JP4637647B2 - 電子部品収納用パッケージおよび電子装置 - Google Patents

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Description

本発明は、電子部品収納用パッケージおよび電子装置に関するものであり、特に、基体と蓋体とが封止材を介して加熱処理により接合されるものに関する。
従来の電子部品収納用パッケージとして、基体に形成された封止用の金属層と蓋体とが半田から成る封止材を介して接合され、内部に電子部品が気密封止されるものがある。この気密封止は、電子部品収納用パッケージの基体表面の搭載部にLSI(大規模集積回路素子)等の半導体素子や水晶振動子のような電子部品を搭載した後、封止用の金属層上にその間に半田等の封止材を挟むようにして蓋体を載置し、加熱炉等の加熱手段で電子部品が搭載された電子部品収納用パッケージ全体を加熱することで封止材を溶融させることによって行なわれるものであった。この気密封止方法では、封止材を溶融させるだけの熱が、電子部品収納用パッケージ内に搭載された電子部品にも印加され、電子部品の特性に変化を生じさせてしまう可能性があった。
このような問題点に対して、蓋体の接続される金属層を局所的に加熱することで、電子部品を直接加熱することなく半田を加熱溶融し、基体と蓋体とを接合することが可能なパッケージや基板が提案されている。例えば、下記特許文献1には、基体の金属層の下側にヒータ部を配設するという構造が提案されている。また、下記特許文献2には、蓋体の内部に金属層と対向する領域にヒータ部が埋設された構造が提案されている。
特開平6−326216号公報 特開平6−69364号公報
しかしながら、近年のパッケージの小型化や薄型化にともない、ヒータ部と電子部品との距離が短くなってきている。また、半導体素子のような電子部品は、高集積化に伴って、動作時の発熱が大きくなっており、この熱を効率良く外部に放散させるために高熱伝導率の材質から成る基体を用いる場合がある。このため、上記特許文献に示されているように、ヒータ部により局所的に金属層を加熱して封止材を加熱溶融させて基体と蓋体とを接合したとしても、ヒータ部の熱が基体内を伝導して電子部品に印加されてしまい、電子部品の特性に変化が生じてしまう可能性があった。
本発明は、このような課題に鑑みて案出されたものであり、その目的は、ヒータ部から電子部品に印加される熱を低減して、電子部品を長期間にわたり正常、且つ安定に作動させることができる信頼性の高い電子部品収容用パッケージおよび電子装置を提供することにある。
本発明の電子部品収納用パッケージは、表面を有し、電子部品搭載するための搭載部を有する基体と、載部を取り囲むように前記基体の表面に形成され、蓋体接合するための金属層と、断面視して前記金属層に対するように前記基体に設けられたヒータ部とを備え、記ヒータ部から前記搭載部への伝熱経路に前記基体の他の部位よりも熱伝導率の低い部位が形成されており、前記熱伝導率の低い部位の幅は、前記ヒータ部の幅よりも広く、前記熱伝導率の低い部位は、前記ヒータ部の内側端部よりも内側に延出している
また、本発明の電子部品収納用パッケージは、好ましくは、前記熱伝導率の低い部位が空隙部であることを特徴とするものである。
また、本発明の電子部品収納用パッケージは、好ましくは、前記熱伝導率の低い部位は、前記基体の他の部位よりも熱伝導率の低い材料により形成されていることを特徴とするものである。
また、本発明の電子装置は、本発明の電子部品収納用パッケージと、前記基体に搭載された電子部品とを備えていることを特徴とするものである。
本発明の電子部品収納用パッケージによれば、電子部品が搭載される基体と、基体の表面に電子部品の搭載部を取り囲むように形成され、蓋体が接合される金属層と、基体に、金属層に対応するように設けられたヒータ部とを備え、基体の前記ヒータ部から搭載部への伝熱経路に基体の他の部位よりも熱伝導率の低い部位が形成されていることから、封止の際にヒータ部の発する熱が電子部品に伝導しにくいものとなり、基体に搭載された電子部品に特性変化を生じさせるような熱が印加されることを抑制して、電子部品を封止することができる。
