JPS6232622A - 半導体装置用樹脂封止金型 - Google Patents
半導体装置用樹脂封止金型Info
- Publication number
- JPS6232622A JPS6232622A JP17205785A JP17205785A JPS6232622A JP S6232622 A JPS6232622 A JP S6232622A JP 17205785 A JP17205785 A JP 17205785A JP 17205785 A JP17205785 A JP 17205785A JP S6232622 A JPS6232622 A JP S6232622A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- mold
- protrusions
- cavity
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は半導体装置°用樹脂封止金型、即ち、樹脂封止
型半導体装置を製造するために用いる樹脂モールド金型
の改良に関する。
型半導体装置を製造するために用いる樹脂モールド金型
の改良に関する。
樹脂封止型半導体装置には第３図（Ａ）に示すＤＩＰタ
イプや、第３図（Ｂ）に示すフラットパッケージタイプ
等の種々の形態のものが知られている。しかし何れの場
合にも、リードフレーム１上でアセンブリーされた半導
体チップ（図示せず）を樹脂モールドＷＪ２で封止した
共通の構造を有している。
イプや、第３図（Ｂ）に示すフラットパッケージタイプ
等の種々の形態のものが知られている。しかし何れの場
合にも、リードフレーム１上でアセンブリーされた半導
体チップ（図示せず）を樹脂モールドＷＪ２で封止した
共通の構造を有している。
上記樹脂封止型半導体装置の製造に際しては、まずリー
ドフレーム１のベッド部に半導体チップをダイボンディ
ングし、ワイヤボンディングを施した後、該リードフレ
ームを第４図および第５図に示すモールド装置にセット
し、エポキシ樹脂等のトランスファーモールドにより樹
脂モールド層２を形成する。
ドフレーム１のベッド部に半導体チップをダイボンディ
ングし、ワイヤボンディングを施した後、該リードフレ
ームを第４図および第５図に示すモールド装置にセット
し、エポキシ樹脂等のトランスファーモールドにより樹
脂モールド層２を形成する。
第４図において、１１は下型ベース、１２は下型、１３
は上型、１４は上型ベース、１５はポストである。第５
図は下型１２と上型１３との接合面に沿った図で、図中
Ｘ−Ｘ＊の左側は接合面から下型１２方向を見た平面図
、右側は上型１３方向を見た底面図である。図示のよう
に、下型１２にはカル１６、ランナー１７、ゲート１８
、キャビティー１９が形成されている。他方、上型１３
にはポット２０及びキャビティー２１が形成されている
。
は上型、１４は上型ベース、１５はポストである。第５
図は下型１２と上型１３との接合面に沿った図で、図中
Ｘ−Ｘ＊の左側は接合面から下型１２方向を見た平面図
、右側は上型１３方向を見た底面図である。図示のよう
に、下型１２にはカル１６、ランナー１７、ゲート１８
、キャビティー１９が形成されている。他方、上型１３
にはポット２０及びキャビティー２１が形成されている
。
半導体チップのアセンブリーを施されたリードフレーム
は、アセンブリ一部分がキャビティー１９．２１内に収
容されるようにして下型１２と上型１３の間に挟着され
、カル１６（ボット２０）、ランナー１７、ゲート１８
を通してキャビティー１９．２１内にモールド樹脂を圧
入することにより樹脂封止が行なわれる。
は、アセンブリ一部分がキャビティー１９．２１内に収
容されるようにして下型１２と上型１３の間に挟着され
、カル１６（ボット２０）、ランナー１７、ゲート１８
を通してキャビティー１９．２１内にモールド樹脂を圧
入することにより樹脂封止が行なわれる。
〔背景技術の問題点）
上記のようにして樹脂封止型半導体装置に用いられるモ
ールド金型には高い形状精度が要求される。金型盤面は
大きなもので５００ ｔｍ Ｘ ５００ ｓ程度のもの
があるが、特に下型および上型における接合面の平坦度
、平行度が極めて重要である。即ち、リードフレーム１
との隙間が０．０１５ ｓ以上あると、第６図に矢印Ｙ
で示すように該隙間を通して樹脂が漏れ出し、所謂「ニ
ジミバリ」が発生することになる。
ールド金型には高い形状精度が要求される。金型盤面は
大きなもので５００ ｔｍ Ｘ ５００ ｓ程度のもの
があるが、特に下型および上型における接合面の平坦度
、平行度が極めて重要である。即ち、リードフレーム１
との隙間が０．０１５ ｓ以上あると、第６図に矢印Ｙ
で示すように該隙間を通して樹脂が漏れ出し、所謂「ニ
ジミバリ」が発生することになる。
これに対し、前述のように広い面積を有する金型の場合
、樹脂の漏れを完全に防止できる平坦度、平行度を保つ
のは技術的に困難である。また、金型を長時間使用して
いると経時変化等でＩＩ度が劣化するため「ニジミバリ
」の発生が著しくなり、後工程でパリを除去するために
多くの労り−とを時間を必要とし、製造コスト増大の要
因になる問題があった。
、樹脂の漏れを完全に防止できる平坦度、平行度を保つ
のは技術的に困難である。また、金型を長時間使用して
いると経時変化等でＩＩ度が劣化するため「ニジミバリ
」の発生が著しくなり、後工程でパリを除去するために
多くの労り−とを時間を必要とし、製造コスト増大の要
因になる問題があった。
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、樹脂封止型
半導体装置の製造に際して樹脂がリードフレーム表面を
