JPH1154686A - リードフレームおよびこれを用いた半導体パッケージ - Google Patents
リードフレームおよびこれを用いた半導体パッケージInfo
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- JPH1154686A JPH1154686A JP20921197A JP20921197A JPH1154686A JP H1154686 A JPH1154686 A JP H1154686A JP 20921197 A JP20921197 A JP 20921197A JP 20921197 A JP20921197 A JP 20921197A JP H1154686 A JPH1154686 A JP H1154686A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体パッケージの樹脂封止工程において発
生するアウターリード５の中央付近から先端付近へのバ
リ９の付着を防ぐリードフレーム形状を提案する。 【解決手段】 タイバー４を除くアウターリード５表面
のモールド外形６際に、１〜５０μｍの深さを有する窪
み状のバリ止め１０ａを形成する。バリ止め１０ａは、
樹脂封止工程でリードフレーム１と封止金型７のわずか
な隙間から漏れだしてくる封止樹脂を窪みの中に溜める
ことにより、バリ９をモールド外形６の近傍で止め、樹
脂封止型半導体パッケージ製造後、プリント基板に実装
される時に接合に関与するアウターリード５の中央付近
から先端付近へのバリ９の付着を防止する。このため、
バリ取り工程なしに、錫や錫−鉛のはんだめっきを行う
ことが可能であり、製造コストの低下、生産性の向上が
図られる。
生するアウターリード５の中央付近から先端付近へのバ
リ９の付着を防ぐリードフレーム形状を提案する。 【解決手段】 タイバー４を除くアウターリード５表面
のモールド外形６際に、１〜５０μｍの深さを有する窪
み状のバリ止め１０ａを形成する。バリ止め１０ａは、
樹脂封止工程でリードフレーム１と封止金型７のわずか
な隙間から漏れだしてくる封止樹脂を窪みの中に溜める
ことにより、バリ９をモールド外形６の近傍で止め、樹
脂封止型半導体パッケージ製造後、プリント基板に実装
される時に接合に関与するアウターリード５の中央付近
から先端付近へのバリ９の付着を防止する。このため、
バリ取り工程なしに、錫や錫−鉛のはんだめっきを行う
ことが可能であり、製造コストの低下、生産性の向上が
図られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂封止型半導体
パッケージに用いられるリードフレームおよびこれを用
いた半導体パッケージに関するものである。
パッケージに用いられるリードフレームおよびこれを用
いた半導体パッケージに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図９（ａ）は、樹脂封止型半導体パッケ
ージに用いられる従来のリードフレームを示す上面図、
図９（ｂ）はリード部の部分拡大図である。また、図１
０は従来の樹脂封止型半導体パッケージ組立フローを示
す図である。図において、１はリードフレーム、２はこ
のリードフレーム１の内部に設けられたダイパッド、３
はリードフレーム１のリード部を形成し、樹脂封止工程
後半導体パッケージ内部に収納されるインナーリード、
４はリードの中間部を幅方向に連結するタイバー、５は
インナーリード３とタイバー４を隔ててリードを形成す
るアウターリード、６は樹脂封止を行った際に樹脂で覆
われる領域となるモールド外形をそれぞれ示す。
ージに用いられる従来のリードフレームを示す上面図、
図９（ｂ）はリード部の部分拡大図である。また、図１
０は従来の樹脂封止型半導体パッケージ組立フローを示
す図である。図において、１はリードフレーム、２はこ
のリードフレーム１の内部に設けられたダイパッド、３
はリードフレーム１のリード部を形成し、樹脂封止工程
後半導体パッケージ内部に収納されるインナーリード、
４はリードの中間部を幅方向に連結するタイバー、５は
インナーリード３とタイバー４を隔ててリードを形成す
るアウターリード、６は樹脂封止を行った際に樹脂で覆
われる領域となるモールド外形をそれぞれ示す。
【０００３】樹脂封止型半導体パッケージの組立工程で
は、例えば鉄−ニッケルや銅を主成分としたリードフレ
ーム１上に設けられたダイパッド２に、シリコン等から
なる半導体チップ（図示せず）を接着剤やはんだ剤で固
着させるダイボンド工程、リードフレーム１に設けられ
たインナーリード３と半導体チップを金あるいはアルミ
ニウム等の金属細線で結線するワイヤボンド工程、ダイ
パッド２、半導体チップ、インナーリード３を外部から
保護するためにエポキシ樹脂などから構成された封止用
樹脂にて封止する樹脂封止工程（モールド工程）が主に
行われる。樹脂封止工程では、封止金型によりリードフ
レーム１のアウターリード５部をアウターリード５が部
分的に塑性変形する程の高圧力で挟み込み、タイバー４
部分以外には封止樹脂が封止金型の外部に漏れないよう
