JPH07221246A - 樹脂封止型半導体装置用リ−ドフレ−ム、及びそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置用リ−ドフレ−ム、及びそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法Info
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- JPH07221246A JPH07221246A JP1082394A JP1082394A JPH07221246A JP H07221246 A JPH07221246 A JP H07221246A JP 1082394 A JP1082394 A JP 1082394A JP 1082394 A JP1082394 A JP 1082394A JP H07221246 A JPH07221246 A JP H07221246A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、レジンなどの樹脂によるダム切断用
の金型の摩耗を防ぎ、生産性を向上させることができる
リ−ドフレ−ム及びそれを用いた樹脂封止型半導体装置
の製造方法を提供するものである。 【構成】複数のリ−ド間を連結するダム３の内側にセミ
ダム４を設けて、それをダム３につなげて一体化してお
き、セミダム４と隣接するリ−ドの結合部を切断してお
く。それによって、ダム３を切断すると同時にセミダム
４も除去できるようになる。このように形成したリ−ド
フレ−ムを用いて樹脂封止型半導体装置の組立工程を行
なう。 【効果】ダムの内側にセミダムを設けたことによって、
ダム内レジンバリの発生がほとんど無くなる。これによ
って、ダム内レジンの除去工程が不要となる。また、ダ
ム切断用の切刃がレジンに触れないので、レジン成分の
シリカ分による切刃の異常摩耗が起きないため切断金型
切刃の寿命が延びる。
の金型の摩耗を防ぎ、生産性を向上させることができる
リ−ドフレ−ム及びそれを用いた樹脂封止型半導体装置
の製造方法を提供するものである。 【構成】複数のリ−ド間を連結するダム３の内側にセミ
ダム４を設けて、それをダム３につなげて一体化してお
き、セミダム４と隣接するリ−ドの結合部を切断してお
く。それによって、ダム３を切断すると同時にセミダム
４も除去できるようになる。このように形成したリ−ド
フレ−ムを用いて樹脂封止型半導体装置の組立工程を行
なう。 【効果】ダムの内側にセミダムを設けたことによって、
ダム内レジンバリの発生がほとんど無くなる。これによ
って、ダム内レジンの除去工程が不要となる。また、ダ
ム切断用の切刃がレジンに触れないので、レジン成分の
シリカ分による切刃の異常摩耗が起きないため切断金型
切刃の寿命が延びる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は樹脂封止型の半導体装置
の製造に適用して、特に有効なリ−ドフレ−ム及びそれ
を用いた半導体装置の製造方法に関するものである。
の製造に適用して、特に有効なリ−ドフレ−ム及びそれ
を用いた半導体装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】樹脂封止型の半導体装置の組立に用いら
れるリ−ドフレ−ムについては、特開昭６３−１６４２
５１号公報に記載されている。その概要は、リ−ドフレ
−ムの複数のリ−ドを連結するダムの内側に突起を形成
したり、また複数のリ−ドを連結するダムとモ−ルドラ
イン（パッケ−ジの外縁部）との間隔がダムの幅寸法に
等しいかまたはダム幅寸法よりも小さくすることによ
り、樹脂封止工程でのダム内レジンバリの容積を低減
し、その後のダム切断作業などにおいて、切断金型など
の寿命の低下を防ぎ、ダム内レジンなどのバリを一括し
て除去することができるというものである。
れるリ−ドフレ−ムについては、特開昭６３−１６４２
５１号公報に記載されている。その概要は、リ−ドフレ
−ムの複数のリ−ドを連結するダムの内側に突起を形成
したり、また複数のリ−ドを連結するダムとモ−ルドラ
イン（パッケ−ジの外縁部）との間隔がダムの幅寸法に
等しいかまたはダム幅寸法よりも小さくすることによ
り、樹脂封止工程でのダム内レジンバリの容積を低減
し、その後のダム切断作業などにおいて、切断金型など
の寿命の低下を防ぎ、ダム内レジンなどのバリを一括し
て除去することができるというものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のような
