JPWO2014109364A1 - 保護素子 - Google Patents

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Abstract

本発明は、より大きい電流を流すことを可能にしながらも、過剰電圧および/または過剰電流に対する保護を提供できる保護素子を提供する。本発明の保護素子は、層状PTC要素12と、その一方の主表面上に位置する第1導電性金属層14と、その他方の主表面上に位置する第2導電性金属層16とを有するPTC素子18、上記PTC素子18の第2導電性金属層16上に位置する絶縁層20、上記絶縁層20上に位置する温度ヒューズ部材22、および上記温度ヒューズ部材の一方の端に接続される第1リード24と、その他方の端に接続される第2リード26、ここに、第2リード26の一部は、上記第2導電性金属層16に電気的に接続されている、を有する。

Description

本発明は、PTC素子および温度ヒューズ部材を有して成る保護素子、より詳しくは、過剰電流および/または過剰電圧から電気装置、例えば二次電池パックを保護する保護素子に関する。また、本発明は、そのような保護素子を含む保護回路に関する。
従来から、電気装置を過剰電流から保護するために、温度ヒューズ素子、電流ヒューズ素子、ポリマーPTC素子等が使用されている。しかしながら、充放電可能な二次電池パック等では、過剰電流からの保護のみならず、過充電を防止するために過剰電圧からの保護も要求されることがある。
このような過剰電流および/または過剰電圧から二次電池等の電気装置を保護する保護素子として、例えば、基板上に低融点金属部材(温度ヒューズ部材に相当する)および発熱体を有し、電圧の異常を検出した検出素子により発熱体に通電がなされ、発熱体から生じる熱により温度ヒューズ部材を溶断して、回路を遮断する保護素子が提案されている(特許文献1を参照)。
しかしながら、上記のような保護素子では、セラミック基板上に、抵抗体(発熱体)と、その熱影響下にある温度ヒューズを配置しているが、その構造から素子内に温度ヒューズを複数並列に配置することが困難であり、そのため電流の定格容量を大きくすることができないという問題がある(例えば、既存の保護素子では定格電流15A程度)。このため、パワーツール等の大きな電流を必要とする機器に対応するためには、単一の素子では対応できず、保護素子を複数個、例えば4個並列で使用しなければならず、回路が複雑になる、また、小型化が困難になるという問題が生じる。
特開7−153367号公報
そこで、本発明が解決しようとする課題は、過剰電流および/または過剰電圧に対する保護を提供することができ、かつ、比較的大きな電流、例えば30Aまたはそれ以上の電流を流す電気回路においても単一の素子で電気回路を適切に保護することができる保護素子を提供することである。
第1の要旨において、本発明は、
層状PTC要素と、その一方の主表面上に位置する第1導電性金属層と、その他方の主表面上に位置する第2導電性金属層とを有するPTC素子、
上記PTC素子の第2導電性金属層上に位置する絶縁層、
上記絶縁層上に位置する温度ヒューズ部材、および
上記温度ヒューズ部材の一方の端に接続される第1リードと、その他方の端に接続される第2リード、ここに、第2リードの一部は、上記第2導電性金属層に電気的に接続されている、
を有して成る、保護素子を提供する。
本発明の保護素子は、過剰電圧および/または過剰電流に応じて、スイッチング素子からPTC素子に電流を流すことにより、PTC素子を高温・高抵抗状態とし、即ち、トリップさせて、そのPTC素子で生じたジュール熱により温度ヒューズ部材を溶断することを特徴とする。すなわち、本発明の保護素子において、温度ヒューズ部材は、トリップ状態にあるPTC素子の熱影響下にある。
本発明の保護素子は、層状PTC要素と、その一方の主表面上に位置する第1導電性金属層と、その他方の主表面上に位置する第2導電性金属層とを有するPTC素子を有して成る。本発明の保護素子において、PTC素子は、特に限定されるものではないが、いわゆるポリマーPTC素子であることが好ましい。ポリマーPTC素子は、例えばポリマー(例えば、ポリエチレン、ポリビニリデンフルオライド等)およびその中で分散している導電性充填剤(例えば、ニッケルフィラー、カーボンフィラー等)を含む導電性ポリマー組成物を押出して層状PTC要素としての押出物を得、その両主表面に導電性金属を熱圧着することによって得ることができる。当業者であれば、本発明の保護素子の特徴および用途に応じて適切なPTC素子を選択することができる。