にしている。樹脂封止工程後には、半導体パッケージを
プリント基板に実装するためのはんだ濡れ性を確保する
ために必要となる錫を主成分とする錫−鉛のはんだめっ
きをアウターリード５に施すはんだめっき工程、アウタ
ーリード５を所定の外形に整えるためのリード加工工程
が行われ、マーク工程を経て樹脂封止型半導体パッケー
ジの全加工工程が完了する。
は、例えば鉄−ニッケルや銅を主成分としたリードフレ
ーム１上に設けられたダイパッド２に、シリコン等から
なる半導体チップ（図示せず）を接着剤やはんだ剤で固
着させるダイボンド工程、リードフレーム１に設けられ
たインナーリード３と半導体チップを金あるいはアルミ
ニウム等の金属細線で結線するワイヤボンド工程、ダイ
パッド２、半導体チップ、インナーリード３を外部から
保護するためにエポキシ樹脂などから構成された封止用
樹脂にて封止する樹脂封止工程（モールド工程）が主に
行われる。樹脂封止工程では、封止金型によりリードフ
レーム１のアウターリード５部をアウターリード５が部
分的に塑性変形する程の高圧力で挟み込み、タイバー４
部分以外には封止樹脂が封止金型の外部に漏れないよう
にしている。樹脂封止工程後には、半導体パッケージを
プリント基板に実装するためのはんだ濡れ性を確保する
ために必要となる錫を主成分とする錫−鉛のはんだめっ
きをアウターリード５に施すはんだめっき工程、アウタ
ーリード５を所定の外形に整えるためのリード加工工程
が行われ、マーク工程を経て樹脂封止型半導体パッケー
ジの全加工工程が完了する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体パッケー
ジのリードフレーム１では、インナーリード３とアウタ
ーリード５がリードフレーム１内の同一平面内に構成さ
れているため、樹脂封止工程において、図１１に示すよ
うに、封止金型７とリードフレーム１の取り付け位置の
わずかなずれにより、封止金型７とリードフレーム１間
に隙間が生じ、その隙間から封止樹脂８が漏れだし、タ
イバー４のみならずアウターリード５に、バリ９を発生
させていた。樹脂封止工程で発生したバリ９は、はんだ
めっき工程におけるアウターリード５への錫や鉛等のめ
っき金属の電析を妨げ、めっき不良、ひいては樹脂封止
型半導体パッケージ製品のプリント基板への実装時の実
装不良を引き起こす原因となっていた。
ジのリードフレーム１では、インナーリード３とアウタ
ーリード５がリードフレーム１内の同一平面内に構成さ
れているため、樹脂封止工程において、図１１に示すよ
うに、封止金型７とリードフレーム１の取り付け位置の
わずかなずれにより、封止金型７とリードフレーム１間
に隙間が生じ、その隙間から封止樹脂８が漏れだし、タ
イバー４のみならずアウターリード５に、バリ９を発生
させていた。樹脂封止工程で発生したバリ９は、はんだ
めっき工程におけるアウターリード５への錫や鉛等のめ
っき金属の電析を妨げ、めっき不良、ひいては樹脂封止
型半導体パッケージ製品のプリント基板への実装時の実
装不良を引き起こす原因となっていた。
【０００５】かゝる問題に対し、例えば特開平１−２２
０４６６号公報では、モールド外形の境界部分に相当す
るアウターリード表面に溝を刻み、かつ樹脂封止工程に
用いる封止金型に対し、アウターリード表面の溝内に入
り込む突起を設ける方法を提案している。しかしなが
ら、この方法では、封止金型とリードフレームとの平面
的な位置合わせに対して、非常に高い精度が必要であ
り、特に、通常封止金型は１５０度程度に加熱されてい
るため、リードフレームには熱膨張を考慮した溝位置の
設計が必要であった。また、同方法においては、溝は各
アウターリードに対してリード幅全体を横切って形成さ
れるため、リードフレーム全体の剛性を損ない、半導体
パッケージの組立工程中の搬送工程などでフレーム変形
を生じさせ、歩留まり低下やトラブルシューティングの
ために製造装置の稼動率低下を招くなどの問題がある。
さらに、樹脂封止工程で生じる非常に高い型締め圧力に
よって、金型突起の消耗が極端に早く、また、突起部が
損傷し高価な成形コストがかかり、工期に数ヶ月以上も
かかる封止金型を新たに作成する必要がでるなどの問題
があり、実用的ではなく、実際に工業的には使用されて
いない。
０４６６号公報では、モールド外形の境界部分に相当す
るアウターリード表面に溝を刻み、かつ樹脂封止工程に
用いる封止金型に対し、アウターリード表面の溝内に入
り込む突起を設ける方法を提案している。しかしなが
ら、この方法では、封止金型とリードフレームとの平面
的な位置合わせに対して、非常に高い精度が必要であ
り、特に、通常封止金型は１５０度程度に加熱されてい
るため、リードフレームには熱膨張を考慮した溝位置の
設計が必要であった。また、同方法においては、溝は各
アウターリードに対してリード幅全体を横切って形成さ
れるため、リードフレーム全体の剛性を損ない、半導体
パッケージの組立工程中の搬送工程などでフレーム変形
を生じさせ、歩留まり低下やトラブルシューティングの
ために製造装置の稼動率低下を招くなどの問題がある。
さらに、樹脂封止工程で生じる非常に高い型締め圧力に
よって、金型突起の消耗が極端に早く、また、突起部が
