JP2001325868A - 保護素子 - Google Patents
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- H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
- H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板上に発熱体及び低融点金属体を有し、発
熱体の発熱により低融点金属体が溶断する保護素子にお
いて、低融点金属体の溶断すべき箇所の数よりも溶断可
能箇所の数を多くし、フェイルセーフ機能をもたせる。 【解決手段】 基板２上に発熱体３及び低融点金属体５
を有し、発熱体３の発熱により低融点金属体５が溶断す
る保護素子において、低融点金属体５の溶断可能箇所の
数が溶断すべき箇所の数よりも多くなるように、低融点
金属体５の一部をダミー電極１０上に形成する。
熱体の発熱により低融点金属体が溶断する保護素子にお
いて、低融点金属体の溶断すべき箇所の数よりも溶断可
能箇所の数を多くし、フェイルセーフ機能をもたせる。 【解決手段】 基板２上に発熱体３及び低融点金属体５
を有し、発熱体３の発熱により低融点金属体５が溶断す
る保護素子において、低融点金属体５の溶断可能箇所の
数が溶断すべき箇所の数よりも多くなるように、低融点
金属体５の一部をダミー電極１０上に形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、異常時に発熱体が
発熱し、低融点金属体が溶断する保護素子に関する。
発熱し、低融点金属体が溶断する保護素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】過電流だけでなく過電圧も防止するため
に使用できる保護素子として、基板上に発熱体と低融点
金属体を積層した保護素子が知られている（特許２７９
０４３３号公報、特開平８−１６１９９０号公報等）。
このタイプの保護素子では、異常時に、発熱体に通電が
なされ、発熱体が発熱することにより低融点金属が溶融
し、溶融した低融点金属体が、該低融点金属体が載置さ
れている電極表面を濡らすことにより溶断する。
に使用できる保護素子として、基板上に発熱体と低融点
金属体を積層した保護素子が知られている（特許２７９
０４３３号公報、特開平８−１６１９９０号公報等）。
このタイプの保護素子では、異常時に、発熱体に通電が
なされ、発熱体が発熱することにより低融点金属が溶融
し、溶融した低融点金属体が、該低融点金属体が載置さ
れている電極表面を濡らすことにより溶断する。
【０００３】図７は、このような保護素子１ｐを用いた
過電圧防止装置の一例の回路図であり、図８は、この保
護素子１ｐの平面図（同図（ａ））及び断面図（同図
（ｂ））である。
過電圧防止装置の一例の回路図であり、図８は、この保
護素子１ｐの平面図（同図（ａ））及び断面図（同図
（ｂ））である。
【０００４】この保護素子１ｐは基板２上に、抵抗ペー
ストの塗布などにより形成される発熱体３、絶縁層４、
ヒューズ材料からなる低融点金属体５が積層された構造
を有している。図中、６ａ、６ｂは発熱体用電極であ
り、このうち電極６ｂが低融点金属体５の中央部の電極
（中間電極７ｃ）と接続し、その接続部位を挟んで低融
点金属体５が２つの部位５ａ、５ｂに区分されている。
７ａ、７ｂ、７ｃは低融点金属体用電極である。また、
８は固形フラックス等からなり、低融点金属体５の表面
酸化を防止するために低融点金属体５を封止している内
側封止部であり、９は低融点金属体５よりも高融点又は
高軟化点を有する材料からなり、低融点金属体５の溶断
時に溶融物が保護素子外へ流出することを防止する外側
封止部である。
ストの塗布などにより形成される発熱体３、絶縁層４、
ヒューズ材料からなる低融点金属体５が積層された構造
を有している。図中、６ａ、６ｂは発熱体用電極であ
り、このうち電極６ｂが低融点金属体５の中央部の電極
（中間電極７ｃ）と接続し、その接続部位を挟んで低融
点金属体５が２つの部位５ａ、５ｂに区分されている。
７ａ、７ｂ、７ｃは低融点金属体用電極である。また、
８は固形フラックス等からなり、低融点金属体５の表面
酸化を防止するために低融点金属体５を封止している内
側封止部であり、９は低融点金属体５よりも高融点又は
高軟化点を有する材料からなり、低融点金属体５の溶断
時に溶融物が保護素子外へ流出することを防止する外側
封止部である。
【０００５】この保護素子１p を用いた図７の過電圧防
止装置において、端子Ａ1、Ａ2には、例えばリチウムイ
オン電池等の被保護装置の電極端子が接続され、端子Ｂ
1、Ｂ2には、被保護装置に接続して使用される充電器等
の装置の電極端子が接続される。この過電圧防止装置に
よれば、リチウムイオン電池の充電が進行し、ツエナダ
イオードＤに降伏電圧以上の過電圧が印加されると、急
激にベース電流ｉbが流れ、それにより大きなコレクタ
電流ｉc が発熱体３に流れ、発熱体３が発熱する。この
熱が、発熱体３上の低融点金属体５に伝達し、低融点金
属体５の２つの部位５ａ、５ｂがそれぞれ溶断する。こ
れにより、端子Ａ1、Ａ2 に過電圧の印加されることが
防止され、同時に、発熱体３への通電も遮断される。
止装置において、端子Ａ1、Ａ2には、例えばリチウムイ
オン電池等の被保護装置の電極端子が接続され、端子Ｂ
1、Ｂ2には、被保護装置に接続して使用される充電器等
の装置の電極端子が接続される。この過電圧防止装置に
よれば、リチウムイオン電池の充電が進行し、ツエナダ
イオードＤに降伏電圧以上の過電圧が印加されると、急
激にベース電流ｉbが流れ、それにより大きなコレクタ
電流ｉc が発熱体３に流れ、発熱体３が発熱する。この
熱が、発熱体３上の低融点金属体５に伝達し、低融点金
属体５の２つの部位５ａ、５ｂがそれぞれ溶断する。こ
れにより、端子Ａ1、Ａ2 に過電圧の印加されることが
防止され、同時に、発熱体３への通電も遮断される。
【０００６】このように、このタイプの保護素子では、
低融点金属体の溶断と同時に発熱体への通電を遮断して
発熱を停止させるために、低融点金属体を中間電極で２
つの部位に区分し、２つの部位の低融点金属体がそれぞ
れ溶断するように構成する。低融点金属体と発熱体との
接続態様としては、特開平１０−１１６５４９号公報、
特開平１０−１１６５５０号公報に記載されているよう
に、発熱体上に低融点金属体を積層せずに、低融点金属
体と発熱体とを基板上に平面的に配設して接続する態様
もあるが、低融点金属体の溶断と同時に発熱体への通電
が遮断されるように、低融点金属体が２ヶ所で溶断され
るようにするという点では同じである。
低融点金属体の溶断と同時に発熱体への通電を遮断して
発熱を停止させるために、低融点金属体を中間電極で２
つの部位に区分し、２つの部位の低融点金属体がそれぞ
れ溶断するように構成する。低融点金属体と発熱体との
接続態様としては、特開平１０−１１６５４９号公報、
特開平１０−１１６５５０号公報に記載されているよう
に、発熱体上に低融点金属体を積層せずに、低融点金属
体と発熱体とを基板上に平面的に配設して接続する態様
