JPH08298306A - 半導体装置およびその製造に用いるリードフレームならびにリードフレームの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 リードピッチの狭小化および多ピン化。 【構成】 パッケージと、前記パッケージの内部に位置
する半導体チップと、前記パッケージの内外に亘って延
在するインナーリードとアウターリードとからなるリー
ドと、前記リードの内端と前記半導体チップの電極を電
気的に接続する接続手段とを有する半導体装置であっ
て、前記パッケージの内部に延在するインナーリードの
少なくとも内端部分はパッケージの外部のアウターリー
ドの厚さよりも薄くなっている。前記インナーリードの
内端リードピッチは前記アウターリードの厚さにおける
リードピッチ加工限界値よりも小さくなっている。 【効果】 リード数を多くしてもインナーリードは狭ピ
ッチ化できるため、アウターリードも最小値のリードピ
ッチとすることができ、半導体装置の多ピン化，リード
狭ピッチ化が達成できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体装置およびその製
造に用いるリードフレームならびにリードフレームの製
造方法に関し、特にリードピッチが狭い半導体装置の製
造技術に適用して有効な技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＩＣ，ＬＳＩ等半導体装置は、高機能，
高集積化から入出力端子（リード，ピンと呼称されてい
る）はより多くなっている。

【０００３】半導体装置の製造に使用されるリードフレ
ームは、プレス加工やエッチング加工によって形成され
る。

【０００４】リードフレームの加工については、たとえ
ば、日経ＢＰ社発行「日経マイクロデバイス」1988年８
月号、同年８月１日発行、Ｐ54〜Ｐ60に記載されてい
る。この文献には、リードフレームのプレス限界につい
て記載されている。この文献には、「プレス加工したリ
ードフレームは，基本的に薄板に多数の細いスロットを
開けて残った桟である。微細なリードの加工は，どこま
で細いスロットが打ち抜けるか，どこまで細いリードを
残せるかにかかっている。この加工限界は，打ち抜きの
際にパンチの刃先にかかる圧縮応力にどこまで刃が耐え
られるかで決まる。厚さ０．１５ｍｍのリードフレーム
で，スロット幅，リード幅ともに０．１ｍｍ（ピン密度
５本／ｍｍ）が，現状の物理的加工限界である。」と記
載されている。また、「ＱＦＰのリードフレームの代表
例である４２合金（Ｆｅ−Ｎｉ系）製，厚さ０．１５ｍ
ｍの場合，スロット幅が０．２ｍｍより狭くなるあたり
から圧縮応力は徐々に増え，０．１ｍｍ以下では急増す
る。０．１ｍｍで約２００ｋｇ／ｍｍ² を超える。」旨
記載されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】リードフレームの打ち
抜き加工においては、たとえば、リードピッチは板厚の
８０％程度が、量産における最小の加工寸法である。し
たがって、汎用的に用いられている板厚のリードフレー
ム素材を用いるならば、おのずとリードピッチの最小値
は決定されてしまう。

【０００６】リード狭ピッチの加工を実現するために
は、板厚の薄いリードフレーム素材を用いれば良い。し
かし、従来の板厚よりも薄いリードフレーム素材を使用
すると、下記の不都合が発生することが判明した。

【０００７】（１）モールド工程，切断・成形工程等で
使用する治工具の共用ができない。

【０００８】（２）汎用性の無いリードフレーム素材は
コストが高い。

【０００９】（３）板厚の薄いリードフレームは機械的
強度が弱く、取扱性が悪い。

【００１０】一方、本発明者は、リードフレームのパタ
ーンを再検討した結果、要請されているリードピッチの
狭小化は、半導体装置のパッケージ内においてのみ狭小
化すれば良い場合が多いことに気が付いた。すなわち、
パッケージの外に並ぶリード（アウターリード）のピッ
チは、使用するリードフレーム素材の板厚によって最小
値は決まる。しかし、リード数が多くなると、インナー
リードの引回しからアウターリードのピッチは、プレス
加工限界による最小リードピッチとはならず、リードピ
ッチは大きくなってしまう。

