JPH039334Y2 - - Google Patents
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- JPH039334Y2 JPH039334Y2 JP1984128100U JP12810084U JPH039334Y2 JP H039334 Y2 JPH039334 Y2 JP H039334Y2 JP 1984128100 U JP1984128100 U JP 1984128100U JP 12810084 U JP12810084 U JP 12810084U JP H039334 Y2 JPH039334 Y2 JP H039334Y2
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- glass
- cap
- leads
- bottom plate
- protrusion
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8338—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/83385—Shape, e.g. interlocking features
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
Description
【考案の詳細な説明】
産業上の利用分野
この考案はフラツトパツケージに関し、特にパ
ツケージ本体とキヤツプとを低融点ガラスを介し
て封止してなる半導体装置や水晶振動子のキヤツ
プ封止用に好適するものである。
ツケージ本体とキヤツプとを低融点ガラスを介し
て封止してなる半導体装置や水晶振動子のキヤツ
プ封止用に好適するものである。
従来の技術
半導体装置や水晶振動子等の電子部品におい
て、半導体素子や水晶片等の素子は、湿気等によ
つて特性変動を起こすため、パツケージングされ
ている。樹脂でパツケージングするものもある
が、信頼性の点でカンケースやセラミツクパツケ
ージに封入したものに比較して劣るので、高信頼
性を要求される用途には、カンケースやセラミツ
クパツケージが用いられている。ところがカンケ
ースやセラミツクパツケージを用いるものでは、
水分の浸入はないが、実公昭40−36187号公報に
開示されているように、半田を用いて封止する
と、フラツクスの蒸気によつて素子が劣化するた
め、特公昭40−5172号公報に開示されているよう
にガラスで封止したものが考えられている。
て、半導体素子や水晶片等の素子は、湿気等によ
つて特性変動を起こすため、パツケージングされ
ている。樹脂でパツケージングするものもある
が、信頼性の点でカンケースやセラミツクパツケ
ージに封入したものに比較して劣るので、高信頼
性を要求される用途には、カンケースやセラミツ
クパツケージが用いられている。ところがカンケ
ースやセラミツクパツケージを用いるものでは、
水分の浸入はないが、実公昭40−36187号公報に
開示されているように、半田を用いて封止する
と、フラツクスの蒸気によつて素子が劣化するた
め、特公昭40−5172号公報に開示されているよう
にガラスで封止したものが考えられている。
第３図は従来のガラス封止型セラミツクフラツ
トパツケージの一例のキヤツプを除いた平面図を
示し、第４図は第３図の−線に対応する断面
図を示す。図において、１はパツケージ本体で、
アルミナ，ステアタイト等のセラミツクよりなる
底板２と枠体３との間に、ガラス４を介して一対
の42合金（Fe；58％，Ni；42％）等よりなる平
板状のリード５，６を気密に封着したものであ
る。７はアルミナ，ステアタイト等のセラミツク
よりなるキヤツプで、低融点ガラス８を介して前
記枠体３に気密に封着されている。図中、二点鎖
線９は水晶片等の素子で、導電性接着剤等を介し
て、前記一対のリード５，６に跨つて接続固着さ
れている。
トパツケージの一例のキヤツプを除いた平面図を
示し、第４図は第３図の−線に対応する断面
図を示す。図において、１はパツケージ本体で、
アルミナ，ステアタイト等のセラミツクよりなる
底板２と枠体３との間に、ガラス４を介して一対
の42合金（Fe；58％，Ni；42％）等よりなる平
板状のリード５，６を気密に封着したものであ
る。７はアルミナ，ステアタイト等のセラミツク
よりなるキヤツプで、低融点ガラス８を介して前
記枠体３に気密に封着されている。図中、二点鎖
線９は水晶片等の素子で、導電性接着剤等を介し
て、前記一対のリード５，６に跨つて接続固着さ
れている。
ところで、上記の構成においては、キヤツプ７
の封止用ガラスに、リード５，６を封着するガラ
ス４より融点の低い低融点ガラス８を使用しては
いるが、低融点ガラス８の溶融のために、全体を
抵抗式加熱炉等で加熱するため、素子９が高温に
なつて特性劣化したり、素子９を有機物質を含む
導電性接着剤を用いてリード５，６に接続固着し
ている場合は、導電性接着剤からガスが発生し
て、素子９の特性劣化の原因になつていた。
の封止用ガラスに、リード５，６を封着するガラ
ス４より融点の低い低融点ガラス８を使用しては
いるが、低融点ガラス８の溶融のために、全体を
抵抗式加熱炉等で加熱するため、素子９が高温に
なつて特性劣化したり、素子９を有機物質を含む
導電性接着剤を用いてリード５，６に接続固着し