もあるが、低融点金属体の溶断と同時に発熱体への通電
が遮断されるように、低融点金属体が２ヶ所で溶断され
るようにするという点では同じである。
【０００７】図９は、図８の保護素子１ｐと同様に、発
熱体３が通電によって発熱することにより低融点金属体
５が溶断し、同時に発熱体３への通電が遮断されるよう
にした保護素子１ｑの平面図（同図（ａ））及び断面図
（同図（ｂ））である（特願平１１−１１０１６３号明
細書参照）。この保護素子１ｑでは、基板２上に低融点
金属体用電極７ａ、７ｂ、７ｃが設けられ、これらの電
極７ａ、７ｂ、７ｃに架かるように低融点金属体５（５
ａ、５ｂ）が設けられている。また、低融点金属体用電
極（中間電極）７ｃの下面には絶縁層４を介して発熱体
３が設けられている。発熱体３は、発熱体用電極６ａか
ら導出された配線６ｘ、６ｙと発熱体用電極６ｂとの間
で通電加熱される。発熱体用電極６ｂは、低融点金属体
用電極（中間電極）７ｃと接続している。したがって、
発熱体３の発熱により、電極７ａ、７ｃ間の低融点金属
体５ａと電極７ｂ、７ｃ間の低融点金属体５ｂがそれぞ
れ溶断して被保護装置への通電が遮断され、また発熱体
３への通電も遮断される。
熱体３が通電によって発熱することにより低融点金属体
５が溶断し、同時に発熱体３への通電が遮断されるよう
にした保護素子１ｑの平面図（同図（ａ））及び断面図
（同図（ｂ））である（特願平１１−１１０１６３号明
細書参照）。この保護素子１ｑでは、基板２上に低融点
金属体用電極７ａ、７ｂ、７ｃが設けられ、これらの電
極７ａ、７ｂ、７ｃに架かるように低融点金属体５（５
ａ、５ｂ）が設けられている。また、低融点金属体用電
極（中間電極）７ｃの下面には絶縁層４を介して発熱体
３が設けられている。発熱体３は、発熱体用電極６ａか
ら導出された配線６ｘ、６ｙと発熱体用電極６ｂとの間
で通電加熱される。発熱体用電極６ｂは、低融点金属体
用電極（中間電極）７ｃと接続している。したがって、
発熱体３の発熱により、電極７ａ、７ｃ間の低融点金属
体５ａと電極７ｂ、７ｃ間の低融点金属体５ｂがそれぞ
れ溶断して被保護装置への通電が遮断され、また発熱体
３への通電も遮断される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した従
来の保護素子１ｐ、１ｑでは、発熱体３の発熱時に低融
点金属体５の溶断すべき箇所は、低融点金属体用電極７
ａ、７ｃ間に架かる低融点金属体５ａ中の１箇所と低融
点金属体用電極７ｂ、７ｃ間に架かる低融点金属体５ｂ
中の１箇所の合計２箇所であり、溶断可能箇所もこれと
同じである。このため、何らかの不都合で、本来溶断可
能であるべき箇所が溶断不能となり、異常時に溶断しな
かった場合には被保護装置に致命的な問題が引き起こさ
れることとなる。
来の保護素子１ｐ、１ｑでは、発熱体３の発熱時に低融
点金属体５の溶断すべき箇所は、低融点金属体用電極７
ａ、７ｃ間に架かる低融点金属体５ａ中の１箇所と低融
点金属体用電極７ｂ、７ｃ間に架かる低融点金属体５ｂ
中の１箇所の合計２箇所であり、溶断可能箇所もこれと
同じである。このため、何らかの不都合で、本来溶断可
能であるべき箇所が溶断不能となり、異常時に溶断しな
かった場合には被保護装置に致命的な問題が引き起こさ
れることとなる。
【０００９】このような問題に対し、本発明は、低融点
金属体の溶断すべき箇所の数よりも溶断可能箇所の数を
多くし、所謂フェイルセーフ機能を保護素子に付与する
ことを目的とする。
金属体の溶断すべき箇所の数よりも溶断可能箇所の数を
多くし、所謂フェイルセーフ機能を保護素子に付与する
ことを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、低融点金
属体の一部をダミー電極上に形成すると、ダミー電極の
両側に低融点金属体の溶断可能箇所を形成でき、これに
より、低融点金属体の溶断すべき箇所の数よりも、溶断
可能箇所の数を多くできることを見出した。
属体の一部をダミー電極上に形成すると、ダミー電極の
両側に低融点金属体の溶断可能箇所を形成でき、これに
より、低融点金属体の溶断すべき箇所の数よりも、溶断
可能箇所の数を多くできることを見出した。
【００１１】即ち、本発明は、基板上に発熱体及び低融
点金属体を有し、発熱体の発熱により低融点金属体が溶
断する保護素子において、低融点金属体の溶断可能箇所
の数が溶断すべき箇所の数よりも多くなるように、低融
点金属体の一部がダミー電極上に形成されている保護素
子を提供する。
点金属体を有し、発熱体の発熱により低融点金属体が溶
断する保護素子において、低融点金属体の溶断可能箇所
の数が溶断すべき箇所の数よりも多くなるように、低融
点金属体の一部がダミー電極上に形成されている保護素
子を提供する。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明を
詳細に説明する。なお、各図中、同一符号は、同一又は
同等の構成要素を表している。
詳細に説明する。なお、各図中、同一符号は、同一又は
同等の構成要素を表している。
【００１３】図１は、本発明の一態様の保護素子１Ａの
平面図（同図（ａ））及び断面図（同図（ｂ）、
（ｃ））であり、図２は、この保護素子１Ａの回路図で
ある。
平面図（同図（ａ））及び断面図（同図（ｂ）、
（ｃ））であり、図２は、この保護素子１Ａの回路図で
ある。
【００１４】この保護素子１Ａは、基板２上に低融点金
属体用電極７ａ、７ｂ、７ｃが設けられ、これらの低融
点金属体用電極７ａ、７ｂ、７ｃに架かるように低融点
金属体５（５ａ、５ｂ、５ｃ）が設けられ、また、中央
部の低融点金属体用電極７ｃの下面には絶縁層４を介し
て発熱体３が設けられ、この発熱体３が発熱体用電極６
ａ、６ｂ間で通電され、発熱体用電極６ｂと低融点金属
体用電極（中間電極）７ｃとが接続している点では、図
９に示した保護素子１ｑと同様である。一方、この保護
素子１Ａでは、２つの低融点金属体用電極７ｂ、７ｃの
間にダミー電極１０が設けられ、低融点金属体５の一部
がダミー電極１０上に形成されている点が特徴となって
いる。
属体用電極７ａ、７ｂ、７ｃが設けられ、これらの低融
点金属体用電極７ａ、７ｂ、７ｃに架かるように低融点
金属体５（５ａ、５ｂ、５ｃ）が設けられ、また、中央
部の低融点金属体用電極７ｃの下面には絶縁層４を介し
て発熱体３が設けられ、この発熱体３が発熱体用電極６
ａ、６ｂ間で通電され、発熱体用電極６ｂと低融点金属
体用電極（中間電極）７ｃとが接続している点では、図
９に示した保護素子１ｑと同様である。一方、この保護
素子１Ａでは、２つの低融点金属体用電極７ｂ、７ｃの
間にダミー電極１０が設けられ、低融点金属体５の一部
がダミー電極１０上に形成されている点が特徴となって
いる。
【００１５】ダミー電極１０は、図２の回路上で格別の
役割は持たず、低融点金属体５を基板２上で支持し、低
融点金属体５が溶融するときの濡れ面積を確保する機能
を有する。したがって、ダミー電極１０は、溶融状態の
低融点金属体５の濡れ性が、基板２の表面への濡れ性よ
りも大きい材料から形成する。これにより、低融点金属
