JPH10125514A - 膜抵抗の形成方法及び保護素子 - Google Patents
膜抵抗の形成方法及び保護素子Info
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- JPH10125514A JPH10125514A JP8297673A JP29767396A JPH10125514A JP H10125514 A JPH10125514 A JP H10125514A JP 8297673 A JP8297673 A JP 8297673A JP 29767396 A JP29767396 A JP 29767396A JP H10125514 A JPH10125514 A JP H10125514A
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- film conductor
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Abstract
(57)【要約】
【課題】電極厚みが２５μｍ以上の厚膜導体のもとでも
ペ−スト印刷法により厚膜抵抗をクラックの発生を防止
して容易に形成できる方法を提供する。 【解決手段】基板面１１に抵抗ペ−ストを用いての膜抵
抗Ｒを印刷形成し、該膜抵抗Ｒの端部と基板面とにまた
がり厚み２５μｍ以上の膜導体２を導体ぺ−ストを用い
て印刷形成する。
ペ−スト印刷法により厚膜抵抗をクラックの発生を防止
して容易に形成できる方法を提供する。 【解決手段】基板面１１に抵抗ペ−ストを用いての膜抵
抗Ｒを印刷形成し、該膜抵抗Ｒの端部と基板面とにまた
がり厚み２５μｍ以上の膜導体２を導体ぺ−ストを用い
て印刷形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ぺ−スト印刷法に
より膜抵抗を形成する方法及びこの方法を使用して膜抵
抗を設けた保護素子に関するものである。
より膜抵抗を形成する方法及びこの方法を使用して膜抵
抗を設けた保護素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】機器に過電圧が作用したときに機器を電
源から遮断する場合、膜抵抗と低融点可溶合金片とを絶
縁基板の片面上に並設し、絶縁基板の片面を絶縁層で被
覆して成る保護素子を使用し、図６に示すように、この
保護素子Ｅ’及び過電圧検知通電回路Ｆ’、例えば、ト
ランジスタＴｒ’のベ−ス側にツエナダイオ−ドＤ’を
接続して成る回路Ｆ’を電源Ｓ’と被保護機器Ｚ’との
間に挿入し、機器Ｚ’にツエナダイオ−ドＤ’の降伏電
圧以上の逆電圧が作用すると、ベ−ス電流が流れ、この
ベ−ス電流に応じコレクタ電流が流れて膜抵抗Ｒ’が発
熱し、低融点可溶合金片Ａ’が溶断されることで機器
Ｚ’を電源Ｓ’から遮断することが公知である。この保
護素子における膜抵抗の形成には、図７に示すように、
電極である膜導体２’を印刷・焼付けしたうえで膜導体
端部を覆うようにして抵抗ペ−ストＲ’を印刷・焼付け
している。
源から遮断する場合、膜抵抗と低融点可溶合金片とを絶
縁基板の片面上に並設し、絶縁基板の片面を絶縁層で被
覆して成る保護素子を使用し、図６に示すように、この
保護素子Ｅ’及び過電圧検知通電回路Ｆ’、例えば、ト
ランジスタＴｒ’のベ−ス側にツエナダイオ−ドＤ’を
接続して成る回路Ｆ’を電源Ｓ’と被保護機器Ｚ’との
間に挿入し、機器Ｚ’にツエナダイオ−ドＤ’の降伏電
圧以上の逆電圧が作用すると、ベ−ス電流が流れ、この
ベ−ス電流に応じコレクタ電流が流れて膜抵抗Ｒ’が発
熱し、低融点可溶合金片Ａ’が溶断されることで機器
Ｚ’を電源Ｓ’から遮断することが公知である。この保
護素子における膜抵抗の形成には、図７に示すように、
電極である膜導体２’を印刷・焼付けしたうえで膜導体
端部を覆うようにして抵抗ペ−ストＲ’を印刷・焼付け
している。
【０００３】上記ペ−スト印刷法による膜抵抗の形成
