置のリードフレームの形状を示す平面図である。
【図２】本発明の実施の形態においてＴＡＢテープと半
導体チップとを接続した状態を示す平面図である。
導体チップとを接続した状態を示す平面図である。
【図３】図２における断面図である。
【図４】ＴＡＢテープをアウタリードホールの位置で切
り取った後の状態を示す平面図である。
り取った後の状態を示す平面図である。
【図５】図４における断面図である。
【図６】ＴＡＢテープのアウタリードとリードフレーム
のインナリードとを接続した後の状態を示す平面図であ
る。
のインナリードとを接続した後の状態を示す平面図であ
る。
【図７】図６における断面図である。
【図８】下中ゲート方式による樹脂封入を示す概略断面
図である。
図である。
【図９】上下ゲート方式による樹脂封入を示す概略断面
図である。
図である。
【図１０】樹脂封止後のパッケージを示す概略断面図で
ある。
ある。
【図１１】従来例１の樹脂封止型半導体装置の構造を示
す断面図である。
す断面図である。
１０ リードフレーム １１ アイランド １２ 吊りピン（樹脂流入用貫通孔の設けられた
吊りピン） １３ 吊りピン １４ インナリード １５ 樹脂流入用貫通孔 １５ａ 内側貫通孔部 １５ｂ 外側貫通孔部 １６ モールドライン ２０ ＴＡＢテープ ２１ 絶縁フィルム ２２ デバイスホール ２３ アウタリードホール ２４ スプロケットホール ２５ アウタリード ２６ インナリード ２７ テストパッド ２８ サスペンダ ３０ インナユニット ３１ 半導体チップ ４０ 半導体チップの搭載されたリードフレーム ４１ ボンディングツール ５１ 金型 ５２ キャビティ ５３ 下側のゲート ５４ 上側のゲート ６１ 樹脂
吊りピン） １３ 吊りピン １４ インナリード １５ 樹脂流入用貫通孔 １５ａ 内側貫通孔部 １５ｂ 外側貫通孔部 １６ モールドライン ２０ ＴＡＢテープ ２１ 絶縁フィルム ２２ デバイスホール ２３ アウタリードホール ２４ スプロケットホール ２５ アウタリード ２６ インナリード ２７ テストパッド ２８ サスペンダ ３０ インナユニット ３１ 半導体チップ ４０ 半導体チップの搭載されたリードフレーム ４１ ボンディングツール ５１ 金型 ５２ キャビティ ５３ 下側のゲート ５４ 上側のゲート ６１ 樹脂
Claims (15)
- 【請求項１】 半導体チップを搭載するアイランド及び
このアイランドを支持する吊りピンを含んだリードフレ
ームを有する樹脂封止型半導体装置において、 前記吊りピンには、樹脂流入用貫通孔が設けられてお
り、 当該樹脂流入用貫通孔は、樹脂封止後にモールド縁端と
なるモールドラインに跨るような形状を有しており、且
つ、 当該樹脂流入用貫通孔の内、前記モールドラインより前
記アイランド側に存する部分の面積である内側貫通孔部
面積が、前記アイランドからみて前記モールドラインよ
り外側に存する部分の面積である外側貫通孔部面積より
も大きいことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置
において、 前記吊りピン及び前記樹脂流入用貫通孔は、前記アイラ
ンド側に向かって次第に幅広となっている部分を有する
ことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項３】 請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置
において、 前記吊りピン及び前記樹脂流入用貫通孔は、前記モール
ドラインよりアイランド側で更に幅広である部分を有す
ることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項４】 請求項３に記載の樹脂封止型半導体装置
において、 前記吊りピン及び前記樹脂流入用貫通孔は、前記モール
ドラインより前記アイランド側に向かって次第に幅広と
なっている部分を有することを特徴とする樹脂封止型半
導体装置。 - 【請求項５】 請求項１乃至請求項４のいずれかに記載
の樹脂封止型半導体装置において、 前記内側貫通孔部面積は、樹脂封止後の当該半導体装置
において樹脂封止される部分の平面面積の０．１〜１．
５％であることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項６】 請求項１乃至請求項５のいずれかに記載
の樹脂封止型半導体装置において、 前記半導体チップのパッド電極と前記リードフレームの
インナリードとを電気的に接続するためにＴＡＢを用い
たことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項７】 請求項１乃至請求項５のいずれかに記載