本発明の電子部品収納用パッケージによれば、電子部品が搭載される基体と、基体の表面に電子部品の搭載部を取り囲むように形成された金属層と、金属層に接合される蓋体と、蓋体に、金属層に対応するように設けられたヒータ部とを備え、基体の金属層から搭載部への伝熱経路に前記基体の他の部位よりも熱伝導率の低い部位が形成されていることから、封止の際のヒータ部の熱が基体を介して電子部品に伝導しにくいものとなり、基体に搭載された電子部品に特性変化を生じさせるような熱が印加されることを抑制して封止することができる。
また、本発明の電子部品収納用パッケージによれば、熱伝導率の低い部位が空隙部であることから、空隙部内は固体である基体と比較して熱が伝導しにくい気体であり、比較的熱伝導率の大きい伝熱経路である基体の部位が小さくなるので、ヒータ部の発する熱の伝導を抑制することができ、電子部品に特性変化を生じさせるような熱が印加されることを抑制することができる。
また、本発明の電子部品収納用パッケージによれば、熱伝導率の低い部位が基体の他の部位よりも熱伝導率の低い材料により形成されていることから、ヒータ部の発する熱は電子部品への伝熱経路にある熱伝導率の低い部位より熱伝導率の高い部位へ伝導しやすくなるので、ヒータ部の発する熱の電子部品への伝導を抑制することができるようになり、電子部品に大きな熱が印加されるのを抑制することができる
本発明の電子装置は、本発明の電子部品収納用パッケージと、基体に搭載された電子部品とを備えていることにより、電子部品に熱による特性変化を生じさせることなく封止されたものとなるので、信頼性の高い電子装置を実現することができる。
本発明の電子部品収納用パッケージおよび電子装置について添付の図面を参照して詳細に説明する。図1は、本発明の電子部品収納用パッケージの実施の形態の一例を示す断面図である。図2は、本発明の電子部品収納用パッケージの参考例を示す断面図である。1は基体、2は金属層、3はヒータ部、4は蓋体、5は電子部品、6は配線導体、7は封止材、9は熱伝導率の低い部位である。
図1に示すように、本発明の電子部品収納用パッケージは、蓋体4が接合される金属層2が基体1の表面の電子部品5の搭載部を取り囲むように形成され、この金属層2に対応するように基体1にヒータ部3が設けられており、基体1のヒータ部3から搭載部への伝熱経路に基体1の他の部位よりも熱伝導率の低い部位9が形成されている。
また、図2に示すように、本発明の電子部品収納用パッケージは、蓋体4が接合される金属層2が電子部品5の搭載部を取り囲むように形成された基体1と、この金属層2に対応するように設けられたヒータ部3とを備える蓋体4とを備えており、基体1の金属層2から搭載部への伝熱経路に基体1の他の部位よりも熱伝導率の低い部位9が形成されている。
そして、本発明の電子装置は、半導体素子や水晶振動子等の電子部品5が上記のような電子部品収納用パッケージの搭載部に搭載されるとともに、基体1に形成された配線導体6と電気的に接続され、蓋体4が半田等の封止材7を介して基体1の金属層2に接合されて気密封止されたものである。
基体1は、酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、炭化珪素質焼結体等の電気絶縁材料から成り、例えば、酸化アルミニウム質焼結体から成る場合には、アルミナ(Al)、シリカ(SiO)、カルシア(CaO)、マグネシア(MgO)等の原料粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して泥漿状となすとともにこれを従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法等を採用し、シート状に成形することによってセラミックグリーンシート(セラミック生シート)を得、次にセラミック生シートに適当な打ち抜き加工を施すとともに複数枚積層し、約1600℃で焼成することによって製作される。
