JP3782176B2 - 保護素子の使用方法及び保護装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は過電圧から電気機器を保護するために用いる保護素子及びその使用方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
機器に過電圧が作用したときに機器を電源から遮断する場合、膜抵抗と低融点可溶合金片とを絶縁基板の片面上に並設し、絶縁基板の片面を絶縁層で被覆して成る保護素子を使用し、図5に示すように、この保護素子E’と過電圧検知通電回路F’、例えば、トランジスタTr’のベ−ス側にツエナダイオ−ドD’を接続して成る回路F’とを電源S’と被保護機器Z’との間に挿入し、機器Z’にツエナダイオ−ドD’の降伏電圧以上の逆電圧が作用すると、ベ−ス電流が流れ、このベ−ス電流に応じコレクタ電流が流れて膜抵抗R’が発熱し、低融点可溶合金片A’が溶断されることで機器Z’を電源S’から遮断することが公知であ
る。
【0003】
しかしながら、上記の保護素子E’では、低融点可溶合金片A’の溶断で機器z’が電源S’から遮断されても、機器Z’がキャパシティブな負荷の場合、例えば蓄電池の場合、残留電圧のためにベ−ス電流が流れ続けて膜抵抗R’の通電発熱が継続されることがあり、危険である。
【0004】
そこで、図6の(イ)に示すように、中央ヒュ−ズ電極21’と片側ヒ−タ−T字形電極22’とを結合した複合電極20’、他側ヒ−タ−T字形電極23’及びヒ−ズ両側電極24’、25’とを基板1’に印刷形成し、図6の(ロ)に示すように、片側ヒ−タ−T字形電極22’と他側ヒ−タ−T字形電極23’とのT字形両ア−ム間にわたってそれぞれ膜抵抗R’、R’を設け、各膜抵抗上に絶縁層i’、i’を設け、複合電極20’の中央ヒュ−ズ電極21’とヒュ−ズ両側電極24’、25’との間にそれぞれ低融点可溶合金片A’、A’を接続し、更に図6の(ハ)に示すように、フラックス層4’、外部絶縁層5’を被覆して成る保護素子を用いることが提案されている(特開平7−153367号)。
【0005】
この保護素子を組み込んだ保護回路では、図7に示す通り膜抵抗R’−低融点可溶合金片A’の対を2組備え、各対の膜抵抗の通電発熱でその対の低融点可溶合金片を溶断している。
而して、機器Z’側にツエナダイオ−ドD’の降伏電圧以上の逆電圧が作用すると、トランジスタTr’にベ−ス電流が流れ、コレクタ電流が流れて両膜抵抗R’、R’が通電発熱され、各膜抵抗の通電発熱で各低融点可溶合金片A’、A’が溶断されて機器Z’が電源S’から遮断されると共に膜抵抗R’、R’が電源S’から遮断される。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記の保護素子では膜抵抗R’上に絶縁層i’、例えばガラス膜を設ける必要があり製造工数が多い、膜抵抗−低融点可溶合金片の組が二対であるために2個の膜抵抗についての抵抗値調整が必要である、等の理由により製造がやっかいであり、また、膜抵抗−低融点可溶合金片を平面的に2組設ける必要があるため保護素子の小サイズ化にも不利である。
更に、膜抵抗上の絶縁層、例えばガラス膜はスクリ−ン印刷により形成され、スクリ−ンのメッシユに起因しての凹凸化か避け難く、かかるもとでは、その上での低融点可溶合金片の円滑な球状化分断を保証し難い。
【0007】
本発明の目的は、機器の過電圧を検知し膜抵抗を通電発熱させて低融点可溶合金片を溶断させ、機器及び膜抵抗を電源より遮断する保護素子を対象とし、構造が簡単で製造が容易な作動性に優れた保護素子及びその保護素子の使用方法を提供することにある。
