JPS60180126A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS60180126A JPS60180126A JP3515884A JP3515884A JPS60180126A JP S60180126 A JPS60180126 A JP S60180126A JP 3515884 A JP3515884 A JP 3515884A JP 3515884 A JP3515884 A JP 3515884A JP S60180126 A JPS60180126 A JP S60180126A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発明は半導体装置の製造方法に係り、特に半導体素子
を樹脂封止する際に、リードフレームのリード線とダム
部とで形成される樹脂溜りにできる樹脂バリを、容易に
脱落させることができるような形状に樹脂成形する半導
体装置の製造方法に関する。
を樹脂封止する際に、リードフレームのリード線とダム
部とで形成される樹脂溜りにできる樹脂バリを、容易に
脱落させることができるような形状に樹脂成形する半導
体装置の製造方法に関する。
［発明の技術的背景］
従来から第２図若しくは第４図に示したような下金型を
用いて行なう半導体装置の製造方法は知られている。第
２図に示したようなこの種の下金型ｌを用いて行なう半
導体装置の製造方法は、上金型（図示せず）と下金型１
とを型締めした合わせ金型内に樹脂封止用成形材料を加
圧注入することにより半導体素子（図示せず）を樹脂封
止させて成形品２（第１図）を形成するものである。こ
の時第１図に示したようなリードフレーム１１のリード
線３とダム部７とで形成される樹脂溜り４に樹脂バリ５
ができるので、第５図に示したようにダム切断ポンチ６
でもってダム部７と共に樹脂バリ５を切断するか、若し
くは樹脂バリ５をホーニングして除去することが行なわ
れる。また第４図に示したような突起８を有するこの種
の下金型９を用いて行なう半導体装置の製造方法は、上
金型（図示せず）と下金型９とを型締めした合わせ金型
内に樹脂封止用成形材料を加圧注入することにより半導
体素子（図示せず）を樹脂封止させて成形品２（第３図
）を形成するものである。この場合、第３図に示したよ
うにリードフレーム１１のリード線３とダム部７とで形
成される樹脂溜り４に突起８（第４図）を嵌合させ、樹
脂溜り４に樹脂バリができないように半導体素子（図示
せず）を樹脂封止する。
用いて行なう半導体装置の製造方法は知られている。第
２図に示したようなこの種の下金型ｌを用いて行なう半
導体装置の製造方法は、上金型（図示せず）と下金型１
とを型締めした合わせ金型内に樹脂封止用成形材料を加
圧注入することにより半導体素子（図示せず）を樹脂封
止させて成形品２（第１図）を形成するものである。こ
の時第１図に示したようなリードフレーム１１のリード
線３とダム部７とで形成される樹脂溜り４に樹脂バリ５
ができるので、第５図に示したようにダム切断ポンチ６
でもってダム部７と共に樹脂バリ５を切断するか、若し
くは樹脂バリ５をホーニングして除去することが行なわ
れる。また第４図に示したような突起８を有するこの種
の下金型９を用いて行なう半導体装置の製造方法は、上
金型（図示せず）と下金型９とを型締めした合わせ金型
内に樹脂封止用成形材料を加圧注入することにより半導
体素子（図示せず）を樹脂封止させて成形品２（第３図
）を形成するものである。この場合、第３図に示したよ
うにリードフレーム１１のリード線３とダム部７とで形
成される樹脂溜り４に突起８（第４図）を嵌合させ、樹
脂溜り４に樹脂バリができないように半導体素子（図示
せず）を樹脂封止する。
［背景技術の問題点］
しかしながら従来から行なわれている半導体装置の製造
方法は、次の様な問題点を有している。
方法は、次の様な問題点を有している。
即ち第２図に示す下金型１を用いて半導体素子を樹脂封
止する場合においては、第１図に示すように成形品２は
、樹脂バリ５を切り落す際にそのショックによるクラッ
クを生じて耐湿性を悪くしたり、第６図、第７図に示す
ように外観の見ばえを悪くしたりする。更に第５図に示
すダム切断ポンチ６の摩耗がはなはだしく、ランニング
コストが高くなったり、樹脂バリ５をホーニングする場
合においてもランニングコストが高くなったりする。
止する場合においては、第１図に示すように成形品２は
、樹脂バリ５を切り落す際にそのショックによるクラッ
クを生じて耐湿性を悪くしたり、第６図、第７図に示す
