JPH05326799A - 半導体装置用リードフレーム及びこれを用いた半導体チップの樹脂封止方法 - Google Patents
半導体装置用リードフレーム及びこれを用いた半導体チップの樹脂封止方法Info
- Publication number
- JPH05326799A JPH05326799A JP13234092A JP13234092A JPH05326799A JP H05326799 A JPH05326799 A JP H05326799A JP 13234092 A JP13234092 A JP 13234092A JP 13234092 A JP13234092 A JP 13234092A JP H05326799 A JPH05326799 A JP H05326799A
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- Japan
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- lead frame
- semiconductor device
- resin
- air vent
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】リードフレームの構造に工夫を凝らすことでボ
イドの発生を抑制することを目的とする。 【構成】複数のインナーリード３と、それらのインナー
リード３と対応し、タイバー６Ａを介して配列されたア
ウターリード４などからなるリードフレーム１Ａの、前
記タイバー６Ａの一部にエアーベントを形成し、前記リ
ードフレーム１Ａに搭載した半導体チップを樹脂封止す
る際、成形金型のキャビティ１２、２２内の空気を前記
エアーベントから排気するようにしている。 【効果】成形金型にエアーベントの加工を施す必要がな
く、また成形金型に樹脂バリが付着することもないの
で、半導体装置の製造コストを低減でき、また高品質の
半導体装置を得ることがでる。
イドの発生を抑制することを目的とする。 【構成】複数のインナーリード３と、それらのインナー
リード３と対応し、タイバー６Ａを介して配列されたア
ウターリード４などからなるリードフレーム１Ａの、前
記タイバー６Ａの一部にエアーベントを形成し、前記リ
ードフレーム１Ａに搭載した半導体チップを樹脂封止す
る際、成形金型のキャビティ１２、２２内の空気を前記
エアーベントから排気するようにしている。 【効果】成形金型にエアーベントの加工を施す必要がな
く、また成形金型に樹脂バリが付着することもないの
で、半導体装置の製造コストを低減でき、また高品質の
半導体装置を得ることがでる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、樹脂封止型半導体装
置に用いて好適な半導体装置用リードフレームに関する
ものである。
置に用いて好適な半導体装置用リードフレームに関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】図５乃至図７を用いて、従来技術の半導
体装置用リードフレームを説明する。図５は従来技術の
半導体装置用リードフレーム（以下、単に「リードフレ
ーム」と記す）を樹脂封止用成形金型の上下金型に装着
した状態を示す一部平面図であり、図６は図５のＡーＡ
線上における拡大断面図であり、図７は図５のＢーＢ線
上における拡大断面図である。
体装置用リードフレームを説明する。図５は従来技術の
半導体装置用リードフレーム（以下、単に「リードフレ
ーム」と記す）を樹脂封止用成形金型の上下金型に装着
した状態を示す一部平面図であり、図６は図５のＡーＡ
線上における拡大断面図であり、図７は図５のＢーＢ線
上における拡大断面図である。
【０００３】先ず、図５を用いて従来技術のリードフレ
ームを説明する。この図には、四方向から複数のインナ
ーリード及びアウターリードが導出されたリードフレー
ムの一部分を示した。通常、リードフレーム１は、中央
部に四辺形の形状をしたダイパッド２と、そのダイパッ
ド２から所定の間隔をあけて、その各辺に沿って所定の
間隔で内端部が配列された複数のインナーリード３と、
これらのインナーリード３に対応して配列されたアウタ