損傷し高価な成形コストがかかり、工期に数ヶ月以上も
かかる封止金型を新たに作成する必要がでるなどの問題
があり、実用的ではなく、実際に工業的には使用されて
いない。
【０００６】そこで、通常は、樹脂封止工程後、めっき
工程前に、バリ９取り工程を設け、アウターリード５に
漏れだして付着した封止樹脂８を取り除くことが必要不
可欠であった。このため、バリ９取り工程に必要な動
力、薬液、さらに人件費などのコストがかかり、また、
工程が増えるために発生する歩留まりの低下や、スルー
プットを損ない、生産性の低下を招くなどの問題があっ
た。
工程前に、バリ９取り工程を設け、アウターリード５に
漏れだして付着した封止樹脂８を取り除くことが必要不
可欠であった。このため、バリ９取り工程に必要な動
力、薬液、さらに人件費などのコストがかかり、また、
工程が増えるために発生する歩留まりの低下や、スルー
プットを損ない、生産性の低下を招くなどの問題があっ
た。
【０００７】本発明は、上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、樹脂封止工程において発生する
アウターリード５の中央付近から先端付近への封止樹脂
すなわちバリ９の付着を防ぐことが可能なリードフレー
ム形状を提案し、このリードフレームを用いた生産性の
高い半導体パッケージを得ることを目的とする。
ためになされたもので、樹脂封止工程において発生する
アウターリード５の中央付近から先端付近への封止樹脂
すなわちバリ９の付着を防ぐことが可能なリードフレー
ム形状を提案し、このリードフレームを用いた生産性の
高い半導体パッケージを得ることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明に係わるリード
フレームは、半導体チップを搭載するダイパッドと、こ
のダイパッドに間隔を置いて配され、半導体チップの入
出力端子と金属細線で接続される複数のリードと、これ
らのリードの中間部を幅方向に連結するタイバーを備え
た樹脂封止型半導体パッケージ用のリードフレームであ
って、リードのうち、樹脂封止後に樹脂で被覆されない
アウターリードの封止樹脂際で、かつタイバーを除く位
置に、窪みを設けたものである。また、窪みは、リード
の幅全体に広く設けられているものである。また、窪み
は、リードに平行な方向に溝状に設けられているもので
ある。さらに、溝状の窪みは、１本のリードに複数個設
けられているものである。また、窪みは、１〜５０μｍ
の深さを有するものである。また、窪みは、リードの表
裏のいずれか片面または両面に設けられているものであ
る。
フレームは、半導体チップを搭載するダイパッドと、こ
のダイパッドに間隔を置いて配され、半導体チップの入
出力端子と金属細線で接続される複数のリードと、これ
らのリードの中間部を幅方向に連結するタイバーを備え
た樹脂封止型半導体パッケージ用のリードフレームであ
って、リードのうち、樹脂封止後に樹脂で被覆されない
アウターリードの封止樹脂際で、かつタイバーを除く位
置に、窪みを設けたものである。また、窪みは、リード
の幅全体に広く設けられているものである。また、窪み
は、リードに平行な方向に溝状に設けられているもので
ある。さらに、溝状の窪みは、１本のリードに複数個設
けられているものである。また、窪みは、１〜５０μｍ
の深さを有するものである。また、窪みは、リードの表
裏のいずれか片面または両面に設けられているものであ
る。
【０００９】また、半導体チップを搭載するダイパッド
と、このダイパッドに間隔を置いて配され、半導体チッ
プの入出力端子と金属細線で接続される複数のリード
と、これらのリードの中間部を幅方向に連結するタイバ
ーを備えた樹脂封止型半導体パッケージ用のリードフレ
ームであって、リードのうち、樹脂封止後に樹脂で被覆
されないアウターリードの封止樹脂際で、かつタイバー
を除く位置に、抜き穴を設けたものである。また、抜き
穴は、リードを貫通しない窪み部を併せ持つものであ
る。さらに、この発明に係わる半導体パッケージは、上
記のいずれかのリードフレームと、リードフレームのダ
イパッドに搭載された半導体チップと、アウターリード
を除くリードフレームおよび半導体チップを覆う封止樹
脂を備え、アウターリードに漏れ出した封止樹脂を、ア
ウターリードに設けられた窪みもしくは抜き穴に溜める
ようにしたものである。
と、このダイパッドに間隔を置いて配され、半導体チッ
プの入出力端子と金属細線で接続される複数のリード
と、これらのリードの中間部を幅方向に連結するタイバ
ーを備えた樹脂封止型半導体パッケージ用のリードフレ
ームであって、リードのうち、樹脂封止後に樹脂で被覆
されないアウターリードの封止樹脂際で、かつタイバー
を除く位置に、抜き穴を設けたものである。また、抜き
穴は、リードを貫通しない窪み部を併せ持つものであ
る。さらに、この発明に係わる半導体パッケージは、上
記のいずれかのリードフレームと、リードフレームのダ
イパッドに搭載された半導体チップと、アウターリード
を除くリードフレームおよび半導体チップを覆う封止樹
脂を備え、アウターリードに漏れ出した封止樹脂を、ア