ように外観の見ばえを悪くしたりする。更に第５図に示
すダム切断ポンチ６の摩耗がはなはだしく、ランニング
コストが高くなったり、樹脂バリ５をホーニングする場
合においてもランニングコストが高くなったりする。
次に第４図に示す下金型９を用いて半導体素子を樹脂封
止する場合においては、第８図、第９図に示すようにリ
ードフレーム１１のリード線３と突起８（第４図）との
隙間に樹脂が流れて樹脂バリ１０が生し、メッキ等の後
処理に悪影響を及ぼす。
止する場合においては、第８図、第９図に示すようにリ
ードフレーム１１のリード線３と突起８（第４図）との
隙間に樹脂が流れて樹脂バリ１０が生し、メッキ等の後
処理に悪影響を及ぼす。
［発明の目的］
本発明は叙上の問題点に鑑みなされたもので、半導体素
子を樹脂封止した成形品にできる樹脂バリを、容易に脱
落させうる形状に成形させる半導体装置の製造方法髪提
供することを目的とする。
子を樹脂封止した成形品にできる樹脂バリを、容易に脱
落させうる形状に成形させる半導体装置の製造方法髪提
供することを目的とする。
［発明の概要］
この目的を達成するために本発明の半導体装置の製造方
法によれば、半導体素子をリードフレームに固定させ、
該リードフレームのリード線と樹脂封止用成形材料の流
出をせき止める該リードフレームのダム部とで樹脂溜り
が形成されるように、樹脂封止川下金型を該リードフレ
ームに載置させ、該樹脂溜りを遊嵌する所定形状の突起
が設けられ３− た樹脂封止用下金型に前記リードフレームと該上金型と
を重ね合せ、その重ね合わされて形成された金型内に前
記成形材料を加圧注入することにより前記半導体素子を
樹脂封止させ、その後肢金型で成形された成形品を加熱
硬化させることにより。
法によれば、半導体素子をリードフレームに固定させ、
該リードフレームのリード線と樹脂封止用成形材料の流
出をせき止める該リードフレームのダム部とで樹脂溜り
が形成されるように、樹脂封止川下金型を該リードフレ
ームに載置させ、該樹脂溜りを遊嵌する所定形状の突起
が設けられ３− た樹脂封止用下金型に前記リードフレームと該上金型と
を重ね合せ、その重ね合わされて形成された金型内に前
記成形材料を加圧注入することにより前記半導体素子を
樹脂封止させ、その後肢金型で成形された成形品を加熱
硬化させることにより。
前記樹脂溜りに溜った前記成形材料が成形されてできた
樹脂バリを該成形品から脱落させるものである。
樹脂バリを該成形品から脱落させるものである。
［発明の実施例］
以下本発明を図面に基づき実施例につき詳述する。本発
明の半導体装置の製造方法は次の通りである。まず第１
Ｏ図に示したように樹脂封止される半導体素子（図示せ
ず）がリードフレーム１１にダイボンディングおよびワ
イヤーボンディングされて固定される。次にリードフレ
ーム１１のリード線３と樹脂封止用成形材料の流出をせ
き止めるリードフレーム１１のダム部７とで樹脂溜り４
が形成されるよかに、樹脂封止川下金型（図示せず）が
リードフレーム１１に載置される。そして樹脂溜り４を
遊嵌する第１１図に示す所定形状の４− 突起としての角錐台形の突起１２が設けられた樹脂封止
川下金型１３にリードフレーム１１ （第１０図）と上
金型（図示せず）とが重ね合わされる。
明の半導体装置の製造方法は次の通りである。まず第１
Ｏ図に示したように樹脂封止される半導体素子（図示せ
ず）がリードフレーム１１にダイボンディングおよびワ
イヤーボンディングされて固定される。次にリードフレ
ーム１１のリード線３と樹脂封止用成形材料の流出をせ
き止めるリードフレーム１１のダム部７とで樹脂溜り４
が形成されるよかに、樹脂封止川下金型（図示せず）が
リードフレーム１１に載置される。そして樹脂溜り４を
遊嵌する第１１図に示す所定形状の４− 突起としての角錐台形の突起１２が設けられた樹脂封止
川下金型１３にリードフレーム１１ （第１０図）と上
金型（図示せず）とが重ね合わされる。
また重ね合わされて形成された金型（図示せず）内にエ
ポキシ、シリコン等の樹脂封止用成形材料がプランジャ
ー（図示せず）で加圧注入されると、半導体素子が樹脂
封止される。その金型で成形された成形品２（第１０図
）が加熱硬化される。更に第１２図、第１３図、第１４
図で示されるように樹脂溜り４に溜った成形材料が成形
されてできた樹脂バリ１４が、成形品２から脱落させら
れる。
ポキシ、シリコン等の樹脂封止用成形材料がプランジャ
ー（図示せず）で加圧注入されると、半導体素子が樹脂
封止される。その金型で成形された成形品２（第１０図
）が加熱硬化される。更に第１２図、第１３図、第１４