本発明のPTC素子は、過剰電圧および/または過剰電流に応じて、高温・高抵抗状態にトリップすることにより発熱体としての機能を有する。また、本発明のPTC素子は、発熱体としての機能に加え、温度ヒューズ部材等を保持するための基板としての機能も有している。ポリマーPTC素子を基板として用いることにより、セラミック基板を用いる場合と比較して、切断等の加工が容易になり、また、保護素子の構造が簡単になる。さらに、基板上に発熱体としての抵抗体を配置する必要がなく、基板(即ち、PTC素子)全体が実質的に均一に発熱するので、基板上に複数個の温度ヒューズ部材を配置することが可能になる。
本発明の保護素子は、上記PTC素子の第2導電性金属層上に位置する絶縁層を有して成る。この絶縁層は、第1リードとPTC素子の第2導電性金属層とを電気的に絶縁する。このような構造とすることにより、温度ヒューズ部材が溶断した後、第1リードからPTC素子を介する第2リードへの電流の流路を遮断することができる。
上記絶縁層は、絶縁性材料から形成される。絶縁性材料としては、特に限定されないが、好ましくは樹脂、セラミック、シリコーン、絶縁油、紙等が挙げられる。特に、熱伝導性に優れたものが好ましい。熱伝導性に優れた絶縁性材料を用いることにより、PTC素子で生じたジュール熱を、より効率よく温度ヒューズ部材に伝達することができる。このような熱伝導性に優れた絶縁性材料としては、特に限定されるものではないが、セラミック、シリコーン等が挙げられる。
上記絶縁層は、PTC素子の第2導電性金属層の全体を覆う必要は必ずしもなく、温度ヒューズ部材が溶断した後に、PTC素子の第2導電性金属層を介して温度ヒューズ部材の両端のリード(下記する第1リードおよび第2リード)間を流れる電流を遮断できるものであれば、その形状および配置は特に限定されず、例えば、絶縁層は、第2導電性金属層の一部が露出するように配置することができる。このように第2導電性金属層の一部を露出させることにより、第2導電性金属層と、第2リードとの電気的接続を容易にすることができる。
上記絶縁層の厚さは、特に限定されるものではないが、10〜100μm、好ましくは30〜60μmであり得る。絶縁層が薄いほど、PTC素子で生じたジュール熱を、より効率よく温度ヒューズ部材に伝達することができることから、60μm以下であることが好ましい。また、温度ヒューズ部材と第2導電性金属層との、電気的絶縁をより確実にするため、30μm以上であることが好ましい。
本発明の保護素子は、上記絶縁層上に位置する温度ヒューズ部材を有して成る。好ましくは、この温度ヒューズ部材は、その両端に端子(電極)としての、リード(以下、それぞれ、第1リードおよび第2リードという)が接続されている。このヒューズ部材は、所定の融点を有する金属材料、例えば、Sn、Bi、Pb、Cd、In、Ga、Zn等により形成される。当業者であれば、このような温度ヒューズ部材を、PTC素子のトリップ時の温度等を考慮して、所望の特性に応じて、適宜選択し、入手または作製することができる。
上記温度ヒューズ部材は、PTC素子上に複数個、例えば2〜10個、好ましくは2〜4個それぞれ並列に配置することができる。温度ヒューズ部材の数を並列で増やすことにより、本発明の保護素子の電流の定格容量を増加させることができる。
上記温度ヒューズ部材は、PTC素子の熱影響下にあるように配置される。すなわち、トリップしたPTC素子で生じるジュール熱により、温度ヒューズ部材が溶断するように配置される。好ましくは、温度ヒューズ部材は、全体が絶縁層上に配置される。このように配置することにより、過剰電圧および/または過剰電流が検出され、PTC素子に電流が通電され、PTC素子がトリップした場合、そのPTC素子で生じたジュール熱により温度ヒューズ部材が溶断され、電流の遮断を確保できる。また、温度ヒューズ部材の一端に接続された第1リードは、PTC素子の第2導電性金属層に接触しないように、好ましくはヒューズ部材と第1リードの接続部が絶縁層上に位置するように配置される。一方、温度ヒューズ部材の一端に接続された第2リードは、その一部が、PTC素子の第2導電性金属層と電気的に接続される。このように配置することにより、PTC素子の第2導電性金属層を介する第1リードから第2リードへの経路は絶縁層により遮断されるので、温度ヒューズ部材が溶断された後、第1および第2リード間に電流が流れることを確実に防止することができると共に、PTC素子を流れる電流を確保することができる。
