JPS63257256A - リ−ドフレ−ム - Google Patents
リ−ドフレ−ムInfo
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- JPS63257256A JPS63257256A JP9079987A JP9079987A JPS63257256A JP S63257256 A JPS63257256 A JP S63257256A JP 9079987 A JP9079987 A JP 9079987A JP 9079987 A JP9079987 A JP 9079987A JP S63257256 A JPS63257256 A JP S63257256A
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Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はリードフレームに関し、詳しくは、樹脂封止型
半導体装置用のリードフレームにおいて、トランフチモ
ールド後にリードに付着している余分な樹脂を容易に除
去できるようにしたリードフレームに関する。
半導体装置用のリードフレームにおいて、トランフチモ
ールド後にリードに付着している余分な樹脂を容易に除
去できるようにしたリードフレームに関する。
樹脂封止型半導体装置(レジンモールド型半導体装置)
の製造において、個々の半導体チップ(以下単に、チッ
プという)をパッケージングする工程はNi−Fe系合
金やCu系合金などの導電性材料でできた第3図に例示
するようなリードフレームを用いて行なわれる。同図に
おいて、1はチップを取付け(ダイボンディング)する
タブでaる、。このリードフレームの中央部に位置する
角形のタブ1は、端部が外枠2に連なったタプリ゛−ド
3により支持されている。タブ1の周囲には、このタブ
1に向って延びる複数のリード4が適宜間隔をおいて配
設され文いる。これらリード4の中途には、タブリード
3に平行にタイバー(ダム)5が設けられ、該タイバー
5の端部は外枠2に連なっている。このタイバー5はり
−ド4を補強し。
の製造において、個々の半導体チップ(以下単に、チッ
プという)をパッケージングする工程はNi−Fe系合
金やCu系合金などの導電性材料でできた第3図に例示
するようなリードフレームを用いて行なわれる。同図に
おいて、1はチップを取付け(ダイボンディング)する
タブでaる、。このリードフレームの中央部に位置する
角形のタブ1は、端部が外枠2に連なったタプリ゛−ド
3により支持されている。タブ1の周囲には、このタブ
1に向って延びる複数のリード4が適宜間隔をおいて配
設され文いる。これらリード4の中途には、タブリード
3に平行にタイバー(ダム)5が設けられ、該タイバー
5の端部は外枠2に連なっている。このタイバー5はり
−ド4を補強し。
また、レジンモールド時のレジンの流れを止める役目な
どをする。第3図にて、6は内枠であり、タイバー5と
平行に設けられている。リードフレーム7は、多連リー
ドフレームに構成され、外枠2により同様の構成より成
るリードフレーム7が多数連結されている。第3図では
その一ユニットを示す。
どをする。第3図にて、6は内枠であり、タイバー5と
平行に設けられている。リードフレーム7は、多連リー
ドフレームに構成され、外枠2により同様の構成より成
るリードフレーム7が多数連結されている。第3図では
その一ユニットを示す。
かかるリードフレーム7を用いてレジンモールド型半導
体装置を製造するに、第4図に示すように、テップ8を
タブ1上にマウントしくグイボンディング)し、当該チ
ップ8のポンディングパッド(図示せず)とり−ド4の
先端部とを、アルミニウムや金などより成るボンディン
グワイヤ9により接続する。次いで、第5図に示すよう
に、当該チップ組立品10をモールド金型11に入れ。
体装置を製造するに、第4図に示すように、テップ8を
タブ1上にマウントしくグイボンディング)し、当該チ
ップ8のポンディングパッド(図示せず)とり−ド4の
先端部とを、アルミニウムや金などより成るボンディン
グワイヤ9により接続する。次いで、第5図に示すよう
に、当該チップ組立品10をモールド金型11に入れ。
上金型12.下金型13を閉じ、当該金型11のキャビ
ティ14内に例えばエポキシ樹脂などのレジンを注入し
、加圧成形する。いわゆる低圧法によるトランスファー
成形が一般に用いられている。
ティ14内に例えばエポキシ樹脂などのレジンを注入し
、加圧成形する。いわゆる低圧法によるトランスファー
成形が一般に用いられている。
当該レジンモールドにより、第6図に示すように、チッ
プ8などが、レジンモールド部15により封止される。
プ8などが、レジンモールド部15により封止される。
続いて、リードフレームの所用箇所な切断して個々のリ
ード4を分離形成しくリードカット)、更に該リード4
を所定方向に折り曲げて(リードフォーミング)、第7
図に断面図を示すようなレジンモールド型半導体装置1
6を得る。
ード4を分離形成しくリードカット)、更に該リード4
を所定方向に折り曲げて(リードフォーミング)、第7
図に断面図を示すようなレジンモールド型半導体装置1
6を得る。
ところで、上記レジンモールドに際しては、第8図に示
すように、いわゆるレジンバリ1フ0発生が起る。レジ
ンパリは、レジンモールド部15とタイバー5との間で
あって、かつ、各リード4゜4間に充填される(以下、
当該パリをタイバー内バリという)。一方、レジンバリ
は、いわゆるフラッジ−パリと称されリード4表面に付
着するパリもある。なお、第8図にて、18は上記リー
ドカットの際のタイバーの所定切断部分を示す。
