JPH10261353A - 抵抗・温度ヒュ−ズ - Google Patents
抵抗・温度ヒュ−ズInfo
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- JPH10261353A JPH10261353A JP8458997A JP8458997A JPH10261353A JP H10261353 A JPH10261353 A JP H10261353A JP 8458997 A JP8458997 A JP 8458997A JP 8458997 A JP8458997 A JP 8458997A JP H10261353 A JPH10261353 A JP H10261353A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】基板型抵抗・温度ヒュ−ズの作動迅速性の飛躍
的向上を図る。 【解決手段】絶縁基板1上に低融点可溶合金片2と抵抗
4とを設け、抵抗4を通電発熱させ、その発生熱で被保
護機器の異常時に低融点可溶合金片2を溶断させて被保
護機器を電源から遮断する保護素子であり、三本のリ−
ド線5a1、5b1、5c1を有し、各リ−ド線に鉄線ま
たは鉄合金線を用いた。
的向上を図る。 【解決手段】絶縁基板1上に低融点可溶合金片2と抵抗
4とを設け、抵抗4を通電発熱させ、その発生熱で被保
護機器の異常時に低融点可溶合金片2を溶断させて被保
護機器を電源から遮断する保護素子であり、三本のリ−
ド線5a1、5b1、5c1を有し、各リ−ド線に鉄線ま
たは鉄合金線を用いた。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は抵抗・温度ヒュ−ズ
に関し、詳しくは、抵抗を通電発熱させ、その発生熱で
被保護機器の異常時に低融点可溶合金片を溶断させて被
保護機器を電源から遮断する保護素子としての抵抗・温
度ヒュ−ズに関するものである。
に関し、詳しくは、抵抗を通電発熱させ、その発生熱で
被保護機器の異常時に低融点可溶合金片を溶断させて被
保護機器を電源から遮断する保護素子としての抵抗・温
度ヒュ−ズに関するものである。
【0002】
【従来の技術】機器の保護素子として、絶縁基板上に低
融点可溶合金片と抵抗とを近接配置で設けた基板型抵抗
・温度ヒュ−ズが知られている。電気機器を異常な電圧
変動を検出して保護する場合、例えば、携帯電話にセッ
トした二次電池の過充電・過放電から電池自体を保護す
る場合、過充電・過放電に基づく電圧変動をツエナダイ
オ−ド等の検出素子で検出して当該ヒュ−ズの抵抗を通
電発熱させ、この発生熱で同ヒュ−ズの低融点可溶合金
片を溶断させ、電池と充電電源との間、電池と機器本体
との間を遮断する方式を用いることがある。
融点可溶合金片と抵抗とを近接配置で設けた基板型抵抗
・温度ヒュ−ズが知られている。電気機器を異常な電圧
変動を検出して保護する場合、例えば、携帯電話にセッ
トした二次電池の過充電・過放電から電池自体を保護す
る場合、過充電・過放電に基づく電圧変動をツエナダイ
オ−ド等の検出素子で検出して当該ヒュ−ズの抵抗を通
電発熱させ、この発生熱で同ヒュ−ズの低融点可溶合金
片を溶断させ、電池と充電電源との間、電池と機器本体
との間を遮断する方式を用いることがある。
【0003】従来、かかる抵抗・温度ヒュ−ズとして、
図6に示すように、絶縁基板1’上に対向電極を二組
a’−c’、b’−d’設け、一方の電極a’−c’間
に低融点可溶合金片2’を配設し、他方の電極b’−
d’間に膜抵抗4’を配設し、各電極に銅リ−ド線5
a’、5b’、5c’、5d’を接続し、絶縁基板1’
を絶縁体(図示せず)で被覆した基板型抵抗・温度ヒュ
−ズが公知である。
図6に示すように、絶縁基板1’上に対向電極を二組
a’−c’、b’−d’設け、一方の電極a’−c’間
に低融点可溶合金片2’を配設し、他方の電極b’−
d’間に膜抵抗4’を配設し、各電極に銅リ−ド線5
a’、5b’、5c’、5d’を接続し、絶縁基板1’
を絶縁体(図示せず)で被覆した基板型抵抗・温度ヒュ
−ズが公知である。
【0004】回路の保護素子においては、上記の基板型
抵抗・温度ヒュ−ズに限らず、可及的に迅速に作動させ
ることが要求される。従来、ケ−スタイプの抵抗・温度
ヒュ−ズにおいて、低融点可溶合金片のリ−ド線に、銅
よりも熱伝導率の低い金属を使用し、低融点可溶合金片
からリ−ド線を経ての放熱を抑制して絶縁基板の温度上
昇を速め作動を迅速化すること(実開平6−13039