リ−ドフレ−ムを用いても、ダムからの突起と隣接する
リ−ドとの隙間に樹脂（レジン）が入り込むので、ダム
切断作業の際にダム切断金型パンチ・ダイの切刃が上記
隙間に入り込んだレジンに触れ、レジン成分のシリカに
よって切刃が摩耗されることにより、切刃の寿命が短く
なるという問題が発明者によって明確にされた。
リ−ドフレ−ムを用いても、ダムからの突起と隣接する
リ−ドとの隙間に樹脂（レジン）が入り込むので、ダム
切断作業の際にダム切断金型パンチ・ダイの切刃が上記
隙間に入り込んだレジンに触れ、レジン成分のシリカに
よって切刃が摩耗されることにより、切刃の寿命が短く
なるという問題が発明者によって明確にされた。
【０００４】又、ダムとモ−ルドラインとの間隔を小さ
くする場合も、ダム切断金型の切刃がレジンに触れるた
め、上記と同様に切刃の寿命が短くなるという問題が発
生する。
くする場合も、ダム切断金型の切刃がレジンに触れるた
め、上記と同様に切刃の寿命が短くなるという問題が発
生する。
【０００５】そのため、上記問題点を解決し、生産性を
向上させることができるリ−ドフレ−ム及びそれを用い
た樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供するものであ
る。
向上させることができるリ−ドフレ−ム及びそれを用い
た樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供するものであ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記
の通りである。
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記
の通りである。
【０００７】すなわち、複数のリ−ドを連結するダムの
内側にダムから突出するセミダムを設け、このセミダム
とセミダムに隣接するリ−ドとの結合部を切断してお
く。
内側にダムから突出するセミダムを設け、このセミダム
とセミダムに隣接するリ−ドとの結合部を切断してお
く。
【０００８】このように形成したリ−ドフレ−ムを用い
て、樹脂封止型半導体装置の製造を行う。
て、樹脂封止型半導体装置の製造を行う。
【０００９】
【作用】上記した手段によれば、例えば半導体装置の製
造における樹脂封止工程において、ダム内にセミダムを
設けることで、ダムの内側に充填される樹脂によって形
成されるダム内レジンバリの量を低減することができ
る。
造における樹脂封止工程において、ダム内にセミダムを
設けることで、ダムの内側に充填される樹脂によって形
成されるダム内レジンバリの量を低減することができ
る。
【００１０】又、セミダムをダムとつなげて一体化し、
更にセミダムとこれに隣接するリ−ドの結合部を予め切
断しておくため、樹脂封止後、ダム切断用金型の切刃が
樹脂に直接触れることなくダムとセミダムとを容易に除
去することができ、レジン等の樹脂によるダム切断用金
型の切刃の異常摩耗が無くなる。
更にセミダムとこれに隣接するリ−ドの結合部を予め切
断しておくため、樹脂封止後、ダム切断用金型の切刃が
樹脂に直接触れることなくダムとセミダムとを容易に除
去することができ、レジン等の樹脂によるダム切断用金
型の切刃の異常摩耗が無くなる。
【００１１】
【実施例】図１は本発明の一実施例であるリ−ドフレ−
ムの平面図である。
ムの平面図である。
【００１２】本実施例のリ−ドフレ−ムは、例えば樹脂
封止型の半導体装置に適用されるものであり、図１に示
すように、複数のリ−ドをつなぐダム３より内側（イン
ナ−リ−ド５側）に突出するＴ字型のセミダム４を隣接
するインナ−リ−ド５間それぞれに設けている。このセ
ミダム４と隣接するインナ−リ−ド５との結合部はリ−
ドフレ−ム作成時に予め切断しておく。しかし、セミダ
ム４とダム３とは一体に形成されているために、切断金
型の切刃は図３（ａ）に示すようにぎりぎり切れる程ま
でしか入れない。
封止型の半導体装置に適用されるものであり、図１に示
すように、複数のリ−ドをつなぐダム３より内側（イン
ナ−リ−ド５側）に突出するＴ字型のセミダム４を隣接
するインナ−リ−ド５間それぞれに設けている。このセ
ミダム４と隣接するインナ−リ−ド５との結合部はリ−
ドフレ−ム作成時に予め切断しておく。しかし、セミダ
ム４とダム３とは一体に形成されているために、切断金
型の切刃は図３（ａ）に示すようにぎりぎり切れる程ま
でしか入れない。
【００１３】又、セミダム４の切断によって発生したリ
−ドフレ−ムのゆがみは図３（ｂ）、（ｃ）に示すよう
に、スタンプによって整えておく。また、本実施例では
