JPH04368158A - リードフレームと半導体装置の製造方法 - Google Patents

リードフレームと半導体装置の製造方法

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JPH04368158A
JPH04368158A JP14468291A JP14468291A JPH04368158A JP H04368158 A JPH04368158 A JP H04368158A JP 14468291 A JP14468291 A JP 14468291A JP 14468291 A JP14468291 A JP 14468291A JP H04368158 A JPH04368158 A JP H04368158A
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JP
Japan
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lead frame
lead
frame member
resin
leads
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Withdrawn
Application number
JP14468291A
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English (en)
Inventor
Masanori Yoshimoto
吉本 正則
Rikuro Sono
陸郎 薗
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に
関する。詳しくは、従来のダムバーを廃止したリードフ
レームを用いた半導体装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体装置の製造に用いる従来のリード
フレームを図6に示す。これは枠状のタイバー1と、該
タイバーに2本のピンチバー2,2′を介して支持され
たダイステージ部3と、該タイバー1にそれぞれ一端を
接続した複数のリード4と、該リード間を接続するダム
バー5とからなり、薄い金属板からプレス加工又はエッ
チッグ加工で形成したものである。
【0003】このリードフレームを用いた従来の半導体
装置の製造方法を図7により説明する。先ず(a)図の
如くリードフレーム6のダイステージ部3に半導体チッ
プ7を搭載し、次いで該半導体チップ7の電極とリード
4との間をワイヤ8でワイヤボンディングする。次に(
b)図の如く半導体チップ7を樹脂9でモールドする。 この際、リードフレーム6の厚さだけモールド金型にす
きまができるため、リード4の間にダムバー5に達する
バリ10(図8に示す平面図においてハッチングを入れ
た部分)が生ずる。次いでリードフレーム6の樹脂9か
ら露出している部分に半田めっきを施した後、(c)の
如く樹脂のバリ10を打抜き除去し、次いでダムバー5
も打抜き除去し、最後に(d)図の如くリード4を折曲
整形し、同時にタイバー1をリード4及びピンチバー2
,2′から切断除去して完成する。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上記従来のリードフレ
ームを用いた半導体装置の製造方法では、ダムバー5を
打抜き除去した部分のリード幅が加工上、他の部分より
も多少幅が広くなる。このためリードを折曲整形すると
きに該部が曲がりにくく、異常な形状になることがある
。またダムバーの切断金型及び樹脂のバリ打抜き金型が
必要であり、これが高価であるため製造コストを押し上
げている。
【0005】本発明は、ダムバーのないリードフレーム
を用いた半導体装置の製造方法を実現しようとする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明のリードフレーム
に於いては、樹脂封止型半導体装置用のリードフレーム
であって、枠状のタイバー13と、該タイバー13にピ
ンチバー14, 14′を介して支持されたダイステー
ジ部15と、それぞれインナーリード16aとアウター
リード16bが接続され、その一端が前記タイバーに接
続された複数のリード16とよりなる第1のリードフレ
ーム部材11と、該第1のリードフレーム部材11のリ
ード16間に嵌合可能な複数のリード片18と、該複数
のリード片18のそれぞれ一端が接続された枠状のタイ
バー17とを有し、前記第1のリードフレーム部材11
と同一厚さの第2のリードフレーム部材12とよりなり
、該第2のリードフレーム部材12のリード片18の先
端が、リードフレームを樹脂によりモールドするときの
樹脂流出を防止するダム部となることを特徴とする。
【0007】また、本発明の半導体装置の製造方法に於
いては、上記請求項1のリードフレームを用い、その第
1のリードフレーム部材11のダイステージ部15に半
導体チップ19を搭載する工程と、該半導体チップ19
の電極と、インナーリード16aとの間をワイヤ20で
ワイヤボンディングする工程と、該第1のリードフレー
ム部材11のリード16間に第2のリードフレーム部材
12のリード片18が嵌合できるように第1,第2のリ
ードフレーム部材11, 12を重ね合わせる工程と、
該重ね合わされたリードフレームを樹脂モールド用金型
の上型21と下型22で挟み樹脂モールドする工程と、
樹脂モールドされたリードフレームから第2のリードフ
レーム部材12を取り外す工程と、第1のリードフレー
ム部材11のアウターリード16bを折曲整形し、同時
にタイバー13をリード16及びピンチバー14, 1
4′から切断除去する工程の諸工程よりなることを特徴
とする。この構成を採ることに依り、ダムバーのないリ
ードフレームを用いた半導体装置の製造方法が得られる
【0008】
【作用】第1のリードフレーム部材11と第2のリード
フレーム部材12とよりなるリードフレームの、第1の
リードフレーム部材11にはダイステージ部15と複数
のリード16とを具備させ、第2のリードフレーム部材
12には第1のリードフレーム部材11のリード16間