図1〜3に示した電子部品収納用パッケージにおいて、配線導体6は、メタライズ層である。この配線導体6は、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、マンガン(Mn)等の高融点金属粉末の焼結体からなり、高融点金属粉末に必要に応じてガラス成分やセラミック成分の粉末を加えたものに適当な有機溶剤、溶媒を添加混合することによって得た金属ペーストを従来周知のスクリーン印刷法等の厚膜形成法を採用し、基体1となるセラミック生シートに予め所定パターンに印刷塗布しておき、セラミック生シートとの同時焼成により焼結させることによって基体1の搭載部周辺から容器の外部に導出するように被着形成されている。配線導体6が基体1を積層方向に貫通する場合は、上記印刷塗布の前にセラミック生シートに打ち抜き金型やパンチングマシーンにより貫通孔を形成し、この貫通孔に金属ペーストをスクリーン印刷法等の埋め込み手段により充填させることで形成できる。
配線導体6の基体1の外部表面に露出する部分は、ニッケル(Ni)等の耐蝕性に優れる金属を下地金属層として1.0〜20.0μm程度の厚みに被着させておくと、配線導体6が酸化腐食するのを有効に防止できるとともに、基体1への電子部品5の固着および配線導体6とAuワイヤや半田バンプ等の電気的接続手段との接合、配線導体6を基体1の外表面に露出させることにより形成されたパッケージの外部端子と外部回路基板との接合を強固なものとすることができる。従って、配線導体6の露出表面には、厚み1〜10μm程度のNiめっき層と厚み0.1〜3μm程度の金(Au)めっき層とが電解めっき法や無電解めっき法により順次被着されている。
基体1の上面に被着させた金属層2は、配線導体6と同様に、例えばW、Mo、Mn等の金属粉末の焼結体から成り、W等の粉末に必要に応じてガラス成分やセラミック成分の粉末を加えたものに有機溶剤、溶媒を添加混合して得た金属ペーストを基体1となるセラミック生シートに従来周知のスクリーン印刷法等の印刷法により所定のパターンに印刷塗布しておき、セラミック生シートとの同時焼成により焼結させることによって基体1の上面に所定のパターンに被着形成される。
なお、金属層2は、その表面に半田との濡れ性が良いNi層をめっき法等により被着させておくと、金属層2と半田等から成る封止材7との接合強度を大幅に向上させることとなり、蓋体4を封止材7を介して極めて強固に基体1に接合させることができる。従って、金属層2の表面には封止材7と濡れ性が良いNi等の金属を所定厚みに被着させておくことが好ましい。
また、金属層2は、基体1を作製した後にMo−Mn、銀、銀−パラジウム等のメタライズ金属層を焼き付けることにより被着させて形成してもよい。例えば、銀とパラジウムの粉末に必要に応じてガラス成分やセラミック成分の粉末を加えたものに有機溶剤、溶媒を添加混合して得た金属ペーストを基体1に従来周知のスクリーン印刷法等の印刷法により所定のパターンに印刷塗布し、焼き付けて基体1に被着すればよい。
さらには、金属層2はスパッタや蒸着等の薄膜形成法により形成してもよい。
蓋体4は酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、炭化珪素質焼結体等のセラミックスから成る。この場合、蓋体4の下面には、基体1の金属層2に対応する形状の第2の金属層8が形成され、封止材7により基体1の金属層2と蓋体4の第2の金属層8とが接続されることで基体1と蓋体4とが接合される。
蓋体4が、例えば酸化アルミニウム質焼結体から成る場合、上述の基体1と同様の方法、即ち、Al、SiO、CaO、MgO等の原料粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して泥漿状となすとともにこれを従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法等によりシート状に成形してセラミック生シートを得、次にセラミック生シートに適当な打ち抜き加工を施すとともに複数枚積層し、約1600℃で焼成することによって製作される。