伝って漏れ出すのを阻止し、「ニジミバリＪの発生を防
止できる半導体装置用樹脂封止金型を提供しようとする
ものである。
半導体装置の製造に際して樹脂がリードフレーム表面を
伝って漏れ出すのを阻止し、「ニジミバリＪの発生を防
止できる半導体装置用樹脂封止金型を提供しようとする
ものである。
〔発明の概要）
本発明による半導体装置用樹脂封止金型は、下型および
上型からなり、樹脂封止型半導体装置における樹脂モー
ルド層に対応したキャビティー及び該キャビティーへの
モールド樹脂の圧入経路を具備し、前記キャビティーの
周縁に沿って樹脂漏れ防止のための突起を設けたことを
特徴とするものである。
上型からなり、樹脂封止型半導体装置における樹脂モー
ルド層に対応したキャビティー及び該キャビティーへの
モールド樹脂の圧入経路を具備し、前記キャビティーの
周縁に沿って樹脂漏れ防止のための突起を設けたことを
特徴とするものである。
上記本発明の樹脂封止金型によれば、樹脂モールドを行
なう際に前記キャビティー周縁に設けた突起がリードフ
レーム表面に食込み、樹脂の漏出を阻止するため「ニジ
ミバリ」の発生を効果的に防止することができる。
なう際に前記キャビティー周縁に設けた突起がリードフ
レーム表面に食込み、樹脂の漏出を阻止するため「ニジ
ミバリ」の発生を効果的に防止することができる。
なお、突起の高さは金型の経時変化による歪み等を考慮
して０．０２〜０．０３ｍ程度とするのがよい。
して０．０２〜０．０３ｍ程度とするのがよい。
これが低過ぎると効果が少なく、高過ぎるとリード部に
ダメージを与える原因になるからである。
ダメージを与える原因になるからである。
第１図は、本発明の一実施例になる樹脂封止金型の上型
キャごティ一部分を拡大して示す斜視図である。この実
施例はＤＩＰ用の金型で、キャビティー２１の周縁のう
ち、リード部が延出する側の側縁に沿って突起２２．２
２が設けられている。
キャごティ一部分を拡大して示す斜視図である。この実
施例はＤＩＰ用の金型で、キャビティー２１の周縁のう
ち、リード部が延出する側の側縁に沿って突起２２．２
２が設けられている。
該突起２２の高さは０．０２〜０ 、０３ｍである。こ
の突起が設けられている点以外の構成は、従来の樹脂封
止金型と同じである。なお、突起２２は金型製作時に容
易に設けることができ、金型の部品の一部に研磨加工等
により成形すればよい。
の突起が設けられている点以外の構成は、従来の樹脂封
止金型と同じである。なお、突起２２は金型製作時に容
易に設けることができ、金型の部品の一部に研磨加工等
により成形すればよい。
上記実施例の樹脂封止金型を用い、第４図と同様のモー
ルド装置により第３図（Ａ＞に示したＤＩＰタイプの樹
脂封止型半導体装置を製造すれば、第２図に示すように
突起２２が樹脂の漏出を防止する。即ち、突起２２が高
さくｈ＞分だけリードフレーム１の表面に食込むため、
第６図との対比から明かなように樹脂の流出路が切断さ
れ、樹脂の漏出による「ニジミバリ」の発生を防止する
ことができる。
ルド装置により第３図（Ａ＞に示したＤＩＰタイプの樹
脂封止型半導体装置を製造すれば、第２図に示すように
突起２２が樹脂の漏出を防止する。即ち、突起２２が高
さくｈ＞分だけリードフレーム１の表面に食込むため、
第６図との対比から明かなように樹脂の流出路が切断さ
れ、樹脂の漏出による「ニジミバリ」の発生を防止する
ことができる。
なお、本発明は上記実施例のようにＤＩＰ用だけでなく
、フラットバケージタイブその他どのような形態の樹脂
封止型半導体装置用のモールド金型に対しても適用する
ことが可能である。
、フラットバケージタイブその他どのような形態の樹脂
封止型半導体装置用のモールド金型に対しても適用する
ことが可能である。
〔発明の効果〕
以上詳述したように、本発明の樹脂封止型半導体装置用
モールド金型によれば、樹脂封止型半導体装置の製造に
際して樹脂がリードフレーム表面を伝って漏れ出すのを
阻止して「ニジミバリ」の発生を防止することができ、
従来行なわれていたパリ除去のための後工程を省略して
生産性を向上できる等、顕著な効果が得られるものであ
る。
モールド金型によれば、樹脂封止型半導体装置の製造に
際して樹脂がリードフレーム表面を伝って漏れ出すのを
阻止して「ニジミバリ」の発生を防止することができ、
従来行なわれていたパリ除去のための後工程を省略して
生産性を向上できる等、顕著な効果が得られるものであ
る。
第１図は本発明の一実施例になる半導体装置用樹脂封止
金型の要部を示す斜視図であり、第２図はその作用を示
す断面図、第３図（Ａ）（Ｂ）は夫々樹脂封止型半導体
装置の例を示す斜視図であり、第４図はその製造に用い
られる樹脂モールド装置の説明図、第５図は従来の樹脂
封止金型を示す説明図であり、第６図はその問題点を示
す説明図である。 １・・・リードフレーム、２・・・樹脂モールド層、１
１・・・下型ベース、１２・・・下型、１３・・・上型
、１４・・・上型ベース、１５・・・ポスト、１６・・
・カル、１７・・・ランナー、１８・・・ゲート、１９
・・・キャビティー、２０・・・ポット、２１・・・キ
ャビティー、２２・・・突起 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図 第２図
金型の要部を示す斜視図であり、第２図はその作用を示
す断面図、第３図（Ａ）（Ｂ）は夫々樹脂封止型半導体
装置の例を示す斜視図であり、第４図はその製造に用い
られる樹脂モールド装置の説明図、第５図は従来の樹脂
封止金型を示す説明図であり、第６図はその問題点を示
す説明図である。 １・・・リードフレーム、２・・・樹脂モールド層、１
１・・・下型ベース、１２・・・下型、１３・・・上型