ウターリードに設けられた窪みもしくは抜き穴に溜める
ようにしたものである。
【００１０】
実施の形態１．以下、本発明の実施の形態１を図につい
て説明する。図１は、本発明によるリードフレームを用
いた樹脂封止型半導体パッケージの外観を示す斜視図で
ある。図において、２１は、本発明によるリードフレー
ムを用いた樹脂封止型半導体パッケージ、５はアウター
リード、８はエポキシ樹脂等よりなる封止樹脂、１０は
本発明により、アウターリード５の封止樹脂８際すなわ
ちモールド外形際に形成されたバリ止めである。バリ止
め１０の詳細な形状および作用については、以下の実施
の形態１〜５にて説明する。
て説明する。図１は、本発明によるリードフレームを用
いた樹脂封止型半導体パッケージの外観を示す斜視図で
ある。図において、２１は、本発明によるリードフレー
ムを用いた樹脂封止型半導体パッケージ、５はアウター
リード、８はエポキシ樹脂等よりなる封止樹脂、１０は
本発明により、アウターリード５の封止樹脂８際すなわ
ちモールド外形際に形成されたバリ止めである。バリ止
め１０の詳細な形状および作用については、以下の実施
の形態１〜５にて説明する。
【００１１】図２（ａ）は、本発明の実施の形態１であ
るリードフレームを示す上面図、図２（ｂ）は、本実施
の形態による窪み状のバリ止め形成部分の拡大図、図２
（ｃ）は図２（ｂ）中に示すＡ−Ｂ断面図である。図に
おいて、１はリードフレーム、２はこのリードフレーム
１の内部に設けられ、半導体チップ（図示せず）を搭載
するダイパッド、３はリードフレーム１のリード部を形
成し、樹脂封止工程後半導体パッケージ内部に収納され
るインナーリード、４はリードの中間部を幅方向に連結
するタイバー、５はインナーリード３とタイバー４を隔
ててリードを形成するアウターリードを示す。インナー
リード３およびアウターリード５よりなるリードは、ダ
イパッド２に間隔を置いて配され、ダイパッド２上に搭
載される半導体チップの入出力端子と金属細線で接続さ
れる。６は樹脂封止を行った際に封止樹脂で覆われる領
域となるモールド外形、１０ａは、本実施の形態による
窪み状のバリ止めであり、樹脂封止後に樹脂で被覆され
ないアウターリード５の封止樹脂際すなわちモールド外
形６際で、かつタイバー４を除く位置に設けられてお
り、１〜５０μｍの深さを有する。バリ止め１０ａの深
さについては、漏れ出てくる封止樹脂の粘性、流動特性
などとフレーム強度が極端に低下しないようなリードフ
レーム１の厚さを考慮し、最適値を設計しておく必要が
ある。
るリードフレームを示す上面図、図２（ｂ）は、本実施
の形態による窪み状のバリ止め形成部分の拡大図、図２
（ｃ）は図２（ｂ）中に示すＡ−Ｂ断面図である。図に
おいて、１はリードフレーム、２はこのリードフレーム
１の内部に設けられ、半導体チップ（図示せず）を搭載
するダイパッド、３はリードフレーム１のリード部を形
成し、樹脂封止工程後半導体パッケージ内部に収納され
るインナーリード、４はリードの中間部を幅方向に連結
するタイバー、５はインナーリード３とタイバー４を隔
ててリードを形成するアウターリードを示す。インナー
リード３およびアウターリード５よりなるリードは、ダ
イパッド２に間隔を置いて配され、ダイパッド２上に搭
載される半導体チップの入出力端子と金属細線で接続さ
れる。６は樹脂封止を行った際に封止樹脂で覆われる領
域となるモールド外形、１０ａは、本実施の形態による
窪み状のバリ止めであり、樹脂封止後に樹脂で被覆され
ないアウターリード５の封止樹脂際すなわちモールド外
形６際で、かつタイバー４を除く位置に設けられてお
り、１〜５０μｍの深さを有する。バリ止め１０ａの深
さについては、漏れ出てくる封止樹脂の粘性、流動特性
などとフレーム強度が極端に低下しないようなリードフ
レーム１の厚さを考慮し、最適値を設計しておく必要が
ある。
【００１２】図３は、本発明によるリードフレームを用
いた樹脂封止型半導体パッケージの組立フロー、および
図４は本実施の形態による半導体パッケージの樹脂封止
工程後の断面図である。図において、７は封止金型、８
は封止樹脂、９は漏れだした封止樹脂であるバリを示し
ている。バリ止め１０ａは、樹脂封止工程でリードフレ
ーム１と封止金型７のわずかな隙間から漏れだしてくる
封止樹脂を、窪みの中に溜めることによりバリ９をモー
ルド外形６の近傍で止め、樹脂封止型半導体パッケージ
製造後、プリント基板に実装される時に接合に関与する
アウターリード５の中央付近から先端付近へのバリ９の
付着を防止する。このため、樹脂封止工程後に従来行わ
れていたバリ取り工程を省いて、錫や錫−鉛のはんだめ
っき工程を行うことが可能であり、製造コストの低下、
生産性の向上が図られる。本発明による樹脂封止型半導
体パッケージ２１は、外観上バリ止め１０にバリ９が残
っているが、窪み内にあるバリ９は、その後のリード加
工工程や、アウターリード５の擦れなどの外的因子によ
り剥がれ落ちにくいため、アウターリード５に対するバ
リ９の付着などが発生することはない。また、パラジウ
ム等のめっきを予めリードフレーム１に施している場合
には、バリ取り工程以外にはんだめっき工程等も省略で