別の態様において、本発明の保護素子は、PTC素子に対して直列に接続される第2の温度ヒューズ部材を更に有する。第2の温度ヒューズ部材は、第1の温度ヒューズ部材に対しては直列に接続されても並列に接続されてもよいが、好ましくは直列に接続される。
上記第2の温度ヒューズ部材は、PTC素子の熱影響下にあり、過剰電圧および/または過剰電流が検出され、PTC素子に電流が通電され、PTC素子がトリップした場合、PTC素子で生じたジュール熱により溶断される。このような第2の温度ヒューズ部材を配置することにより、PTC素子上の温度ヒューズ部材(以下、第1の温度ヒューズ部材ともいう)が溶断された後もスイッチング素子からPTC素子を介して回路に流入する微小電流(リーク電流)を遮断し、回路を完全オープンとすることが可能になる。この第2の温度ヒューズ部材としては、上記第1の温度ヒューズ部材に用いられるものと同様のものが挙げられる。
上記第2の温度ヒューズ部材は、第1の温度ヒューズ部材と同じであっても、異なっていてもよい。第2の温度ヒューズ部材が第1の温度ヒューズ部材と同じものである場合、この第2の温度ヒューズ部材は、第1の温度ヒューズ部材に対しても直列に接続されているか、または、第1の温度ヒューズ部材よりも後に切断されるように、設置条件、例えばPTC素子からの距離等を調節して配置されていることが好ましい。また、第2の温度ヒューズ部材が第1の温度ヒューズ部材と異なるものである場合、この第2の温度ヒューズ部材は、第1の温度ヒューズ部材よりも後に溶断される特性を有するものであることが好ましい。当業者であれば、所望の特性に応じて、この第2の温度ヒューズ部材の種類および配置を適宜選択することができる。
さらに別の態様において、本発明の保護素子は、第1の温度ヒューズ部材に対して直列に接続される電流ヒューズ部材を有する。この電流ヒューズ部材は、回路に過剰電流が流れた場合に溶断する。すなわち、このような電流ヒューズ部材を配置することにより、過剰電流からの回路の保護を、より迅速かつ確実なものとすることができる。当業者であれば、所望の特性に応じて、用いる電流ヒューズ部材を適宜選択することができる。
さらにもう1つ別の態様において、本発明の保護素子は、第2のPTC素子、およびその第2のPTC素子に対して直列に接続され、かつ第2のPTC素子の熱影響下にある第3の温度ヒューズ部材を有し、これらは、上記第1の温度ヒューズ部材(および、存在する場合には、上記電流ヒューズ部材および第2の温度ヒューズ部材)に対して並列に接続される。このような構成とすることにより、上記第1の温度ヒューズ部材(および、存在する場合には、上記電流ヒューズ部材および第2の温度ヒューズ部材)が溶断する際に、そこに流れる電流が、上記第2のPTC素子側の回路に転流し、上記ヒューズ部材の溶断に伴うアークの発生を抑制することができる。すなわち、本発明の保護素子の耐電圧性を向上することができる。さらに、上記第1の温度ヒューズ部材(および、存在する場合には、上記電流ヒューズ部材および第2の温度ヒューズ部材)が溶断した後、転流した電流によりトリップした第2のPTC素子で生じるジュール熱により、上記第3の温度ヒューズ部材が溶断され、第2のPTC素子を通る微小電流も完全に遮断することができる。この第3の温度ヒューズ部材が溶断する時は、回路には微少電流しか流れていないので、安全に遮断することができる。
第2の要旨において、本発明は、
上記の本発明の保護素子、および
過剰電流および/または過剰電圧に応じて、上記保護素子のPTC素子に通電するためのスイッチング素子
を有して成る、保護回路を提供する。
本発明の保護回路において、本発明の保護素子は、例えば、第1リードが電源に接続され、第2リードが被保護装置に接続され、第1導電性金属層がスイッチング素子に接続され、第2導電性金属層が第2リードを介して被保護装置に接続される。過剰電流および/または過剰電圧が生じると、それに応じてスイッチング素子がPTC素子に電流を通電し、PTC素子が高温・高抵抗状態にトリップし、このPTC素子で生じるジュール熱によって温度ヒューズ部材が溶断されて、回路が開き、被保護装置が保護される。