【0008】
【課題を解決しようとする手段】
請求項1に係る保護素子の使用方法は、絶縁基板上に第1電極、第3電極及び第4電極を第1電極と第 4 電極の中間に第 3 電極を挟んで配設すると共に第2電極を第1電極と第3電極との間に配設し、第2電極と第3電極との間及び電極第3と第4電極との間にそれぞれ低融点可溶金属片A、Bを接続し、第1電極と第2電極の間に抵抗を設け、、抵抗からの離隔距離が大なる方の低融点可溶合金片Bの融点を他方の低融点可溶合金片Aの融点よりも低くし、これらの低融点可溶合金片にフラックスを塗布し、上記絶縁基板の片面を覆って絶縁層を被覆して成る保護素子の第3電極を電源側に、第4電極を被保護機器側にそれぞれ接続し、第4電極と第1電極との間に被保護機器の過電圧を検知し、上記抵抗を通電発熱させる過電圧検知通電回路を接続することを特徴とする。
請求項2に係る保護素子の使用方法は、絶縁基板上に第1電極、第3電極及び第4電極を第1電極と第4電極の中間に第3電極を挟んで配設すると共にこれらの電極に対して所定の間隔を隔てて第2電極を配設し、第2電極と第3電極との間及び第2電極と第4電極との間にそれぞれ低融点可溶金属片A、Bを接続し、第2電極と第1電極との間に抵抗を設け、抵抗からの離隔距離が大なる方の低融点可溶合金片Bの融点を他方の低融点可溶合金片Aの融点よりも低くし、これらの低融点可溶合金片にフラックスを塗布し、上記絶縁基板の片面を覆って絶縁層を被覆して成る保護素子の第3電極を電源側に、第4電極を被保護機器側にそれぞれ接続し、第4電極と第1電極との間に被保護機器の過電圧を検知し、上記抵抗を通電発熱させる過電圧検知通電回路を接続することを特徴とする。
【0009】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明する。
図1は請求項1に係る保護素子の一例を示している。
図1において、1は耐熱性の絶縁基板、例えばセラミックス板である。21〜24は絶縁基板の片面上に印刷形成した膜状電極であり、第1電極21と第3電極23と第4電極24とを並行に配設し、第2電極22は第1電極21の先端部と第3電極23の先端部との間に配設してある。第2電極22の形状はほぼ正方形であり、第1電極21の先端部及び第3電極23の先端部は第2電極22との間隔を所定の間隔とするために切り欠いてある。また、第4電極24の先端部も、絶縁基板の端縁に対する距離aを充分に確保して保護素子の作動時での溶融低融金属の当該絶縁基板端縁からの漏出を防止するために切り欠いてある。
31、33及び34は第1電極21、第3電極23及び第4電極24のそれぞれに接続したリ−ド線(絶縁被覆線)である。
Rは第1電極21の先端部と第2電極22の先端部とにわたって印刷により設けた膜抵抗である。
Aは第2電極22の先端部と第3電極23の先端部との間に接続した低融点可溶合金片、Bは第3電極23の先端部と第4電極24の先端部との間に接続した低融点可溶合金片であり、低融点可溶合金片A,Bが同一材質、同一形状の場合、連続線にしてもよい。
4は低融点可溶合金片A及びB上に塗布したフラックスである。
5は絶縁基板1の片面を覆うようにして設けた絶縁層であり、上記低融点可溶合金片やフラックスを溶融流動させることのないように、常温で被覆できる絶縁材、例えば常温硬化エポキシ樹脂を使用してある。
【0010】
本発明に係る保護素子は、被保護機器に過電圧が作用すると、その機器を電源から遮断するために使用され、図2はその使用状態を説明するための回路図であり、Eは本発明に係る保護素子を、Fは過電圧保護素子作動回路をそれぞれ示している。