に嵌合する複数のリード片18を具備させ、両リードフ
レーム部材11, 12を組み合わせることにより、樹
脂モールド用金型で樹脂をモールドする際に、第1のリ
ードフレーム部材11のリード16の間から樹脂が流出
しようとするのを第2のリードフレーム部材12のリー
ド片18がせき止めることができる。これによりバリの
発生を防止することができる。
【0009】
【実施例】図1は本発明のリードフレームの実施例を示
す図である。本実施例は、同一厚さの板材から形成され
た(a)図に示す第1のリードフレーム部材11と、(
b)図に示す第2のリードフレーム部材12とよりなる
。そして第1のリードフレーム部材11は枠状のタイバ
ー13と、該タイバー13にピンチバー14, 14′
を介して支持されたダイステージ部15と、該タイバー
13にそれぞれ一端を接続した複数のリード16とより
なり、該リード16はインナーリード16aとアウター
リード16bとよりなり、アウターリード16bの一端
がタイバー13に接続され、インナーリード16aの先
端がダイステージ部15に近接している。
【0010】また第2のリードフレーム部材12は、第
1のリードフレーム部材11と同じ大きさの枠状のタイ
バー17に、第1のリードフレーム部材11のリード1
6間にそれぞれ嵌合する複数のリード片18が接続され
ている。そして該リード片18の長さは、その先端が第
1のリードフレーム部材11のインナーリード16aと
アウターリード16bの境目(リードフレームが樹脂封
止されたときの樹脂側面に相当する)に一致するように
しておく。
【0011】このように構成されたリードフレームを用
いた本発明の半導体装置の製造方法を図2及び図3によ
り説明する。先ず第2図の如く、第1のリードフレーム
部材11のダイステージ部15に半導体チップ19を搭
載し、次いでその電極とインナーリード16aとの間を
ワイヤ20でワイヤボンディングする。次いで第1のリ
ードフレーム部材11のリード16間に第2のリードフ
レーム部材12のリード片18が嵌合できるように位置
合わせして第1のリードフレーム部材11と第2のリー
ドフレーム部材を重ね合わせる。
【0012】次いで、この重ね合わされた第1,第2の
リードフレーム11,12を図3に示すように、樹脂モ
ールド用金型の上型21と下型22で挟み込む。これに
より第2のフレーム部材12のリード片18は第1のリ
ードフレーム部材11のリード16間に嵌合される。そ
して嵌合したリード片18は、キャビティ23に樹脂を
モールドしたとき、ダムの役目をなし、樹脂の流出を防
止することができる。これによってバリの発生はない。 なおこの後、第1のリードフレーム部材11から第2の
リードフレーム部材12を取り外した後、第1のリード
フレーム部材11の露出した部分に半田めっきを施し、
さらに第1のリードフレーム部材11のリード16を所
定の形状に折曲整形し、同時にタイバー13をリード1
6及びピンチバー14,14 ′から切断除去すること
により、図4に示すような完成品を得ることができる。 なお第2のリードフレーム部材12は繰返して使用する
ことができる。
【0013】上記の本実施例によれば樹脂モールド時に
バリの発生がないため、バリ除去工程が不要となり省力
化が可能となる。また、第1のリードフレーム部材11
に従来の如きダムバーがないため、ダムバー除去の工程
が不要となり省力化が可能となり、さらに従来の如き折
曲整形時の不具合が解消される。
【0014】また、上述の半導体装置の製造方法で製造
された本発明の半導体装置は、リード16に半田めっき
後、従来の如きダムバーの切断除去を行わないため、該
部のめっきが除去されることがなく、また該部の幅がリ
ードの幅より広くならないため、リード間の間隔が狭く
ならず、実装時に半田ブリッジによるショートの恐れが
なくなる等、従来に比して品質が向上される。
【0015】図5は本発明のリードフレームの変形例を
示す図である。本変形例は(a)図の如く第2のリード
フレーム部材12の代わりに図に示すように、第1のリ
ードフレーム部材11より厚い板材により枠25を形成
し、その一方の面に第1のリードフレーム部材11のリ
ード16が嵌合できる溝26を設けたもので、樹脂モー
ルド時は(b)図の如く溝26にリード16を嵌合させ
、上型21と下型22で挟むことにより樹脂の流出を防
ぐことができる。従って第2のリードフレーム部材12
を用いた時と同様な効果が得られる。
【0016】
【発明の効果】本発明に依れば、リードフレームとして
第1,第2のリードフレーム部材を用い、第2のリード
フレーム部材で樹脂モールド時の樹脂の流出をせき止め
ることによりバリの発生を防止することができ、これに
よりバリ及びダムバーの切断除去工程が不要となり省力
化が可能となる。さらに製造された半導体装置には、リ
ード整形時の変形、めっき部の除去、実装時の半田ブリ
ッジによるショートの恐れ等がなくなり、品質の向上が
得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のリードフレームの実施例を示す図で、
(a)は第1のリードフレーム部材、(b)は第2のリ
ードフレーム部材である。
【図2】本発明の半導体装置の製造方法を説明するため
の図で、(a)は平面図、(b)は(a)図のb−b線
における断面図である。
【図3】本発明の半導体装置の製造方法を説明するため
の図である。
【図4】本発明の半導体装置の製造方法により製造され
た半導体装置を示す図である。
【図5】本発明のリードフレームの変形例を示す図であ
る。
【図6】従来のリードフレームを示す図である。
【図7】従来の半導体装置の製造方法を説明するための
図である。
【図8】従来の半導体装置の製造方法における樹脂のバ
リを示す図である。
【符号の説明】
11…第1のリードフレーム部材 12…第2のリードフレーム部材 13, 17…タイバー 14, 14′…ピンチバー 15…ダイステージ部 16…リード 16a…インナーリード 16b…アウターリード 18…リード片 19…半導体チップ 20…ワイヤ 21…上型 22…下型 23…キャビティ 24…樹脂 25…枠 26…溝