また、第2の金属層8は、例えば、W、Mo、Mn等の金属粉末に有機溶剤、溶媒を添加混合して得た金属ペーストを蓋体4となるセラミック生シートに従来周知のスクリーン印刷法等の厚膜形成法を採用することによって所定のパターンに印刷塗布しておき、セラミック生シートを高温で焼成し、蓋体4と成る際に同時に蓋体4の下面に所定のパターンに被着される。なお、第2の金属層8はその表面に半田との濡れ性が良いNi層をめっき法等により被着させておくと、第2の金属層8と半田等から成る封止材7との接合強度を大幅に向上させることとなり、基体1と蓋体4とを封止材7を介し極めて強固に接合させることができる。従って、第2の金属層8の表面には半田との濡れ性が良いNi等の金属を所定厚みに被着させておくことが好ましい。
また、金属層2と同様に蓋体4を形成した後のメタライズ金属の焼付けや薄膜形成法等の形成方法も用いることができる。
また、図1に示すように、ヒータ部3が基体1に設けられた構造の場合、蓋体4は、セラミックス製に限らず、金属製のものであっても構わない。例えば、蓋体4は、鉄(Fe)、銅(Cu)、アルミニウム(Al)、その他の金属あるいは金属合金から選択して用いればよい。基体1と蓋体4との接合部の熱サイクルに対する信頼性を考慮すると、蓋体4は、基体1の熱膨張係数に近い熱膨張係数を有するものを用いるのが好ましく、例えば基体1が酸化アルミニウム質焼結体からなる場合は、銅(Cu)−タングステン(W)合金、鉄(Fe)−ニッケル(Ni)合金、鉄(Fe)−ニッケル(Ni)−コバルト(Co)合金等を用いるとよい。このような金属製の蓋体4は圧延等により形成された金属板を金型によりプレスするとともに打ち抜いて加工する等、従来周知の金属加工法により作製することができる。蓋体4が金属製の場合には、第2の金属層8は形成しなくても構わないが、その表面には封止材7との濡れ性の良好なNi等の皮膜をめっき法等の被着手段により所定厚みに被着させておいてもよい。
蓋体4の形状は、基体1に接合された際に基体1とともに電子部品5を収納することができるような空間が形成されるものであれば良く、例えば、基体1が図7に示すような平板形状の場合は下面に凹部を有する形状とし、基体1が電子部品5を収納する凹部を有する形状の場合は平板形状でもよい。
ヒータ部3は、基体1または蓋体4の内部の、金属層2に対応する位置に設けられ、封止時にヒータ部3に所定の電力を印加するために、基体1または蓋体4の内部から外部に導出して外表面に電力供給端子が形成される。複数個の基体1や蓋体4を配列形成した多数個取り基板の形態で形成し、分割せずに複数個の基体1と蓋体4とを一括して接合することにより封止する場合は、各々の基体1や蓋体4に形成されたヒータ部3を互いに電気的に接続して共通の電力供給端子を形成してもよい。
ヒータ部3は、それ自体が有する電気抵抗によって、所定の電力を印加すると封止材7を構成する半田等を溶融させるのに必要な所定温度(例えば、150〜350℃)以上にジュール発熱するような形状、寸法に形成される。
ヒータ部3は、W、Mo、Mn等の高融点金属粉末の焼結体からなり、高融点金属粉末に必要に応じてガラス成分やセラミック成分の粉末を加えたものに適当な有機溶剤、溶媒を添加混合することによって得た金属ペーストを、従来周知のスクリーン印刷法等の厚膜形成法により、基体1または蓋体4となるセラミック生シート上あるいは熱伝導率の低い部位9となる生成形体上に所定パターンに印刷塗布しておき、セラミック生シートとの同時焼成により焼結させることによって基体1または蓋体4の内部に形成される。
本発明の電子部品収納用パッケージは、図1に示すように、基体1のヒータ部3から搭載部への伝熱経路に基体1の他の部位よりも熱伝導率の低い部位9が形成されている。この構成により、基体1内のヒータ部3から電子部品5への伝熱経路の途中が熱伝導率の低いものとなるので、封止の際にヒータ部3の発する熱が電子部品5に伝導しにくいものとなり、基体1に搭載された電子部品5に特性変化を生じさせるような熱が印加されることを抑制して、電子部品を封止することができる。また、金属層2に対してヒータ部3を挟んで反対の位置に熱伝導率の低い部位9が配置されているので、熱伝導率の低い部位9は断熱層として機能し、ヒータ部3で発生した熱はより金属層2側へ伝導しやすくなり、より短時間の加熱で封止材7を溶融させて封止することが可能となる。