体５の溶融時の溶断可能箇所は、図１（ａ）に×印で示
したように、電極間（低融点金属体用電極及びダミー電
極を含む）に位置する低融点金属体の３つの部位５ａ、
５ｂ、５ｃ中に各１ヶ所ずつで、合計３ヶ所となる。一
方、この低融点金属体５が溶断すべきヶ所は、電極７ａ
と電極７ｃとの間の１ヶ所と、電極７ｃと電極７ｂとの
間の１ヶ所の合計２ヶ所である。したがって、この保護
素子１Ａは、低融点金属体５の溶断可能箇所の数が溶断
すべき箇所の数よりも多く、フェイルセーフ機能の向上
したものとなる。
役割は持たず、低融点金属体５を基板２上で支持し、低
融点金属体５が溶融するときの濡れ面積を確保する機能
を有する。したがって、ダミー電極１０は、溶融状態の
低融点金属体５の濡れ性が、基板２の表面への濡れ性よ
りも大きい材料から形成する。これにより、低融点金属
体５の溶融時の溶断可能箇所は、図１（ａ）に×印で示
したように、電極間（低融点金属体用電極及びダミー電
極を含む）に位置する低融点金属体の３つの部位５ａ、
５ｂ、５ｃ中に各１ヶ所ずつで、合計３ヶ所となる。一
方、この低融点金属体５が溶断すべきヶ所は、電極７ａ
と電極７ｃとの間の１ヶ所と、電極７ｃと電極７ｂとの
間の１ヶ所の合計２ヶ所である。したがって、この保護
素子１Ａは、低融点金属体５の溶断可能箇所の数が溶断
すべき箇所の数よりも多く、フェイルセーフ機能の向上
したものとなる。
【００１６】ダミー電極１０は、上述のように、溶融状
態の低融点金属体５の濡れ性が、基板２の表面への濡れ
性よりも大きい材料から形成するが、発熱体３の発熱時
に低融点金属体５が溶融状態になった時には、速やかに
低融点金属体５が溶断するように、低融点金属体用電極
７ａ、７ｂ、７ｃも、溶融状態の低融点金属体と濡れ性
のよいものが好ましい。ダミー電極１０あるいは低融点
金属体用電極７ａ、７ｂ、７ｃの具体的な形成材料とし
ては、例えば、低融点金属体５の接する基板２の表面が
セラミック、ガラスエポキシ、ポリイミド等からなる場
合に、銅等の金属単体、表面がＡｇ−Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ
−Ｐｄ等とすることができる。特に、生産性の点から
は、ダミー電極と低融点金属体用電極とを同一の電極材
料から形成することが好ましい。
態の低融点金属体５の濡れ性が、基板２の表面への濡れ
性よりも大きい材料から形成するが、発熱体３の発熱時
に低融点金属体５が溶融状態になった時には、速やかに
低融点金属体５が溶断するように、低融点金属体用電極
７ａ、７ｂ、７ｃも、溶融状態の低融点金属体と濡れ性
のよいものが好ましい。ダミー電極１０あるいは低融点
金属体用電極７ａ、７ｂ、７ｃの具体的な形成材料とし
ては、例えば、低融点金属体５の接する基板２の表面が
セラミック、ガラスエポキシ、ポリイミド等からなる場
合に、銅等の金属単体、表面がＡｇ−Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ
−Ｐｄ等とすることができる。特に、生産性の点から
は、ダミー電極と低融点金属体用電極とを同一の電極材
料から形成することが好ましい。
【００１７】低融点金属体５の形成材料としては、従来
よりヒューズ材料として使用されている種々の低融点金
属体を使用することができ、例えば、特開平８−１６１
９９０号公報の段落［００１９］の表１に記載の合金を
使用することができる。
よりヒューズ材料として使用されている種々の低融点金
属体を使用することができ、例えば、特開平８−１６１
９９０号公報の段落［００１９］の表１に記載の合金を
使用することができる。
【００１８】また、発熱体３は、例えば、酸化ルテニウ
ム、カーボンブラック等の導電材料と水ガラス等の無機
系バインダあるいは熱硬化性樹脂等の有機系バインダか
らなる抵抗ペーストを塗布し、必要に応じて焼成するこ
とにより形成できる。また、酸化ルテニウム、カーボン
ブラック等の薄膜を印刷、メッキ、蒸着、スパッタで形
成してもよく、これらのフィルムの貼付、積層等により
形成してもよい。
ム、カーボンブラック等の導電材料と水ガラス等の無機
系バインダあるいは熱硬化性樹脂等の有機系バインダか
らなる抵抗ペーストを塗布し、必要に応じて焼成するこ
とにより形成できる。また、酸化ルテニウム、カーボン
ブラック等の薄膜を印刷、メッキ、蒸着、スパッタで形
成してもよく、これらのフィルムの貼付、積層等により
形成してもよい。
【００１９】基板２としては、特に制限はなく、プラス
チックフィルム、ガラスエポキシ基板、セラミック基
板、金属基板等を使用することができるが、無機系基板
を使用することが好ましい。
チックフィルム、ガラスエポキシ基板、セラミック基
板、金属基板等を使用することができるが、無機系基板
を使用することが好ましい。
【００２０】絶縁層４は、発熱体３と低融点金属体５と
を絶縁する層であり、例えば、エポキシ系、アクリル
系、ポリエステル系等の種々の有機系樹脂あるいはＳｉ
Ｏ2を主成分とする無機系材料を使用することができ
る。また、絶縁層４を有機系樹脂から形成する場合に
は、発熱体３の発熱時の熱が効率的に低融点金属体５に
伝導するように、熱伝導性の高い無機系粉末を含有させ
てもよい。
を絶縁する層であり、例えば、エポキシ系、アクリル
系、ポリエステル系等の種々の有機系樹脂あるいはＳｉ
Ｏ2を主成分とする無機系材料を使用することができ
る。また、絶縁層４を有機系樹脂から形成する場合に
は、発熱体３の発熱時の熱が効率的に低融点金属体５に
伝導するように、熱伝導性の高い無機系粉末を含有させ
てもよい。
【００２１】図３は、本発明の他の態様の保護素子１Ｂ
の平面図（同図（ａ））及び断面図（同図（ｂ）、
（ｃ））であり、図４は、この保護素子１Ｂの回路図で
ある。この保護素子１Ｂは、低融点金属体用電極（中間
電極）７ｃの両側にダミー電極１０ａ、１０ｂを設け、
このうち一方のダミー電極１０ａを介して低融点金属体
５ａと低融点金属体５ｃをブリッジ接続すると共に、他
方のダミー電極１０ｂを介して低融点金属体５ｂと低融
点金属体５ｄをブリッジ接続したものである。したがっ
て、この保護素子１Ｂでは低融点金属体５の溶融時の溶
断可能箇所が図３（ａ）に×印で示したように４ヶ所と
なる。一方、この低融点金属体５が溶断すべきヶ所は、
低融点金属体用電極７ａからダミー電極１０ａを経て低
融点金属体用電極（中間電極）７ｃに至るまでの間の１
ヶ所と、低融点金属体用電極７ｂからダミー電極１０ｂ
を経て低融点金属体用電極（中間電極）７ｃに至るまで
の間の１ヶ所で合計２ヶ所である。したがって、この保
護素子１Ｂは、低融点金属体５の溶断可能箇所の数が溶
断すべき箇所の数よりも２つ多く、上述の保護素子１Ａ
に対してフェイルセーフ機能がいっそう向上したものと
なる。
の平面図（同図（ａ））及び断面図（同図（ｂ）、
（ｃ））であり、図４は、この保護素子１Ｂの回路図で
ある。この保護素子１Ｂは、低融点金属体用電極（中間
電極）７ｃの両側にダミー電極１０ａ、１０ｂを設け、
このうち一方のダミー電極１０ａを介して低融点金属体
５ａと低融点金属体５ｃをブリッジ接続すると共に、他
方のダミー電極１０ｂを介して低融点金属体５ｂと低融