き、バリ９取り工程やめっき工程で用いられる薬液の回
収、処理設備も不要となり、大幅なコスト削減を図るこ
とが可能である。
いた樹脂封止型半導体パッケージの組立フロー、および
図４は本実施の形態による半導体パッケージの樹脂封止
工程後の断面図である。図において、７は封止金型、８
は封止樹脂、９は漏れだした封止樹脂であるバリを示し
ている。バリ止め１０ａは、樹脂封止工程でリードフレ
ーム１と封止金型７のわずかな隙間から漏れだしてくる
封止樹脂を、窪みの中に溜めることによりバリ９をモー
ルド外形６の近傍で止め、樹脂封止型半導体パッケージ
製造後、プリント基板に実装される時に接合に関与する
アウターリード５の中央付近から先端付近へのバリ９の
付着を防止する。このため、樹脂封止工程後に従来行わ
れていたバリ取り工程を省いて、錫や錫−鉛のはんだめ
っき工程を行うことが可能であり、製造コストの低下、
生産性の向上が図られる。本発明による樹脂封止型半導
体パッケージ２１は、外観上バリ止め１０にバリ９が残
っているが、窪み内にあるバリ９は、その後のリード加
工工程や、アウターリード５の擦れなどの外的因子によ
り剥がれ落ちにくいため、アウターリード５に対するバ
リ９の付着などが発生することはない。また、パラジウ
ム等のめっきを予めリードフレーム１に施している場合
には、バリ取り工程以外にはんだめっき工程等も省略で
き、バリ９取り工程やめっき工程で用いられる薬液の回
収、処理設備も不要となり、大幅なコスト削減を図るこ
とが可能である。
【００１３】実施の形態２．図５（ａ）は、本発明の実
施の形態２であるリードフレームを示す上面図、図５
（ｂ）は、本実施の形態によるバリ止め形成部分の拡大
図である。図において、１０ｂは、アウターリード５の
幅全体に広く形成された窪み状のバリ止めである。な
お、図中、同一、相当部分には同一符号を付し、説明を
省略する。本実施の形態によるバリ止め１０ｂは、タイ
バー４を除くアウターリード５表面のモールド外形６際
に形成され、１〜５０μｍの深さを有し、封止金型７か
らアウターリード５の幅全体に漏れだしてきたバリ９を
モールド外形６の近傍で止めることができ、実施の形態
１と同様の効果が得られる。
施の形態２であるリードフレームを示す上面図、図５
（ｂ）は、本実施の形態によるバリ止め形成部分の拡大
図である。図において、１０ｂは、アウターリード５の
幅全体に広く形成された窪み状のバリ止めである。な
お、図中、同一、相当部分には同一符号を付し、説明を
省略する。本実施の形態によるバリ止め１０ｂは、タイ
バー４を除くアウターリード５表面のモールド外形６際
に形成され、１〜５０μｍの深さを有し、封止金型７か
らアウターリード５の幅全体に漏れだしてきたバリ９を
モールド外形６の近傍で止めることができ、実施の形態
１と同様の効果が得られる。
【００１４】実施の形態３．図６（ａ）は、本発明の実
施の形態３であるリードフレームを示す上面図、図６
（ｂ）は、本実施の形態によるバリ止め形成部分の拡大
図である。図において、１０ｃは、リードに対して平行
な方向に形成された溝状のバリ止めである。なお、図
中、同一、相当部分には同一符号を付し、説明を省略す
る。本実施の形態によるバリ止め１０ｃは、タイバー４
を除くアウターリード５表面のモールド外形６際に、１
本のリードに対して複数個設けられ、１〜５０μｍの深
さを有する。これらのバリ止め１０ｃを設けることによ
り、封止金型７からアウターリード５の幅全体に漏れだ
してきたバリ９をモールド外形６の近傍で止めることが
でき、実施の形態１と同様の効果が得られる。さらに、
バリ止め１０ｃは、リードに対して平行な方向に形成さ
れているので、リード加工工程等でアウターリード５を
リードフォーミングする際にリードに対して上下方向の
外力が加わっても、バリ止め１０ｃ近傍で容易に座屈変
形しない。このように、複数個のバリ止め１０ｃは、１
個の比較的大きな形状を持つ窪みや溝と同等のバリ止め
効果を持ちながら、モールド外形６の近傍のアウターリ
ード５の強度を損なわずに形成することができるという
メリットを持つ。
施の形態３であるリードフレームを示す上面図、図６
（ｂ）は、本実施の形態によるバリ止め形成部分の拡大
図である。図において、１０ｃは、リードに対して平行
な方向に形成された溝状のバリ止めである。なお、図
中、同一、相当部分には同一符号を付し、説明を省略す
る。本実施の形態によるバリ止め１０ｃは、タイバー４
を除くアウターリード５表面のモールド外形６際に、１
本のリードに対して複数個設けられ、１〜５０μｍの深
さを有する。これらのバリ止め１０ｃを設けることによ
り、封止金型７からアウターリード５の幅全体に漏れだ
してきたバリ９をモールド外形６の近傍で止めることが
でき、実施の形態１と同様の効果が得られる。さらに、
バリ止め１０ｃは、リードに対して平行な方向に形成さ
れているので、リード加工工程等でアウターリード５を
リードフォーミングする際にリードに対して上下方向の
外力が加わっても、バリ止め１０ｃ近傍で容易に座屈変
形しない。このように、複数個のバリ止め１０ｃは、１
個の比較的大きな形状を持つ窪みや溝と同等のバリ止め