また、本発明の電子部品収納用パッケージは、図2に示すように、基体1の金属層2から搭載部への伝熱経路に基体1の他の部位よりも熱伝導率の低い部位9が形成されている。この構成により、基体1の金属層2から電子部品5への伝熱経路の途中が熱伝導率の低いものとなるので、ヒータ部3の熱が基体1を介して電子部品5側に伝導しにくいものとなり、基体1に搭載された電子部品5に特性変化を生じさせるような熱が印加されるのを抑制することができる。また、熱伝導率の低い部位9は断熱層として作用するので、ヒータ部3から封止材7へ印加された熱が基体1内へ拡散するのが抑えられ、より短時間の加熱で封止材7を溶融させて封止することが可能となる。また、ヒータ部3が蓋体4に設けられている場合は、電子部品5の搭載部を有する基体1とは封止材7を介して離間された蓋体4側から金属層2を加熱することとなるので、封止材7の溶融過程において電子部品5に伝わる熱量をより抑えることが可能となる。
なお、ここでいう伝熱経路とは、基体1内部におけるヒータ部3の発する熱の電子部品5の搭載部への最短経路であり、この経路を含むように熱伝導率の低い部位9は形成される。例えば、図1に示すように基体1の上面に電子部品5が搭載される凹部を有する形状で、凹部周囲の枠部上方にヒータ部3が形成される場合は、熱伝導率の低い部位9はヒータ部3の下方に形成され、図7に示すように基体1が平板状の場合は、熱伝導率の低い部位9はヒータ部3の側方に形成され、ヒータ部3の全域からの伝熱経路を含むように形成されるのがよい。
図1に示すように、熱伝導率の低い部位9がヒータ部3の下方に形成されている場合は、熱伝導率の低い部位9はヒータ部3の幅よりも幅広に形成され、ヒータ部3の最内周側より内側に延出して形成されていることが好ましく、ヒータ部3の下方に位置する凹部周囲の基体1の幅方向全てに形成されていることがより好ましい。また、基体1にヒータ部3が形成される場合は、基体1の形状にかかわらず、熱伝導率の低い部位9はヒータ部3の金属層2側を除く周囲、すなわち下方および側方の全てにヒータ部3を取り囲むように形成すると、ヒータ部3の発する熱が電子部品5に伝わるのを効果的に抑えることができ、また、上述した断熱層としての機能もより効果的なものとなる。
図2に示すように蓋体4にヒータ部3が形成される場合は、熱伝導率の低い部位9は金属層2の幅よりも幅広に形成されていることが好ましく、金属層2の下方に位置する凹部周囲の基体1の幅方向全てに形成されていることがより好ましい。基体1が平板形状の場合、熱伝導率の低い部位9は、金属層2よりも搭載部側、すなわち金属層2よりも内周の基体1の上面から内部にかけて形成され、それに加えて金属層2の下方にも形成されるのが好ましく、さらには金属層2の直下に金属層2よりも幅広に形成されるのがより好ましい。
図3は本発明の電子部品収納用パッケージの参考例を示す断面図であり、このように熱伝導率の低い部位9は空隙部9aであることが好ましい。この構成によれば、空隙部9a内は固体である基体1と比較して熱が伝導しにくい気体であり、比較的熱伝導率の大きい伝熱経路である基体1の部位が小さくなるので、ヒータ部3の発する熱がヒータ部3から電子部品5へ伝導するのを抑制することができるため、電子部品5に特性変化を生じさせるような熱が印加されるのを抑制することができる。