ーリード４と、前記ダイパッド２の四隅をフレーム７に
連結する吊りリード５と、前記インナーリード３と前記
アウターリード４とを連結するタイバー６などから構成
されていて、このような構成のリードフレーム１は、通
常、一枚の、例えば、厚さ０．１〜０．３ｍｍの４２％
Ｎｉ−Ｆｅ合金を打ち抜き、或いはエッチングして製作
される。
ームを説明する。この図には、四方向から複数のインナ
ーリード及びアウターリードが導出されたリードフレー
ムの一部分を示した。通常、リードフレーム１は、中央
部に四辺形の形状をしたダイパッド２と、そのダイパッ
ド２から所定の間隔をあけて、その各辺に沿って所定の
間隔で内端部が配列された複数のインナーリード３と、
これらのインナーリード３に対応して配列されたアウタ
ーリード４と、前記ダイパッド２の四隅をフレーム７に
連結する吊りリード５と、前記インナーリード３と前記
アウターリード４とを連結するタイバー６などから構成
されていて、このような構成のリードフレーム１は、通
常、一枚の、例えば、厚さ０．１〜０．３ｍｍの４２％
Ｎｉ−Ｆｅ合金を打ち抜き、或いはエッチングして製作
される。
【０００４】このような構成のリードフレーム１のダイ
パッド２の全面に銀ペーストなどを打点して、その上に
半導体チップ（図示していない）を接着、固定し、その
半導体チップの各電極とそれぞれに対応する前記インナ
ーリード３の各内端部とをワイヤボンディングする。
パッド２の全面に銀ペーストなどを打点して、その上に
半導体チップ（図示していない）を接着、固定し、その
半導体チップの各電極とそれぞれに対応する前記インナ
ーリード３の各内端部とをワイヤボンディングする。
【０００５】このワイヤボンディングした半製品の半導
体装置を樹脂封止用成形金型（以下、単に「成形金型」
と記す）１０に装着し、トランスファーモールド法によ
り前記半導体チップなどを封止樹脂で封止している。
体装置を樹脂封止用成形金型（以下、単に「成形金型」
と記す）１０に装着し、トランスファーモールド法によ
り前記半導体チップなどを封止樹脂で封止している。
【０００６】前記成形金型１０は、図６及び図７に一部
を示したように、上金型１１と下金型２１とから構成さ
れていて、上金型１１のキャビティ面にはキャビティ１
２と、その周辺部コーナーの内面１３において、前記キ
ャビティ１２から上金型１１の周縁部に通じる凹状溝１
４などが形成されており、一方、下金型２１のキャビテ
ィ面には、前記キャビティ１２と対になるキャビティ２
２と、その周辺部コーナーの内面２３において、前記キ
ャビティ２２から下金型２１の周縁部に通じ、前記凹状
溝１４と対になる凹状溝２４と、この凹状溝２４の対角
になるコーナー（図示していない）の内面２３に樹脂注
入口が形成されており、これら凹状溝１４及び２４とで
エアーベント３０が構成されている。なお、図５におい
て、右方の２点鎖線Ｌａは一単位の成形金型１０の外周
縁であり、左方の２点鎖線Ｌｂは一単位の成形金型１０
のキャビティの外周縁、即ち、パッケージラインであ
る。
を示したように、上金型１１と下金型２１とから構成さ
れていて、上金型１１のキャビティ面にはキャビティ１
２と、その周辺部コーナーの内面１３において、前記キ
ャビティ１２から上金型１１の周縁部に通じる凹状溝１
４などが形成されており、一方、下金型２１のキャビテ
ィ面には、前記キャビティ１２と対になるキャビティ２
２と、その周辺部コーナーの内面２３において、前記キ
ャビティ２２から下金型２１の周縁部に通じ、前記凹状
溝１４と対になる凹状溝２４と、この凹状溝２４の対角
になるコーナー（図示していない）の内面２３に樹脂注
入口が形成されており、これら凹状溝１４及び２４とで
エアーベント３０が構成されている。なお、図５におい
て、右方の２点鎖線Ｌａは一単位の成形金型１０の外周
縁であり、左方の２点鎖線Ｌｂは一単位の成形金型１０
のキャビティの外周縁、即ち、パッケージラインであ
る。
【０００７】樹脂封止のために、半導体チップを搭載し
たリードフレーム１を前記樹脂封止用成形金型１０に装
着するには、下金型２１のキャビティ２２の中心部分に
前記ダイパッド２が、その周辺部にインナーリード３の
先端部が位置するように、下金型２１の凹状溝２４に前
記吊りリード５が位置するように、そしてキャビティ２