点金属体５ｄをブリッジ接続したものである。したがっ
て、この保護素子１Ｂでは低融点金属体５の溶融時の溶
断可能箇所が図３（ａ）に×印で示したように４ヶ所と
なる。一方、この低融点金属体５が溶断すべきヶ所は、
低融点金属体用電極７ａからダミー電極１０ａを経て低
融点金属体用電極（中間電極）７ｃに至るまでの間の１
ヶ所と、低融点金属体用電極７ｂからダミー電極１０ｂ
を経て低融点金属体用電極（中間電極）７ｃに至るまで
の間の１ヶ所で合計２ヶ所である。したがって、この保
護素子１Ｂは、低融点金属体５の溶断可能箇所の数が溶
断すべき箇所の数よりも２つ多く、上述の保護素子１Ａ
に対してフェイルセーフ機能がいっそう向上したものと
なる。
【００２２】保護素子１Ｂにおいて、４つの溶断可能箇
所は、低融点金属体５の溶融時にほぼ同時に溶融するこ
とが好ましい。そのため保護素子１Ｂでは、低融点金属
体用電極７ａ、７ｂの端部を発熱体３に近接させ、その
端部からも発熱体３の熱が低融点金属体５に伝導するよ
うにしている。
所は、低融点金属体５の溶融時にほぼ同時に溶融するこ
とが好ましい。そのため保護素子１Ｂでは、低融点金属
体用電極７ａ、７ｂの端部を発熱体３に近接させ、その
端部からも発熱体３の熱が低融点金属体５に伝導するよ
うにしている。
【００２３】なお、パターニング等の問題により、発熱
体３の発熱時において、低融点金属体５の複数の溶断可
能箇所の溶融までの時間にずれが生じる場合には、発熱
体３から遠い方の溶断可能箇所と発熱体３とを熱伝導性
のよい材料で熱的に接触させてもよく、あるいは、発熱
体３からの熱の不要な拡散を防止し、熱を低融点金属体
５により効果的に導くために、基板２等の一部を熱的に
絶縁してもよい。熱的な絶縁方法としては、例えば、基
板２に空隙を開けたり、基板２の一部に熱伝導性の低い
材料を使用する。
体３の発熱時において、低融点金属体５の複数の溶断可
能箇所の溶融までの時間にずれが生じる場合には、発熱
体３から遠い方の溶断可能箇所と発熱体３とを熱伝導性
のよい材料で熱的に接触させてもよく、あるいは、発熱
体３からの熱の不要な拡散を防止し、熱を低融点金属体
５により効果的に導くために、基板２等の一部を熱的に
絶縁してもよい。熱的な絶縁方法としては、例えば、基
板２に空隙を開けたり、基板２の一部に熱伝導性の低い
材料を使用する。
【００２４】図５の保護素子１Ｃは、図１の保護素子１
Ａにおいて、一つの低融点金属体５を３つの独立した金
属体５ａ、５ｂ、５ｃから形成し、さらにそのうちの中
間の金属体５ｃを、両側の低融点金属体５ａ、５ｂより
も溶融温度の高い低融点金属体５ｃ’に代えたものであ
る。この保護素子１Ｃによれば、低融点金属体５ａに比
して低融点金属体５ｂの溶断までの時間が遅れるので、
低融点金属体用電極７ａ、７ｂに接続する被保護回路側
の２つの端子間で、回路が遮断されるまでの時間に差を
設けたい場合に有効である。
Ａにおいて、一つの低融点金属体５を３つの独立した金
属体５ａ、５ｂ、５ｃから形成し、さらにそのうちの中
間の金属体５ｃを、両側の低融点金属体５ａ、５ｂより
も溶融温度の高い低融点金属体５ｃ’に代えたものであ
る。この保護素子１Ｃによれば、低融点金属体５ａに比
して低融点金属体５ｂの溶断までの時間が遅れるので、
低融点金属体用電極７ａ、７ｂに接続する被保護回路側
の２つの端子間で、回路が遮断されるまでの時間に差を
設けたい場合に有効である。
【００２５】図６の保護素子１Ｄは、低融点金属体７
ａ、７ｃ間をブリッジする低融点金属体５ａと、低融点
金属体用電極７ｂ、ダミー電極１０、低融点金属体用電
極７ｃ間をブリッジする低融点金属体５ｂ、５ｃとの断
面積を異ならせ、これにより上述の保護素子１Ｃと同様
の機能を持たせたものである。
ａ、７ｃ間をブリッジする低融点金属体５ａと、低融点
金属体用電極７ｂ、ダミー電極１０、低融点金属体用電
極７ｃ間をブリッジする低融点金属体５ｂ、５ｃとの断
面積を異ならせ、これにより上述の保護素子１Ｃと同様
の機能を持たせたものである。
【００２６】以上、図面を参照しつつ本発明の保護素子
を詳細に説明したが、本発明はさらに種々の態様をとる
ことができる。例えば、必要に応じてダミー電極の数を
増やし、低融点金属体５の溶断可能箇所の数を増しても
よい。図示した保護素子１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄではい
ずれも発熱体３上に絶縁層４を介して低融点金属体用電
極７ｃが設けられているが、この絶縁層４は省略しても
よい（特願平１１−９４３８５号明細書）。また、特開
平１０−１１６５４９号公報、特開平１０−１１６５５
０号公報に記載されているように、発熱体３と低融点金
属体５とを基板２上で平面的に配置してもよい。
を詳細に説明したが、本発明はさらに種々の態様をとる
ことができる。例えば、必要に応じてダミー電極の数を
増やし、低融点金属体５の溶断可能箇所の数を増しても
よい。図示した保護素子１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄではい
ずれも発熱体３上に絶縁層４を介して低融点金属体用電
極７ｃが設けられているが、この絶縁層４は省略しても
よい（特願平１１−９４３８５号明細書）。また、特開
平１０−１１６５４９号公報、特開平１０−１１６５５
０号公報に記載されているように、発熱体３と低融点金
属体５とを基板２上で平面的に配置してもよい。
【００２７】低融点金属体５の上には、その表面酸化を
防止するために、固形フラックス等からなる内側封止部
を設け、その外側には、低融点金属体５の溶断時に溶融
物が素子外へ流出することを防止する外側封止部やキャ
ップを設けることができる。
防止するために、固形フラックス等からなる内側封止部
を設け、その外側には、低融点金属体５の溶断時に溶融
物が素子外へ流出することを防止する外側封止部やキャ
ップを設けることができる。
【００２８】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説
明する。
明する。
【００２９】実施例１ 図１の保護素子１Ａを次のように作製した。基板２とし
て、アルミナセラミック基板（サイズ９ｍｍ×３ｍｍ）
を用意し、これに、低融点金属体用電極７ａ、７ｂ、ダ
ミー電極１０及び発熱体用電極６ａ、６ｂを形成するた
め、Ａｇペースト（デュポン社製、ＱＳ１７４）を印刷
し、８７０℃で３０分間焼成した。次に、発熱体３を形
成するため、酸化ルテニウム系抵抗ペースト（デュポン
社製、ＤＰ１９００）を印刷し、８７０℃で３０分間焼
成した（厚さ１０μｍ、大きさ０．１ｍｍ×２．０ｍ
ｍ）。次に、発熱体３上にシリカ系絶縁ペースト（デュ
ポン社製、ＡＰ５３４６）を印刷し、５００℃で３０分
間焼成して絶縁層４を形成した。絶縁層４上に低融点金
属体用電極７ｃを上述の低融点金属体用電極７ａ、７ｂ
と同様に形成した。
て、アルミナセラミック基板（サイズ９ｍｍ×３ｍｍ）
を用意し、これに、低融点金属体用電極７ａ、７ｂ、ダ
ミー電極１０及び発熱体用電極６ａ、６ｂを形成するた
め、Ａｇペースト（デュポン社製、ＱＳ１７４）を印刷
し、８７０℃で３０分間焼成した。次に、発熱体３を形