図4、図5および図6は、図3に示す電子部品収納用パッケージのA−A’線断面の一例を示す断面図である。空隙部9aは、図4に示すように部分的に空隙部9aを形成したものでも良いし、図5に示すように空隙部9aを全周にわたって形成したものでも良い。図5に示すように空隙部9aをより大きいものとすることにより、電子部品5に特性変化を生じさせるような熱が印加されるのをより抑制することができる。図4に示すように空隙部9aを複数に分けて形成することにより、基体1の材質や寸法に応じて基体1に必要な強度を保持しつつ空隙部9aを形成することができる。また、図6に示すように、空隙部9aを基体1の外部に導出するように形成し、空隙部9aに空気や水等の冷媒を流すことにより強制冷却することで、ヒータ部3の発する熱が電子部品5に印加されるのをより効果的に抑制することができる。この場合の空隙部9aの形状は、図4に示すような空隙部9aの各々をより小さい空隙部9aで連通させたような形状でもよい。
空隙部9aは、熱伝導率の低い部位9用のセラミック生シートの所定の位置に打ち抜き加工等により空隙部9aとなる穴を形成した後、基体1の他の部位用のセラミック生シートとともに積層して焼成することによって、基体1の所定の位置に形成することができる。また、セラミック生シートを打ち抜くとともに、焼成時に熱分解除去される樹脂シート等を穴にはめ込んでおくことで積層時の加圧により変形することなく空隙部9aを形成することができる。
また、空隙部9aは図4や図5に示すような基体1の大きさに対して比較的大きいものではなく、小さい空隙部9aを多数形成してもよく、例えば基体1の他の部位よりも空孔率の大きい部位を形成していても構わない。この場合の空孔は、互いに連通して気密性が保てないようなものとならないようにする。この空孔率の大きい部位は、基体1用のセラミック生シートよりも有機溶剤等や有機バインダー等の含有率を高くしたセラミック生シートや絶縁ペーストを熱伝導率の低い部位9となる部分に用いればよい。基体1の他の部位用のセラミック生シートよりも焼結助剤(酸化アルミニウム質焼結体から成る場合のSiO、CaO、MgO等)の含有率を低くしたり、セラミック粉末(酸化アルミニウム質焼結体から成る場合のAl粉末)の粒径を大きくしたりしたセラミック生シートや絶縁ペーストを用いてもよい。上述した気密性をより確実なものとするには、基体1用のセラミック生シートに凹部を形成しておき、この凹部に基体1の他の部位用のセラミック生シートよりも有機溶剤等や有機バインダー等の含有率を高くした絶縁ペーストを充填しておき、焼成することで形成することができる。
また、熱伝導率の低い部位9は、基体1の他の部位よりも熱伝導率の低い材料により形成されても良い。基体1の他の部位よりも熱伝導率の低い材料は、基体1用の原料粉末に基体1の他の部位に用いられるセラミックスよりも熱伝導率の低いセラミックスやガラスの粉末を加えたり、基体1の他の部位よりも焼結助剤(酸化アルミニウム質焼結体から成る場合のSiO、CaO、MgO等)の含有率を多くしたりすることで得られる。このような材料を用いて熱伝導率の低い材質のセラミック生シートを形成し、熱伝導率の低い材質が所定の位置に配設されるように、基体1の他の部位のセラミック生シートとともに積層し、焼成すればよい。
本発明の電子装置は、上記のような電子部品収納用パッケージの搭載部に半導体素子や水晶振動子等の電子部品5が搭載されるとともに、基体1に形成された配線導体6と電気的に接続され、蓋体4が半田等の封止材7を介して基体1の金属層2に接合されて気密封止されたものである。この構成により、電子部品5に熱破壊や熱による特性変化を生じさせることなく封止されたものとなるので、誤作動のない、信頼性の高い電子装置となる。
電子部品5は、ICチップやLSIチップ等の半導体素子、水晶振動子や圧電振動子等の圧電素子、各種センサ等である。電子部品5がフリップチップ型の半導体素子である場合には、半田バンプまたは金バンプを介して、半導体素子の電極と配線導体6とが電気的に接続される。また、電子部品5がワイヤボンディング型の半導体素子である場合には、ガラス、樹脂、ろう材を介して半導体素子の基板面(裏面)と基体1とが接合され、ボンディングワイヤを介して半導体素子の電極と配線導体6とが電気的に接続される。また、電子部品5が圧電素子である場合には、導電性樹脂を介して、圧電素子の電極と配線導体6とが電気的に接続される。