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  樹脂封止型半導体装置用のリードフレ
    ームであって、枠状のタイバー(13)と、該タイバー
    (13)にピンチバー(14,14′) を介して支持
    されたダイステージ部(15)と、それぞれインナーリ
    ード(16a) とアウターリード(16a) が接続
    され、その一端が前記タイバー(13)に接続された複
    数のリード(16)とよりなる第1のリードフレーム部
    材(11)と、該第1のリードフレーム部材(11)の
    リード(16)間に嵌合可能な複数のリード片(18)
    と、該複数のリード片(18)のそれぞれ一端が接続さ
    れた枠状のタイバー(17)とを有し、前記第1のリー
    ドフレーム部材(11)と同一厚さの第2のリードフレ
    ーム部材(12)とよりなり、該第2のリードフレーム
    部材(12)のリード片(18)の先端がリードフレー
    ムを樹脂によりモールドするときの樹脂流出を防止する
    ダム部となることを特徴とするリードフレーム。
  2. 【請求項2】  上記請求項1のリードフレームを用い
    、その第1のリードフレーム部材(11)のダイステー
    ジ部(15)に半導体チップ(19)を搭載する工程と
    、該半導体チップ(19)の電極とインナーリード(1
    6a) との間をワイヤ(20)でワイヤボンディング
    する工程と、該第1のリードフレーム部材(11)のリ
    ード(16)間に第2のリードフレーム部材(12)の
    リード片(18)が嵌合できるように第1,第2のリー
    ドフレーム部材(11,12) を重ね合わせる工程と
    、該重ね合わされたリードフレームを樹脂モールド用金
    型の上型(21)と下型(22)で挟み、樹脂モールド
    する工程と、樹脂モールドされたリードフレームから第
    2のリードフレーム部材(12)を取り外す工程と、第
    1のリードフレーム部材(11)の露出部分に半田めっ
    きする工程と、第1のリードフレーム部材(11)のア
    ウターリード(16b) を折曲整形し、同時にタイバ
    ー(13)をリード(16)及びピッチバー(14,1
    4′) から切断除去する工程の諸工程よりなることを
    特徴とする半導体装置の製造方法。
JP14468291A 1991-06-17 1991-06-17 リードフレームと半導体装置の製造方法 Withdrawn JPH04368158A (ja)

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JP (1) JPH04368158A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6384475B1 (en) * 1998-10-29 2002-05-07 Tessera, Inc. Lead formation using grids

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6384475B1 (en) * 1998-10-29 2002-05-07 Tessera, Inc. Lead formation using grids

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Effective date: 19980903