号公報)、抵抗自体の過電流発熱で抵抗体を溶断させる
ヒュ−ズ抵抗器のリ−ド線に鉄線または鉄合金線を使用
して作動を迅速化すること(実用新案登録第25182
14号公報)等が提案されている。
抵抗・温度ヒュ−ズに限らず、可及的に迅速に作動させ
ることが要求される。従来、ケ−スタイプの抵抗・温度
ヒュ−ズにおいて、低融点可溶合金片のリ−ド線に、銅
よりも熱伝導率の低い金属を使用し、低融点可溶合金片
からリ−ド線を経ての放熱を抑制して絶縁基板の温度上
昇を速め作動を迅速化すること(実開平6−13039
号公報)、抵抗自体の過電流発熱で抵抗体を溶断させる
ヒュ−ズ抵抗器のリ−ド線に鉄線または鉄合金線を使用
して作動を迅速化すること(実用新案登録第25182
14号公報)等が提案されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図6に
示した基板型抵抗・温度ヒュ−ズのリ−ド線5a’、5
b’、5c’、5d’に、銅線に代え鉄線または鉄合金
線を使用しても、作動性の迅速化には限界がある。
示した基板型抵抗・温度ヒュ−ズのリ−ド線5a’、5
b’、5c’、5d’に、銅線に代え鉄線または鉄合金
線を使用しても、作動性の迅速化には限界がある。
【0006】本発明の目的は、上記の基板型抵抗・温度
ヒュ−ズの作動迅速性の飛躍的向上を図ることにある。
ヒュ−ズの作動迅速性の飛躍的向上を図ることにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明に係る抵抗・温度
ヒュ−ズは、絶縁基板上に低融点可溶合金片と抵抗とを
設け、該抵抗を通電発熱させ、その発生熱で被保護機器
の異常時に低融点可溶合金片を溶断させて被保護機器を
電源から遮断する保護素子であり、三本のリ−ド線を有
し、各リ−ド線に鉄線または鉄合金線を用いたことを特
徴とする構成であり、絶縁基板上に三箇の電極を設け、
一の電極と他の一方の電極との間に低融点可溶合金片を
設け、前記一の電極と残りの電極との間に抵抗を設け、
各電極に鉄線または鉄合金線からなるリ−ド線を接続す
ることができる。
ヒュ−ズは、絶縁基板上に低融点可溶合金片と抵抗とを
設け、該抵抗を通電発熱させ、その発生熱で被保護機器
の異常時に低融点可溶合金片を溶断させて被保護機器を
電源から遮断する保護素子であり、三本のリ−ド線を有
し、各リ−ド線に鉄線または鉄合金線を用いたことを特
徴とする構成であり、絶縁基板上に三箇の電極を設け、
一の電極と他の一方の電極との間に低融点可溶合金片を
設け、前記一の電極と残りの電極との間に抵抗を設け、
各電極に鉄線または鉄合金線からなるリ−ド線を接続す
ることができる。
【0008】また、絶縁基板の片面上に四箇の電極を設
け、これら電極中の三箇の各電極に鉄線または鉄合金線
のリ−ド線を接続し、2箇の低融点可溶合金片と抵抗と
を異なる電極間に設けた構成とすることもでき、例え
ば、(1)図3の(イ)に示すように、絶縁基板1の片
面上に電極a2、b2、c2、d2を設け、電極b2−d2間
に抵抗4を設け、電極d2−a2間に低融点可溶合金片2
Aを接続し、電極a2−c2間に低融点可溶合金片2Bを
接続し、電極a2、b2、c2のそれぞれに鉄線または鉄
合金線のリ−ド線5a2、5b2、5c2を接続した構
成、(2)図4の(イ)に示すように、絶縁基板1の片
面上に電極a2、b2、c2、d2を設け、電極b2−d2間
に抵抗4を設け、電極d2−a2間に低融点可溶合金片2
Aを接続し、電極d2−c2間に低融点可溶合金片2Bを
接続し、電極a2、b2、c2のそれぞれに鉄線または鉄
合金線のリ−ド線5a2、5b2、5c2を接続した構
成、(3)図5の(イ)に示すように、絶縁基板1の片
面上に電極a3、b3、c3、d3を設け、電極d3−b3間
に抵抗4を設け、電極d3−b3間に低融点可溶合金片2
Aを接続し、電極d3−c3間に低融点可溶合金片2Bを
接続し、電極a3、b3、c3のそれぞれに鉄線または鉄
合金線のリ−ド線5a3、5b3、5c3を接続した構成
とすることができる。
け、これら電極中の三箇の各電極に鉄線または鉄合金線
のリ−ド線を接続し、2箇の低融点可溶合金片と抵抗と
を異なる電極間に設けた構成とすることもでき、例え
ば、(1)図3の(イ)に示すように、絶縁基板1の片
面上に電極a2、b2、c2、d2を設け、電極b2−d2間
に抵抗4を設け、電極d2−a2間に低融点可溶合金片2
Aを接続し、電極a2−c2間に低融点可溶合金片2Bを
接続し、電極a2、b2、c2のそれぞれに鉄線または鉄
合金線のリ−ド線5a2、5b2、5c2を接続した構