２の周辺部の内面２３に前記タイバー６、アウターリー
ド４、フレーム７などが位置するように載置し、その上
に対称的に上金型１１を被せてクランプし、樹脂注入口
からより熱硬化性の封止樹脂を注入すると、ダイパッド
２に固定されている半導体チップ、ボンディングワイ
ヤ、インナーリード３の先端部などが樹脂封止される。
たリードフレーム１を前記樹脂封止用成形金型１０に装
着するには、下金型２１のキャビティ２２の中心部分に
前記ダイパッド２が、その周辺部にインナーリード３の
先端部が位置するように、下金型２１の凹状溝２４に前
記吊りリード５が位置するように、そしてキャビティ２
２の周辺部の内面２３に前記タイバー６、アウターリー
ド４、フレーム７などが位置するように載置し、その上
に対称的に上金型１１を被せてクランプし、樹脂注入口
からより熱硬化性の封止樹脂を注入すると、ダイパッド
２に固定されている半導体チップ、ボンディングワイ
ヤ、インナーリード３の先端部などが樹脂封止される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】この成形時、前記タイ
バー６及びフレーム７は、図７に示したように、上金型
１１の内面１３と下金型２１の内面２３とに挟まれた状
態になるが、リードフレーム１の加工精度により極めて
微小な隙間が開いていて、封止樹脂の注入当初はキャビ
ティ内の空気が封止樹脂におされて前記隙間からも排気
されるが、その内に前記タイバー６は、注入された封止
樹脂が漏れるのを防ぐダムの役割をするために、注入さ
れた封止樹脂はこのダムにより外部に漏れることがな
い。従って、同時にキャビティ内の空気の逃げ道も無く
なるので、その空気により封止樹脂にボイドが発生する
ことになる。
バー６及びフレーム７は、図７に示したように、上金型
１１の内面１３と下金型２１の内面２３とに挟まれた状
態になるが、リードフレーム１の加工精度により極めて
微小な隙間が開いていて、封止樹脂の注入当初はキャビ
ティ内の空気が封止樹脂におされて前記隙間からも排気
されるが、その内に前記タイバー６は、注入された封止
樹脂が漏れるのを防ぐダムの役割をするために、注入さ
れた封止樹脂はこのダムにより外部に漏れることがな
い。従って、同時にキャビティ内の空気の逃げ道も無く
なるので、その空気により封止樹脂にボイドが発生する
ことになる。
【０００９】その対策として、前記両凹状溝１４、２４
で構成されたエアーベント３０が成形金型に設けられて
いるのであるが、 １．エアーベント３０に樹脂バリが付着し、未充填不良
が発生する ２．成形条件、樹脂特性の変動よっては容易に空気が抜
けず、ボイド不良が発生する ３．ボイド不良にならないまでも、構造上、空気は完全
に抜けきらず、小さなボイドが発生するが、これまで無
視されてきた ４．両凹状溝１４、２４を形成しなければならないため
に、成形金型加工費が嵩む などの問題点がある。この発明はこのような問題点を解
決することを課題とするものである。
で構成されたエアーベント３０が成形金型に設けられて
いるのであるが、 １．エアーベント３０に樹脂バリが付着し、未充填不良
が発生する ２．成形条件、樹脂特性の変動よっては容易に空気が抜
けず、ボイド不良が発生する ３．ボイド不良にならないまでも、構造上、空気は完全
に抜けきらず、小さなボイドが発生するが、これまで無
視されてきた ４．両凹状溝１４、２４を形成しなければならないため
に、成形金型加工費が嵩む などの問題点がある。この発明はこのような問題点を解
決することを課題とするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】そのため、この発明で
は、前記のようなリードフレームにおいて、前記タイバ
ーの一部にエアーベントを形成して、前記課題を一挙に
解決した。
は、前記のようなリードフレームにおいて、前記タイバ
ーの一部にエアーベントを形成して、前記課題を一挙に
解決した。
【００１１】
【作用】従って、成形金型の上金型及び下金型に凹状溝
を形成する必要がなくなり、また樹脂バリが成形金型に
付着するのを防止することができる。
を形成する必要がなくなり、また樹脂バリが成形金型に
付着するのを防止することができる。
【００１２】
【実施例】以下、この発明の実施例の第１の実施例を図