成するため、酸化ルテニウム系抵抗ペースト（デュポン
社製、ＤＰ１９００）を印刷し、８７０℃で３０分間焼
成した（厚さ１０μｍ、大きさ０．１ｍｍ×２．０ｍ
ｍ）。次に、発熱体３上にシリカ系絶縁ペースト（デュ
ポン社製、ＡＰ５３４６）を印刷し、５００℃で３０分
間焼成して絶縁層４を形成した。絶縁層４上に低融点金
属体用電極７ｃを上述の低融点金属体用電極７ａ、７ｂ
と同様に形成した。
【００３０】低融点金属体５として、低融点金属箔（Ｓ
ｎ：Ｐｂ＝２５：７５）（大きさ１．０ｍｍ×７．０ｍ
ｍ、厚さ０．０６ｍｍ）を用意し、これを低融点金属体
用電極７ａ、７ｂ、７ｃ及びダミー電極１０に載るよう
に熱圧着した。
ｎ：Ｐｂ＝２５：７５）（大きさ１．０ｍｍ×７．０ｍ
ｍ、厚さ０．０６ｍｍ）を用意し、これを低融点金属体
用電極７ａ、７ｂ、７ｃ及びダミー電極１０に載るよう
に熱圧着した。
【００３１】低融点金属体５の低融点金属体用電極７ａ
側端部から低融点金属体用電極７ｂ側端部への抵抗を測
定したところ、２５ｍΩであった。
側端部から低融点金属体用電極７ｂ側端部への抵抗を測
定したところ、２５ｍΩであった。
【００３２】実施例２ 図３の保護素子１Ｂを次のようにして作製した。基板２
として、アルミナセラミック基板（サイズ７ｍｍ×５ｍ
ｍ）を用意し、これに、低融点金属体用電極７ａ、７
ｂ、ダミー電極１０ａ、１０ｂ及び発熱体用電極６ａ、
６ｂを形成するため、Ａｇペースト（デュポン社製、Ｑ
Ｓ１７４）を印刷し、８７０℃で３０分間焼成した。次
に、発熱体３を形成するため、酸化ルテニウム系抵抗ペ
ースト（デュポン社製、ＤＰ１９００）を印刷し、８７
０℃で３０分間焼成した（厚さ１０μｍ、大きさ０．１
ｍｍ×２．０ｍｍ）。次に、シリカ系絶縁ペースト（デ
ュポン社製、ＡＰ５３４６）を印刷し、５００℃で３０
分間焼成して絶縁層４を形成した。絶縁層４上に低融点
金属体用電極７ｃを上述の低融点金属体用電極７ａ、７
ｂと同様に形成した。
として、アルミナセラミック基板（サイズ７ｍｍ×５ｍ
ｍ）を用意し、これに、低融点金属体用電極７ａ、７
ｂ、ダミー電極１０ａ、１０ｂ及び発熱体用電極６ａ、
６ｂを形成するため、Ａｇペースト（デュポン社製、Ｑ
Ｓ１７４）を印刷し、８７０℃で３０分間焼成した。次
に、発熱体３を形成するため、酸化ルテニウム系抵抗ペ
ースト（デュポン社製、ＤＰ１９００）を印刷し、８７
０℃で３０分間焼成した（厚さ１０μｍ、大きさ０．１
ｍｍ×２．０ｍｍ）。次に、シリカ系絶縁ペースト（デ
ュポン社製、ＡＰ５３４６）を印刷し、５００℃で３０
分間焼成して絶縁層４を形成した。絶縁層４上に低融点
金属体用電極７ｃを上述の低融点金属体用電極７ａ、７
ｂと同様に形成した。
【００３３】そして、低融点金属体５ａ、５ｂとして、
低融点金属箔（Ｓｎ：Ｐｂ＝２５：７５）（大きさ１．
０ｍｍ×２．５ｍｍ、厚さ０．０６ｍｍ）を２枚用意
し、また、低融点金属体５ｃ（５ｄ）として、低融点金
属箔（Ｓｎ：Ｐｂ＝２５：７５）（大きさ１．０ｍｍ×
６．０ｍｍ、厚さ０．０６ｍｍ）を１枚用意し、これら
を低融点金属体用電極７ａ、７ｂ、７ｃに熱圧着した。
この場合、低融点金属体用電極７ａとダミー電極１０ａ
との距離ｄ１及び低融点金属体用電極７ｂとダミー電極
１０ｂとの距離ｄ２は１．０ｍｍとし、低融点金属体用
電極７ｃとダミー電極１０ａとの距離ｄ３及び低融点金
属体用電極７ｃとダミー電極１０ｂとの距離ｄ４は１．
５ｍｍとした。
低融点金属箔（Ｓｎ：Ｐｂ＝２５：７５）（大きさ１．
０ｍｍ×２．５ｍｍ、厚さ０．０６ｍｍ）を２枚用意
し、また、低融点金属体５ｃ（５ｄ）として、低融点金
属箔（Ｓｎ：Ｐｂ＝２５：７５）（大きさ１．０ｍｍ×
６．０ｍｍ、厚さ０．０６ｍｍ）を１枚用意し、これら
を低融点金属体用電極７ａ、７ｂ、７ｃに熱圧着した。
この場合、低融点金属体用電極７ａとダミー電極１０ａ
との距離ｄ１及び低融点金属体用電極７ｂとダミー電極
１０ｂとの距離ｄ２は１．０ｍｍとし、低融点金属体用
電極７ｃとダミー電極１０ａとの距離ｄ３及び低融点金
属体用電極７ｃとダミー電極１０ｂとの距離ｄ４は１．
５ｍｍとした。
【００３４】低融点金属体５ａの低融点金属体用電極７
ａ側端部から低融点金属体５ａ、５ｃ（５ｄ）、５ｂを
経て低融点金属体用電極７ｂ側端部への直列抵抗を測定
したところ、３５ｍΩであった。
ａ側端部から低融点金属体５ａ、５ｃ（５ｄ）、５ｂを
経て低融点金属体用電極７ｂ側端部への直列抵抗を測定
したところ、３５ｍΩであった。
【００３５】評価 実施例２の保護素子１Ｂにおいて、何らかの理由により
のダミー電極１０ａと低融点金属体用電極７ｃとの間に
位置する部位の低融点金属体５ｃが溶断不能箇所となっ
たことを想定して、この部位の低融点金属体５ｃ上にエ
ポキシ系接着剤を塗布し、硬化させた（図３参照）。次
に、発熱体３に４Ｗ通電し、発熱体３を発熱させたとこ
ろ、通電開始３０秒で、上述の部位の低融点金属体５ａ
は溶断しなかったが、ダミー電極１０ａと低融点金属体
用電極７ａとの間に位置する低融点金属体５ｃ、ダミー
電極１０ｂと低融点金属体用電極７ｃとの間に位置する
低融点金属体５ｄ、ダミー電極１０ｂと低融点金属体用
電極７ｂとの間に位置する低融点金属体５ｂは溶断し
た。このため、被保護回路への導通を遮断でき、発熱体
３への通電も遮断できた。
のダミー電極１０ａと低融点金属体用電極７ｃとの間に
位置する部位の低融点金属体５ｃが溶断不能箇所となっ
たことを想定して、この部位の低融点金属体５ｃ上にエ
ポキシ系接着剤を塗布し、硬化させた（図３参照）。次
に、発熱体３に４Ｗ通電し、発熱体３を発熱させたとこ
ろ、通電開始３０秒で、上述の部位の低融点金属体５ａ
は溶断しなかったが、ダミー電極１０ａと低融点金属体
用電極７ａとの間に位置する低融点金属体５ｃ、ダミー
電極１０ｂと低融点金属体用電極７ｃとの間に位置する
低融点金属体５ｄ、ダミー電極１０ｂと低融点金属体用
電極７ｂとの間に位置する低融点金属体５ｂは溶断し
た。このため、被保護回路への導通を遮断でき、発熱体
３への通電も遮断できた。
【００３６】
【発明の効果】本発明の保護素子は、低融点金属体の溶
断すべき箇所の数よりも溶断可能箇所の数が多いので、
フェイルセーフ機能を有するものとなる。
断すべき箇所の数よりも溶断可能箇所の数が多いので、
フェイルセーフ機能を有するものとなる。
【図１】 本発明の保護素子の平面図（同図（ａ））及
び断面図（同図（ｂ）、（ｃ））である。
び断面図（同図（ｂ）、（ｃ））である。
【図２】 本発明の保護素子の回路図である。
【図３】 本発明の保護素子の平面図（同図（ａ））及
び断面図（同図（ｂ）、（ｃ））である。
び断面図（同図（ｂ）、（ｃ））である。
【図４】 本発明の保護素子の回路図である。
【図５】 本発明の保護素子の平面図である。
【図６】 本発明の保護素子の平面図である。
【図７】 過電圧防止装置の回路図である。
【図８】 従来の保護素子の平面図（同図（ａ））及び
断面図（同図（ｂ））である。
断面図（同図（ｂ））である。
【図９】 従来の保護素子の平面図（同図（ａ））及び
断面図（同図（ｂ））である。
断面図（同図（ｂ））である。