、１４・・・上型ベース、１５・・・ポスト、１６・・
・カル、１７・・・ランナー、１８・・・ゲート、１９
・・・キャビティー、２０・・・ポット、２１・・・キ
ャビティー、２２・・・突起 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図 第２図
Claims (1)
- 下型および上型からなり、樹脂封止型半導体装置におけ
る樹脂モールド層に対応したキャビティー及び該キャビ
ティーへのモールド樹脂の圧入経路を具備し、前記キャ
ビティーの周縁に沿って樹脂漏れ防止のための突起を設
けたことを特徴とする半導体装置用樹脂封止金型。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17205785A JPS6232622A (ja) | 1985-08-05 | 1985-08-05 | 半導体装置用樹脂封止金型 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17205785A JPS6232622A (ja) | 1985-08-05 | 1985-08-05 | 半導体装置用樹脂封止金型 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6232622A true JPS6232622A (ja) | 1987-02-12 |
Family
ID=15934733
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17205785A Pending JPS6232622A (ja) | 1985-08-05 | 1985-08-05 | 半導体装置用樹脂封止金型 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6232622A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5728600A (en) * | 1994-11-15 | 1998-03-17 | Vlt Corporation | Circuit encapsulation process |
| US5945130A (en) * | 1994-11-15 | 1999-08-31 | Vlt Corporation | Apparatus for circuit encapsulation |
| US6483044B1 (en) | 2000-08-23 | 2002-11-19 | Micron Technology, Inc. | Interconnecting substrates for electrical coupling of microelectronic components |
| US6589820B1 (en) * | 2000-06-16 | 2003-07-08 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for packaging a microelectronic die |
-
1985
- 1985-08-05 JP JP17205785A patent/JPS6232622A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5728600A (en) * | 1994-11-15 | 1998-03-17 | Vlt Corporation | Circuit encapsulation process |
| US5945130A (en) * | 1994-11-15 | 1999-08-31 | Vlt Corporation | Apparatus for circuit encapsulation |
| US6403009B1 (en) | 1994-11-15 | 2002-06-11 | Vlt Corporation | Circuit encapsulation |
| US6710257B2 (en) | 1994-11-15 | 2004-03-23 | Vlt Corporation | Circuit encapsulation |
| US6589820B1 (en) * | 2000-06-16 | 2003-07-08 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for packaging a microelectronic die |
| US6664139B2 (en) * | 2000-06-16 | 2003-12-16 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for packaging a microelectronic die |
| US6483044B1 (en) | 2000-08-23 | 2002-11-19 | Micron Technology, Inc. | Interconnecting substrates for electrical coupling of microelectronic components |
| US6796028B2 (en) | 2000-08-23 | 2004-09-28 | Micron Technology, Inc. | Method of Interconnecting substrates for electrical coupling of microelectronic components |
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