セミダム４がＴ字型に形成されているが、セミダム４は
Ｔ字型に限られず、隣接するリ−ドとセミダム４の結合
部を切断して、さらにダム３と一体化して実質的にレジ
ンの流れを堰き止めることができるものであればどのよ
うな形でも良い。
−ドフレ−ムのゆがみは図３（ｂ）、（ｃ）に示すよう
に、スタンプによって整えておく。また、本実施例では
セミダム４がＴ字型に形成されているが、セミダム４は
Ｔ字型に限られず、隣接するリ−ドとセミダム４の結合
部を切断して、さらにダム３と一体化して実質的にレジ
ンの流れを堰き止めることができるものであればどのよ
うな形でも良い。
【００１４】次に、上記のようなリ−ドフレ−ムの、特
にセミダムの製造方法を図２、図３に基づき説明する。
にセミダムの製造方法を図２、図３に基づき説明する。
【００１５】図２は、図１に示すリ−ドフレ−ムのセミ
ダム４と隣接するインナ−リ−ド５との間を切断する前
の状態を示す一部拡大平面図である。図３は、図２のＸ
−Ｙ断面をセミダム４の切断及び平坦化工程に沿って示
した工程断面図である。
ダム４と隣接するインナ−リ−ド５との間を切断する前
の状態を示す一部拡大平面図である。図３は、図２のＸ
−Ｙ断面をセミダム４の切断及び平坦化工程に沿って示
した工程断面図である。
【００１６】図２、図３に従って、セミダム４とインナ
−リ−ド５の結合部の切断工程を説明する。まず、図２
の７の点線に示すような位置に切断パンチ８を落し、セ
ミダム４とインナ−リ−ド５の結合部を切断する。しか
し、図３（ａ）に示す断面図のように、切断パンチはリ
−ドフレ−ムからぎりぎり切れる程度にしか入れない
で、セミダム４をリ−ドフレ−ムと一体化しておく。
−リ−ド５の結合部の切断工程を説明する。まず、図２
の７の点線に示すような位置に切断パンチ８を落し、セ
ミダム４とインナ−リ−ド５の結合部を切断する。しか
し、図３（ａ）に示す断面図のように、切断パンチはリ
−ドフレ−ムからぎりぎり切れる程度にしか入れない
で、セミダム４をリ−ドフレ−ムと一体化しておく。
【００１７】セミダム４とインナ−リ−ド５の結合部を
切断する際、セミダム４とインナ−リ−ド５の結合部の
切断によって、セミダム４とダム３との結合部が押し曲
げられた状態になる。このため、セミダム４とインナ−
リ−ド５の結合部の切断の際に生じたリ−ドフレ−ムの
ゆがみは、図３（ｂ）の断面図のようにリ−ドフレ−ム
をスタンプする工程により、図３（ｃ）の断面図のよう
にリ−ドフレ−ムを平坦にすることができる。
切断する際、セミダム４とインナ−リ−ド５の結合部の
切断によって、セミダム４とダム３との結合部が押し曲
げられた状態になる。このため、セミダム４とインナ−
リ−ド５の結合部の切断の際に生じたリ−ドフレ−ムの
ゆがみは、図３（ｂ）の断面図のようにリ−ドフレ−ム
をスタンプする工程により、図３（ｃ）の断面図のよう
にリ−ドフレ−ムを平坦にすることができる。
【００１８】次に、上記図１に示すリ−ドフレ−ム１を
用いて、樹脂封止型の半導体装置を製造する方法を図４
（ａ）〜（ｄ）に従って説明する。
用いて、樹脂封止型の半導体装置を製造する方法を図４
（ａ）〜（ｄ）に従って説明する。
【００１９】最初に上記のようなリ−ドフレ−ム１を用
いて、図４（ａ）に示すようにダイボンディングを行な
い、リ−ドフレ−ム１のタブ２上に半導体チップ９を載
せる。次にワイヤボンディングを行ない、半導体チップ
９とインナ−リ−ド５をワイヤ（金線）１０により結線
する。
いて、図４（ａ）に示すようにダイボンディングを行な
い、リ−ドフレ−ム１のタブ２上に半導体チップ９を載
せる。次にワイヤボンディングを行ない、半導体チップ
９とインナ−リ−ド５をワイヤ（金線）１０により結線
する。
【００２０】その後、図４（ｂ）のように、レジンなど
の熱可塑性樹脂を用いて、リ−ドフレ−ム１上の半導体
チップ９を封止し、樹脂封止部（パッケ−ジ）１２を形
成する。従来は、この封止工程の際にダム３のところま
で樹脂が流れ込んできていたが、セミダム４を設けたこ
とによって、セミダム４でレジンが堰き止められる為、
ダム内レジンバリの発生が大幅に低減できる。
の熱可塑性樹脂を用いて、リ−ドフレ−ム１上の半導体
チップ９を封止し、樹脂封止部（パッケ−ジ）１２を形
成する。従来は、この封止工程の際にダム３のところま
で樹脂が流れ込んできていたが、セミダム４を設けたこ
とによって、セミダム４でレジンが堰き止められる為、
ダム内レジンバリの発生が大幅に低減できる。
【００２１】そして、上記樹脂封止工程終了後、図４
（ｃ）に示すようにダム３及びセミダム除去を行う。こ
のダム３及びセミダム４の除去工程については後述す