の樹脂封止型半導体装置において、 前記半導体チップのパッド電極と前記リードフレームの
インナリードとを電気的に接続するためにワイヤボンデ
ィングを用いたことを特徴とする樹脂封止型半導体装
置。 - 【請求項８】 半導体チップを搭載するアイランド及び
このアイランドを支持する吊りピンを含んだリードフレ
ームであって、前記吊りピンには樹脂流入用貫通孔が設
けられ、当該樹脂流入用貫通孔が樹脂封止後にモールド
縁端となるモールドラインに跨るような形状を有し、且
つ、当該樹脂流入用貫通孔の内の前記モールドラインよ
り前記アイランド側に存する部分の面積である内側貫通
孔部面積が前記アイランドからみて前記モールドライン
より外側に存する部分の面積である外側貫通孔部面積よ
りも大きく、更には、前記吊りピン及び樹脂流入用貫通
孔が前記アイランド側に向かって次第に幅広となってい
る部分を有するようなリードフレームを用意し、 前記アイランドに前記半導体チップを搭載し、且つ、前
記半導体チップのパッド電極と前記リードフレームのイ
ンナリードとを電気的に接続して半導体チップの搭載さ
れたリードフレームを形成し、 キャビティと該キャビティに樹脂を注入するためのゲー
トとを備えた金型を用意し、 前記半導体チップの搭載されたリードフレームを前記金
型のキャビティに配置し、 前記ゲート及び前記リードフレームの吊りピンに設けら
れた前記樹脂流入用貫通孔を介して前記キャビティに樹
脂を注入することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の
製造方法。 - 【請求項９】 半導体チップを搭載するアイランド及び
このアイランドを支持する吊りピンを含んだリードフレ
ームであって、前記吊りピンには樹脂流入用貫通孔が設
けられ、当該樹脂流入用貫通孔が樹脂封止後にモールド
縁端となるモールドラインに跨るような形状を有し、且
つ、当該樹脂流入用貫通孔の内、前記モールドラインよ
り前記アイランド側に存する部分の面積である内側貫通
孔部面積が前記アイランドからみて前記モールドライン
より外側に存する部分の面積である外側貫通孔部面積よ
りも大きく、更には、前記吊りピン及び前記樹脂流入用
貫通孔が前記モールドラインよりアイランド側で更に幅
広である部分を有するようなリードフレームを用意し、 前記アイランドに前記半導体チップを搭載し、且つ、前
記半導体チップのパッド電極と前記リードフレームのイ
ンナリードとを電気的に接続して半導体チップの搭載さ
れたリードフレームを形成し、 キャビティと該キャビティに樹脂を注入するためのゲー
トとを備えた金型を用意し、 前記リードフレームの吊りピンに設けられた前記樹脂流
入用貫通孔が、前記ゲートを跨ぐようにして、前記半導
体チップの搭載されたリードフレームを前記金型のキャ
ビティに配置し、 前記ゲート及び前記樹脂流入用貫通孔を介して前記キャ
ビティに樹脂を注入することを特徴とする樹脂封止型半
導体装置の製造方法。 - 【請求項１０】 半導体チップを搭載するアイランド及
びこのアイランドを支持する吊りピンを含んだリードフ
レームであって、前記吊りピンには樹脂流入用貫通孔が
設けられ、当該樹脂流入用貫通孔が樹脂封止後にモール
ド縁端となるモールドラインに跨るような形状を有し、
且つ、当該樹脂流入用貫通孔の内、前記モールドライン
より前記アイランド側に存する部分の面積である内側貫
通孔部面積が前記アイランドからみて前記モールドライ
ンより外側に存する部分の面積である外側貫通孔部面積
よりも大きく、更には、前記吊りピン及び前記樹脂流入
用貫通孔が前記モールドラインよりアイランド側で更に
幅広である部分を有すると共に前記モールドラインより
前記アイランド側に向かって次第に幅広となっている部
分を有するようなリードフレームを用意し、 前記アイランドに前記半導体チップを搭載し、且つ、前
記半導体チップのパッド電極と前記リードフレームのイ
ンナリードとを電気的に接続して半導体チップの搭載さ
れたリードフレームを形成し、 キャビティと該キャビティに樹脂を注入するためのゲー
トとを備えた金型を用意し、 前記リードフレームの吊りピンに設けられた前記樹脂流
入用貫通孔が、前記ゲートを跨ぐようにして、前記半導
体チップの搭載されたリードフレームを前記金型のキャ
ビティに配置し、 前記ゲート及び前記樹脂流入用貫通孔を介して前記キャ
ビティに樹脂を注入することを特徴とする樹脂封止型半
導体装置の製造方法。 - 【請求項１１】 請求項８乃至請求項１０のいずれかに
記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、 前記金型は、前記ゲートが前記半導体装置の下側及び上
側の両方に存する形状を有していることを特徴とする樹
脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項１２】 請求項８乃至請求項１０のいずれかに
記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、 前記金型は、前記ゲートが前記半導体装置の下側のみに
存する形状を有していることを特徴とする樹脂封止型半
導体装置の製造方法。 - 【請求項１３】 請求項８乃至請求項１０のいずれかに
記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、 前記半導体チップのパッド電極と前記リードフレームの
インナリードとを電気的に接続するためにＴＡＢを用い
たことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項１４】 請求項８乃至請求項１０のいずれかに
記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、 前記半導体チップのパッド電極と前記リードフレームの
インナリードとを電気的に接続するためにワイヤボンデ
ィングを用いたことを特徴とする樹脂封止型半導体装置
の製造方法。 - 【請求項１５】 半導体チップの有する複数のパッド電
極の夫々と、リードフレームの有する複数のインナリー
ドの夫々とが電気的に接続され、全体的に樹脂封止され
てなる樹脂封止型半導体装置であって、該リードフレー
ムは、前記半導体チップを搭載するためのアイランド
と、該アイランドを所定の位置に保持するための複数の
吊りピンとを備えている樹脂封止型半導体装置におい
て、 前記リードフレームは、前記吊りピンの内の少なくとも
一つに樹脂流入用貫通孔を有し、 前記樹脂流入用貫通孔を有する前記吊りピンは、前記樹
脂流入用貫通孔を有しない前記吊りピンと比較して大き
な外周面積を有し、樹脂封止後に樹脂モールド縁端とな
るモールドラインに関し、該モールドラインより前記ア
イランド側において、少なくとも二つ以上に分岐する部
分を少なくとも一つ有する様な形状を備え、 該少なくとも二つ以上に分岐する部分は、前記樹脂流入
用貫通孔の一部をなしており、 当該樹脂流入用貫通孔の内、前記モールドラインより前
記アイランド側に存する部分の面積である内側貫通孔部
面積は、前記アイランドからみて前記モールドラインよ
り外側に存する部分の面積である外側貫通孔部面積より
も大きいことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8349402A JP2924957B2 (ja) | 1996-12-27 | 1996-12-27 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8349402A JP2924957B2 (ja) | 1996-12-27 | 1996-12-27 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10189856A JPH10189856A (ja) | 1998-07-21 |
| JP2924957B2 true JP2924957B2 (ja) | 1999-07-26 |
Family
ID=18403513
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8349402A Expired - Fee Related JP2924957B2 (ja) | 1996-12-27 | 1996-12-27 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2924957B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4611503B2 (ja) * | 2000-09-27 | 2011-01-12 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
| WO2007142033A1 (ja) | 2006-06-02 | 2007-12-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 多層セラミック電子部品およびその製造方法 |
-
1996
- 1996-12-27 JP JP8349402A patent/JP2924957B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10189856A (ja) | 1998-07-21 |
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