１乃至図３を用いて説明する。図１はこの発明の半導体
装置用リードフレームを樹脂封止用成形金型の上下金型
に装着した状態を示す一部平面図であり、図２は図１の
ＡーＡ線上における拡大断面図であり、そして図３は図
１のＢーＢ線上における拡大断面図である。なお、図５
乃至図７に示した従来技術と同一の構成部分には同一の
符号を付し、それらの詳細な説明を省略する。
１乃至図３を用いて説明する。図１はこの発明の半導体
装置用リードフレームを樹脂封止用成形金型の上下金型
に装着した状態を示す一部平面図であり、図２は図１の
ＡーＡ線上における拡大断面図であり、そして図３は図
１のＢーＢ線上における拡大断面図である。なお、図５
乃至図７に示した従来技術と同一の構成部分には同一の
符号を付し、それらの詳細な説明を省略する。
【００１３】先ず、図１を用いて、この発明のリードフ
レーム１Ａを説明する。この発明のリードフレーム１Ａ
ではタイバー６Ａの一部に窪み８を形成する。図３に示
したように、この窪み８の深さＤは前記エアーベント３
０と同じ程度でよく、熱硬化性の封止樹脂のフィラーが
通過しない程度の２０〜４０μｍにする。この窪み８
は、タイバー６Ａの表面だけではなく、必要に応じて裏
面或いは表裏両面に設けてもよく、リードフレームの製
造時に、その部分のタイバー６Ａに潰しを入れることで
比較的容易に形成することができる。
レーム１Ａを説明する。この発明のリードフレーム１Ａ
ではタイバー６Ａの一部に窪み８を形成する。図３に示
したように、この窪み８の深さＤは前記エアーベント３
０と同じ程度でよく、熱硬化性の封止樹脂のフィラーが
通過しない程度の２０〜４０μｍにする。この窪み８
は、タイバー６Ａの表面だけではなく、必要に応じて裏
面或いは表裏両面に設けてもよく、リードフレームの製
造時に、その部分のタイバー６Ａに潰しを入れることで
比較的容易に形成することができる。
【００１４】このようなリードフレーム１Ａのダイパッ
ド２に半導体チップを搭載して、従来技術と同様に、内
面１３Ａ及び内面２３Ａにエアーベント３０が形成され
ていない上金型１１Ａ及び下金型２１Ａのキャビティ１
２、２２にダイパッド２などが位置するように、また図
２に示したように、上金型１１及び下金型２１の前記内
面１３Ａ及び２３Ａに窪み８が形成されたタイバー６Ａ
などが位置するように装着し、樹脂注入口（図示してい
ない）から封止樹脂を注入すると、同図に示したよう
に、キャビティ１２、２２内の、封止樹脂の下流に存在
する空気が封止樹脂に押されながら、これらの窪み８を
通じ、そしてリードフレーム１Ａの加工精度により生じ
ているフレーム７と内面１３Ａ及びまたは２３Ａとの間
の微小な隙間から外部に排出される。
ド２に半導体チップを搭載して、従来技術と同様に、内
面１３Ａ及び内面２３Ａにエアーベント３０が形成され
ていない上金型１１Ａ及び下金型２１Ａのキャビティ１
２、２２にダイパッド２などが位置するように、また図
２に示したように、上金型１１及び下金型２１の前記内
面１３Ａ及び２３Ａに窪み８が形成されたタイバー６Ａ
などが位置するように装着し、樹脂注入口（図示してい
ない）から封止樹脂を注入すると、同図に示したよう
に、キャビティ１２、２２内の、封止樹脂の下流に存在
する空気が封止樹脂に押されながら、これらの窪み８を
通じ、そしてリードフレーム１Ａの加工精度により生じ
ているフレーム７と内面１３Ａ及びまたは２３Ａとの間
の微小な隙間から外部に排出される。
【００１５】図４にこの発明のリードフレームの第２の
実施例を示した。この実施例のリードフレーム１Ｂで
は、エアーベントとして、タイバー６Ｂの一部にスリッ
ト９を形成した。これらのスリット９の幅Ｗも２０〜４
０μｍ程度とし、これらのスリット９の形成は、リード
フレーム１Ｂの製造時に、他のダイパッド２やインナー
リード３などと同時にエッチングなどで行うことができ
る。
実施例を示した。この実施例のリードフレーム１Ｂで
は、エアーベントとして、タイバー６Ｂの一部にスリッ
ト９を形成した。これらのスリット９の幅Ｗも２０〜４
０μｍ程度とし、これらのスリット９の形成は、リード
フレーム１Ｂの製造時に、他のダイパッド２やインナー
リード３などと同時にエッチングなどで行うことができ
る。
【００１６】この第２のリードフレーム１Ｂもリードフ