すように、いわゆるレジンバリ1フ0発生が起る。レジ
ンパリは、レジンモールド部15とタイバー5との間で
あって、かつ、各リード4゜4間に充填される(以下、
当該パリをタイバー内バリという)。一方、レジンバリ
は、いわゆるフラッジ−パリと称されリード4表面に付
着するパリもある。なお、第8図にて、18は上記リー
ドカットの際のタイバーの所定切断部分を示す。
従来これらのパリの除去に際しては、一般K、くるみ粉
などの粉体を高速流の下で吹き付け、その圧力でパリを
除去したり、あるいは、リード表面などに高速流体(水
流)をあてて除去したりしている。
などの粉体を高速流の下で吹き付け、その圧力でパリを
除去したり、あるいは、リード表面などに高速流体(水
流)をあてて除去したりしている。
しかるに、近時多ピン化の傾向に伴ない、リードは増々
細くなってきており、その強度が弱lる傾向にあり、上
記のごとく、高速粉末や高速水流を当てることにより、
パッケージに大きなダメージを与える場合があり、レジ
ン落し刃などのパンチング治具により、余分なレジンを
下方に落し込むことも行われている。
細くなってきており、その強度が弱lる傾向にあり、上
記のごとく、高速粉末や高速水流を当てることにより、
パッケージに大きなダメージを与える場合があり、レジ
ン落し刃などのパンチング治具により、余分なレジンを
下方に落し込むことも行われている。
ところで、従来、当該リードフレームの作成に際しては
、金属の板材からエツチングにより作成する場合もある
し、一方、プレス装置により所定の断面をもつようにプ
レス打ち抜きにより作成する場合もある。
、金属の板材からエツチングにより作成する場合もある
し、一方、プレス装置により所定の断面をもつようにプ
レス打ち抜きにより作成する場合もある。
このような、プレス打ち抜きによる場合、従来、一般に
金属の板材の表面側すなわちチップ搭載面側から打ち抜
きが行われていた。
金属の板材の表面側すなわちチップ搭載面側から打ち抜
きが行われていた。
そうした場合、第2図に示すように、リード4の表面側
から裏面側にかけて、その断面が裏面側に向って幅広の
形状を示すようになる。
から裏面側にかけて、その断面が裏面側に向って幅広の
形状を示すようになる。
なお、第2図は、第8図1−1iに沿う断面の要部を示
す。
す。
このよ5に、板材の表面側から打ち抜いた場合。
第2図に示すように、レジン落し刃19を用いて、余分
なレジン17を突餘落そうとする場合、その断面形状か
ら落しづらいという問題があった。
なレジン17を突餘落そうとする場合、その断面形状か
ら落しづらいという問題があった。
なお、リードフレームについて述べた文献の例としては
、■工業調査会発行[電子材料41984年8月号96
8〜73、同1982年8月号p69〜74があり、ま
た、レジンモールド型半導体装置におけるモールド技術
について述べた文献の例としては、同「電子材料J19
B2年8月号p58〜62があげられる。
、■工業調査会発行[電子材料41984年8月号96
8〜73、同1982年8月号p69〜74があり、ま
た、レジンモールド型半導体装置におけるモールド技術
について述べた文献の例としては、同「電子材料J19
B2年8月号p58〜62があげられる。
本発明はかかる従来技術の有する欠点を解消して、パリ
など余分なレジンなとの封止剤の除去を容易になし得る
技術を提供することを目的とする。
など余分なレジンなとの封止剤の除去を容易になし得る
技術を提供することを目的とする。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
本発明では、従来の表側からプレス打抜きてろのではな
く、裏側から金属板材をプレス打ち抜ぎするようにした
。
く、裏側から金属板材をプレス打ち抜ぎするようにした
。
これにより、リード側面の断面が余分な封止剤を突き落
すのに容易な形状となし得、その突き落し作業を容易に
することができた。
すのに容易な形状となし得、その突き落し作業を容易に
することができた。
次に、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第1図は、第2図と同様に第8図1−1線に沿う要部断
面図で、プレス打ち抜きに際し、従来とは異なり、金属
の板材の裏面側から表面側に向って所定の断面を有する
ように打ち抜きする。
面図で、プレス打ち抜きに際し、従来とは異なり、金属
の板材の裏面側から表面側に向って所定の断面を有する
ように打ち抜きする。
第1図に示すよ5に、このようにすることにより、リー
ド4の側断面が、チップ搭載面からその反対面にかけて
、上部から下部に向って幅狭の形状となり、そのため、
落し刃19により、リード4の側面に付着したレジン(
封止剤)17を突き落すに、第2図に示す従来例に比し
て引っかかりがなく、容易に下方に突き落すことができ
た。
ド4の側断面が、チップ搭載面からその反対面にかけて
、上部から下部に向って幅狭の形状となり、そのため、
落し刃19により、リード4の側面に付着したレジン(
封止剤)17を突き落すに、第2図に示す従来例に比し
て引っかかりがなく、容易に下方に突き落すことができ
た。
これにより、上記のごとく落し刃19の引っかかりが防
止されるので、リード4の側面に傷をつげたりすること
が防止された。
止されるので、リード4の側面に傷をつげたりすること
が防止された。
以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
本発明によれば、パリの除去がリードフレーム表面を破
損せずに容易に行うことができた。
損せずに容易に行うことができた。
第1図は本発明の実施例を示す要部断面図、第2図は従