図2において、被保護機器Zと電源Sとの間に本発明に係る保護素子Eと過電圧保護素子作動回路Fを組み込み、トランジスタTrのコレクタを保護素子Eの第1電極21に接続し、ツエナダイオ−ドDの高電圧側電極及び保護素子Eの第4電極24を被保護機器Zの高電圧側端子に接続し、保護素子Eの第3電極23を電源Sの高電圧側端子に接続し、トランジスタTrのエミッタを接地してある。
図2に示す回路において、機器Zにツエナダイオ−ドDの降伏電圧以上の過電圧が作用すると、トランジスタTrにベ−ス電流が流れ、これに伴い大なるコレクタ電流が流れて膜抵抗Rが発熱され、この発生熱が第2電極22を介し低融点可溶合金片A及びBに伝達されて両低融点可溶合金片A及びBが既溶融のフラックスの活性作用を受けつつ溶断され、被保護機器Zが電源Sから遮断されると共に膜抵抗Rが電源から遮断される。従って、低融点可溶合金片Bが溶断されたのち、機器Zの過電圧状態が残留電荷のために維持されてトランジスタTrが導通状態にあっても、低融点可溶合金片Aの溶断による膜抵抗Rの電源Sからの遮断のために、膜抵抗Rの発熱続行を排除できる。
【0011】
図3は請求項2に係る保護素子の一例を示している。
この保護素子においては、絶縁基板1の片面上に第1電極21、第3電極23及び第4電極24を並行に設け、これら電極の先端側に所定の間隔を隔てて第2電極22を設け、第1電極21と第2電極22とにわたって膜抵抗Rを設け、第2電極22と第3電極23との間に低融点可溶合金片Aを接続し、第2電極22と第4電極24との間に低融点可溶合金片Bを接続し、低融点可溶合金片A、Bにフラックス4を塗布し、上記絶縁基板の片面を覆って絶縁層(図示せず)を被覆してある。
【0012】
この保護素子の使用においても、図4に示すように、トランジスタTrのコレクタを保護素子Eの第1電極21に接続し、ツエナダイオ−ドDの高電圧側電極及び保護素子Eの第4電極24を被保護機器Zの高電圧側端子に接続し、保護素子Eの第3電極23を電源Sの高電圧側端子に接続し、トランジスタTrのエミッタを接地する。而して、機器Zにツエナダイオ−ドDの降伏電圧以上の過電圧が作用すると、トランジスタTrにベ−ス電流が流れ、これに伴い大なるコレクタ電流が流れて膜抵抗Rが発熱され、この発生熱が第2電極22を介し低融点可溶合金片A及びBに伝達されて両低融点可溶合金片A及びBが溶断され、被保護機器Zが電源Sから遮断されると共に膜抵抗Rが電源Sから遮断される。
【0013】
上記において、溶融低融点金属の溶断には、絶縁基板が溶融金属をはじくことと、電極が溶融金属によく濡れることが有効に寄与し、絶縁基板の表面平滑性も重要な条件である(溶融金属を流れ易くする要素)。而るに、セラミックス板は、ガラスのスクリ−ン印刷膜に較べ表面平滑性に優れており有利である。
【0014】
上記何れの本発明に係る保護素子においても、低融点可溶合金片A,Bの融点を同じにすると、低融点可溶合金片Bは低融点可溶合金片Aに較べ抵抗Rから隔たっているので、溶断し難い。従って、低融点可溶合金片Bの融点を低融点可溶合金片Aの融点より低くすることが有効である。
【0015】
本発明に係る保護素子において、絶縁基板には厚み100〜1200μmのセラミックス板、例えば、96%アルミナセラミックス板を使用できる。その他、金属を母体とし、絶縁処理したものの使用も可能である。絶縁基板の平面寸法は、通常(3mm〜20mm)×(3mm〜20mm)の正方形乃至は長方形とされる。