１ｐ、１ｑ…保護素子 １Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ、１Ｅ…保護素子、 ２…基板、 ３…発熱体、 ４…絶縁層、 ５、５ａ、５ｂ、５ｃ…低融点金属体、 ６ａ、６ｂ…発熱体用電極、 ７ａ、７ｂ、７ｃ…低融点金属体用電極 ８…内側封止部、 ９…外側封止部、 １０、１０ａ、１０ｂ…ダミー電極
Claims (4)
- 【請求項１】 基板上に発熱体及び低融点金属体を有
し、発熱体の発熱により低融点金属体が溶断する保護素
子において、低融点金属体の溶断可能箇所の数が溶断す
べき箇所の数よりも多くなるように、低融点金属体の一
部がダミー電極上に形成されている保護素子。 - 【請求項２】 複数の低融点金属体が、ダミー電極でブ
リッジ接続されている請求項１記載の保護素子。 - 【請求項３】 ダミー電極が、低融点金属体用電極と同
一の電極材料からなる請求項１又は２記載の保護素子。 - 【請求項４】 低融点金属体の複数の溶断可能箇所が時
間差をおいて溶断する請求項１〜３のいずれかに記載の
保護素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000145691A JP2001325868A (ja) | 2000-05-17 | 2000-05-17 | 保護素子 |
| US09/851,998 US6462318B2 (en) | 2000-05-17 | 2001-05-10 | Protective element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000145691A JP2001325868A (ja) | 2000-05-17 | 2000-05-17 | 保護素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001325868A true JP2001325868A (ja) | 2001-11-22 |
Family
ID=18652159
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000145691A Pending JP2001325868A (ja) | 2000-05-17 | 2000-05-17 | 保護素子 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6462318B2 (ja) |
| JP (1) | JP2001325868A (ja) |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004061885A1 (ja) * | 2002-12-27 | 2004-07-22 | Sony Chemicals Corp. | 保護素子 |
| WO2004061886A1 (ja) * | 2002-12-27 | 2004-07-22 | Sony Chemicals Corp. | 保護素子 |
| JP2007087783A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Uchihashi Estec Co Ltd | 抵抗付きヒューズ |
| WO2008156013A1 (ja) * | 2007-06-18 | 2008-12-24 | Sony Chemical & Information Device Corporation | 保護素子 |
| JP2009070805A (ja) * | 2007-08-20 | 2009-04-02 | Uchihashi Estec Co Ltd | 抵抗付き基板型温度ヒューズ及び二次電池保護回路 |
| JP2010165685A (ja) * | 2010-03-04 | 2010-07-29 | Sony Chemical & Information Device Corp | 保護素子及びバッテリーパック |
| JP2011060762A (ja) * | 2009-09-04 | 2011-03-24 | Qiankun Kagi Kofun Yugenkoshi | 保護装置 |
| JP2012059719A (ja) * | 2011-12-26 | 2012-03-22 | Sony Chemical & Information Device Corp | 保護素子及びバッテリーパック |
| JP2014044955A (ja) * | 2013-10-01 | 2014-03-13 | Dexerials Corp | 保護素子及びバッテリーパック |
| WO2014109364A1 (ja) * | 2013-01-11 | 2014-07-17 | タイコエレクトロニクスジャパン合同会社 | 保護素子 |
| US9025295B2 (en) | 2009-09-04 | 2015-05-05 | Cyntec Co., Ltd. | Protective device and protective module |
| JP2015138767A (ja) * | 2014-01-24 | 2015-07-30 | デクセリアルズ株式会社 | 遮断素子、遮断素子回路、 |
| US9129769B2 (en) | 2009-09-04 | 2015-09-08 | Cyntec Co., Ltd. | Protective device |
| WO2018110154A1 (ja) * | 2016-12-12 | 2018-06-21 | デクセリアルズ株式会社 | 保護素子 |
| JP2020057492A (ja) * | 2018-10-01 | 2020-04-09 | ショット日本株式会社 | 保護素子 |
| WO2020209198A1 (ja) * | 2019-04-09 | 2020-10-15 | デクセリアルズ株式会社 | 保護素子 |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7400477B2 (en) | 1998-08-24 | 2008-07-15 | Leviton Manufacturing Co., Inc. | Method of distribution of a circuit interrupting device with reset lockout and reverse wiring protection |
| JP3692042B2 (ja) * | 2001-02-06 | 2005-09-07 | ソニーケミカル株式会社 | 保護回路付き二次電池 |
| KR20070006673A (ko) * | 2003-10-20 | 2007-01-11 | 인터내셔널 레지스티브 캄퍼니, 인크. | 알루미늄 튜브 상의 저항성 필름 |
| US7012500B2 (en) * | 2004-03-19 | 2006-03-14 | Leviton Manufacturing Co., Inc. | GFCI with enhanced surge suppression |