レーム１Ａと同様に成形金型１０Ａに装着することによ
り、これらのスリット９を通じてキャビティ１２、２２
内の空気を同様に外部へ排気することができる。
レーム１Ａと同様に成形金型１０Ａに装着することによ
り、これらのスリット９を通じてキャビティ１２、２２
内の空気を同様に外部へ排気することができる。
【００１７】エアーベントである前記窪み８やスリット
９は各リード毎に設けてもよく、リードの一本置きに設
けてもよく、必要に応じてタイバーの任意の数カ所に設
けることができる。そして、樹脂注入口から注入される
封止樹脂の流れの下流側に存在するタイバーに設けるこ
とが肝要である。
９は各リード毎に設けてもよく、リードの一本置きに設
けてもよく、必要に応じてタイバーの任意の数カ所に設
けることができる。そして、樹脂注入口から注入される
封止樹脂の流れの下流側に存在するタイバーに設けるこ
とが肝要である。
【００１８】また、前記両実施例では、インナーリード
３などがダイパッド２の四辺にそれぞれ形成されたリー
ドフレームを採り挙げて説明したが、ＤＩＰ型やＳＯＰ
型半導体装置に用いられるようなダイパッドの相対向す
る二辺に対してインナーリードなどが形成されるリード
フレームにも、この発明を適用することができることは
言うまでもない。
３などがダイパッド２の四辺にそれぞれ形成されたリー
ドフレームを採り挙げて説明したが、ＤＩＰ型やＳＯＰ
型半導体装置に用いられるようなダイパッドの相対向す
る二辺に対してインナーリードなどが形成されるリード
フレームにも、この発明を適用することができることは
言うまでもない。
【００１９】
【発明の効果】以上、説明したように、この発明によれ
ば、成形金型の上金型及び下金型に凹状溝を形成する必
要がなくなるので、安価に製造することができ、また樹
脂バリが成形金型に付着するのを防止でき、従って、成
形金型の清掃が不要になるので半導体装置の生産性が上
がり、かつ高品質で製造することができる。
ば、成形金型の上金型及び下金型に凹状溝を形成する必
要がなくなるので、安価に製造することができ、また樹
脂バリが成形金型に付着するのを防止でき、従って、成
形金型の清掃が不要になるので半導体装置の生産性が上
がり、かつ高品質で製造することができる。
【図１】この発明の第１の実施例である半導体装置用リ
ードフレームを樹脂封止用成形金型の上下金型に装着し
た状態を示す一部平面図である。
ードフレームを樹脂封止用成形金型の上下金型に装着し
た状態を示す一部平面図である。
【図２】図１のＡーＡ線上における拡大断面図である。
【図３】図１のＢーＢ線上における拡大断面図である。
【図４】この発明の第２の実施例である半導体装置用リ
ードフレームを樹脂封止用成形金型の上下金型に装着し
た状態を示す一部平面図である。
ードフレームを樹脂封止用成形金型の上下金型に装着し
た状態を示す一部平面図である。
【図５】従来技術の半導体装置用リードフレームを樹脂
封止用成形金型の上下金型に装着した状態を示す一部平
面図である。
封止用成形金型の上下金型に装着した状態を示す一部平
面図である。
【図６】図５のＡーＡ線上における拡大断面図である。
【図７】図５のＢーＢ線上における拡大断面図である。
１Ａ 第１の実施例のリードフレーム １Ｂ 第２の実施例のリードフレーム ２ ダイパッド ３ インナーリード ４ アウターリード ５ 吊りリード ６Ａ 第１の実施例のタイバー ６Ｂ 第２の実施例のタイバー ７ フレーム ８ 窪み ９ スリット １０Ａ 成形金型 １１Ａ 上金型 １２ キャビティ １３Ａ 内面 ２１Ａ 下金型 ２２ キャビティ ２３Ａ 内面
Claims (4)
- 【請求項１】所定の間隔で配列された複数のインナーリ
ードと、それらのインナーリードと対応し、タイバーで
接続、配列されたアウターリードなどからなるリードフ
レームにおいて、前記タイバーの一部にエアーベントを
形成したことを特徴とする半導体装置用リードフレー
ム。 - 【請求項２】前記エアーベントが窪みで形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置用リード
フレーム。 - 【請求項３】前記エアーベントがスリットで形成されて
いることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置用リ