ている場合は、導電性接着剤からガスが発生し
て、素子９の特性劣化の原因になつていた。
そこで本件出願人は、別途キヤツプの下面の少
なくともパツケージ本体との封止箇所に低融点ガ
ラスを被着しておき、前記キヤツプの上面にヒー
タを押し当てて、キヤツプの伝導熱で低融点ガラ
スを溶融させてパツケージ本体とキヤツプとを封
止する方法を提案している。
なくともパツケージ本体との封止箇所に低融点ガ
ラスを被着しておき、前記キヤツプの上面にヒー
タを押し当てて、キヤツプの伝導熱で低融点ガラ
スを溶融させてパツケージ本体とキヤツプとを封
止する方法を提案している。
第５図はこの考案の背景となる上記キヤツプ封
止方法について説明するための分解断面図を示
す。図において、次の点を除いては第４図と同一
であるので、同一部分には同一参照符号を付し
て、その説明を省略する。第４図との相違点は、
パツケージ本体１の底板２の下にベリリア，鉄，
銅，アルミニウム等の良熱伝導体よりなる放熱板
１０を配置したことと、キヤツプ７の上面にセラ
ミツクヒータ等のヒータ１１を押圧していること
である。
止方法について説明するための分解断面図を示
す。図において、次の点を除いては第４図と同一
であるので、同一部分には同一参照符号を付し
て、その説明を省略する。第４図との相違点は、
パツケージ本体１の底板２の下にベリリア，鉄，
銅，アルミニウム等の良熱伝導体よりなる放熱板
１０を配置したことと、キヤツプ７の上面にセラ
ミツクヒータ等のヒータ１１を押圧していること
である。
上記の構成によれば、ヒータ１１からのキヤツ
プ７の伝導熱によつて、その下面に被着されてい
る低融点ガラス８が加熱溶融されて、キヤツプ７
がパツケージ本体１の枠体３に融着封止される。
このとき、枠体３およびガラス４の熱抵抗によつ
て、リード５，６の温度上昇が抑止され、しかも
リード５，６の熱はガラス４および底板２を伝導
して放熱板１０に放熱される。このため、抵抗式
加熱炉等で全体を加熱する場合に比較して、リー
ド５，６の温度は著しく低く抑えられ、素子９や
この素子９をリード５，６に接続固着する接着剤
の温度は低く、素子９自身の高温による特性劣化
がないのみならず、接着剤が有機物質を含む導電
性接着剤であつても有害なガスを発生することが
なく、素子９が発生ガスによつて特性劣化するこ
ともない。
プ７の伝導熱によつて、その下面に被着されてい
る低融点ガラス８が加熱溶融されて、キヤツプ７
がパツケージ本体１の枠体３に融着封止される。
このとき、枠体３およびガラス４の熱抵抗によつ
て、リード５，６の温度上昇が抑止され、しかも
リード５，６の熱はガラス４および底板２を伝導
して放熱板１０に放熱される。このため、抵抗式
加熱炉等で全体を加熱する場合に比較して、リー
ド５，６の温度は著しく低く抑えられ、素子９や
この素子９をリード５，６に接続固着する接着剤
の温度は低く、素子９自身の高温による特性劣化
がないのみならず、接着剤が有機物質を含む導電
性接着剤であつても有害なガスを発生することが
なく、素子９が発生ガスによつて特性劣化するこ
ともない。
上記の製法を採用する場合、底板２およびキヤ
ツプ７はアルミナ等の熱伝導率の大きいセラミツ
クで形成し、一方枠体３はフオルステライト等の
熱伝導率の小さいセラミツクで形成する方が望ま
しい。
ツプ７はアルミナ等の熱伝導率の大きいセラミツ
クで形成し、一方枠体３はフオルステライト等の
熱伝導率の小さいセラミツクで形成する方が望ま
しい。
考案が解決しようとする問題点
ところで、上記の方法を用いても、リード５，
６の温度が200℃程度まで上昇するので、リード
５，６の温度をもつと低くできれば、素子９の加
熱劣化をより確実に防止でき、導電性接着剤とし
てより安価なもの等を利用できる。
６の温度が200℃程度まで上昇するので、リード
５，６の温度をもつと低くできれば、素子９の加
熱劣化をより確実に防止でき、導電性接着剤とし
てより安価なもの等を利用できる。
また、素子９が発熱するようなものである場
合、ガラス４を介しては放熱性が良くないという
問題点があつた。
合、ガラス４を介しては放熱性が良くないという
問題点があつた。
そこで、この考案は、リード５，６からの放熱
性に優れたフラツトパツケージを提供するこを目
的とする。
性に優れたフラツトパツケージを提供するこを目
的とする。
問題点を解決するための手段
この考案は底板の上面中央部に周辺部よりも高
い突起部を形成し、この突起部にリードを密着さ
せたことを特徴とする。
い突起部を形成し、この突起部にリードを密着さ
せたことを特徴とする。
作 用
上記の手段によれば、セラミツク製の底板の熱
伝導率がガラスの熱伝導率よりも10倍程度大きい
ので、キヤツプを枠体に接合封止する際に、リー
ドの熱が底板を介して効率よく放散される結果、
リードの温度上昇が抑止され、素子の劣化がより
確実に防止できる。
伝導率がガラスの熱伝導率よりも10倍程度大きい
ので、キヤツプを枠体に接合封止する際に、リー
ドの熱が底板を介して効率よく放散される結果、
リードの温度上昇が抑止され、素子の劣化がより
確実に防止できる。
また、素子の放熱性が向上して、素子の自己発
熱による劣化が防止できる。
熱による劣化が防止できる。
実施例
以下、この考案の一実施例を図面を参照して説
明する。
明する。
第１図はこの考案を水晶振動子に利用するフラ
ツトパツケージのキヤツプを除いた平面図で、第
２図は第１図の−線に対応する断面図であ