る。この後、枠部１１切断工程を行い図４（ｄ）に示す
ようになる。そして、図示はしないが成形工程を行い樹
脂封止型の半導体装置を形成する。
（ｃ）に示すようにダム３及びセミダム除去を行う。こ
のダム３及びセミダム４の除去工程については後述す
る。この後、枠部１１切断工程を行い図４（ｄ）に示す
ようになる。そして、図示はしないが成形工程を行い樹
脂封止型の半導体装置を形成する。
【００２２】次に、上記ダム３及びセミダムの除去を図
５、図６に基づいて説明する。
５、図６に基づいて説明する。
【００２３】図５は、図４（ｂ）のＡ部の拡大図であ
る。図５の１３はダム３及びセミダム４除去工程におけ
るダム切断用金型の当るエリアである。図５を見て分か
るように、ダム内レジンバリの発生するセミダム４より
内側の領域まで（すなわち、樹脂封止部１２側まで）、
ダム切断用金型１４の切刃は当らない。これは、セミダ
ム４と隣接するインナ−リ−ド５との間は既に切断され
ているため、ダム切断用金型１４の切刃を樹脂封止部１
２側まで大きくする必要がないためである。このような
ダム切断用金型１４により、ダム３とセミダム４を同一
工程で容易に除去することが出来る。
る。図５の１３はダム３及びセミダム４除去工程におけ
るダム切断用金型の当るエリアである。図５を見て分か
るように、ダム内レジンバリの発生するセミダム４より
内側の領域まで（すなわち、樹脂封止部１２側まで）、
ダム切断用金型１４の切刃は当らない。これは、セミダ
ム４と隣接するインナ−リ−ド５との間は既に切断され
ているため、ダム切断用金型１４の切刃を樹脂封止部１
２側まで大きくする必要がないためである。このような
ダム切断用金型１４により、ダム３とセミダム４を同一
工程で容易に除去することが出来る。
【００２４】次に図６（ａ）〜（ｃ）に基づいて上記ダ
ム及びセミダム除去工程を説明する。図６の（ａ）はダ
ム切断用金型１４が上記図５のダム切断用金型１４の当
るエリア１２にセットされた状態を示している。セット
し終わったら、図６（ｂ）に示すようにダム切断用金型
１４を落していく。そして、図６（ｃ）のようにダム切
断用金型１４が入った時、ダム３とセミダム４が除去さ
れる。
ム及びセミダム除去工程を説明する。図６の（ａ）はダ
ム切断用金型１４が上記図５のダム切断用金型１４の当
るエリア１２にセットされた状態を示している。セット
し終わったら、図６（ｂ）に示すようにダム切断用金型
１４を落していく。そして、図６（ｃ）のようにダム切
断用金型１４が入った時、ダム３とセミダム４が除去さ
れる。
【００２５】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記
のとおりである。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記
のとおりである。
【００２６】１）ダムの内側に隣接するリ−ド間を塞ぎ
実質的にレジンの流れを堰き止めるセミダムを設けたこ
とによって、ダム内レジンバリの発生がほとんど無くな
る。このため、レジン打痕不良の低減ができる。
実質的にレジンの流れを堰き止めるセミダムを設けたこ
とによって、ダム内レジンバリの発生がほとんど無くな
る。このため、レジン打痕不良の低減ができる。
【００２７】２）上記１）の結果、ダム内レジン除去の
工程が不要になり、ダム内レジン切断用切刃（レジンパ
ンチ・ダイ）が不要となる。
工程が不要になり、ダム内レジン切断用切刃（レジンパ
ンチ・ダイ）が不要となる。
【００２８】３）セミダムと隣接するリ−ドとは切断さ
れているため、ダム切断用金型の切刃を封止部のレジン
又はレジンバリに触れない範囲の大きさとすることがで
きるため、レジン成分のシリカ分による切刃の異常摩耗
が起きないため切断金型切刃の寿命が延びる。
れているため、ダム切断用金型の切刃を封止部のレジン
又はレジンバリに触れない範囲の大きさとすることがで
きるため、レジン成分のシリカ分による切刃の異常摩耗
が起きないため切断金型切刃の寿命が延びる。
【００２９】４）樹脂封止部に近接するセミダム部を設
けることによって、樹脂封止部外周寸法を高精度化でき
る。
けることによって、樹脂封止部外周寸法を高精度化でき
る。
【図１】本発明の一実施例であるセミダム付リ−ドフレ
−ムの平面図である。
−ムの平面図である。
【図２】本発明のリ−ドフレ−ム形成途中のリ−ドフレ
−ムの一部拡大平面図である。
−ムの一部拡大平面図である。
【図３】本発明のリ−ドフレ−ム製作時のセミダムとイ
ンナ−リ−ドの結合部破断工程を示す図２のＸＹ間の工
程断面図である。