| DE102004033251B3 (de) * | 2004-07-08 | 2006-03-09 | Vishay Bccomponents Beyschlag Gmbh | Schmelzsicherung für einem Chip |
| WO2006091477A2 (en) * | 2005-02-21 | 2006-08-31 | International Resistive Company, Inc. | System, method and tube assembly for heating automotive fluids |
| US7485832B2 (en) * | 2006-08-30 | 2009-02-03 | Ching-Chuan Wang | Method and circuit for preventing over-heat of heat-generating device |
| US7697252B2 (en) * | 2007-08-15 | 2010-04-13 | Leviton Manufacturing Company, Inc. | Overvoltage device with enhanced surge suppression |
| CN101910856B (zh) | 2008-01-29 | 2014-06-18 | 立维腾制造有限公司 | 自测试故障电路中断器装置和方法 |
| US8531263B2 (en) * | 2009-11-24 | 2013-09-10 | Littelfuse, Inc. | Circuit protection device |
| JP5656466B2 (ja) * | 2010-06-15 | 2015-01-21 | デクセリアルズ株式会社 | 保護素子、及び、保護素子の製造方法 |
| US8976001B2 (en) * | 2010-11-08 | 2015-03-10 | Cyntec Co., Ltd. | Protective device |
| US8599522B2 (en) | 2011-07-29 | 2013-12-03 | Leviton Manufacturing Co., Inc. | Circuit interrupter with improved surge suppression |
| JP6249600B2 (ja) | 2012-03-29 | 2017-12-20 | デクセリアルズ株式会社 | 保護素子 |
| US9759758B2 (en) | 2014-04-25 | 2017-09-12 | Leviton Manufacturing Co., Inc. | Ground fault detector |
| JP6957246B2 (ja) * | 2016-11-29 | 2021-11-02 | デクセリアルズ株式会社 | 保護素子 |
| WO2018100984A1 (ja) * | 2016-11-29 | 2018-06-07 | デクセリアルズ株式会社 | 保護素子 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CH572378A5 (ja) * | 1973-11-19 | 1976-02-13 | Oerlikon Buehrle Ag | |
| FR2339313A1 (fr) * | 1976-01-23 | 1977-08-19 | Murata Manufacturing Co | Element chauffant a semiconducteur a coefficient de temperature positif |
| US4168515A (en) * | 1978-02-23 | 1979-09-18 | Reliable Electric Company | Line protector for a communications circuit |
| US4501956A (en) * | 1981-09-18 | 1985-02-26 | International Standard Electric Corporation | Electrical resistance heating element |
| US5148005A (en) * | 1984-07-10 | 1992-09-15 | Raychem Corporation | Composite circuit protection devices |
| JP2790433B2 (ja) | 1993-08-31 | 1998-08-27 | ソニー株式会社 | 保護素子及び回路基板 |
| JP3067011B2 (ja) | 1994-11-30 | 2000-07-17 | ソニーケミカル株式会社 | 保護素子及びその製造方法 |
| JP3782176B2 (ja) | 1996-10-12 | 2006-06-07 | 内橋エステック株式会社 | 保護素子の使用方法及び保護装置 |
| JP3768621B2 (ja) | 1996-10-12 | 2006-04-19 | 内橋エステック株式会社 | 保護素子の使用方法 |
| JP3640146B2 (ja) | 1999-03-31 | 2005-04-20 | ソニーケミカル株式会社 | 保護素子 |
| JP2000306477A (ja) | 1999-04-16 | 2000-11-02 | Sony Chem Corp | 保護素子 |
-
2000
- 2000-05-17 JP JP2000145691A patent/JP2001325868A/ja active Pending
-
2001
- 2001-05-10 US US09/851,998 patent/US6462318B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (39)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004061885A1 (ja) * | 2002-12-27 | 2004-07-22 | Sony Chemicals Corp. | 保護素子 |
| KR100783998B1 (ko) * | 2002-12-27 | 2007-12-07 | 소니 케미카루 앤드 인포메이션 디바이스 가부시키가이샤 | 보호 소자 |
| WO2004061886A1 (ja) * | 2002-12-27 | 2004-07-22 | Sony Chemicals Corp. | 保護素子 |
| US7286037B2 (en) | 2002-12-27 | 2007-10-23 | Sony Corporation | Protective element |
| KR100783997B1 (ko) * | 2002-12-27 | 2007-12-07 | 소니 케미카루 앤드 인포메이션 디바이스 가부시키가이샤 | 보호 소자 |
| CN100361250C (zh) * | 2002-12-27 | 2008-01-09 | 索尼化学&信息部件株式会社 | 保护元件 |
