JPH0249726Y2 - - Google Patents

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JPH0249726Y2
JPH0249726Y2 JP1984127966U JP12796684U JPH0249726Y2 JP H0249726 Y2 JPH0249726 Y2 JP H0249726Y2 JP 1984127966 U JP1984127966 U JP 1984127966U JP 12796684 U JP12796684 U JP 12796684U JP H0249726 Y2 JPH0249726 Y2 JP H0249726Y2
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cap
glass
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low
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JP1984127966U
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JPS6142072U (ja
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  • Connections Arranged To Contact A Plurality Of Conductors (AREA)
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Description

【考案の詳細な説明】 産業上の利用分野 この考案はフラツトパツケージに関し、より詳
しくはパツケージ本体とキヤツプとを低融点ガラ
スを介してシールしてなる半導体装置や水晶振動
子に好適するものである。
従来の技術 半導体装置や水晶振動子等の電子部品におい
て、半導体素子や水晶片等の素子は、湿気等によ
つて特性変動を起こすため、パツケージングされ
ている。樹脂でパツケージングするものもある
が、信頼性の点でカンケースやセラミツクパツケ
ージに封入したものに比較して劣るので、高信頼
性を要求される用途には、カンケースやセラミツ
クパツケージが用いられている。ところがカンケ
ースやセラミツクパツケージを用いるものでは、
水分の浸入はないが、実公昭40−36187号公報に
開示されているように、半田を用いてシールする
と、フラツクスの蒸気によつて素子が劣化するた
め、特公昭40−5172号公報に開示されているよう
にガラスでシールしたものが考えられている。
第3図は従来のガラスシール型セラミツクフラ
ツトパツケージの一例のキヤツプを除いた平面図
を示し、第4図は第3図の−線に対応する断
面図を示す。図において、1はパツケージ本体
で、アルミナ,ステアタイト等のセラミツクより
なる底板2と枠体3との間に、ガラス4を介して
一対の42合金(Fe;58%、Ni;42%)等よりな
るリード5,6を気密に封着したものである。7
はアルミナ,ステアタイト等のセラミツクよりな
るキヤツプで、低融点ガラス8を介して前記枠体
3に気密に封着されている。図中、二点鎖線9は
水晶片等の素子で、導電性接着剤等を介して、前
記一対のリード5,6に跨つて接続固着されてい
る。
ところで、上記の構成においては、キヤツプ7
のシール用ガラスに、リード5,6を封着するガ
ラス4より融点の低い低融点ガラス8を使用して
はいるが、低融点ガラス8の溶融のために、全体
を抵抗式加熱炉等で加熱するため、素子9が高温
になつたり、素子9を接続固着する導電性接着剤
が有機物質を含んでいる場合は、この導電性接着
剤からガスが発生して、素子9の特性劣化の原因
となつていた。
そこで本件出願人は、別途キヤツプの下面の少
なくともパツケージ本体とのシール箇所に低融点
ガラスを被着しておき、前記キヤツプの上面にヒ
ータを押し当てて、キヤツプの伝導熱で低融点ガ
ラスを溶融させてパツケージ本体とキヤツプとを
シールする方法を提案している。
第5図はこの考案の背景となる上記シール方法
について説明するための分解断面図を示す。図に
おいて、次の点を除いては第4図と同一であるの
で、同一部分には同一参照符号を付して、その説
明を省略する。第4図との相違点は、パツケージ
本体1の底板2の下に鉄、銅、アルミニウム等の
良熱伝導体よりなる放熱板10を配置したこと
と、キヤツプ7の上面にセラミツクヒータ等のヒ
ータ11を押圧していることである。
上記の構成によれば、ヒータ11からのキヤツ
プ7の伝導熱によつて、その下面に被着されてい
る低融点ガラス8が加熱溶融されて、キヤツプ7
がパツケージ本体1の枠体3に融着シールされ
る。このとき、枠体3およびガラス4の熱抵抗に
よつて、リード5,6の温度上昇が抑止され、し
かもリード5,6の熱はガラス4および底板2を
伝導して放熱板10に放熱される。このため、リ
ード5,6の温度は低く抑えられ、素子9やこの
素子9をリード5,6に接続固着する接着剤の温
度は低く、素子9の自身の高温による劣化がない
のみならず、接着剤が有機物質を含む導電性接着
剤であつても有害なガスを発生することがなく、
素子9が発生ガスによつて劣化することもない。
上記の製法を採用する場合、底板2およびキヤ
ツプ7はアルミナ等の熱伝導率の大きいセラミツ
クで形成し、一方枠体3はフオルステライト等の
熱伝導率の小さいセラミツクで形成する方が望ま
しい。
考案が解決しようとする問題点 ところが、上記のように枠体3とキヤツプ7と
を平面同士で融着したものでは、密着強度が比較
的小さく、外力等によつてキヤツプ7が剥離する
ことがあつた。特に、枠体3とキヤツプ7とを熱
伝導率の異なる材料で形成した場合、両者の熱膨
脹係数の違いによつて、上記の問題点が顕著にな
る。
それゆえ、この考案は、シール強度が大きく信
頼性の高いフラツトパツケージを提供することを
目的とする。
問題点を解決するための手段 この考案は、キヤツプをフラツトパツケージ本
体よりも熱伝導率の大きいセラミツク材料で形成
するとともに、パツケージ本体のキヤツプシール
面に、肩部および根元部が曲面状の突起部を形成
し、この突起部を低融点ガラス中に埋設したこと
を特徴とするものである。
作 用 上記の手段によれば、パツケージ本体とキヤツ
プとが非平面で融着されるので、密着強度が増大
し、信頼性の高いフラツトパツケージが得られ
る。また、突起部の肩部が曲面状になつているの
で、溶融した低融点ガラスがその肩部に沿つて流
れ落ちやすく、さらに突起部の根元部が曲面状に
なつているので、熱衝撃によつて突起部が折損し