本発明の保護回路において、スイッチング素子としては、例えば、電解効果トランジスタ素子(以下、「FET」ともいう)などが挙げられる。その中でも、それ自体電圧の異常に応じてPTC素子に電流を通電することができることから、FETが特に好ましい。他のスイッチング素子を用いる場合、過剰電圧および/または過剰電流を検出し、スイッチング素子にPTC素子への通電を開始させるような機構が必要となる場合がある。
第3の要旨において、本発明は、上記の保護素子または保護回路を有して成る電気装置(例えば2次電池パック、特に電気自動車、コードレスクリーナー、電動工具、無線基地局用の種々のバッテリーとして用いるもの、詳しくは高電圧および/または高電流用のもの等)を提供する。
本発明の保護素子は、複数の温度ヒューズ部材をPTC素子上に配置できることから大きい電流、例えば30A以上の電流を流すことを可能にしながらも、過剰電流および/または過剰電圧から回路を保護することを可能にする。また、絶縁層によりPTC素子と第1リード部を電気的に絶縁していることから、温度ヒューズ部材が溶断した後、第1リードからPTC素子を介する第2リードへの流路の遮断を確実にすることができる。
図1は、本発明の保護素子の1つの態様の概略側面図である。 図2は、図1の保護素子の概略平面図である。 図3は、図1の保護素子を含む保護回路を模式的に示す回路図である。 図4は、本発明の保護素子の別の態様を含む保護回路を模式的に示す回路図である。 図5は、本発明の保護素子のさらに別の態様を含む保護回路を模式的に示す回路図である。 図6は、本発明の保護素子のさらにもう1つ別の態様を含む保護回路を模式的に示す回路図である。
図面を参照して、本発明の保護素子を詳細に説明する。但し、本発明の保護素子は、図示する例に限定されないことに留意されたい。
図1に、本発明の保護素子の1つの態様の概略側面図を示し、図2に、図1に示す保護素子の概略平面図を示し、さらに、図3に、図1の保護素子を含む保護回路を等価回路にて模式的に示す。図3において、点線によって囲まれた部分が本発明の保護素子に相当する。
図1および図2に示すように、本態様の保護素子10は、層状PTC要素12と、その一方の主表面上に位置する第1導電性金属層14と、その他方の主表面上に位置する第2導電性金属層16とを有するPTC素子18;上記PTC素子18の第2導電性金属層16上に位置する絶縁層20;および上記絶縁層20上に位置し、PTC素子18の熱影響下にあるヒューズ部材22と、その両端に位置する第1リード24および第2リード26を有して成る。また、図1に示すように、第2リード26は、その一部がPTC素子18の第2導電性金属層16に電気的に接続されており、第2導電性金属層16と被保護装置を電気的に接続する役割も兼ねる。なお、図2に示すように、本態様では、温度ヒューズ部材が4つあり、それらはまとめて第1リードおよび第2リードに接続されているが、本発明の保護素子は、かかる態様に限定されない。例えば、各ヒューズ部材はそれぞれ別個の第1リードおよび第2リードを有していてもよく、温度ヒューズは、2つ、3つまたは5つであってもよい。
この態様において、例えば、図3に示される接点a−b間に過剰電圧が生じた場合、FETが接点a−FET−接点c間に電流を流す。この電流によりPTC素子18がトリップして発熱し、この熱によりPTC素子18の熱影響下にある温度ヒューズ部材22が溶断され、電流が遮断される(ただし、PCT素子を介して微少電流は流れうる)。このように、接点xおよび接点yに接続された被保護装置が保護される。
図4に、本発明の保護素子の別の態様を等価回路にて模式的に示す。図4において、点線によって囲まれた部分が本発明の保護素子に相当する。この態様は、図3の態様に加え、PTC素子18に対して直列に接続された第2の温度ヒューズ部材30を有する。該第2の温度ヒューズ部材30は、PTC素子18の熱影響下にある。すなわち、第2の温度ヒューズ部材30は、トリップしたPTC素子18で生じるジュール熱により溶断される。
この態様においては、PTC素子18で生じたジュール熱により温度ヒューズ部材22が切断された後もPTC素子18を介して流れうる接点a−FET−接点c間の微少電流を、第2の温度ヒューズ部材30を上記PTC素子18の熱により溶断することにより遮断することができ、回路の完全オープンを達成することができる。なお、第2の温度ヒューズ部材30の配置は、PTC素子18に対して直列に接続され、PTC素子の熱影響下にあれば、図示する位置に限定されない。