【００１１】また、リードフレームの厚さが決まれば、
リード（アウターリード）の最小リードピッチも決まっ
てしまう。

【００１２】そこで、本発明者はインナーリードの内端
側を薄くすることを思い付き本発明をなした。

【００１３】本発明の目的は、リードピッチの狭小化，
多ピン化が達成できる半導体装置を提供することにあ
る。

【００１４】本発明の他の目的は、リードピッチの狭小
化，多ピン化が達成できるリードフレームおよびその製
造方法を提供することにある。

【００１５】本発明の前記ならびにそのほかの目的と新
規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきら
かになるであろう。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。

【００１７】（１）パッケージと、前記パッケージの内
部に位置する半導体チップと、前記パッケージの内外に
亘って延在するインナーリードとアウターリードとから
なるリードと、前記リードの内端と前記半導体チップの
電極を電気的に接続する接続手段とを有する半導体装置
であって、前記パッケージの内部に延在するインナーリ
ードの少なくとも内端部分はパッケージの外部のアウタ
ーリードの厚さよりも薄くなっている。前記パッケージ
内のインナーリードの内端側は薄板部となり、外端側は
厚板部となっている。前記インナーリードの内端リード
ピッチは前記アウターリードの厚さにおけるリードピッ
チ加工限界値よりも小さくなっている。

【００１８】（２）金属板の打ち抜きによって形成され
たインナーリードとアウターリードとからなるリードや
リードを連結する枠等を有するリードフレームであっ
て、前記インナーリードの少なくとも内端部分はアウタ
ーリードの板厚よりも薄くなっている。前記インナーリ
ードの少なくとも内端部分のリードピッチはアウターリ
ードの厚さにおけるリードピッチ加工限界値よりも小さ
くなっている。また、少なくともアウターリードを連結
する枠部分の厚さはアウターリードと同じ厚さとなって
いる。

【００１９】（３）金属板を所望パターンに打ち抜いて
インナーリードとアウターリードとからなるリードやリ
ードを連結する枠等を有するリードフレームの製造方法
であって、前記金属板のインナーリード形成領域全体を
押し潰して薄板部を形成する工程と、前記薄板部を薄板
部の周囲の厚板部では打ち抜き不可能な狭ピッチで打ち
抜いてインナーリード部分を形成する工程と、前記厚板
部を打ち抜いてアウターリード部分を形成する工程とを
有する。

【００２０】

【作用】前記（１）の手段によれば、インナーリードの
先端のリードピッチは、アウターリードでは形成できな
い狭いリードピッチとなっていることから、リード数を
多くしてもインナーリードは狭ピッチ化できる。また、
必要によりアウターリードもより狭ピッチ化できる。こ
の結果、半導体装置の多ピン，リード狭ピッチ化が達成
できる。

【００２１】また、狭ピッチ化によってインナーリード
の内端を薄くしても、前記パッケージ内のインナーリー
ドの外端側は厚板部となっていることから、パッケージ
から突出するアウターリードの機械的強度が高くなる。

【００２２】前記（２）の手段によれば、半導体装置製
造用のリードフレームにおいて、インナーリードのリー
ドピッチは、アウターリードでは形成できない狭いリー
ドピッチとなっていることから、リード数を多くしても
インナーリードは狭ピッチ化できるため、アウターリー
ドも最小値のリードピッチとすることができる。したが
って、半導体装置の多ピン化，リード狭ピッチ化が達成
できる。

【００２３】また、リードフレームのアウターリードお
よび枠部分は厚くても良く、従来多用されている厚さに
できるため、モールド工程，切断・成形工程等で使用す
る治工具の共用ができ、半導体装置の製造コストの低減
が図れる。

【００２４】また、リードフレームのアウターリードお
よび枠部分は厚くても良く、汎用性の高いリードフレー
ム素材の使用が可能となり、半導体装置の製造コストの
低減が達成できる。

【００２５】また、インナーリードの狭ピッチ化を図っ
ても、リードフレームのアウターリードおよび枠部分は
厚くでき、リードフレームの機械的強度が高くなり、取
扱性が良くなる。

【００２６】前記（３）の手段によれば、金属板のイン
ナーリード形成部分を押し潰して薄板部とした後インナ
ーリードを形成するため、素材のままでは厚くて打ち抜
くことができないスロット幅でインナーリードを形成で
き、リードピッチの狭小化および多ピン化に適用できる
リードフレームを製造できる。

【００２７】

【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。

【００２８】なお、実施例を説明するための全図におい
て、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り
返しの説明は省略する。