本発明に係る保護素子おいて、低融点可溶合金片には液相線温度が75℃〜300℃直径100μm〜1200μmの低融点合金丸線、これと同一断面積の低融点合金角線または低融点合金箔を使用できる。
本発明に係る保護素子おいて、電極は導体ペ−スト(導体粉末と釉薬との混合物であり、導体粉末には銀−白金系、銀−パラジウム系、銅系)をスクリ−ン印刷し、これを焼き付けることにより形成できる。また、銅箔積層基板の銅箔のエッチングにより電極付き絶縁基板を得ることもできる。
【0016】
本発明に係る保護素子おいて、膜抵抗は抵抗ペ−スト、例えば、酸化ルテニウム粉末または炭素粉末と釉薬との混合物を絶縁基板上にスクリ−ン印刷し、これを焼き付けることにより形成でき、膜厚は通常1〜30μmとされる。膜抵抗にはTi−Si系の膜抵抗を使用することもできる。膜抵抗端部と電極端部との重なり状態は、何れが下面側または上面側としてもよい。これらの膜抵抗に代え、チップ抵抗の使用も可能である。
本発明に係る保護素子において、フラックスは低融点可溶合金片の酸化を防止し、かつ低融点可溶合金片の多少の酸化膜を溶解して溶融合金の分断を容易にするために用いられ、通常ロジンを主成分とし、必要に応じて活性剤(例えば、ジエチルアミンの塩酸塩)を添加したものを使用できる。
【0017】
本発明に係る保護素子を製造するには、絶縁基板の片面に第1電極〜第4電極を形成し、膜抵抗を印刷し、必要に応じトリミングにより抵抗値を調整し、必要に応じ膜抵抗上に保護膜、例えばガラス保護膜を形成し、低融点可溶合金片A及びBを接続し、電極にリ−ド線を接続し、低融点可溶合金片にフラックスを塗布し、次いで基板を常温のエポキシ樹脂液に浸漬し、その浸漬被覆層を乾燥硬化させる方法を使用できる。
【0018】
【発明の効果】
本発明に係る保護素子においては、一個の抵抗体と二個の低融点可溶合金片を有し、被保護機器に過電圧が作用したときに抵抗体の通電発熱により両方の低融点可溶合金片を溶断させて被保護機器を電源から遮断すると共に抵抗体を電源から遮断する構成であり、従来例、すなわち、両低融点可溶合金片のそれぞれに対し抵抗体を設け、一方の抵抗体の通電発熱で一方の低融点可溶合金片を溶断し、他方の抵抗体の通電発熱で他方の低融点可溶合金片を溶断する構成に較べ、構造的に簡易である。
【0019】
また、膜抵抗上に絶縁ガラス膜を設け、この絶縁ガラス膜上に低融点可溶合金片を重ねて配している従来例とは異なり、膜抵抗と低融点可溶合金片とを重ねずに配し、上記絶縁ガラス膜の表面(スクリ−ン印刷上、スクリ−ンメッシュに起因する凹凸が避けられない)よりも平滑表面のセラミックス絶縁基板上に低融点可溶合金片を配しているから、溶融合金をスム−ズに流動させて迅速に分断させ得、優れた作動性を保証できる。
更に、膜抵抗上への絶縁ガラス膜の形成を省略でき、また、抵抗値調整を必要とする場合は、トリミングによる抵抗値調整を一個の膜抵抗について行えばよいから、製造工数を低減でき、製造上有利である。
更にまた、二個の低融点可溶合金片相互間での長さ調整、または融点調整で良好な作動性を保証でき、安全である。
【図面の簡単な説明】
【図1】請求項1に係る保護素子を示す説明図である。
【図2】請求項1に係る保護素子を用いた保護回路を示す説明図である。
【図3】請求項2に係る保護素子を示す説明図である。
【図4】請求項2に係る保護素子を用いた保護回路を示す説明図である。
【図5】従来の保護回路を示す説明図である。
【図6】従来の保護素子を示す説明図である。
【図7】図6の保護素子を用いた保護回路を示す説明図である。
【符号の説明】
1 絶縁基板
21 第1電極
22 第2電極
23 第3電極
24 第4電極
A 低融点可溶合金片