効果を持ちながら、モールド外形６の近傍のアウターリ
ード５の強度を損なわずに形成することができるという
メリットを持つ。
【００１５】なお、上記実施の形態１〜３において、バ
リ止め１０ａ、１０ｂ、１０ｃとなる窪みまたは溝は、
リードの表裏のいずれか片面に設けてもよく、両面に設
けてもよい。バリ止め１０ａ、１０ｂ、１０ｃをリード
の両面に設けた場合、バリ止め効果は大きいが、アウタ
ーリード５の強度を考慮して、最適な設計を行う必要が
ある。
リ止め１０ａ、１０ｂ、１０ｃとなる窪みまたは溝は、
リードの表裏のいずれか片面に設けてもよく、両面に設
けてもよい。バリ止め１０ａ、１０ｂ、１０ｃをリード
の両面に設けた場合、バリ止め効果は大きいが、アウタ
ーリード５の強度を考慮して、最適な設計を行う必要が
ある。
【００１６】実施の形態４．図７（ａ）は、本発明の実
施の形態４であるリードフレームを示す上面図、図７
（ｂ）は、本実施の形態によるバリ止め形成部分の拡大
図、図７（ｃ）は図７（ｂ）中に示すＡ−Ｂ断面図であ
る。図において、１０ｄは、タイバー４を除くアウター
リード５表面のモールド外形６際に形成された抜き穴状
のバリ止めである。なお、図中、同一、相当部分には同
一符号を付し、説明を省略する。本実施の形態によるバ
リ止め１０ｄは、モールド外形６近傍で、かつ概して各
アウターリード５の幅方向に対して中心に位置するよう
に形成されているため、リードフレーム１の厚さ方向に
発生したバリ９をとどめることが可能で、比較的バリ９
の量が多い場合に有効であり、実施の形態１と同様の効
果が得られる。また、バリ止め１０ｄは、リードフレー
ム１の製造コストを下げるのに有効である。例えば、エ
ッチング法によるリードフレーム１の製造において、上
記実施の形態１〜３のような窪み状および溝状のバリ止
め１０ａ、１０ｂまたは１０ｃ等を形成する場合には、
ハーフエッチを施さなければならないが、抜き穴の場合
には通常のパターン形成と同時にバリ止め１０ｄを容易
に形成することができる。また、製造コストが安い金型
成型法においては、窪みをつけることは技術的に困難で
あるが、抜き穴であれば容易に形成できるため、バリ止
め１０ｄは金型成型法でも形成することができる。
施の形態４であるリードフレームを示す上面図、図７
（ｂ）は、本実施の形態によるバリ止め形成部分の拡大
図、図７（ｃ）は図７（ｂ）中に示すＡ−Ｂ断面図であ
る。図において、１０ｄは、タイバー４を除くアウター
リード５表面のモールド外形６際に形成された抜き穴状
のバリ止めである。なお、図中、同一、相当部分には同
一符号を付し、説明を省略する。本実施の形態によるバ
リ止め１０ｄは、モールド外形６近傍で、かつ概して各
アウターリード５の幅方向に対して中心に位置するよう
に形成されているため、リードフレーム１の厚さ方向に
発生したバリ９をとどめることが可能で、比較的バリ９
の量が多い場合に有効であり、実施の形態１と同様の効
果が得られる。また、バリ止め１０ｄは、リードフレー
ム１の製造コストを下げるのに有効である。例えば、エ
ッチング法によるリードフレーム１の製造において、上
記実施の形態１〜３のような窪み状および溝状のバリ止
め１０ａ、１０ｂまたは１０ｃ等を形成する場合には、
ハーフエッチを施さなければならないが、抜き穴の場合
には通常のパターン形成と同時にバリ止め１０ｄを容易
に形成することができる。また、製造コストが安い金型
成型法においては、窪みをつけることは技術的に困難で
あるが、抜き穴であれば容易に形成できるため、バリ止
め１０ｄは金型成型法でも形成することができる。
【００１７】実施の形態５．図８（ａ）は、本発明の実
施の形態５であるリードフレームを示す上面図、図８
（ｂ）は、本実施の形態によるバリ止め形成部分の拡大
図、図８（ｃ）は図８（ｂ）中に示すＡ−Ｂ断面図であ
る。図において、１０ｅは、タイバー４を除くアウター
リード５表面のモールド外形６際に形成された抜き穴状
のバリ止めであり、リードを貫通しない窪み部を併せ持
つものである。なお、図中、同一、相当部分には同一符
号を付し、説明を省略する。本実施の形態によるバリ止
め１０ｅは、モールド外形６近傍で、かつ概して各アウ
ターリード５の幅方向に対して中心に位置するように形
成されている。バリ止め１０ｅの窪みを、アウターリー
ド５の幅方向全体に広く形成することにより、封止金型
７からアウターリード５の幅全体に漏れだしてくるバリ
９をモールド外形６の近傍で止めることができ、かつ、
抜き穴を設けることにより、リードフレーム１の厚さ方
向に発生したバリ９をとどめることが可能で、比較的バ
リ９の量が多い場合に有効であり、実施の形態１と同様
の効果が得られる。
施の形態５であるリードフレームを示す上面図、図８
（ｂ）は、本実施の形態によるバリ止め形成部分の拡大
図、図８（ｃ）は図８（ｂ）中に示すＡ−Ｂ断面図であ
る。図において、１０ｅは、タイバー４を除くアウター
リード５表面のモールド外形６際に形成された抜き穴状
のバリ止めであり、リードを貫通しない窪み部を併せ持
つものである。なお、図中、同一、相当部分には同一符
号を付し、説明を省略する。本実施の形態によるバリ止