なお、電子部品5が樹脂を介して基板1に搭載される場合には、搭載の際に電子部品5に印加される熱量を低減させて、電子部品の特性が変化してしまう可能性を低減させることができる。
電子部品5を基体1の搭載部上に搭載した後、基体1の金属層2の上に半田等から成る封止材7および蓋体4を順に積み重ねて配置し、基体1または蓋体4の外表面に形成された電力供給端子からヒータ部3に電力を供給することによりヒータ部3を発熱させて封止材7を加熱溶融し、基体1と蓋体4とを接合させることで電子装置となる。半田としては、Sn−Pb半田、Sn−Bi半田、Sn−Pb−Bi半田等がある。
封止材7は、基体1の金属層2または蓋体4(の第2の金属層8)上に半田ペーストを塗布したり、金属層2の形状と同形状に形成された半田の板材を載置したり、蓋体4(の第2の金属層8)上に半田めっきを施したりすることにより基体1と蓋体4との間に配置される。
基体1と蓋体4とを接合して封止する際は、基体1の下面等に、例えば銅やアルミニウムのような金属等の高熱伝導率の材質の治具に接触させて行うと、接触させた部分から治具へ放熱させることにより、ヒータ部3から電子部品5へ伝導される熱をより小さいものとすることが可能となる。
なお、本発明は上述の実施の形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を施すことは何ら差し支えない。例えば、ヒータ部3は、基体1と蓋体4との両方に形成されても構わない。これにより、基体1側のヒータ部3と蓋体4側のヒータ部3とにより封止材7を挟んで加熱することにより、封止時間を短縮することができるので、封止材の溶融過程において電子部品5に伝わる熱量を低減させることが可能となる。また、熱伝導率の低い部位9を蓋体4に形成されたヒータ部3を取り囲むように形成すると、蓋体4に形成されたヒータ部3から封止材7への熱伝導がより効率よく行なえるようになる。
本発明の電子部品収納用パッケージの実施の形態の一例を示す断面図である。 本発明の電子部品収納用パッケージの参考例を示す断面図である。 本発明の電子部品収納用パッケージの参考例を示す断面図である。 図3に示す電子部品収納用パッケージのA−A´線断面示す断面図である。 図3に示す電子部品収納用パッケージのA−A´線断面示す断面図である。 図3に示す電子部品収納用パッケージのA−A´線断面示す断面図である。 本発明の電子部品収納用パッケージの実施の形態の一例を示す断面図である。
符号の説明
1・・・基体
2・・・金属層
3・・・ヒータ部
4・・・蓋体
5・・・電子部品
6・・・配線導体
7・・・封止材
9・・・熱伝導率の低い部位
9a・・空隙部

Claims (5)

  1. 表面を有し、電子部品を搭載するための搭載部を有する基体と、
    前記搭載部を取り囲むように前記基体の表面に形成され、蓋体を接合するための金属層と、
    断面視して前記金属層に対向するように前記基体に設けられたヒータ部と、を備え、
    前記ヒータ部から前記搭載部への伝熱経路に、前記基体の他の部位よりも熱伝導率の低い部位が形成されており、
    前記熱伝導率の低い部位の幅は、前記ヒータ部の幅よりも広く、
    前記熱伝導率の低い部位は、前記ヒータ部の内側端部よりも内側に延出している、電子部品収納用パッケージ。
  2. 前記ヒータ部と前記金属層との間には、前記基体の前記他の部位が位置している、請求項1に記載の電子部品収納用パッケージ。
  3. 前記熱伝導率の低い部位は、空隙部である、請求項1〜のいずれか一項に記載の電子部品収納用パッケージ。
  4. 前記熱伝導率の低い部位は、前記基体の前記他の部位よりも熱伝導率の低い材料により形成されている、請求項1〜のいずれか一項に記載の電子部品収納用パッケージ。
  5. 請求項1〜のいずれか一項に記載の電子部品収納用パッケージと、
    前記搭載部に搭載された電子部品と、を備える、電子装置。
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