にくいのみならず、流れ落ちてきた低融点ガラス
が曲面部に沿つて流れやすいため、根元部に空洞
部が形成されにくく、信頼性の高いシールが実現
できる。
実施例 第1図はこの考案の一実施例のフラツトパツケ
ージの断面図を示す。図において、次の点を除い
ては、第4図と同一なので、同一部分には同一参
照符号を付して、その説明を省略する。第4図と
の相違点は、底板2およびキヤツプ7を熱伝導率
の大きいアルミナで形成するとともに、枠体3を
熱電導率の小さいフオルステライトで形成し、枠
体3の上面に突起部12を形成して、この突起部
12を低融点ガラス8中に埋設させていることで
ある。
上記突起部12は第2図の要部拡大断面図から
明らかなように、肩部12aおよび根元部12b
が曲面状に形成されている。前記曲面部の曲率半
径は、例えば枠体3の幅が1.2mmで、突起部12
の幅および高さがそれぞれ0.4mm程度の場合、
0.15〜0.2mm程度が良好な結果をもたらす。
上記の構成によれば、突起部12の肩部12a
および根元部12bを曲面状にしているので、直
角状にする場合に比較して、枠体3の成型型の摩
耗、特に根元部に対応する角部の摩耗が少なくな
るのみならず、枠体3の成型後の乾燥や焼結時の
収縮差によつて、突起部12が根元部12bから
折損しにくい。
また、上記の構成によれば、第5図に示すキヤ
ツプシール方法でキヤツプ7をシールする際に、
キヤツプ7の下面に被着されている低融点ガラス
8に当接している突起部12の熱容量が小さいこ
とによつて、この突起部12の温度が急速に上昇
するので、低融点ガラス8が短時間で溶融し始め
る。さらに、溶融した低融点ガラス8は突起部1
2の肩部12aが曲面状になつているので、この
肩部12aに沿つて流れやすい。しかも、突起部
12の根元部12bが曲面状になつているので、
直角状になつている場合に比較して、熱衝撃によ
り折損し難いし、流れ落ちてきた低融点ガラス8
が根元部に沿つて流れやすいため、空洞部が形成
されることがなく、信頼性の高いシールが実現で
きる。
さらに、キヤツプ7のシール後にあつては、枠
体3とキヤツプ7とが突起部12によつて複雑な
面でシールされており、しかもそのシール界面長
が大きいので、万一、両者に熱膨脹係数の差があ
つても従来よりもシール強度が格段に大きくな
り、キヤツプ7が外力等で剥離することがなくな
る。また、従来のように、枠体3とキヤツプ7と
を平面同士でシールしたものでは、万一低融点ガ
ラス8の溶融が不十分であつても、外観上判別で
きなかつたが、上記の構成によれば、万一低融点
ガラス8の溶融が不十分な場合、突起部12が外
部から見えることによつて判別できるという利点
もある。
なお、上記実施例では、断面矩形状の突起部1
2を形成したが、断面台形状の突起部を形成して
もよい。
考案の効果 この考案は以上のように、キヤツプをフラツト
パツケージ本体よりも熱伝導率の大きいセラミツ
ク材料で形成するとともに、パツケージ本体のキ
ヤツプシール面に、肩部および根元部が曲面状の
突起部を形成したから、パツケージ本体とキヤツ
プとのシールが迅速かつ確実に行なえるのみなら
ず、密着強度が向上し、信頼性を高めることがで
きる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの考案の一実施例のフラツトパツケ
ージの断面図で、第2図は第1図の要部拡大断面
図である。第3図は従来のフラツトパツケージの
キヤツプを除いた平面図で、第4図は第3図の
−線に対応する断面図である。第5図はキヤツ
プシール方法の一例について説明するためキヤツ
プシール前の分解断面図である。 1……パツケージ本体、2……底板、3……枠
体、4……ガラス、5,6……リード、7……キ
ヤツプ、8……低融点ガラス、12……突起部、
12a……肩部、12b……根元部。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 ガラスを介してリードが気密に封着されたセラ
    ミツク製のフラツトパツケージ本体に低融点ガラ
    スを介してキヤツプをシールしたフラツトパツケ
    ージにおいて、 前記キヤツプをフラツトパツケージ本体よりも
    熱伝導率の大きいセラミツク材料で形成するとと
    もに、フラツトパツケージ本体のキヤツプシール
    面に、肩部および根元部が曲面状の突起部を形成
    し、この突起部を低融点ガラスに埋設させたこと
    を特徴とするフラツトパツケージ。
JP12796684U 1984-08-22 1984-08-22 フラツトパツケ−ジ Granted JPS6142072U (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12796684U JPS6142072U (ja) 1984-08-22 1984-08-22 フラツトパツケ−ジ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12796684U JPS6142072U (ja) 1984-08-22 1984-08-22 フラツトパツケ−ジ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6142072U JPS6142072U (ja) 1986-03-18
JPH0249726Y2 true JPH0249726Y2 (ja) 1990-12-27

Family

ID=30686598

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP12796684U Granted JPS6142072U (ja) 1984-08-22 1984-08-22 フラツトパツケ−ジ

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JP (1) JPS6142072U (ja)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4979468A (ja) * 1972-12-04 1974-07-31

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4979468A (ja) * 1972-12-04 1974-07-31

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JPS6142072U (ja) 1986-03-18

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