B 低融点可溶合金片
R 抵抗
4 フラックス
5 絶縁層
E 保護素子
F 過電圧検知通電回路
Z 被保護機器
S 電源
Claims (4)
- 絶縁基板上に第1電極、第3電極及び第4電極を第1電極と第4電極の中間に第3電極を挟んで配設すると共に第2電極を第1電極と第3電極との間に配設し、第2電極と第3電極との間及び第3電極と第4電極との間にそれぞれ低融点可溶金属片A、Bを接続し、第1電極と第2電極の間に抵抗を設け、、抵抗からの離隔距離が大なる方の低融点可溶合金片Bの融点を他方の低融点可溶合金片Aの融点よりも低くし、これらの低融点可溶合金片にフラックスを塗布し、上記絶縁基板の片面を覆って絶縁層を被覆して成る保護素子の第3電極を電源側に、第4電極を被保護機器側にそれぞれ接続し、第4電極と第1電極との間に被保護機器の過電圧を検知し、上記抵抗を通電発熱させる過電圧検知通電回路を接続することを特徴とする保護素子の使用方法。
- 絶縁基板上に第1電極、第3電極及び第4電極を第1電極と第4電極の中間に第3電極を挟んで配設すると共にこれらの電極に対して所定の間隔を隔てて第2電極を配設し、第2電極と第3電極との間及び第2電極と第4電極との間にそれぞれ低融点可溶金属片A、Bを接続し、第2電極と第1電極との間に抵抗を設け、抵抗からの離隔距離が大なる方の低融点可溶合金片Bの融点を他方の低融点可溶合金片Aの融点よりも低くし、これらの低融点可溶合金片にフラックスを塗布し、上記絶縁基板の片面を覆って絶縁層を被覆して成る保護素子の第3電極を電源側に、第4電極を被保護機器側にそれぞれ接続し、第4電極と第1電極との間に被保護機器の過電圧を検知し、上記抵抗を通電発熱させる過電圧検知通電回路を接続することを特徴とする保護素子の使用方法。
- 請求項1記載の保護素子の使用方法において使用する保護装置であり、絶縁基板上に第1電極、第3電極及び第4電極を第1電極と第4電極の中間に第3電極を挟んで配設すると共に第2電極を第1電極と第3電極との間に配設し、第2電極と第3電極との間及び電極第3と第4電極との間にそれぞれ低融点可溶金属片A、Bを接続し、第1電極と第2電極の間に抵抗を設け、、抵抗からの離隔距離が大なる方の低融点可溶合金片Bの融点を他方の低融点可溶合金片Aの融点よりも低くし、これらの低融点可溶合金片にフラックスを塗布し、上記絶縁基板の片面を覆って絶縁層を被覆して成る保護素子の前記第3電極が電源に接続され、前記第4電極が被保護機器に接続され、被保護機器の過電圧を検知し、上記抵抗を通電発熱させる過電圧検知通電回路が前記第4電極と第1電極との間に接続されていることを特徴とする保護装置。
- 請求項2記載の保護素子の使用方法において使用する保護装置であり、絶縁基板上に第1電極、第3電極及び第4電極を第1電極と第4電極の中間に第3電極を挟んで配設すると共にこれらの電極に対して所定の間隔を隔てて第2電極を配設し、第2電極と第3電極との間及び第2電極と第4電極との間にそれぞれ低融点可溶金属片A、Bを接続し、第2電極と第1電極との間に抵抗を設け、抵抗からの離隔距離が大なる方の低融点可溶合金片Bの融点を他方の低融点可溶合金片Aの融点よりも低くし、これらの低融点可溶合金片にフラックスを塗布し、上記絶縁基板の片面を覆って絶縁層を被覆して成る保護素子の前記第3電極が電源に接続され、前記第4電極が被保護機器側に接続され、被保護機器の過電圧を検知し、上記抵抗を通電発熱させる過電圧検知通電回路が前記第4電極と第1電極との間に接続されていることを特徴とする保護装置。
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