成、(2)図4の(イ)に示すように、絶縁基板1の片
面上に電極a2、b2、c2、d2を設け、電極b2−d2間
に抵抗4を設け、電極d2−a2間に低融点可溶合金片2
Aを接続し、電極d2−c2間に低融点可溶合金片2Bを
接続し、電極a2、b2、c2のそれぞれに鉄線または鉄
合金線のリ−ド線5a2、5b2、5c2を接続した構
成、(3)図5の(イ)に示すように、絶縁基板1の片
面上に電極a3、b3、c3、d3を設け、電極d3−b3間
に抵抗4を設け、電極d3−b3間に低融点可溶合金片2
Aを接続し、電極d3−c3間に低融点可溶合金片2Bを
接続し、電極a3、b3、c3のそれぞれに鉄線または鉄
合金線のリ−ド線5a3、5b3、5c3を接続した構成
とすることができる。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態について説明する。図1は請求項2に係る抵
抗・温度ヒュ−ズの一例を示している。図1において、
1は耐熱性の絶縁基板であり、例えば、セラミックス板
を使用できる。a1,b1,c1は絶縁基板1の片面に設
けた膜電極であり、例えば、導電ペ−ストの印刷・焼き
付けにより設けることができる。2は膜電極a1−c1間
に橋設した低融点可溶合金片であり、作動温度に応じた
融点のはんだが用いられる。3は低融点可溶合金片2に
塗布したフラックスである。4は膜電極b1−c1間に配
設した膜抵抗であり、例えば、抵抗ペ−ストの印刷・焼
き付けにより設けることができる。5a1,5b1,5c
1は各膜電極a1,b1,c1に接続した鉄線または鉄合金
線からなるリ−ド線であり、防食金属被覆、例えば、銅
被覆を設けたものを使用することが好ましい。6は絶縁
基板1の片面に被覆した絶縁体であり、エポキシ樹脂の
ディツピング被覆や成形樹脂カバ−の被冠により施すこ
とができる。
実施の形態について説明する。図1は請求項2に係る抵
抗・温度ヒュ−ズの一例を示している。図1において、
1は耐熱性の絶縁基板であり、例えば、セラミックス板
を使用できる。a1,b1,c1は絶縁基板1の片面に設
けた膜電極であり、例えば、導電ペ−ストの印刷・焼き
付けにより設けることができる。2は膜電極a1−c1間
に橋設した低融点可溶合金片であり、作動温度に応じた
融点のはんだが用いられる。3は低融点可溶合金片2に
塗布したフラックスである。4は膜電極b1−c1間に配
設した膜抵抗であり、例えば、抵抗ペ−ストの印刷・焼
き付けにより設けることができる。5a1,5b1,5c
1は各膜電極a1,b1,c1に接続した鉄線または鉄合金
線からなるリ−ド線であり、防食金属被覆、例えば、銅
被覆を設けたものを使用することが好ましい。6は絶縁
基板1の片面に被覆した絶縁体であり、エポキシ樹脂の
ディツピング被覆や成形樹脂カバ−の被冠により施すこ
とができる。
【0010】図2は上記抵抗・温度ヒュ−ズの使用状態
を説明するための回路図であり、Eは本発明に係る抵抗
・温度ヒュ−ズを、Fは過電圧保護素子作動回路をそれ
ぞれ示している。図2において、被保護機器Zと電源S
との間に本発明に係る抵抗・温度ヒュ−ズEと過電圧保
護素子作動回路Fを組み込み、トランジスタTrのコレ
クタを抵抗・温度ヒュ−ズEの電極b1に接続し、ツエ
ナダイオ−ドDの高電圧側電極及び抵抗・温度ヒュ−ズ
Eの電極c1を被保護機器Zの高電圧側端子に接続し、
抵抗・温度ヒュ−ズEの電極a1を電源Sの高電圧側端
子に接続し、トランジスタTrのエミッタを接地してあ
る。図2に示す回路において、機器Zにツエナダイオ−
ドDの降伏電圧以上の過電圧が作用すると、トランジス
タTrにベ−ス電流が流れ、これに伴い大なるコレクタ
電流が流れて膜抵抗4が発熱され、この発生熱が電極c
1を介し低融点可溶合金片2に伝達されて低融点可溶合
金片2が既溶融のフラックスの活性作用を受けつつ溶断
され、被保護機器Zが電源Sから遮断されると共に膜抵
抗4が電源から遮断される。従って、低融点可溶合金片
2が溶断されたのち、機器Zの過電圧状態が残留電荷の
ために維持されてトランジスタTrが導通状態にあって
も、低融点可溶合金片2の溶断による膜抵抗4の電源S
からの遮断のために、膜抵抗4の発熱続行を排除でき
る。
を説明するための回路図であり、Eは本発明に係る抵抗
・温度ヒュ−ズを、Fは過電圧保護素子作動回路をそれ
ぞれ示している。図2において、被保護機器Zと電源S
との間に本発明に係る抵抗・温度ヒュ−ズEと過電圧保
護素子作動回路Fを組み込み、トランジスタTrのコレ
クタを抵抗・温度ヒュ−ズEの電極b1に接続し、ツエ
