JPH0436034Y2 - - Google Patents

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JPH0436034Y2
JPH0436034Y2 JP20316886U JP20316886U JPH0436034Y2 JP H0436034 Y2 JPH0436034 Y2 JP H0436034Y2 JP 20316886 U JP20316886 U JP 20316886U JP 20316886 U JP20316886 U JP 20316886U JP H0436034 Y2 JPH0436034 Y2 JP H0436034Y2
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melting point
low melting
point metal
substrate
temperature fuse
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Description

【考案の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本考案は基板型温度ヒユーズの改良に関するも
のである。
(従来の技術) 基板型温度ヒユーズは、ヒユーズエレメントと
しての低融点金属体を絶縁基板の片面上に設け、
該低融点金属体上にフラツクス層を設け、このフ
ラツクス層上に絶縁基板の全片面を覆うように樹
脂のモールド被覆層を設けた構成である。而し
て、保護すべき電気機器が過電流のために発熱す
ると、その発生熱によつて低融点金属体が溶融す
る。この溶融時においては、フラツクス層は既に
溶融しており(フラツクスは低融点金属よりも低
融点)、この溶融フラツクスが溶融金属の表面張
力による球形化を促進し、当該低融点金属が溶断
する。これによつて、機器へ通電が遮断される。
(考案により解決しようとする問題点) 温度ヒユーズにおいては、機器の通電ヒートサ
イクルにより加熱・冷却を繰り返して受ける。而
るに、上記の基板型温度ヒユーズにおいては、そ
の加熱・冷却の繰り返しによりフラツクス層が膨
張・収縮し、この膨張・収縮によりフラツクス層
のコーナに過大な応力が繰り返して発生し、絶縁
基板と樹脂被覆層との接着界面に剥離が生じ易
い。
本考案の目的は基板型温度ヒユーズにおいて、
フラツクス層の膨張・収縮により発生する熱応力
を緩和して、絶縁基板と樹脂被覆層との接着界面
の剥離を防止することにある。
(問題点を解決するための手段) 本考案に係る基板型温度ヒユーズは、絶縁基板
上に一対の電極を設け、該電極間を低融点金属で
橋設し、該低融点金属上にフラツクス層を設け、
基板上に樹脂被覆層を設けた温度ヒユーズにおい
て、上記フラツクス層の平面形状を丸形としたこ
とを特徴とする構成である。
(実施例) 以下、図面により本考案を説明する。
第1図は本考案に係る基板型温度ヒユーズを示
す上面説明図、第2図は第1図における−断
面図である。
図において、1は耐熱性の絶縁基板、例えばセ
ラミツクス板である。2,2はセラミツクス板に
設けた一対の電極であり、誘電ペーストのスクリ
ーン印刷、金属箔積層板のエツチング、または蒸
着等によつて形成できる。3,3は各電極に接続
したリード線である。4は電極間に橋設した低融
点金属体であり、電極と低融点金属との間は溶接
により接合してある。5は低融点金属体を覆うフ
ラツクス層であり、その平面形状は丸味形状であ
る。この丸味形状には、長軸(低融点金属体の方
向の軸)と短軸との比が1:2〜1:4の長円
形、楕円形を用いることができる。6は絶縁基板
上にモールド被覆せる樹脂層、例えば、エポキシ
樹脂層である。
上記基板型温度ヒユーズの作動要領は、機器が
過電流発熱により異常温度に達すると、低融点金
属体が溶融し、溶融フラツクスの媒体作用により
その溶融金属が溶断することにある。この溶断以
前に機器のヒートサイクルに基づく過熱・冷却を
繰り返して受け、フラツクス層の熱膨張・収縮に
起因する熱応力の発生がある。しかしながら、フ
ラツクス層の平面形状を丸味形状としてあるから
このフラツクス層の熱膨張にもかかわらず、フラ
ツクス層の輪郭に作用する熱応力を充分に緩和で
きる。
(考案の効果) このように、本考案に係る基板型温度ヒユーズ
においては、ヒートサイクル下でのフラツクス層
の輪郭に発生する熱応力を良く緩和できるから、
絶縁基板と樹脂モールド被覆層との接着界面にお
ける上記熱応力による剥離をよく防止できる。而
して、本考案は、基板型温度ヒユーズの実用上極
めて有用である。
なお、本考案は絶縁基板の片面に低融点金属体
と共に低抗体(膜状抵抗)を設ける構成の基板型
温度ヒユーズ、また絶縁基板の片面に低融点金属
体を、他面に膜状抵抗体をそれぞれ設ける構成の
基板型温度ヒユーズにも適用できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本考案に係る基板型温度ヒユーズを示
す説明図、第2図は第1図における−断面図
である。 図において、1は絶縁基板、2,2は電極、4
は低融点金属、5はフラツクス層、6は樹脂被覆
層である。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 絶縁基板上に一対の電極を設け、該電極間を低
    融点金属で橋設し、該低融点金属上にフラツクス
    層を設け、基板上に樹脂被覆層を設けた温度ヒユ
    ーズにおいて、上記フラツクス層の平面形状を丸
    味形状としたことを特徴とする基板型温度ヒユー
    ズ。
JP20316886U 1986-12-26 1986-12-26 Expired JPH0436034Y2 (ja)

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JP20316886U JPH0436034Y2 (ja) 1986-12-26 1986-12-26

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JPS63106042U JPS63106042U (ja) 1988-07-08
JPH0436034Y2 true JPH0436034Y2 (ja) 1992-08-26

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