る。図において、底板２０を除いては第４図と同
様であるため、同一部分には同一参照符号を付し
て、その説明を省略する。上記底板２０は、その
上面中央部に周辺部２１よりも高い突起部２２を
有し、リード５，６の下面が薄いガラス４′を介
してこの突起部２２に密着せしめられている。
ツトパツケージのキヤツプを除いた平面図で、第
２図は第１図の−線に対応する断面図であ
る。図において、底板２０を除いては第４図と同
様であるため、同一部分には同一参照符号を付し
て、その説明を省略する。上記底板２０は、その
上面中央部に周辺部２１よりも高い突起部２２を
有し、リード５，６の下面が薄いガラス４′を介
してこの突起部２２に密着せしめられている。
考案の効果
上記の構成によれば、第５図に示す方法でキヤ
ツプ７を枠体３に接合封止する場合に、枠体３−
ガラス４−リード５，６−ガラス４−底板２０の
周辺部２１−放熱板１０の経路で熱が放散される
とともに、枠体３−ガラス４−リード５，６−ガ
ラス４′−底板２０の突起部２２−放熱板１０の
経路でも熱が放散される。しかも、底板２０の熱
伝導率はガラス４の熱伝導率の約10倍程度も大き
いので、結局リード５，６の熱は突起部２２を介
して効果的に放散されて、素子の劣化をより確実
に防止できる。 また、使用時に素子が発生する
熱の放熱性も向上するので、素子の自己発熱によ
る劣化も防止できる。
ツプ７を枠体３に接合封止する場合に、枠体３−
ガラス４−リード５，６−ガラス４−底板２０の
周辺部２１−放熱板１０の経路で熱が放散される
とともに、枠体３−ガラス４−リード５，６−ガ
ラス４′−底板２０の突起部２２−放熱板１０の
経路でも熱が放散される。しかも、底板２０の熱
伝導率はガラス４の熱伝導率の約10倍程度も大き
いので、結局リード５，６の熱は突起部２２を介
して効果的に放散されて、素子の劣化をより確実
に防止できる。 また、使用時に素子が発生する
熱の放熱性も向上するので、素子の自己発熱によ
る劣化も防止できる。
第１図はこの考案の一実施例のフラツトパツケ
ージのキヤツプを除いた平面図で、第２図は第１
図の−線に対応する断面図である。第３図は
従来のフラツトパツケージのキヤツプを除いた平
面図で、第４図は第３図の−線に対応する断
面図である。第５図はこの考案の背景となるキヤ
ツプの封止方法について説明するためのキヤツプ
封止前の分解断面図である。 １……パツケージ本体、３……枠体、４……ガ
ラス、５，６……リード、７……キヤツプ、８…
…低融点ガラス、９……素子（水晶片）、２０…
…底板、２１……周辺部、２２……突起部。
ージのキヤツプを除いた平面図で、第２図は第１
図の−線に対応する断面図である。第３図は
従来のフラツトパツケージのキヤツプを除いた平
面図で、第４図は第３図の−線に対応する断
面図である。第５図はこの考案の背景となるキヤ
ツプの封止方法について説明するためのキヤツプ
封止前の分解断面図である。 １……パツケージ本体、３……枠体、４……ガ
ラス、５，６……リード、７……キヤツプ、８…
…低融点ガラス、９……素子（水晶片）、２０…
…底板、２１……周辺部、２２……突起部。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 セラミツク製の底板と枠体との間にガラスを介
してリードを気密に封着したパツケージ本体と、
キヤツプとを低融点ガラスを介して接合封止して
なるフラツトパツケージにおいて、 前記底板の上面中央部に周辺部よりも高い突起
部を形成し、この突起部に前記リードを密着させ
たことを特徴とするフラツトパツケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1984128100U JPS6142844U (ja) | 1984-08-23 | 1984-08-23 | フラツトパツケ−ジ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1984128100U JPS6142844U (ja) | 1984-08-23 | 1984-08-23 | フラツトパツケ−ジ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6142844U JPS6142844U (ja) | 1986-03-19 |
| JPH039334Y2 true JPH039334Y2 (ja) | 1991-03-08 |
Family
ID=30686730
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1984128100U Granted JPS6142844U (ja) | 1984-08-23 | 1984-08-23 | フラツトパツケ−ジ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6142844U (ja) |
-
1984
- 1984-08-23 JP JP1984128100U patent/JPS6142844U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6142844U (ja) | 1986-03-19 |
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