時、抵抗膜が受ける応力としては、印刷ペ−ストの加熱
溶融後での厚み方向の冷却不均一による熱応力、膜抵抗
と基板との熱収縮率の差により生じる熱応力等が考えら
れるが、膜導体の厚みが２５μｍ以下でれば、膜成中で
のクラックの発生が問題となるようなことはなかった。
時、抵抗膜が受ける応力としては、印刷ペ−ストの加熱
溶融後での厚み方向の冷却不均一による熱応力、膜抵抗
と基板との熱収縮率の差により生じる熱応力等が考えら
れるが、膜導体の厚みが２５μｍ以下でれば、膜成中で
のクラックの発生が問題となるようなことはなかった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記した保
護素子においては、上記逆電圧の作用時に膜抵抗に流れ
る電流が大きく、膜抵抗の電極としての膜導体の厚みが
２５μｍ以下では電流容量が不足する。而るに、膜導体
の厚みを２５μｍ以上にすると、図７のｅで示す膜抵抗
の段差が大となり、その段差箇所での応力集中により、
過大な応力が発生してクラックが発生し易い。
護素子においては、上記逆電圧の作用時に膜抵抗に流れ
る電流が大きく、膜抵抗の電極としての膜導体の厚みが
２５μｍ以下では電流容量が不足する。而るに、膜導体
の厚みを２５μｍ以上にすると、図７のｅで示す膜抵抗
の段差が大となり、その段差箇所での応力集中により、
過大な応力が発生してクラックが発生し易い。
【０００５】本発明の目的は、厚み２５μｍ以上の膜導
体を電極としてペ−スト印刷法により膜抵抗をクラック
の発生を防止して容易に形成できる方法を提供すること
にある。
体を電極としてペ−スト印刷法により膜抵抗をクラック
の発生を防止して容易に形成できる方法を提供すること
にある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係る膜抵抗の形
成方法は、基板面に抵抗ペ−ストを用いて膜抵抗を印刷
形成し、該膜抵抗の端部と基板面とにまたがり膜導体、
特に厚み２５μｍ以上の膜導体を導体ぺ−ストを用いて
印刷形成することを特徴とする構成である。
成方法は、基板面に抵抗ペ−ストを用いて膜抵抗を印刷
形成し、該膜抵抗の端部と基板面とにまたがり膜導体、
特に厚み２５μｍ以上の膜導体を導体ぺ−ストを用いて
印刷形成することを特徴とする構成である。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態について説明する。図１の（イ）及び図１の
（ロ）は、本発明に係る膜抵抗の形成方法の作業手順を
示す説明図である。図１の（イ）及び図１の（ロ）にお
いて、１は基板であり、例えば、厚み１００μｍ〜１２
００μｍのアルミナセラミックス板、表面にアルミナ膜
等の絶縁膜を設けたアルミニウム板等を使用できる。本
発明により膜抵抗を形成するには、図１の（イ）に示す
ように、基板面１１に抵抗ペ−ストを所定の形状で印刷
し、更に、加熱して印刷ぺ−ストを溶融させ、次いで冷
却凝固して膜抵抗Ｒを形成する。この膜抵抗の厚みは通
常の厚みであり、２５μｍ以下である。而るのち、図１
の（ロ）に示すように、膜抵抗Ｒの各端部と基板面１１
とにまたがって導体ぺ−ストを所定の形状で印刷し、更
に、加熱して印刷ぺ−ストを溶融させ、次いで冷却凝固
して厚み２５μｍ以上の膜導体２，２を形成する。更
に、必要に応じ、膜抵抗をトリミングして抵抗値調節を
行い、これにて膜抵抗の形成を終了する。この場合、膜
抵抗面上に保護膜、例えば、ガラス膜を印刷・焼付けし
てトリミングを行い、トリミング時でのクラックの発生
を防止することが好ましい。また、その後、ガラス膜を
印刷することもできる。
実施の形態について説明する。図１の（イ）及び図１の
（ロ）は、本発明に係る膜抵抗の形成方法の作業手順を
示す説明図である。図１の（イ）及び図１の（ロ）にお
いて、１は基板であり、例えば、厚み１００μｍ〜１２
００μｍのアルミナセラミックス板、表面にアルミナ膜