図で示されるように樹脂溜り４に溜った成形材料が成形
されてできた樹脂バリ１４が、成形品２から脱落させら
れる。
その結果外観の見ばえのよい半導体装置が製造される。
［発明の効果］
以上の実施例からも明らかなように本発明の半導体装置
の製造方法によれば、半導体素子をリードフレームに固
定させ、樹脂溜りが形成されるように樹脂封止用上金型
をリードフレームに載置させ、樹脂溜りを遊嵌する所定
形状の突起が設けられた樹脂封止用下金型にリードフレ
ームと上金型とを重ね合わせ、その重ね合わされて形成
された金型内に半導体素子を樹脂封止させ、成形された
成形品を加熱硬化させるので、半導体素子を樹脂封止し
た成形品にできる樹脂パリを容易に脱落させうる形状に
成形させることができる。
の製造方法によれば、半導体素子をリードフレームに固
定させ、樹脂溜りが形成されるように樹脂封止用上金型
をリードフレームに載置させ、樹脂溜りを遊嵌する所定
形状の突起が設けられた樹脂封止用下金型にリードフレ
ームと上金型とを重ね合わせ、その重ね合わされて形成
された金型内に半導体素子を樹脂封止させ、成形された
成形品を加熱硬化させるので、半導体素子を樹脂封止し
た成形品にできる樹脂パリを容易に脱落させうる形状に
成形させることができる。
第１図、第３図は従来における半導体装置の斜視図、第
２図、第４図は従来における樹脂封止用下金型の斜視図
、第５図は従来における樹脂パリ切断前の半導体装置の
正面断面図、第６図は従来における樹脂パリ切断後の半
導体装置の正面断面図、第７図は従来における樹脂パリ
切断後の半導体装置の斜視図、第８図は従来における樹
脂パリ切断前の半導体装置の側面図、第９図は従来にお
ける樹脂パリ切断前の半導体装置の斜視図、第１０図は
本発明による樹脂パリ切断前の半導体装置の斜視図、第
１１図は本発明による樹脂封止川下金型の斜視図、第１
２図は本発明による半導体装置の樹脂溜りの平面図、第
１３図は第１２図に示す樹脂溜りをＡＡ面で切断した場
合の断面図、第１４図は第１２図に示す樹脂溜りをＢＢ
面で切断した場合の断面図である。 ２・・・・・・・・成形品（半導体装置）３ ・・・・
・・・・ リード線 ４ ・・・・・・・・樹脂溜り ７・・・・・・・・ダム部 １１ ・・・・・・・・ リードフレーム１２・・・・
・・・・角錐台形の突起（所定形状の突起）１３・・・
・・・・・下金型（樹脂封止川下金型）１４ ・・・・
・・・・樹脂パリ （７３１７）代理人 弁理士 則 近 憲 佑（ほか１
名）７− ４７ 図 藝 ２ 図 ８− 秦 ３ 図 石４ 図 第５ 図 蛋６ 図 蒸 ９ 図 第 １０ 図
２図、第４図は従来における樹脂封止用下金型の斜視図
、第５図は従来における樹脂パリ切断前の半導体装置の
正面断面図、第６図は従来における樹脂パリ切断後の半
導体装置の正面断面図、第７図は従来における樹脂パリ
切断後の半導体装置の斜視図、第８図は従来における樹
脂パリ切断前の半導体装置の側面図、第９図は従来にお
ける樹脂パリ切断前の半導体装置の斜視図、第１０図は
本発明による樹脂パリ切断前の半導体装置の斜視図、第
１１図は本発明による樹脂封止川下金型の斜視図、第１
２図は本発明による半導体装置の樹脂溜りの平面図、第
１３図は第１２図に示す樹脂溜りをＡＡ面で切断した場
合の断面図、第１４図は第１２図に示す樹脂溜りをＢＢ
面で切断した場合の断面図である。 ２・・・・・・・・成形品（半導体装置）３ ・・・・
・・・・ リード線 ４ ・・・・・・・・樹脂溜り ７・・・・・・・・ダム部 １１ ・・・・・・・・ リードフレーム１２・・・・
・・・・角錐台形の突起（所定形状の突起）１３・・・
・・・・・下金型（樹脂封止川下金型）１４ ・・・・
・・・・樹脂パリ （７３１７）代理人 弁理士 則 近 憲 佑（ほか１
名）７− ４７ 図 藝 ２ 図 ８− 秦 ３ 図 石４ 図 第５ 図 蛋６ 図 蒸 ９ 図 第 １０ 図
Claims (1)
- 半導体素子をリードフレームに固定させ、該リードフレ
ームのリード線と樹脂封止用成形材料の流出をせき止め
る該リードフレームのダム部とで樹脂溜りが形成される
ように、樹脂封止用上金型を該リードフレームに載置さ
せ、該樹脂溜りを遊嵌する所定形状の突起が設けられた
樹脂封止用下金型に前記リードフレームと該上金型とを
重ね合わせ、その重ね合わされて形成された金型内に前
記成形材料を加圧注入することにより前記半導体素子を
樹脂封止させ、その後該金型で成形された成形品を加熱