【００２９】図１は本発明の一実施例である半導体装置
の断面図、図２は同じく一部の平面的説明図である。半
導体装置は、外観的にはレジンで形成されたパッケージ
１と、このパッケージ１の周囲から突出する複数の入出
力端子（リード）２とからなっている。

【００３０】前記パッケージ１の内部には、半導体チッ
プ３が位置している。この半導体チップ３は支持板４に
固定されている。前記リード２はパッケージ１の内外に
亘って延在している。パッケージ１の内側部分のリード
２はインナーリード５と呼称され、パッケージ１の外側
のリード２はアウターリード６と呼称されている。

【００３１】前記インナーリード５の内端と半導体チッ
プ３の図示しない電極は、接続手段、たとえば、導電性
のワイヤ７で電気的に接続されている。また、アウター
リード６はガルウィング型となっている。

【００３２】本実施例の半導体装置は、図１に示すよう
に、インナーリード５の多くの部分、少なくとも内端部
分の板厚は、アウターリード６の板厚よりも薄く形成さ
れている。薄板部８と、その外側の厚い板部分（厚板部
９）との段差１０は、パッケージ１内に位置している。
これによって、パッケージ１の外には薄板部分は突出せ
ず、厚板部分しか突出しないので、パッケージの外に突
出するアウターリード６の機械的強度が低下しなくな
る。

【００３３】また、図２に示すように、インナーリード
５の内端部分のリードピッチａは、前記アウターリード
６を形成する際の打ち抜きのリードピッチ加工限界値
（プレス加工限界値）よりも小さくなっている。これ
は、後述するが、半導体装置を製造する際使用するリー
ドフレームのインナーリード部分が薄板部に形成される
ことによって可能となる。

【００３４】この結果、本実施例の半導体装置は、アウ
ターリードのリードピッチをアウターリードの板厚にと
ってはプレス加工限界に近い小さなリードピッチとする
ことができるとともに、パッケージ内部のインナーリー
ドでは、アウターリードのリードピッチよりもさらに小
さなリードピッチにすることができる。したがって、多
ピン化によってインナーリードが引き回されても、イン
ナーリード部分のパターンの微細化が図れることから、
アウターリードのリードピッチの狭小化が達成できる。

【００３５】また、インナーリードのリードピッチの狭
小化が可能となることから、半導体チップの電極間隔の
狭小化も可能となる。

【００３６】つぎに、本発明の半導体装置の製造に用い
るリードフレームおよびその製造方法について説明す
る。図３は本発明の一実施例であるリードフレームの平
面図、図４は同じくリードフレームの製造において薄板
部を形成したリードフレーム素材の平面図、図５は同じ
くインナーリードを形成したリードフレーム素材の平面
図である。

【００３７】リードフレーム１５は、厚さ０．１５〜
０．１ｍｍ程度の鉄−ニッケル合金板あるいは銅合金板
をプレスによって所望パターンに打ち抜いた形状となっ
ている。リードフレーム１５は、図３に示すように、一
対の平行に延在する外枠１６と、この一対の外枠１６を
連結し外枠１６に直交する方向に延在する一対の内枠１
７とによって形成される枠構造となっている。

【００３８】また、前記枠の中央には矩形状の支持板
（タブ）４が配置されているとともに、この支持板４は
枠の隅部の太幅部１８から斜めに延在するタブ吊りリー
ド１９によって支持されている。また、前記内枠１７お
よび外枠１６から前記支持板４に向かって複数のリード
２が延在している。また、相互に平行に延在するリード
部分において、各リード２はダム２０によって連結され
ている。このダム２０は、前記内枠１７または外枠１６
に平行に配置されるとともに、前記太幅部１８に連結さ
れている。また、図示はしないが、前記外枠１６には、
リードフレームの搬送や位置決めに使用するガイド孔が
設けられている。

【００３９】このようなリードフレーム１５は、チップ
ボンディング，ワイヤボンディングがなされた後、トラ
ンスファモールドによって封止されてパッケージが形成
される。トランスファモールドによるモールド領域２１
を、図３において二点鎖線枠で示す。モールド領域２１
内に入るリード部分をインナーリード５と呼称し、モー
ルド領域２１から突出するリード部分をアウターリード
６と呼称する。