等の絶縁膜を設けたアルミニウム板等を使用できる。本
発明により膜抵抗を形成するには、図１の（イ）に示す
ように、基板面１１に抵抗ペ−ストを所定の形状で印刷
し、更に、加熱して印刷ぺ−ストを溶融させ、次いで冷
却凝固して膜抵抗Ｒを形成する。この膜抵抗の厚みは通
常の厚みであり、２５μｍ以下である。而るのち、図１
の（ロ）に示すように、膜抵抗Ｒの各端部と基板面１１
とにまたがって導体ぺ−ストを所定の形状で印刷し、更
に、加熱して印刷ぺ−ストを溶融させ、次いで冷却凝固
して厚み２５μｍ以上の膜導体２，２を形成する。更
に、必要に応じ、膜抵抗をトリミングして抵抗値調節を
行い、これにて膜抵抗の形成を終了する。この場合、膜
抵抗面上に保護膜、例えば、ガラス膜を印刷・焼付けし
てトリミングを行い、トリミング時でのクラックの発生
を防止することが好ましい。また、その後、ガラス膜を
印刷することもできる。
【０００８】上記において、加熱溶融された印刷抵抗ペ
−ストが冷却凝固される際、応力集中を惹起するような
段差がないので、図７に示すように段差ｅがある場合に
較べてクラックの発生をよく防止できる。本発明におい
ては、抵抗ペ−ストを印刷したのち、その印刷ぺ−スト
を加温乾燥し、ついで、導体ぺ−ストを印刷し、而るの
ち、加熱して印刷抵抗ペ−ストと印刷導体ぺ−ストとの
焼付けを同時に行うことも可能である。
−ストが冷却凝固される際、応力集中を惹起するような
段差がないので、図７に示すように段差ｅがある場合に
較べてクラックの発生をよく防止できる。本発明におい
ては、抵抗ペ−ストを印刷したのち、その印刷ぺ−スト
を加温乾燥し、ついで、導体ぺ−ストを印刷し、而るの
ち、加熱して印刷抵抗ペ−ストと印刷導体ぺ−ストとの
焼付けを同時に行うことも可能である。
【０００９】上記抵抗ペ−ストには、酸化ルテニウム粉
末や炭素粉末等の抵抗粉末とガラスフリット等のバイン
ダ−と水等の溶媒との混合物を使用できる。その外、Ｔ
ｉ−Ｓｉ系抵抗ペ−ストの使用も可能である。上記導体
ぺ−ストには、銀−白金系粉末や銀−パラジウム系粉末
等の導体粉末とガラスフリット等のバインダ−と水等の
溶媒との混合物を使用できる。その外、銅ペ−ストの使
用も可能である。上記ペ−ストの印刷には、通常スクリ
−ン印刷法が使用され、導体ペ−ストを２５μｍ以上の
厚さで印刷するには、目の大きなスクリ−ンの使用が有
効である。
末や炭素粉末等の抵抗粉末とガラスフリット等のバイン
ダ−と水等の溶媒との混合物を使用できる。その外、Ｔ
ｉ−Ｓｉ系抵抗ペ−ストの使用も可能である。上記導体
ぺ−ストには、銀−白金系粉末や銀−パラジウム系粉末
等の導体粉末とガラスフリット等のバインダ−と水等の
溶媒との混合物を使用できる。その外、銅ペ−ストの使
用も可能である。上記ペ−ストの印刷には、通常スクリ
−ン印刷法が使用され、導体ペ−ストを２５μｍ以上の
厚さで印刷するには、目の大きなスクリ−ンの使用が有
効である。
【００１０】図２は本発明により膜抵抗を形成する保護
素子の一例を示している。図２において、１は耐熱性の
絶縁基板、例えばセラミックス板である。Ｒは絶縁基板
面上に設けた膜抵抗である。２１〜２４は絶縁基板面上
に印刷形成した膜導体であり、第１膜導体２１と第３膜
導体２３と第４膜導体２４とを並行に配設し、第２膜導
体２２を第１膜導体２１の先端部と第３膜導体２３の先
端部との間に配設し、第１膜導体２１の先端部と第２膜
導体２２の先端部とを膜抵抗Ｒの両端部面上に重ねて、
本発明に係る膜抵抗の形成方法により膜抵抗を設けてあ
る。３１、３３及び３４は第１膜導体２１、第３膜導体
２３及び第４膜導体２４のそれぞれに接続したリ−ド線
（絶縁被覆線）である。Ａは第２膜導体２２の先端部と
第３膜導体２３の先端部との間に接続した低融点可溶合
金片、Ｂは第３膜導体２３の先端部と第４膜導体２４の
先端部との間に接続した低融点可溶合金片である。４は
低融点可溶合金片Ａ及びＢ上に塗布したフラックスであ
る。５は絶縁基板面を覆うようにして設けた絶縁層であ