図5に、本発明の保護素子のさらに別の態様を等価回路にて模式的に示す。図5において、点線によって囲まれた部分が本発明の保護素子に相当する。この態様は、図3の態様に加え、温度ヒューズ部材22に対して直列に接続された電流ヒューズ部材40を有する。この電流ヒューズ部材40は、過剰電流が生じた場合に速やかに溶断するので、過剰電流に対する保護を、より迅速かつ確実なものとすることができる。なお、電流ヒューズ部材40の配置は、温度ヒューズ部材22に対して直列であれば特に限定されないが、PTC素子18を介して流れ得る微少電流も遮断できるように、図示するようにPTC素子18に対しても直列に接続されることが好ましい。
図6に、本発明の保護素子のさらにもう1つ別の態様を等価回路にて模式的に示す。図6において、点線によって囲まれた部分が本発明の保護素子に相当する。この態様は、図5の態様に加え、温度ヒューズ部材22および電流ヒューズ部材40に対して並列に、第2のPTC素子50および第3の温度ヒューズ部材52を有する。第3の温度ヒューズ部材52は、第2のPTC素子50に対して直列に接続されており、第2のPTC素子50の熱影響下にあるが、PTC素子18の熱の影響を実質的に受けない。この態様において、過剰電圧に対して温度ヒューズ部材22が溶断される際、または過剰電流により電流ヒューズ部材40が溶断される際に、接点d−e間に、温度ヒューズ部材22および電流ヒューズ部材40を介して流れている電流の一部が、第2のPTC素子50側の回路に転流する。その結果、温度ヒューズ部材22または電流ヒューズ部材40の溶断の際のアークの発生が抑制される。その後、接点d−e間の電流がすべて第2のPTC素子50に流れ、第2のPTC素子50がトリップして発熱し、第3の温度ヒューズ部材52を溶断し、第2のPTC素子50を流れる微少電流も遮断する。なお、この態様において、各PTC素子、電流ヒューズ部材、および各温度ヒューズ部材の配置は、それぞれが上記した効果を発揮できるように接続されている限り、図示する例に限定されない。当業者であれば、かかる配置は、適宜選択することができる。
本発明の保護素子は、例えば、二次電池の保護素子などとして、様々な電気装置に用いることができる。
10 保護素子
12 層状PTC要素
14 第1導電性金属層
16 第2導電性金属層
18 PTC素子
20 絶縁層
22 温度ヒューズ部材
24 第1リード
26 第2リード
30 第2の温度ヒューズ部材
40 電流ヒューズ部材
50 第2のPTC素子
52 第3の温度ヒューズ部材

Claims (8)

  1. 層状PTC要素と、その一方の主表面上に位置する第1導電性金属層と、その他方の主表面上に位置する第2導電性金属層とを有するPTC素子、
    上記PTC素子の第2導電性金属層上に位置する絶縁層、
    上記絶縁層上に位置する温度ヒューズ部材、および
    上記温度ヒューズ部材の一方の端に接続される第1リードと、その他方の端に接続される第2リード、ここに、第2リードの一部は、上記第2導電性金属層に電気的に接続されている、
    を有して成る、保護素子。
  2. さらに、第2の温度ヒューズ部材が、PTC素子に対して直列に接続されていることを特徴とする、請求項1記載の保護素子。
  3. 上記温度ヒューズ部材および/または第2の温度ヒューズ部材が、それぞれ2つ以上並列で存在することを特徴とする、請求項1または2記載の保護素子。
  4. さらに、上記温度ヒューズ部材に対して直列に接続された電流ヒューズ部材を有してなる、請求項1〜3のいずれかに記載の保護素子。
  5. 請求項1〜4のいずれかに記載の保護素子、および
    過剰電流および/または過剰電圧に応じて、上記保護素子のPTC素子に通電するためのスイッチング素子
    を有して成る、保護回路。
  6. 上記スイッチング素子が、電解効果トランジスタであることを特徴とする、請求項5に記載の保護回路。
  7. 請求項1〜4のいずれかに記載の保護素子または請求項5または6に記載の保護回路を有して成ることを特徴とする電気装置。
  8. 2次電池セルである、請求項7に記載の電気装置。
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