【００４０】一方、これが本発明の特徴の一つである
が、前記二点鎖線枠で示されるモールド領域２１の内側
の一点鎖線枠内の部分の板厚は、一点鎖線枠の外側の部
分の板厚よりも薄い薄板部８となっている。したがっ
て、一点鎖線枠の外側のリード部分，外枠１６，内枠１
７，ダム２０は厚板部９となる。前記薄板部８は、たと
えば、厚板部９の板厚のおよそ５０〜６０％またはそれ
以下となる。

【００４１】したがって、薄板部８で形成されるインナ
ーリード５の内端のリードピッチａは、厚板部９で形成
されるアウターリード６のリードピッチｂよりも大幅に
小さくできる。

【００４２】なお、リードフレーム１５は、図では、説
明の便宜上リード２の数を大幅に少なくしてあるが、実
際には百数十〜二百数十と多い。

【００４３】つぎに、本実施例のリードフレーム１５の
製造について説明する。最初に厚さ０．１５〜０．１ｍ
ｍ程度の薄い鉄−ニッケル合金板あるいは銅合金板から
なる細長のリードフレーム素材２５が用意される。

【００４４】つぎに、図４に示すように、プレスによっ
て中央部分が一定間隔で押し潰され（叩かれ）て、矩形
状に薄板部８が形成される。図４において二点鎖線で区
切られる矩形部分が、単一のリードフレームとなる。し
たがって、薄板部８の外側の部分を厚板部９と呼称す
る。薄板部８は、たとえば、厚板部９の板厚のおよそ５
０〜６０％またはそれ以下となる。

【００４５】つぎに、図５に示すように、一点鎖線枠で
囲まれる薄板部８に対してプレスによって打ち抜き、イ
ンナーリード５となる部分を形成する。この際、薄板部
８は薄いことから、インナーリード５のリードピッチの
狭ピッチ化（インナーリードの微細化）が達成できる。

【００４６】つぎに、厚板部９の打ち抜きを行って、図
３に示すようなアウターリード６を形成する。この際、
打ち抜きは薄板部８の一部（外端）部分をも打ち抜き、
インナーリード５からアウターリード６に繋がるリード
２を形成することになる。

【００４７】厚板部９の打ち抜きは、たとえば、厚板部
９の板厚のプレスの加工最小限界となるようにする。こ
れにより、厚板部９におけるアウターリード６のリード
ピッチｂは、厚板部９の板厚における最小値とすること
が可能となる。

【００４８】プレスによる打ち抜きの加工寸法は、金属
板を打ち抜くスロットの幅で決まる。したがって、リー
ドフレーム素材の板厚が薄くなる程スロット幅は狭くで
き、リードピッチやリードパターンは微細となる。この
結果、本実施例のリードフレームによれば、薄板部８に
形成するインナーリード５のリードピッチａ（リードパ
ターン）は、厚板部９に形成するアウターリード６のリ
ードピッチｂよりも十分狭くなり、リードピッチの狭小
化，多ピン化に対応できるようになる。

【００４９】このことは、機械強度面で使用限界に近い
薄い厚さのリードフレームであっても、本発明のリード
フレーム構造によれば、インナーリード内端部分でのリ
ードピッチは、実質的にさらに薄いリードフレームを用
いたと同様の狭ピッチ化をインナーリード部分で実現で
きることになる。

【００５０】つぎに、応力歪み（特にインナーリード
部）の除去のため、必要に応じて熱処理を実施する。熱
処理は、たとえば、ヒータを局所（インナーリード部
分）に接近させて加熱することによって行う。また、全
体の加熱でも良い。

【００５１】つぎに、このようなリードフレームを用い
て半導体装置を製造（組立）する方法について説明す
る。最初に図３に示すリードフレーム１５を用意する。
その後、図６に示すように、支持板４上に半導体チップ
３を固定する。

【００５２】つぎに、半導体チップ３の図示しない電極
とインナーリード５の内端部分を常用のワイヤボンディ
ング装置によって電気的に接続する。

【００５３】つぎに、図７に示すように、組立が終了し
たリードフレーム１５を、トランスファモールド装置の
金型３０に型締めして封止を行う。前記金型３０は、下
型３１と、上型３２とからなり、それぞれのパーティン
グ面に窪んだキャビティ３３，３４を有している。上・
下型３２，３１の型締めによって形成されたモールド空
間３５に、ゲート３６から溶けたレジンを圧入してトラ
ンスファモールドを行う。この際、薄板部８は前記モー
ルド空間３５内に入り、下型３１や上型３２のパーティ
ング面には接触しないことから、金型３０は従来使用し
ているものをそのまま使用することができる。これは、
後述する不要リードフレーム部分を切断除去する切断型
やリードを成形する成形型でも同様に従来使用している
ものを使用できる。