ナダイオ−ドDの高電圧側電極及び抵抗・温度ヒュ−ズ
Eの電極c1を被保護機器Zの高電圧側端子に接続し、
抵抗・温度ヒュ−ズEの電極a1を電源Sの高電圧側端
子に接続し、トランジスタTrのエミッタを接地してあ
る。図2に示す回路において、機器Zにツエナダイオ−
ドDの降伏電圧以上の過電圧が作用すると、トランジス
タTrにベ−ス電流が流れ、これに伴い大なるコレクタ
電流が流れて膜抵抗4が発熱され、この発生熱が電極c
1を介し低融点可溶合金片2に伝達されて低融点可溶合
金片2が既溶融のフラックスの活性作用を受けつつ溶断
され、被保護機器Zが電源Sから遮断されると共に膜抵
抗4が電源から遮断される。従って、低融点可溶合金片
2が溶断されたのち、機器Zの過電圧状態が残留電荷の
ために維持されてトランジスタTrが導通状態にあって
も、低融点可溶合金片2の溶断による膜抵抗4の電源S
からの遮断のために、膜抵抗4の発熱続行を排除でき
る。
【0011】而して、本発明に係る抵抗・温度ヒュ−ズ
においては、被保護機器の異常により膜抵抗が通電発熱
されると、この発生熱が熱良伝導体である膜電極を経て
低融点可溶合金片に速やかに伝達され、且つ、外部への
放熱路であるリ−ド線が従来の4本から最小限の三本に
され、しかも、これらのリ−ド線を熱伝導率の低い鉄線
または鉄合金線で構成してあるから、低融点可溶合金片
を迅速に加熱溶断させ得、作動迅速性の飛躍的向上を図
ることができる。
においては、被保護機器の異常により膜抵抗が通電発熱
されると、この発生熱が熱良伝導体である膜電極を経て
低融点可溶合金片に速やかに伝達され、且つ、外部への
放熱路であるリ−ド線が従来の4本から最小限の三本に
され、しかも、これらのリ−ド線を熱伝導率の低い鉄線
または鉄合金線で構成してあるから、低融点可溶合金片
を迅速に加熱溶断させ得、作動迅速性の飛躍的向上を図
ることができる。
【0012】図3の(イ)は請求項3に係る抵抗・温度
ヒュ−ズの一例を示している。図3の(イ)において、
1は耐熱性の絶縁基板、例えばセラミックス板である。
a2〜d2は絶縁基板1の片面上に印刷形成した膜状電極
であり、電極a2と電極b2と電極c2とを並行に配設
し、電極d2は電極b2の先端部と電極a2の先端部との
間に配設してある。電極d2の形状はほぼ正方形であ
り、電極b2の先端部及び電極a2の先端部は電極d2と
の間隔を所定の間隔とするために切り欠いてある。ま
た、電極c2の先端部も、絶縁基板の端縁に対する距離
を充分に確保して抵抗・温度ヒュ−ズの作動時での溶融
低融金属の当該絶縁基板端縁からの漏出を防止するため
に切り欠いてある。2Aは電極d2と電極a2の先端部と
の間に接続した低融点可溶合金片、2Bは電極a2の先
端部と電極c2の先端部との間に接続した低融点可溶合
金片であり、低融点可溶合金片2A,2Bが同一材質、
同一形状の場合、連続線にしてもよい(後述の実施例の
場合も同じである)。3は低融点可溶合金片A及びB上
に塗布したフラックスである。4は電極b2の先端部と
電極d2とにわたって設けた膜抵抗である。5a2、5b
2及び5c2は電極a2、電極b2及び電極c2のそれぞれ
に接続したリ−ド線(絶縁被覆線)であり、鉄線または
鉄合金線からなり、防食金属被覆、例えば、銅被覆を設
けたものを使用することが好ましい。6は絶縁基板1の
片面に被覆した絶縁体であり、上記と同様、エポキシ樹
脂のディツピング被覆や成形樹脂カバ−の被冠により施
すことができる。
ヒュ−ズの一例を示している。図3の(イ)において、
1は耐熱性の絶縁基板、例えばセラミックス板である。
a2〜d2は絶縁基板1の片面上に印刷形成した膜状電極
であり、電極a2と電極b2と電極c2とを並行に配設
し、電極d2は電極b2の先端部と電極a2の先端部との
間に配設してある。電極d2の形状はほぼ正方形であ
り、電極b2の先端部及び電極a2の先端部は電極d2と
の間隔を所定の間隔とするために切り欠いてある。ま
た、電極c2の先端部も、絶縁基板の端縁に対する距離
を充分に確保して抵抗・温度ヒュ−ズの作動時での溶融
低融金属の当該絶縁基板端縁からの漏出を防止するため
に切り欠いてある。2Aは電極d2と電極a2の先端部と
の間に接続した低融点可溶合金片、2Bは電極a2の先
端部と電極c2の先端部との間に接続した低融点可溶合
金片であり、低融点可溶合金片2A,2Bが同一材質、
同一形状の場合、連続線にしてもよい(後述の実施例の
場合も同じである)。3は低融点可溶合金片A及びB上
に塗布したフラックスである。4は電極b2の先端部と
