JPH01187842A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH01187842A JPH01187842A JP1171888A JP1171888A JPH01187842A JP H01187842 A JPH01187842 A JP H01187842A JP 1171888 A JP1171888 A JP 1171888A JP 1171888 A JP1171888 A JP 1171888A JP H01187842 A JPH01187842 A JP H01187842A
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- leads
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- chip
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Links
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Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は、リードフレーム上の所定位置に固定された半
導体チップを樹脂封入する工程を備えている半導体装置
の製造方法に関する。
導体チップを樹脂封入する工程を備えている半導体装置
の製造方法に関する。
（従来の技術）
第２図を用いて従来の半導体装置の製造方法を説明する
。第２図において、リードフレーム２上のチップ固定部
２ａに半導体チップ（図示せず）を固定し、この半導体
チップの表面の各電極とリードフレーム２のインナリー
ド部２ｂとをワイヤでボンディングする。そして、上記
半導体チップをモールド金型（図示せず）内に載置して
樹脂封入（モールディング）を行う。この時、半導体チ
ップを樹脂封入したモールド樹脂の外形３を一点鎖線で
示す。
。第２図において、リードフレーム２上のチップ固定部
２ａに半導体チップ（図示せず）を固定し、この半導体
チップの表面の各電極とリードフレーム２のインナリー
ド部２ｂとをワイヤでボンディングする。そして、上記
半導体チップをモールド金型（図示せず）内に載置して
樹脂封入（モールディング）を行う。この時、半導体チ
ップを樹脂封入したモールド樹脂の外形３を一点鎖線で
示す。
（発明が解決しようとする課題）
このようなチップ固定部２ａに固定された半導体チップ
をモールディングするモールド金型には、樹脂注入時の
圧力によるリードフレーム２のアウタリード部２ｃの変
形を防止するため、コマ（以下、バリコマともいう）が
モールド成形時のインナリード部２ｂのリード間に設け
られている。このバリコマが有るために、モールド金型
の上型と下型、との間に隙間を生じ、第３図に示すよう
にモ 、−ご１ド成形、時５リード間に格子パす４が発
生する・そし゛モニア６タリー１部２ｃには格子パリ４
の流出を防止するダム２ｄが設けられている。このダム
２ｄは、格子パリ４とともに次の工程でカットされる。
をモールディングするモールド金型には、樹脂注入時の
圧力によるリードフレーム２のアウタリード部２ｃの変
形を防止するため、コマ（以下、バリコマともいう）が
モールド成形時のインナリード部２ｂのリード間に設け
られている。このバリコマが有るために、モールド金型
の上型と下型、との間に隙間を生じ、第３図に示すよう
にモ 、−ご１ド成形、時５リード間に格子パす４が発
生する・そし゛モニア６タリー１部２ｃには格子パリ４
の流出を防止するダム２ｄが設けられている。このダム
２ｄは、格子パリ４とともに次の工程でカットされる。
このカットの工程においては、金型ポンチの摩耗および
刃折れの発生が大きいため、生産効率の低下を生じると
いう問題があった。
刃折れの発生が大きいため、生産効率の低下を生じると
いう問題があった。
本発明は、格子バリの発生を防止することのできる半導
体装置の製造方法を提供することを目的とする。
体装置の製造方法を提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段）
本発明は、リードフレーム上の所定位置に固定された半
導体チップを樹脂封入する工程を備えている半導体装置
の製造方法において、樹脂封入する前に、リードフレー
ムのアウタリード部とインナリード部の境界近傍の、イ
ンナリード部のリード間にリードの厚さにほぼ等しい厚
さの樹脂膜を形成する工程を設けたことを特徴とする。
導体チップを樹脂封入する工程を備えている半導体装置
の製造方法において、樹脂封入する前に、リードフレー
ムのアウタリード部とインナリード部の境界近傍の、イ
ンナリード部のリード間にリードの厚さにほぼ等しい厚
さの樹脂膜を形成する工程を設けたことを特徴とする。
（作 用）
このように構成された本発明による半導体装置の製造方
法においては、樹脂封入する前に、アウタリード部とイ
ンナリード部との境界近傍の、インナリード部のリード
間にリードの厚さにほぼ等−１，■ しい厚さの樹脂膜を形成することにより、モールド成形
時のアウタリード部の変形を防止するコマが不要となり
、これにより格子パリの発生を防止することができる。
法においては、樹脂封入する前に、アウタリード部とイ
ンナリード部との境界近傍の、インナリード部のリード
間にリードの厚さにほぼ等−１，■ しい厚さの樹脂膜を形成することにより、モールド成形
時のアウタリード部の変形を防止するコマが不要となり
、これにより格子パリの発生を防止することができる。
（実施例）
第１図を用いて本発明による半導体装置の製造方法の実
施例を説明する。第１図において、リードフレーム２上
のチップ固定部２ａに半導体チップ（図示せず）を固定
する前に、インナリード部２ｂとアウタリード部２ｃの
境界近傍の、インナリード部２ｂのリード間（斜線部）
にリードの厚さにほぼ等しい厚さの樹脂膜１を形成する
。そして、チップ固定部２ａに半導体チップを固定し、
半導体チップの表面の各電極とインナリード部２ｂとを
ワイヤでボンディングし、モールディングを行う。この
時、半導体チップを樹脂封入したモールド樹脂の外形３
を一点鎖線で示す。
施例を説明する。第１図において、リードフレーム２上
のチップ固定部２ａに半導体チップ（図示せず）を固定
する前に、インナリード部２ｂとアウタリード部２ｃの
境界近傍の、インナリード部２ｂのリード間（斜線部）
にリードの厚さにほぼ等しい厚さの樹脂膜１を形成する
。そして、チップ固定部２ａに半導体チップを固定し、
半導体チップの表面の各電極とインナリード部２ｂとを
ワイヤでボンディングし、モールディングを行う。この