| US7535332B2 (en) | 2002-12-27 | 2009-05-19 | Sony Chemicals Corporation | Protective element |
| JP2007087783A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Uchihashi Estec Co Ltd | 抵抗付きヒューズ |
| KR101167543B1 (ko) * | 2007-06-18 | 2012-07-20 | 소니 케미카루 앤드 인포메이션 디바이스 가부시키가이샤 | 보호 소자 |
| JP2008311161A (ja) * | 2007-06-18 | 2008-12-25 | Sony Chemical & Information Device Corp | 保護素子 |
| WO2008156013A1 (ja) * | 2007-06-18 | 2008-12-24 | Sony Chemical & Information Device Corporation | 保護素子 |
| JP4663760B2 (ja) * | 2007-08-20 | 2011-04-06 | 内橋エステック株式会社 | 二次電池用保護回路 |
| JP2009070805A (ja) * | 2007-08-20 | 2009-04-02 | Uchihashi Estec Co Ltd | 抵抗付き基板型温度ヒューズ及び二次電池保護回路 |
| US8675333B2 (en) | 2009-09-04 | 2014-03-18 | Cyntec Co., Ltd. | Protective device |
| US8472158B2 (en) | 2009-09-04 | 2013-06-25 | Cyntec Co., Ltd. | Protective device |
| JP2013179096A (ja) * | 2009-09-04 | 2013-09-09 | Qiankun Kagi Kofun Yugenkoshi | 保護装置 |
| US9129769B2 (en) | 2009-09-04 | 2015-09-08 | Cyntec Co., Ltd. | Protective device |
| JP2011060762A (ja) * | 2009-09-04 | 2011-03-24 | Qiankun Kagi Kofun Yugenkoshi | 保護装置 |
| JP2015053271A (ja) * | 2009-09-04 | 2015-03-19 | 乾坤科技股▲ふん▼有限公司 | 保護装置 |
| US9025295B2 (en) | 2009-09-04 | 2015-05-05 | Cyntec Co., Ltd. | Protective device and protective module |
| US9336978B2 (en) | 2009-09-04 | 2016-05-10 | Cyntec Co., Ltd. | Protective device |
| JP2010165685A (ja) * | 2010-03-04 | 2010-07-29 | Sony Chemical & Information Device Corp | 保護素子及びバッテリーパック |
| JP2012059719A (ja) * | 2011-12-26 | 2012-03-22 | Sony Chemical & Information Device Corp | 保護素子及びバッテリーパック |
| WO2014109364A1 (ja) * | 2013-01-11 | 2014-07-17 | タイコエレクトロニクスジャパン合同会社 | 保護素子 |
| JPWO2014109364A1 (ja) * | 2013-01-11 | 2017-01-19 | Ｌｉｔｔｅｌｆｕｓｅジャパン合同会社 | 保護素子 |
| JP2014044955A (ja) * | 2013-10-01 | 2014-03-13 | Dexerials Corp | 保護素子及びバッテリーパック |
| KR102263795B1 (ko) * | 2014-01-24 | 2021-06-10 | 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 | 차단 소자 및 차단 소자 회로 |
| KR20160113115A (ko) * | 2014-01-24 | 2016-09-28 | 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 | 차단 소자 및 차단 소자 회로 |
| JP2015138767A (ja) * | 2014-01-24 | 2015-07-30 | デクセリアルズ株式会社 | 遮断素子、遮断素子回路、 |
| TWI656554B (zh) * | 2014-01-24 | 2019-04-11 | 日商迪睿合股份有限公司 | 阻斷元件及阻斷元件電路 |
| WO2015111683A1 (ja) * | 2014-01-24 | 2015-07-30 | デクセリアルズ株式会社 | 遮断素子及び遮断素子回路 |
| WO2018110154A1 (ja) * | 2016-12-12 | 2018-06-21 | デクセリアルズ株式会社 | 保護素子 |
| JP2018098016A (ja) * | 2016-12-12 | 2018-06-21 | デクセリアルズ株式会社 | 保護素子 |
| JP2020057492A (ja) * | 2018-10-01 | 2020-04-09 | ショット日本株式会社 | 保護素子 |
| WO2020071203A1 (ja) * | 2018-10-01 | 2020-04-09 | ショット日本株式会社 | 保護素子 |
| JP7154090B2 (ja) | 2018-10-01 | 2022-10-17 | ショット日本株式会社 | 保護素子 |
| US11817694B2 (en) | 2018-10-01 | 2023-11-14 | Schott Japan Corporation | Protection element and protection circuit for a battery |
| WO2020209198A1 (ja) * | 2019-04-09 | 2020-10-15 | デクセリアルズ株式会社 | 保護素子 |
| JP2020173920A (ja) * | 2019-04-09 | 2020-10-22 | デクセリアルズ株式会社 | 保護素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6462318B2 (en) | 2002-10-08 |
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