り、上記低融点可溶合金片やフラックスを溶融流動させ
ることのないように、常温で被覆できる絶縁材、例えば
常温硬化エポキシ樹脂を使用してある。
素子の一例を示している。図２において、１は耐熱性の
絶縁基板、例えばセラミックス板である。Ｒは絶縁基板
面上に設けた膜抵抗である。２１〜２４は絶縁基板面上
に印刷形成した膜導体であり、第１膜導体２１と第３膜
導体２３と第４膜導体２４とを並行に配設し、第２膜導
体２２を第１膜導体２１の先端部と第３膜導体２３の先
端部との間に配設し、第１膜導体２１の先端部と第２膜
導体２２の先端部とを膜抵抗Ｒの両端部面上に重ねて、
本発明に係る膜抵抗の形成方法により膜抵抗を設けてあ
る。３１、３３及び３４は第１膜導体２１、第３膜導体
２３及び第４膜導体２４のそれぞれに接続したリ−ド線
（絶縁被覆線）である。Ａは第２膜導体２２の先端部と
第３膜導体２３の先端部との間に接続した低融点可溶合
金片、Ｂは第３膜導体２３の先端部と第４膜導体２４の
先端部との間に接続した低融点可溶合金片である。４は
低融点可溶合金片Ａ及びＢ上に塗布したフラックスであ
る。５は絶縁基板面を覆うようにして設けた絶縁層であ
り、上記低融点可溶合金片やフラックスを溶融流動させ
ることのないように、常温で被覆できる絶縁材、例えば
常温硬化エポキシ樹脂を使用してある。
【００１１】この保護素子は、被保護機器に過電圧が作
用するとき、その機器を電源から遮断するために使用さ
れる。図３はその使用状態の一例を示し、被保護機器Ｚ
と電源Ｓとの間に上記の保護素子Ｅと過電圧保護素子作
動回路Ｆを組み込み、トランジスタＴｒのコレクタを保
護素子Ｅの第１膜導体２１に接続し、ツエナダイオ−ド
Ｄの高電圧側膜導体及び保護素子Ｅの第４膜導体２４を
被保護機器Ｚの高電位側端子に接続し、保護素子Ｅの第
３膜導体２３を電源Ｓの正極側端子に接続し、トランジ
スタＴｒのエミッタを接地してある。而して、機器膜導
体にツエナダイオ−ドＤの降伏電圧以上の過電圧が作用
すると、トランジスタＴｒにベ−ス電流が流れ、これに
伴い大なるコレクタ電流が流れて膜抵抗Ｒが発熱され、
この発生熱が第２膜導体２２を介し低融点可溶合金片Ａ
及びＢに伝達されて両低融点可溶合金片Ａ及びＢが既溶
融のフラックスの活性作用を受けつつ溶断され、被保護
機器Ｚが電源Ｓから遮断されると共に膜抵抗Ｒが電源か
ら遮断される。この場合、第１膜導体２１や第２膜導体
２２に大きな電流が流れるが、これらの膜導体の厚みを
２５μｍ以上にしてあるので、電流容量を充足し得る。
用するとき、その機器を電源から遮断するために使用さ
れる。図３はその使用状態の一例を示し、被保護機器Ｚ
と電源Ｓとの間に上記の保護素子Ｅと過電圧保護素子作
動回路Ｆを組み込み、トランジスタＴｒのコレクタを保
護素子Ｅの第１膜導体２１に接続し、ツエナダイオ−ド
Ｄの高電圧側膜導体及び保護素子Ｅの第４膜導体２４を
被保護機器Ｚの高電位側端子に接続し、保護素子Ｅの第
３膜導体２３を電源Ｓの正極側端子に接続し、トランジ
スタＴｒのエミッタを接地してある。而して、機器膜導
体にツエナダイオ−ドＤの降伏電圧以上の過電圧が作用
すると、トランジスタＴｒにベ−ス電流が流れ、これに
伴い大なるコレクタ電流が流れて膜抵抗Ｒが発熱され、
この発生熱が第２膜導体２２を介し低融点可溶合金片Ａ
及びＢに伝達されて両低融点可溶合金片Ａ及びＢが既溶
融のフラックスの活性作用を受けつつ溶断され、被保護
機器Ｚが電源Ｓから遮断されると共に膜抵抗Ｒが電源か
ら遮断される。この場合、第１膜導体２１や第２膜導体
２２に大きな電流が流れるが、これらの膜導体の厚みを
２５μｍ以上にしてあるので、電流容量を充足し得る。
【００１２】図４は本発明により膜抵抗を形成した保護
素子の別例を示している。図４において、１は耐熱性の
絶縁基板、例えばセラミックス板である。Ｒは絶縁基板
上に形成した膜抵抗である。２１〜２４は絶縁基板の片
面上に印刷形成した第１膜導体〜第４膜導体であり、第