時、半導体チップを樹脂封入したモールド樹脂の外形３
を一点鎖線で示す。
なお、インナリード部２ｂのリード間に形成される樹脂
膜１の材料としては、エポキシ樹脂、アクリル系樹脂、
または不飽和ポリエステル系樹脂が、それれぞれに応じ
た硬化剤とともに用いられる。
膜１の材料としては、エポキシ樹脂、アクリル系樹脂、
または不飽和ポリエステル系樹脂が、それれぞれに応じ
た硬化剤とともに用いられる。
以上により、インナリード部２ｂのリード間に樹脂膜１
が形成されることにより、モールド成形時のアウタリー
ド部２ｃの変形を防止するバリコマが不要となり、格子
パリの発生を防止することができる。そして、格子パリ
の発生を防止することができることにより、バリ取り工
程が不要となるとともに第２図に示すダム２ｄも不要と
なる。
が形成されることにより、モールド成形時のアウタリー
ド部２ｃの変形を防止するバリコマが不要となり、格子
パリの発生を防止することができる。そして、格子パリ
の発生を防止することができることにより、バリ取り工
程が不要となるとともに第２図に示すダム２ｄも不要と
なる。
また、バリコマが不要となることにより、金型製作費が
安くなるとともに金型の汎用性が大きくなる。
安くなるとともに金型の汎用性が大きくなる。
なお、上記実施例では、リードフレーム２には第２図に
示すダム２ｄは設けられていないが、アウタリード部２
ｃの補強のためにダム２ｄを設けても良い。
示すダム２ｄは設けられていないが、アウタリード部２
ｃの補強のためにダム２ｄを設けても良い。
また、上記実施例では、チップ固定部２ａに半導体チッ
プを固定する前にインナリード部２ｂのリード間に樹脂
膜１を形成したが、固定した後モールディング前にリー
ド間に樹脂膜１を形成しても］ｄ！様の効果を得ること
ができる。
プを固定する前にインナリード部２ｂのリード間に樹脂
膜１を形成したが、固定した後モールディング前にリー
ド間に樹脂膜１を形成しても］ｄ！様の効果を得ること
ができる。
本発明によれば、格子パリの発生を防止することができ
る。
る。
第１図は本発明による半導体装置の製造方法の一工程を
示す平面図、第２図は従来の半導体装置の製造方法の一
工程を示す平面図、第３図は、従来の製造方法によって
製造された半導体装置の斜視図である。 １・・・樹脂膜、２・・・リードフレーム、２ａ・・・
チップ固定部、２ｂ・・・インナリード部、２ｃ・・・
アウタリード部。 出願人代理人 佐 藤 −雄 罠１ 図 罠２図 嶌３図
示す平面図、第２図は従来の半導体装置の製造方法の一
工程を示す平面図、第３図は、従来の製造方法によって
製造された半導体装置の斜視図である。 １・・・樹脂膜、２・・・リードフレーム、２ａ・・・
チップ固定部、２ｂ・・・インナリード部、２ｃ・・・
アウタリード部。 出願人代理人 佐 藤 −雄 罠１ 図 罠２図 嶌３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 リードフレーム上の所定位置に固定された半導体チッ
プを樹脂封入する工程を備えている半導体装置の製造方
法において、 樹脂封入する前に、前記リードフレームのアウタリード
部とインナリード部の境界近傍の、インナリード部のリ
ード間にリードの厚さにほぼ等しい厚さの樹脂膜を形成
する工程を設けたことを特徴とする半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1171888A JPH01187842A (ja) | 1988-01-21 | 1988-01-21 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1171888A JPH01187842A (ja) | 1988-01-21 | 1988-01-21 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01187842A true JPH01187842A (ja) | 1989-07-27 |
Family
ID=11785823
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1171888A Pending JPH01187842A (ja) | 1988-01-21 | 1988-01-21 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01187842A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0590469A (ja) * | 1991-09-27 | 1993-04-09 | Nec Kyushu Ltd | Ｉｃのリードフレーム |
| EP0683518A3 (en) * | 1994-05-16 | 1998-09-09 | Hitachi, Ltd. | Lead frame and semiconductor device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5624961A (en) * | 1979-08-07 | 1981-03-10 | Nec Kyushu Ltd | Lead frame for semiconductor device |
-
1988
- 1988-01-21 JP JP1171888A patent/JPH01187842A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5624961A (en) * | 1979-08-07 | 1981-03-10 | Nec Kyushu Ltd | Lead frame for semiconductor device |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0590469A (ja) * | 1991-09-27 | 1993-04-09 | Nec Kyushu Ltd | Ｉｃのリードフレーム |
| EP0683518A3 (en) * | 1994-05-16 | 1998-09-09 | Hitachi, Ltd. | Lead frame and semiconductor device |
| US5837567A (en) * | 1994-05-16 | 1998-11-17 | Hitachi, Ltd. | Lead frame and semiconductor device |
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