め１０ｅは、モールド外形６近傍で、かつ概して各アウ
ターリード５の幅方向に対して中心に位置するように形
成されている。バリ止め１０ｅの窪みを、アウターリー
ド５の幅方向全体に広く形成することにより、封止金型
７からアウターリード５の幅全体に漏れだしてくるバリ
９をモールド外形６の近傍で止めることができ、かつ、
抜き穴を設けることにより、リードフレーム１の厚さ方
向に発生したバリ９をとどめることが可能で、比較的バ
リ９の量が多い場合に有効であり、実施の形態１と同様
の効果が得られる。
【００１８】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、樹脂
封止型半導体パッケージ用のリードフレームにおいて、
アウターリードの封止樹脂際に窪みまたは抜き穴を設
け、樹脂封止工程にてアウターリードに漏れ出した封止
樹脂を、これらの窪みまたは抜き穴に溜めるようにした
ので、アウターリード中央付近から先端付近への封止樹
脂（バリ）の付着を防止できるため、従来行われていた
バリ取り工程を省略することができ、コストを大幅に削
減できる効果がある。
封止型半導体パッケージ用のリードフレームにおいて、
アウターリードの封止樹脂際に窪みまたは抜き穴を設
け、樹脂封止工程にてアウターリードに漏れ出した封止
樹脂を、これらの窪みまたは抜き穴に溜めるようにした
ので、アウターリード中央付近から先端付近への封止樹
脂（バリ）の付着を防止できるため、従来行われていた
バリ取り工程を省略することができ、コストを大幅に削
減できる効果がある。
【図１】 本発明によるリードフレームを用いた樹脂封
止型半導体パッケージを示す斜視図である。
止型半導体パッケージを示す斜視図である。
【図２】 本発明の実施の形態１であるリードフレーム
を示す上面図および断面図である。
を示す上面図および断面図である。
【図３】 本発明によるリードフレームを用いた樹脂封
止型半導体パッケージの組立フローを示す図である。
止型半導体パッケージの組立フローを示す図である。
【図４】 本発明の実施の形態１である樹脂封止型半導
体パッケージを示す断面図である。
体パッケージを示す断面図である。
【図５】 本発明の実施の形態２であるリードフレーム
を示す上面図である。
を示す上面図である。
【図６】 本発明の実施の形態３であるリードフレーム
を示す上面図である。
を示す上面図である。
【図７】 本発明の実施の形態４であるリードフレーム
を示す上面図および断面図である。
を示す上面図および断面図である。
【図８】 本発明の実施の形態５であるリードフレーム
を示す上面図および断面図である。
を示す上面図および断面図である。
【図９】 従来のリードフレームを示す上面図である。
【図１０】 従来の樹脂封止型半導体パッケージの組立
フローを示す図である。
フローを示す図である。
【図１１】 従来の樹脂封止型半導体パッケージを示す
断面図である。
断面図である。
１ リードフレーム、２ ダイパッド、３ インナーリ
ード、４ タイバー、５ アウターリード、６ モール
ド外形、７ 封止金型、８ 封止樹脂、９ バリ、１
０、１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄ、１０ｅ バリ止
め、２１ 樹脂封止型半導体パッケージ。
ード、４ タイバー、５ アウターリード、６ モール
ド外形、７ 封止金型、８ 封止樹脂、９ バリ、１
０、１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄ、１０ｅ バリ止
め、２１ 樹脂封止型半導体パッケージ。
Claims (9)
- 【請求項１】 半導体チップを搭載するダイパッド、こ
のダイパッドに間隔を置いて配され、上記半導体チップ
の入出力端子と金属細線で接続される複数のリード、上
記リードの中間部を幅方向に連結するタイバーを備えた
樹脂封止型半導体パッケージ用のリードフレームであっ
て、上記リードのうち、樹脂封止後に樹脂で被覆されな
いアウターリードの封止樹脂際で、かつ上記タイバーを
除く位置に、窪みを設けたことを特徴とするリードフレ
ーム。 - 【請求項２】 窪みは、リードの幅全体に広く設けられ
ていることを特徴とする請求項１記載のリードフレー
ム。 - 【請求項３】 窪みは、リードに平行な方向に溝状に設
けられていることを特徴とする請求項１記載のリードフ
レーム。 - 【請求項４】 溝状の窪みは、１本のリードに複数個設
けられていることを特徴とする請求項３記載のリードフ
レーム。 - 【請求項５】 窪みは、１〜５０μｍの深さを有するこ
とを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか一項に記
載のリードフレーム。 - 【請求項６】 窪みは、リードの表裏のいずれか片面ま
たは両面に設けられていることを特徴とする請求項１〜
請求項５のいずれか一項に記載のリードフレーム。 - 【請求項７】 半導体チップを搭載するダイパッド、こ
のダイパッドに間隔を置いて配され、上記半導体チップ
の入出力端子と金属細線で接続される複数のリード、上
記リードの中間部を幅方向に連結するタイバーを備えた