来例を示す要部断面図、 第3図はリードフレームの一例平面図、第4図は当該リ
ードフレームにチップを搭載し、ワイヤボンディングを
行なった後の組立例を示す平面図、 第5図はモールド成形工程の説明断面図、第6図はモー
ルド後の半導体装置の斜視図、第7図は樹脂封止型半導
体装置の断面図。 第8図はレジンバリの説明平面図である。 1・・・タブ、2・・・外枠、3・・・タブリード、4
・・・リード、5・・・タイバー、6・・・内枠、7・
・・リードフレーム、8・・・半導体素子(チップ)、
9・・・ボンディングワイヤ、10・・・半導体素子組
立品、11・・・モールド金型、12・・・上金型、1
3・・・下金型、14・・・キャピテイ、15・・・レ
ジンモールド部、16°°。 レジンモールド型半導体装置、17・・・タイバー内パ
リ、18・・・タイバーの所定切断部分、19・・・バ
第 1 図 第 2 図 第 3 図 第 4 図 第 6 図 第 7 図 第 8 図 工1
来例を示す要部断面図、 第3図はリードフレームの一例平面図、第4図は当該リ
ードフレームにチップを搭載し、ワイヤボンディングを
行なった後の組立例を示す平面図、 第5図はモールド成形工程の説明断面図、第6図はモー
ルド後の半導体装置の斜視図、第7図は樹脂封止型半導
体装置の断面図。 第8図はレジンバリの説明平面図である。 1・・・タブ、2・・・外枠、3・・・タブリード、4
・・・リード、5・・・タイバー、6・・・内枠、7・
・・リードフレーム、8・・・半導体素子(チップ)、
9・・・ボンディングワイヤ、10・・・半導体素子組
立品、11・・・モールド金型、12・・・上金型、1
3・・・下金型、14・・・キャピテイ、15・・・レ
ジンモールド部、16°°。 レジンモールド型半導体装置、17・・・タイバー内パ
リ、18・・・タイバーの所定切断部分、19・・・バ
第 1 図 第 2 図 第 3 図 第 4 図 第 6 図 第 7 図 第 8 図 工1
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、金属の板材をプレスすることにより作成する半導体
装置用リードフレームにおいて、半導体チップを搭載す
る面の反対側面から前記金属の板材をプレス打ち抜きし
て形成して成ることを特徴とするリードフレーム。 2、リードフレームが、樹脂封止型半導体装置用リード
フレームで、当該リードフレームのリード側断面が、半
導体チップを搭載する側の面からその反対面にかけて上
部から下部に向って幅狭のU字形状をなしていることを
特徴とするリードフレーム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9079987A JPS63257256A (ja) | 1987-04-15 | 1987-04-15 | リ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9079987A JPS63257256A (ja) | 1987-04-15 | 1987-04-15 | リ−ドフレ−ム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63257256A true JPS63257256A (ja) | 1988-10-25 |
Family
ID=14008634
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9079987A Pending JPS63257256A (ja) | 1987-04-15 | 1987-04-15 | リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63257256A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010080913A (ja) * | 2008-08-28 | 2010-04-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法、樹脂封止型電子装置 |
JP2011091194A (ja) * | 2009-10-22 | 2011-05-06 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置の製造方法および電子装置の製造方法 |
-
1987
- 1987-04-15 JP JP9079987A patent/JPS63257256A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010080913A (ja) * | 2008-08-28 | 2010-04-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法、樹脂封止型電子装置 |
US8502360B2 (en) | 2008-08-28 | 2013-08-06 | Sanyo Semiconductor Co., Ltd. | Resin sealing type semiconductor device and method of manufacturing the same, and resin sealing type electronic device |
JP2011091194A (ja) * | 2009-10-22 | 2011-05-06 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置の製造方法および電子装置の製造方法 |
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