ードフレーム。 - 【請求項４】キャビティの周辺部の内面が平面に仕上げ
られた上金型とキャビティの周辺部の内面に樹脂注入口
のみが形成された下金型とを用い、半導体チップを搭載
した前記請求項１に記載の半導体装置用リードフレーム
に搭載した半導体チップが前記キャビティの中央部に、
前記エアーベントが形成されたタイバーが前記両内面に
位置するようにして前記上下金型を対称的に締結し、そ
の後、前記樹脂注入口から封止樹脂を注入しながら、前
記キャビティ内に存在する空気を前記エアーベントから
排気し、その封止樹脂で前記半導体チップを封止するこ
と特徴とする半導体チップの樹脂封止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13234092A JPH05326799A (ja) | 1992-05-25 | 1992-05-25 | 半導体装置用リードフレーム及びこれを用いた半導体チップの樹脂封止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13234092A JPH05326799A (ja) | 1992-05-25 | 1992-05-25 | 半導体装置用リードフレーム及びこれを用いた半導体チップの樹脂封止方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05326799A true JPH05326799A (ja) | 1993-12-10 |
Family
ID=15079053
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13234092A Pending JPH05326799A (ja) | 1992-05-25 | 1992-05-25 | 半導体装置用リードフレーム及びこれを用いた半導体チップの樹脂封止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05326799A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6664647B2 (en) | 2000-08-18 | 2003-12-16 | Hitachi Ltd | Semiconductor device and a method of manufacturing the same |
| JP2008068448A (ja) * | 2006-09-12 | 2008-03-27 | Apic Yamada Corp | 樹脂モールド金型 |
-
1992
- 1992-05-25 JP JP13234092A patent/JPH05326799A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6664647B2 (en) | 2000-08-18 | 2003-12-16 | Hitachi Ltd | Semiconductor device and a method of manufacturing the same |
| US6800507B2 (en) | 2000-08-18 | 2004-10-05 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device and a method of manufacturing the same |
| US6897093B2 (en) | 2000-08-18 | 2005-05-24 | Renesas Technology Corp. | Method of manufacturing a resin molded or encapsulation for small outline non-leaded (SON) or quad flat non-leaded (QFN) package |
| JP2008068448A (ja) * | 2006-09-12 | 2008-03-27 | Apic Yamada Corp | 樹脂モールド金型 |
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