【００５４】つぎに、リードフレーム１５を金型３０か
ら取り出し、切断型でリードフレーム１５のダム２０を
切断除去する。

【００５５】つぎに、成形型でリード２を切断するとと
もに、リード２の成形を行う。本実施例ではリード２は
ガルウィング型に成形される。これにより、図１に示す
半導体装置が製造される。

【００５６】本実施例の半導体装置は、インナーリード
部分の板厚がアウターリードの板厚に比較して薄く形成
されていることから、インナーリードのリードピッチが
アウターリードのリードピッチよりも小さくなってい
る。したがって、インナーリードパターンの微細化が可
能となり、多ピン化が達成できる。

【００５７】本実施例の半導体装置は、インナーリード
パターンがアウターリードパターンに比較して微細化で
きることから、アウターリードおよびインナーリードの
リードピッチの狭小化が可能となる。

【００５８】本実施例の半導体装置は、インナーリード
部分の板厚がアウターリードの板厚に比較して薄く形成
されているが、アウターリードはパッケージのつけ根部
分をも含めて厚く機械強度的に強く、折れや曲がりが起
き難い構造となっている。

【００５９】本実施例のリードフレームは、インナーリ
ード形成部分は板厚が薄くなっていることから、アウタ
ーリードのリードピッチに比較してリードピッチを小さ
くすることができる。したがって、多ピン化，リードピ
ッチ狭小化に対応した半導体装置製造用のリードフレー
ムとして好適となる。

【００６０】本実施例のリードフレームの製造方法によ
れば、リードフレーム素材の一部を押し潰しによって薄
板化した後、薄板部と厚板部を別々に打ち抜くため、薄
板部ではリードピッチが小さくできる微細化が可能とな
る。このため、実質的により薄いリードフレームを用い
たと同様にアウターリードおよびインナーリードのリー
ドピッチの狭小化および多ピン化を図ることができる。

【００６１】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない、たとえば、
前記薄板部は、プレスによる押し潰し（叩き）によって
形成したが、エッチングによって形成しても良い。この
場合、薄板部に歪みは発生しないことから、薄板部形成
後の熱処理加工は不要となる。

【００６２】また、前記実施例では、インナーリードの
薄板化は、リードフレーム上面の叩ききによって形成し
たが、下面を叩き、リード全体として上面が同一面とす
るようにしても良い。

【００６３】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるガルウ
ィング型の半導体装置の製造技術に適用した場合につい
て説明したが、それに限定されるものではなく、たとえ
ば、ＬＯＣ（リード・オン・チップ）構造の半導体装置
の製造技術などに適用できる。

【００６４】本発明は少なくとも半導体装置の製造技術
には適用できる。

【００６５】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。

【００６６】（１）インナーリードのリードピッチは、
アウターリードでは形成できない狭いリードピッチとな
っていることから、リード数を多くしてもインナーリー
ドは狭ピッチ化できるため、アウターリードも最小値の
リードピッチとすることができ、半導体装置の多ピン，
リード狭ピッチ化が達成できる。

【００６７】（２）狭ピッチ化によってインナーリード
の内端を薄くしても、前記パッケージ内のインナーリー
ドの外端側は厚板部となっていることから、パッケージ
から突出するアウターリードの機械的強度が高くなる。

【００６８】（３）インナーリードのリードピッチは、
アウターリードでは形成できない狭いリードピッチとな
っていることから、リード数を多くしてもインナーリー
ドは狭ピッチ化できるため、アウターリードも最小値の
リードピッチとすることができる。したがって、多ピン
化，リード狭ピッチ化を目的とするリードフレームとな
る。

【００６９】（４）リードフレームにおいてインナーリ
ードのリードピッチ，パターンの微細化を図っても、外
枠，内枠，ダムおよびアウターリード部分は、従来使用
している板厚であることから、半導体装置の製造におい
て各工程での治具が使用でき、製造コストの低減が図れ
る。