硬化させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3515884A JPS60180126A (ja) | 1984-02-28 | 1984-02-28 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3515884A JPS60180126A (ja) | 1984-02-28 | 1984-02-28 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60180126A true JPS60180126A (ja) | 1985-09-13 |
Family
ID=12434071
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3515884A Pending JPS60180126A (ja) | 1984-02-28 | 1984-02-28 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60180126A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6454750A (en) * | 1987-08-26 | 1989-03-02 | Fujitsu Miyagi Electron Kk | Manufacture of resin-sealed semiconductor device |
| JPH01268036A (ja) * | 1988-04-19 | 1989-10-25 | Matsushita Electron Corp | モールド金型 |
| JPH02165644A (ja) * | 1988-12-20 | 1990-06-26 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の樹脂モールド方法 |
| JPH03198352A (ja) * | 1989-12-26 | 1991-08-29 | Yamada Seisakusho:Kk | リードフレームのモールド・フォーミング方法及びモールド・フォーミング装置 |
| JPH0444144U (ja) * | 1990-08-21 | 1992-04-15 | ||
| JP2007311673A (ja) * | 2006-05-22 | 2007-11-29 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体パッケージの製造方法 |
| JP2020126902A (ja) * | 2019-02-01 | 2020-08-20 | 第一精工株式会社 | 樹脂封止装置及び樹脂封止方法 |
-
1984
- 1984-02-28 JP JP3515884A patent/JPS60180126A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6454750A (en) * | 1987-08-26 | 1989-03-02 | Fujitsu Miyagi Electron Kk | Manufacture of resin-sealed semiconductor device |
| JPH01268036A (ja) * | 1988-04-19 | 1989-10-25 | Matsushita Electron Corp | モールド金型 |
| JPH02165644A (ja) * | 1988-12-20 | 1990-06-26 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の樹脂モールド方法 |
| JPH03198352A (ja) * | 1989-12-26 | 1991-08-29 | Yamada Seisakusho:Kk | リードフレームのモールド・フォーミング方法及びモールド・フォーミング装置 |
| JPH0444144U (ja) * | 1990-08-21 | 1992-04-15 | ||
| JP2007311673A (ja) * | 2006-05-22 | 2007-11-29 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体パッケージの製造方法 |
| JP2020126902A (ja) * | 2019-02-01 | 2020-08-20 | 第一精工株式会社 | 樹脂封止装置及び樹脂封止方法 |
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