樹脂封止型半導体パッケージ用のリードフレームであっ
て、上記リードのうち、樹脂封止後に樹脂で被覆されな
いアウターリードの封止樹脂際で、かつ上記タイバーを
除く位置に、抜き穴を設けたことを特徴とするリードフ
レーム。 - 【請求項８】 抜き穴は、リードを貫通しない窪み部を
併せ持つことを特徴とする請求項７記載のリードフレー
ム。 - 【請求項９】 請求項１〜請求項８のいずれか一項に記
載のリードフレーム、上記リードフレームのダイパッド
に搭載された半導体チップ、アウターリードを除く上記
リードフレームおよび上記半導体チップを覆う封止樹脂
を備え、上記アウターリードに漏れ出した上記封止樹脂
を、上記アウターリードに設けられた窪みもしくは抜き
穴に溜めることを特徴とする半導体パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20921197A JPH1154686A (ja) | 1997-08-04 | 1997-08-04 | リードフレームおよびこれを用いた半導体パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20921197A JPH1154686A (ja) | 1997-08-04 | 1997-08-04 | リードフレームおよびこれを用いた半導体パッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1154686A true JPH1154686A (ja) | 1999-02-26 |
Family
ID=16569199
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20921197A Pending JPH1154686A (ja) | 1997-08-04 | 1997-08-04 | リードフレームおよびこれを用いた半導体パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1154686A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1079427A3 (en) * | 1999-08-20 | 2001-06-27 | Rohm Co., Ltd. | Encapsulated electronic part and method of fabricating thereof |
| KR20010105891A (ko) * | 2000-05-19 | 2001-11-29 | 마이클 디. 오브라이언 | 반도체패키지용 리드프레임 |
| JP2012156294A (ja) * | 2011-01-26 | 2012-08-16 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体装置 |
| WO2012123226A3 (de) * | 2011-03-11 | 2013-04-04 | Robert Bosch Gmbh | Bauteil, insbesondere als bestandteil eines schalt- oder steuergerätes |
-
1997
- 1997-08-04 JP JP20921197A patent/JPH1154686A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1079427A3 (en) * | 1999-08-20 | 2001-06-27 | Rohm Co., Ltd. | Encapsulated electronic part and method of fabricating thereof |
| US6410980B1 (en) | 1999-08-20 | 2002-06-25 | Rohm Co., Ltd. | Electronic part with groove in lead |
| US6599773B2 (en) | 1999-08-20 | 2003-07-29 | Rohm Co., Ltd. | Electronic part and method of fabricating thereof |
| KR20010105891A (ko) * | 2000-05-19 | 2001-11-29 | 마이클 디. 오브라이언 | 반도체패키지용 리드프레임 |
| JP2012156294A (ja) * | 2011-01-26 | 2012-08-16 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体装置 |
| WO2012123226A3 (de) * | 2011-03-11 | 2013-04-04 | Robert Bosch Gmbh | Bauteil, insbesondere als bestandteil eines schalt- oder steuergerätes |
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