【００７０】（５）インナーリードのリードピッチ，パ
ターンの微細化を図るにしても、従来使用されている汎
用性の高いリードフレーム素材の使用が可能となり、半
導体装置の製造コストの低減が達成できる。

【００７１】（６）インナーリードのリードピッチ，パ
ターンの微細化を図っても、リードフレームのアウター
リードおよび枠部分は厚いため、リードフレームの機械
的強度は高く取扱性に難がない。

【００７２】（７）金属板のインナーリード形成部分を
押し潰して薄板部とした後インナーリードを形成するた
め、素材のままでは厚くて打ち抜くことができないスロ
ット幅でインナーリードを形成でき、リードピッチの狭
小化および多ピン化に適用できるリードフレームを製造
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例である半導体装置の断面図で
ある。

【図２】本実施例の半導体装置の一部の平面的説明図で
ある。

【図３】本発明の一実施例であるリードフレームの概略
構成を示す平面図である。

【図４】本実施例のリードフレームの製造において薄板
部を形成したリードフレーム素材の平面図である。

【図５】本実施例のリードフレームの製造においてイン
ナーリードを形成したリードフレーム素材の平面図であ
る。

【図６】本実施例の半導体装置の製造においてワイヤボ
ンディングが終了したリードフレームを示す断面図であ
る。

【図７】本実施例の半導体装置の製造におけるトランス
ファモールド状態を示す断面図である。

【符号の説明】

１…パッケージ、２…リード、３…半導体チップ、４…
支持板、５…インナーリード、６…アウターリード、７
…ワイヤ、８…薄板部、９…厚板部、１０…段差、１５
…リードフレーム、１６…外枠、１７…内枠、１８…太
幅部、１９…タブ吊りリード、２０…ダム、２１…モー
ルド領域、２５…リードフレーム素材、３０…金型、３
１…下型、３２…上型、３３，３４…キャビティ、３５
…モールド空間、３６…ゲート。

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 パッケージと、前記パッケージの内部に
   位置する半導体チップと、前記パッケージの内外に亘っ
   て延在するインナーリードとアウターリードとからなる
   リードと、前記リードの内端と前記半導体チップの電極
   を電気的に接続する接続手段とを有する半導体装置であ
   って、前記パッケージの内部に延在するインナーリード
   の少なくとも内端部分はパッケージの外部のアウターリ
   ードの厚さよりも薄くなっていることを特徴とする半導
   体装置。
2. 【請求項２】 前記パッケージ内のインナーリードの内
   端側は薄板部となり、外端側は厚板部となっていること
   を特徴とする請求項１記載の半導体装置。
3. 【請求項３】 前記インナーリードの内端リードピッチ
   は前記アウターリードの厚さにおけるリードピッチ加工
   限界値よりも小さくなっていることを特徴とする請求項
   １記載の半導体装置。
4. 【請求項４】 金属板の打ち抜きによって形成されたイ
   ンナーリードとアウターリードとからなるリードやリー
   ドを連結する枠等を有するリードフレームであって、前
   記インナーリードの少なくとも内端部分はアウターリー
   ドの板厚よりも薄くなっていることを特徴とするリード
   フレーム。
5. 【請求項５】 前記インナーリードの少なくとも内端部
   分のリードピッチはアウターリードの厚さにおけるリー
   ドピッチ加工限界値よりも小さくなっていることを特徴
   とする請求項３記載のリードフレーム。
6. 【請求項６】 少なくともアウターリードを連結する枠
   部分の厚さはアウターリードと同じ厚さとなっているこ
   とを特徴とする請求項３または請求項４記載のリードフ
   レーム。
7. 【請求項７】 金属板を所望パターンに打ち抜いてイン
   ナーリードとアウターリードとからなるリードやリード
   を連結する枠等を有するリードフレームの製造方法であ
   って、前記金属板のインナーリード形成領域全体を薄板
   化して薄板部を形成する工程と、前記薄板部を薄板部の
   周囲の厚板部では打ち抜き不可能な狭ピッチで打ち抜い
   てインナーリード部分を形成する工程と、前記厚板部を
   打ち抜いてアウターリード部分を形成する工程とを有す
   ることを特徴とするリードフレームの製造方法。