電極d2とにわたって設けた膜抵抗である。5a2、5b
2及び5c2は電極a2、電極b2及び電極c2のそれぞれ
に接続したリ−ド線(絶縁被覆線)であり、鉄線または
鉄合金線からなり、防食金属被覆、例えば、銅被覆を設
けたものを使用することが好ましい。6は絶縁基板1の
片面に被覆した絶縁体であり、上記と同様、エポキシ樹
脂のディツピング被覆や成形樹脂カバ−の被冠により施
すことができる。
【0013】図3の(ロ)は、図3の(イ)に示した抵
抗・温度ヒュ−ズの使用状態を示し、被保護機器Zと電
源Sとの間に本発明に係る抵抗・温度ヒュ−ズEと過電
圧保護素子作動回路Fを組み込み、トランジスタTrの
コレクタを抵抗・温度ヒュ−ズEの電極b2に接続し、
ツエナダイオ−ドDの高電圧側電極及び抵抗・温度ヒュ
−ズEの電極c2を被保護機器Zの高電圧側端子に接続
し、抵抗・温度ヒュ−ズEの電極a2を電源Sの高電圧
側端子に接続し、トランジスタTrのエミッタを接地し
てある。図3の(ロ)に示す回路において、機器Zにツ
エナダイオ−ドDの降伏電圧以上の過電圧が作用する
と、トランジスタTrにベ−ス電流が流れ、これに伴い
大なるコレクタ電流が流れて膜抵抗4が発熱され、この
発生熱が電極d2を介し低融点可溶合金片2A及び2B
に伝達されて両低融点可溶合金片2A及び2Bが既溶融
のフラックスの活性作用を受けつつ溶断され、被保護機
器Zが電源Sから遮断されると共に膜抵抗4が電源から
遮断される。従って、低融点可溶合金片2Bが溶断され
たのち、機器Zの過電圧状態が残留電荷のために維持さ
れてトランジスタTrが導通状態にあっても、低融点可
溶合金片2Aの溶断による膜抵抗4の電源Sからの遮断
のために、膜抵抗4の発熱続行を排除できる。
抗・温度ヒュ−ズの使用状態を示し、被保護機器Zと電
源Sとの間に本発明に係る抵抗・温度ヒュ−ズEと過電
圧保護素子作動回路Fを組み込み、トランジスタTrの
コレクタを抵抗・温度ヒュ−ズEの電極b2に接続し、
ツエナダイオ−ドDの高電圧側電極及び抵抗・温度ヒュ
−ズEの電極c2を被保護機器Zの高電圧側端子に接続
し、抵抗・温度ヒュ−ズEの電極a2を電源Sの高電圧
側端子に接続し、トランジスタTrのエミッタを接地し
てある。図3の(ロ)に示す回路において、機器Zにツ
エナダイオ−ドDの降伏電圧以上の過電圧が作用する
と、トランジスタTrにベ−ス電流が流れ、これに伴い
大なるコレクタ電流が流れて膜抵抗4が発熱され、この
発生熱が電極d2を介し低融点可溶合金片2A及び2B
に伝達されて両低融点可溶合金片2A及び2Bが既溶融
のフラックスの活性作用を受けつつ溶断され、被保護機
器Zが電源Sから遮断されると共に膜抵抗4が電源から
遮断される。従って、低融点可溶合金片2Bが溶断され
たのち、機器Zの過電圧状態が残留電荷のために維持さ
れてトランジスタTrが導通状態にあっても、低融点可
溶合金片2Aの溶断による膜抵抗4の電源Sからの遮断
のために、膜抵抗4の発熱続行を排除できる。
【0014】図4の(イ)は請求項3に係る抵抗・温度
ヒュ−ズの別例を示している。この抵抗・温度ヒュ−ズ
においては、絶縁基板1の片面上に電極b2、電極a2及
び電極c2を並行に設け、これら電極の先端側に所定の
間隔を隔てて電極d2を設け、電極b2と電極d2とにわ
たって膜抵抗4を設け、電極d2と電極a2との間に低融
点可溶合金片2Aを接続し、電極d2と電極c2との間に
低融点可溶合金片2Bを接続し、低融点可溶合金片2
A、2Bにフラックス3を塗布し、各膜電極a2、b2、
c2に鉄線または鉄合金線からなるリ−ド線5a2、5b
2、5c2を接続し、絶縁基板1の片面を絶縁体(図示せ
ず)を被覆してある。
ヒュ−ズの別例を示している。この抵抗・温度ヒュ−ズ
においては、絶縁基板1の片面上に電極b2、電極a2及
び電極c2を並行に設け、これら電極の先端側に所定の
間隔を隔てて電極d2を設け、電極b2と電極d2とにわ
たって膜抵抗4を設け、電極d2と電極a2との間に低融
点可溶合金片2Aを接続し、電極d2と電極c2との間に
低融点可溶合金片2Bを接続し、低融点可溶合金片2
A、2Bにフラックス3を塗布し、各膜電極a2、b2、
c2に鉄線または鉄合金線からなるリ−ド線5a2、5b
2、5c2を接続し、絶縁基板1の片面を絶縁体(図示せ
ず)を被覆してある。
【0015】この抵抗・温度ヒュ−ズの使用において
も、図4の(ロ)に示すように、トランジスタTrのコ
レクタを抵抗・温度ヒュ−ズEの電極b2に接続し、ツ
エナダイオ−ドDの高電圧側電極及び抵抗・温度ヒュ−