ンナ−リ−ドの結合部破断工程を示す図２のＸＹ間の工
程断面図である。
【図４】本発明の樹脂封止型半導体装置の製造工程を示
す工程平面図である。
す工程平面図である。
【図５】本発明の樹脂封止型半導体装置の製造工程にお
けるダム及びセミダム除去工程を説明するための図４
（ｂ）のＡ部の拡大平面図である。
けるダム及びセミダム除去工程を説明するための図４
（ｂ）のＡ部の拡大平面図である。
【図６】本発明の樹脂封止型半導体装置の製造工程にお
けるダム及びセミダム除去工程を示す図５のＸＹ間の工
程断面図である。
けるダム及びセミダム除去工程を示す図５のＸＹ間の工
程断面図である。
１…リ−ドフレ−ム、２…タブ、３…ダム、４…セミダ
ム、５…インナ−リ−ド、６…アウタ−リ−ド、７…フ
レ−ム作成時の切断パンチの当るエリア、８…切断パン
チ、９…半導体チップ、１０…ワイヤ（金線）、１１…
枠部、１２…樹脂封止部、１３…ダム切断用金型の当る
エリア、１４…ダム切断用金型。
ム、５…インナ−リ−ド、６…アウタ−リ−ド、７…フ
レ−ム作成時の切断パンチの当るエリア、８…切断パン
チ、９…半導体チップ、１０…ワイヤ（金線）、１１…
枠部、１２…樹脂封止部、１３…ダム切断用金型の当る
エリア、１４…ダム切断用金型。
Claims (2)
- 【請求項１】複数のリ−ドを連結するダムと、上記ダム
の内側で、上記複数のリ−ドの隣接するリ−ド間に上記
ダムより突出して、上記隣接するリ−ドとは切断され、
少なくともその一部が上記隣接するリ−ド間を実質的に
塞ぐように設けられるセミダムとを有し、上記セミダム
により実質的にレジンの流れを堰き止めるように構成さ
れていることを特徴とするリ−ドフレ−ム。 - 【請求項２】複数のリ−ドを連結するダムと、上記ダム
の内側で、上記複数のリ−ドの隣接するリ−ド間に上記
ダムより突出して、上記隣接するリ−ドとは切断され、
少なくともその一部が上記隣接するリ−ド間を実質的に
塞ぐように設けられるセミダムとを有し、上記セミダム
により実質的にレジンの流れを堰き止めるように構成さ
れているリ−ドフレ−ムを用意する工程、上記リ−ドフ
レ−ム上に半導体チップを固着し、この半導体チップと
上記リ−ドフレ−ムのリ−ドとをワイヤで接続する工
程、上記半導体チップ、ワイヤ及びリ−ドの一部を樹脂
で封止する工程、上記リ−ドフレ−ムのリ−ド間を連結
しているダム及びダムから突出するセミダムを除去する
工程、を有することを特徴とする樹脂封止型半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1082394A JPH07221246A (ja) | 1994-02-02 | 1994-02-02 | 樹脂封止型半導体装置用リ−ドフレ−ム、及びそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1082394A JPH07221246A (ja) | 1994-02-02 | 1994-02-02 | 樹脂封止型半導体装置用リ−ドフレ−ム、及びそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07221246A true JPH07221246A (ja) | 1995-08-18 |
Family
ID=11761084
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1082394A Pending JPH07221246A (ja) | 1994-02-02 | 1994-02-02 | 樹脂封止型半導体装置用リ−ドフレ−ム、及びそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07221246A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100319616B1 (ko) * | 1999-04-17 | 2002-01-05 | 김영환 | 리드프레임 및 이를 이용한 버텀리드 반도체패키지 |
-
1994
- 1994-02-02 JP JP1082394A patent/JPH07221246A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100319616B1 (ko) * | 1999-04-17 | 2002-01-05 | 김영환 | 리드프레임 및 이를 이용한 버텀리드 반도체패키지 |
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