ズEの電極c2を被保護機器Zの高電圧側端子に接続
し、抵抗・温度ヒュ−ズEの電極a2を電源Sの高電圧
側端子に接続し、トランジスタTrのエミッタを接地す
る。而して、機器Zにツエナダイオ−ドDの降伏電圧以
上の過電圧が作用すると、トランジスタTrにベ−ス電
流が流れ、これに伴い大なるコレクタ電流が流れて膜抵
抗4が発熱され、この発生熱が電極d2を介し低融点可
溶合金片2A及び2Bに伝達されて両低融点可溶合金片
2A及び2Bが溶断され、被保護機器Zが電源Sから遮
断されると共に膜抵抗4が電源Sから遮断される。
も、図4の(ロ)に示すように、トランジスタTrのコ
レクタを抵抗・温度ヒュ−ズEの電極b2に接続し、ツ
エナダイオ−ドDの高電圧側電極及び抵抗・温度ヒュ−
ズEの電極c2を被保護機器Zの高電圧側端子に接続
し、抵抗・温度ヒュ−ズEの電極a2を電源Sの高電圧
側端子に接続し、トランジスタTrのエミッタを接地す
る。而して、機器Zにツエナダイオ−ドDの降伏電圧以
上の過電圧が作用すると、トランジスタTrにベ−ス電
流が流れ、これに伴い大なるコレクタ電流が流れて膜抵
抗4が発熱され、この発生熱が電極d2を介し低融点可
溶合金片2A及び2Bに伝達されて両低融点可溶合金片
2A及び2Bが溶断され、被保護機器Zが電源Sから遮
断されると共に膜抵抗4が電源Sから遮断される。
【0016】図5の(イ)は請求項3に係る抵抗・温度
ヒュ−ズの別例を示している。この抵抗・温度ヒュ−ズ
においては、絶縁基板1の片面上に電極a3と電極c3を
設け、更に電極a3の先端部と電極c3の先端部との間に
電極d3を設け、更に電極d3と所定の間隔を隔てて電極
b3を設け、電極b3と電極d3とにわたって膜抵抗4を
設け、電極a3と電極d3との間に低融点可溶合金片2A
を接続し、電極d3と電極c3との間に低融点可溶合金片
2Bを接続し、低融点可溶合金片2A、2Bにフラック
ス3を塗布し、各膜電極a3、b3、c3に鉄線または鉄
合金線からなるリ−ド線5a3、5b3、5c3を接続
し、絶縁基板1の片面を絶縁体6を被覆してある。
ヒュ−ズの別例を示している。この抵抗・温度ヒュ−ズ
においては、絶縁基板1の片面上に電極a3と電極c3を
設け、更に電極a3の先端部と電極c3の先端部との間に
電極d3を設け、更に電極d3と所定の間隔を隔てて電極
b3を設け、電極b3と電極d3とにわたって膜抵抗4を
設け、電極a3と電極d3との間に低融点可溶合金片2A
を接続し、電極d3と電極c3との間に低融点可溶合金片
2Bを接続し、低融点可溶合金片2A、2Bにフラック
ス3を塗布し、各膜電極a3、b3、c3に鉄線または鉄
合金線からなるリ−ド線5a3、5b3、5c3を接続
し、絶縁基板1の片面を絶縁体6を被覆してある。
【0017】この抵抗・温度ヒュ−ズの使用において
も、図5の(ロ)に示すように、トランジスタTrのコ
レクタを抵抗・温度ヒュ−ズEの電極b3に接続し、ツ
エナダイオ−ドDの高電圧側電極及び抵抗・温度ヒュ−
ズEの電極c3を被保護機器Zの高電圧側端子に接続
し、抵抗・温度ヒュ−ズEの電極a3を電源Sの高電圧
側端子に接続し、トランジスタTrのエミッタを接地す
る。而して、機器Zにツエナダイオ−ドDの降伏電圧以
上の過電圧が作用すると、トランジスタTrにベ−ス電
流が流れ、これに伴い大なるコレクタ電流が流れて膜抵
抗4が発熱され、この発生熱が電極d3を介し低融点可
溶合金片2A及び2Bに伝達されて両低融点可溶合金片
2A及び2Bが溶断され、被保護機器Zが電源Sから遮
断されると共に膜抵抗4が電源Sから遮断される。
も、図5の(ロ)に示すように、トランジスタTrのコ
レクタを抵抗・温度ヒュ−ズEの電極b3に接続し、ツ
エナダイオ−ドDの高電圧側電極及び抵抗・温度ヒュ−
ズEの電極c3を被保護機器Zの高電圧側端子に接続
し、抵抗・温度ヒュ−ズEの電極a3を電源Sの高電圧
側端子に接続し、トランジスタTrのエミッタを接地す
る。而して、機器Zにツエナダイオ−ドDの降伏電圧以
上の過電圧が作用すると、トランジスタTrにベ−ス電
流が流れ、これに伴い大なるコレクタ電流が流れて膜抵
抗4が発熱され、この発生熱が電極d3を介し低融点可
溶合金片2A及び2Bに伝達されて両低融点可溶合金片
2A及び2Bが溶断され、被保護機器Zが電源Sから遮
断されると共に膜抵抗4が電源Sから遮断される。
【0018】上記抵抗・温度ヒュ−ズの使用例において
は、過電圧を検知して抵抗4に発熱電流を通電する手段
としてツエナダイオ−ドDとトランジスタTrを使用し
たが、これに限定されず、例えば、電界効果トランジス
タを使用し、回路の異常電圧でゲ−ト電圧をピンチオフ
電圧以上にすることもできる。
は、過電圧を検知して抵抗4に発熱電流を通電する手段
としてツエナダイオ−ドDとトランジスタTrを使用し
たが、これに限定されず、例えば、電界効果トランジス
タを使用し、回路の異常電圧でゲ−ト電圧をピンチオフ
電圧以上にすることもできる。
【0019】
〔実施例〕図1に示す構成であり、絶縁基板には、長さ
8mm,巾5.2mmのセラミックス板を使用し、膜電
極は銀ペ−スト(銀粉末とガラスフリットとオイルとの
混合物)の印刷焼き付けにより形成した。膜抵抗は抵抗
値7Ωとし、低融点可溶合金片には融点128℃のもの
を使用し、各リ−ド線には、φ0.55mmの銅被覆鉄
線を使用した。絶縁被覆にはエポキシ樹脂を使用し、最
大総厚みは2mmとした。 〔比較例〕図6に示す構成であり、電極を4端子構造と
しリ−ド線を四本とした以外、絶縁基板、電極材、膜抵
抗、リ−ド線には実施例と同じものを使用した。これら
の実施例及び比較例につき、膜抵抗の通電発熱電力に対
する低融点可溶合金片の溶断時間を測定したところ表1
に示す通りであり、実施例品は比較例品に較べ、小電力
通電のもので優れた遮断迅速性を呈し、鉄線または鉄合
金線のリ−ド線を四本から三本にしたことの効果が顕著
に現れている。
8mm,巾5.2mmのセラミックス板を使用し、膜電
極は銀ペ−スト(銀粉末とガラスフリットとオイルとの
混合物)の印刷焼き付けにより形成した。膜抵抗は抵抗
値7Ωとし、低融点可溶合金片には融点128℃のもの
を使用し、各リ−ド線には、φ0.55mmの銅被覆鉄
線を使用した。絶縁被覆にはエポキシ樹脂を使用し、最
大総厚みは2mmとした。 〔比較例〕図6に示す構成であり、電極を4端子構造と
しリ−ド線を四本とした以外、絶縁基板、電極材、膜抵
抗、リ−ド線には実施例と同じものを使用した。これら
の実施例及び比較例につき、膜抵抗の通電発熱電力に対
する低融点可溶合金片の溶断時間を測定したところ表1
に示す通りであり、実施例品は比較例品に較べ、小電力
通電のもので優れた遮断迅速性を呈し、鉄線または鉄合
金線のリ−ド線を四本から三本にしたことの効果が顕著
に現れている。
【0020】
【表1】
【0021】
【発明の効果】本発明に係る抵抗・温度ヒュ−ズにおい
ては、外部への放熱路であるリ−ド線を、従来の銅線か
ら熱伝導率の低い鉄線または鉄合金線に改変するにとど
まらず、そのリ−ド線の本数を従来の4本から3本して
あるから、低融点可溶合金片を迅速に加熱溶断させ得、
作動迅速性の飛躍的向上を図ることができる。
ては、外部への放熱路であるリ−ド線を、従来の銅線か
ら熱伝導率の低い鉄線または鉄合金線に改変するにとど
まらず、そのリ−ド線の本数を従来の4本から3本して
あるから、低融点可溶合金片を迅速に加熱溶断させ得、
作動迅速性の飛躍的向上を図ることができる。
【図1】請求項2に係る抵抗・温度ヒュ−ズの一例を示
す図面である。
す図面である。
【図2】図1に示した抵抗・温度ヒュ−ズの使用状態を
示す回路図である。
示す回路図である。
【図3】図3の(イ)は請求項3に係る抵抗・温度ヒュ
−ズの一例を示す図面、図3の(ロ)はその抵抗・温度
ヒュ−ズの使用状態を示す回路図である。
−ズの一例を示す図面、図3の(ロ)はその抵抗・温度
ヒュ−ズの使用状態を示す回路図である。
【図4】図4の(イ)は請求項3に係る抵抗・温度ヒュ
−ズの上記とは別の例を示す図面、図4の(ロ)はその
抵抗・温度ヒュ−ズの使用状態を示す回路図である。
−ズの上記とは別の例を示す図面、図4の(ロ)はその
抵抗・温度ヒュ−ズの使用状態を示す回路図である。
【図5】図5の(イ)は請求項3に係る抵抗・温度ヒュ
−ズの上記とは別の例を示す図面、図5の(ロ)はその
抵抗・温度ヒュ−ズの使用状態を示す回路図である。
−ズの上記とは別の例を示す図面、図5の(ロ)はその
抵抗・温度ヒュ−ズの使用状態を示す回路図である。
【図6】従来の抵抗・温度ヒュ−ズを示す図面である。
1 絶縁基板 2 低融点可溶合金片 2A 低融点可溶合金片 2B 低融点可溶合金片 3 フラックス 4 抵抗 5a1 リ−ド線 5a2 リ−ド線 5a3 リ−ド線 5b1 リ−ド線 5b2 リ−ド線 5b3 リ−ド線 5c1 リ−ド線 5c2 リ−ド線 5c3 リ−ド線
Claims (3)
- 【請求項1】絶縁基板上に低融点可溶合金片と抵抗を設
け、該抵抗を通電発熱させ、その発生熱で被保護機器の
異常時に低融点可溶合金片を溶断させて被保護機器を電
源から遮断する保護素子であり、三本のリ−ド線を有
し、各リ−ド線に鉄線または鉄合金線を用いたことを特
徴とする抵抗・温度ヒュ−ズ。 - 【請求項2】絶縁基板上に三箇の電極を設け、一の電極
と他の一方の電極との間に低融点可溶合金片を設け、前
記一の電極と残りの電極との間に抵抗を設け、各電極に
鉄線または鉄合金線からなるリ−ド線を接続したことを
特徴とする抵抗・温度ヒュ−ズ。 - 【請求項3】絶縁基板の片面上に四箇の電極を設け、こ
れら電極中の三箇の各電極に鉄線または鉄合金線のリ−
ド線を接続し、2箇の低融点可溶合金片と抵抗とを異な
る電極間に設けたことを特徴とする抵抗・温度ヒュ−
ズ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8458997A JPH10261353A (ja) | 1997-03-18 | 1997-03-18 | 抵抗・温度ヒュ−ズ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8458997A JPH10261353A (ja) | 1997-03-18 | 1997-03-18 | 抵抗・温度ヒュ−ズ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10261353A true JPH10261353A (ja) | 1998-09-29 |
Family
ID=13834869
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8458997A Pending JPH10261353A (ja) | 1997-03-18 | 1997-03-18 | 抵抗・温度ヒュ−ズ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH10261353A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7742269B2 (en) | 2006-06-19 | 2010-06-22 | Mitsubishi Electric Corporation | Circuit breaker |
CN102117720A (zh) * | 2009-12-31 | 2011-07-06 | 比亚迪股份有限公司 | 一种温度保护装置 |
JP2015138767A (ja) * | 2014-01-24 | 2015-07-30 | デクセリアルズ株式会社 | 遮断素子、遮断素子回路、 |
-
1997
- 1997-03-18 JP JP8458997A patent/JPH10261353A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7742269B2 (en) | 2006-06-19 | 2010-06-22 | Mitsubishi Electric Corporation | Circuit breaker |
CN102117720A (zh) * | 2009-12-31 | 2011-07-06 | 比亚迪股份有限公司 | 一种温度保护装置 |
JP2015138767A (ja) * | 2014-01-24 | 2015-07-30 | デクセリアルズ株式会社 | 遮断素子、遮断素子回路、 |
WO2015111683A1 (ja) * | 2014-01-24 | 2015-07-30 | デクセリアルズ株式会社 | 遮断素子及び遮断素子回路 |
CN106415770A (zh) * | 2014-01-24 | 2017-02-15 | 迪睿合株式会社 | 切断元件及切断元件电路 |
CN106415770B (zh) * | 2014-01-24 | 2018-11-20 | 迪睿合株式会社 | 切断元件及切断元件电路 |
TWI656554B (zh) * | 2014-01-24 | 2019-04-11 | 日商迪睿合股份有限公司 | 阻斷元件及阻斷元件電路 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050909 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051004 |
|
A521 | Written amendment |
Effective date: 20051024 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060124 |