１膜導体２１の先端部と第３膜導体２３の先端部との間
に第２膜導体２２を設け、更に第４膜導体２４を第２膜
導体２２と所定の間隔を隔てて設け、膜抵抗の両端部面
上に第２膜導体２２の端部と第４膜導体２４の端部とを
重ねて本発明に係る膜抵抗の形成方法により膜抵抗を設
けてある。３１、３３及び３４は第１膜導体、第３膜導
体及び第４膜導体のそれぞれに接続したリ−ド線（絶縁
被覆線）である。Ａは第１膜導体２１の先端部と第２膜
導体２２との間に接続した低融点可溶合金片、Ｂは第２
膜導体２２と第３膜導体２３の先端部との間に接続した
低融点可溶合金片である。４は低融点可溶合金片Ａ及び
Ｂ上に塗布したフラックスである。５は絶縁基板１の片
面を覆うようにして設けた絶縁層、例えば常温硬化エポ
キシ樹脂を使用してある。
素子の別例を示している。図４において、１は耐熱性の
絶縁基板、例えばセラミックス板である。Ｒは絶縁基板
上に形成した膜抵抗である。２１〜２４は絶縁基板の片
面上に印刷形成した第１膜導体〜第４膜導体であり、第
１膜導体２１の先端部と第３膜導体２３の先端部との間
に第２膜導体２２を設け、更に第４膜導体２４を第２膜
導体２２と所定の間隔を隔てて設け、膜抵抗の両端部面
上に第２膜導体２２の端部と第４膜導体２４の端部とを
重ねて本発明に係る膜抵抗の形成方法により膜抵抗を設
けてある。３１、３３及び３４は第１膜導体、第３膜導
体及び第４膜導体のそれぞれに接続したリ−ド線（絶縁
被覆線）である。Ａは第１膜導体２１の先端部と第２膜
導体２２との間に接続した低融点可溶合金片、Ｂは第２
膜導体２２と第３膜導体２３の先端部との間に接続した
低融点可溶合金片である。４は低融点可溶合金片Ａ及び
Ｂ上に塗布したフラックスである。５は絶縁基板１の片
面を覆うようにして設けた絶縁層、例えば常温硬化エポ
キシ樹脂を使用してある。
【００１３】この保護素子も、被保護機器に過電圧が作
用するときにその機器を電源から遮断するために使用さ
れる。図５はその使用状態の一例を示し、被保護機器Ｚ
と電源Ｓとの間に上記保護素子Ｅと過電圧検知通電回路
Ｆとを組み込み、トランジスタＴｒのコレクタを保護素
子Ｅの第４膜導体２４に接続し、ツエナダイオ−ドＤの
高電圧側膜導体及び保護素子Ｅの第３膜導体２３を被保
護機器Ｚの高電位側端子に接続し、保護素子Ｅの第１膜
導体２１を電源Ｓの正極側端子に接続し、トランジスタ
Ｔｒのエミッタを接地してある。図５に示す回路におい
て、機器膜導体にツエナダイオ−ドＤの降伏電圧以上の
過電圧が作用すると、トランジスタＴｒにベ−ス電流が
流れ、これに伴い大なるコレクタ電流が流れて膜抵抗Ｒ
が発熱され、この発生熱が第２膜導体２２を介し低融点
可溶合金片Ａ及びＢに伝達されて両低融点可溶合金片Ａ
及びＢが既溶融フラックスの活性作用を受けつつ溶断さ
れ、被保護機器Ｚが電源Ｓから遮断されると共に膜抵抗
Ｒが電源Ｓから遮断される。この場合、第２膜導体２２
や第４膜導体２４に大きな電流が流れるが、これらの膜
導体の厚みを２５μｍ以上にしてあるので、電流容量を
充足し得る。
用するときにその機器を電源から遮断するために使用さ
れる。図５はその使用状態の一例を示し、被保護機器Ｚ
と電源Ｓとの間に上記保護素子Ｅと過電圧検知通電回路
Ｆとを組み込み、トランジスタＴｒのコレクタを保護素
子Ｅの第４膜導体２４に接続し、ツエナダイオ−ドＤの
高電圧側膜導体及び保護素子Ｅの第３膜導体２３を被保
護機器Ｚの高電位側端子に接続し、保護素子Ｅの第１膜
導体２１を電源Ｓの正極側端子に接続し、トランジスタ
Ｔｒのエミッタを接地してある。図５に示す回路におい
て、機器膜導体にツエナダイオ−ドＤの降伏電圧以上の
過電圧が作用すると、トランジスタＴｒにベ−ス電流が
流れ、これに伴い大なるコレクタ電流が流れて膜抵抗Ｒ
が発熱され、この発生熱が第２膜導体２２を介し低融点
可溶合金片Ａ及びＢに伝達されて両低融点可溶合金片Ａ
及びＢが既溶融フラックスの活性作用を受けつつ溶断さ
れ、被保護機器Ｚが電源Ｓから遮断されると共に膜抵抗
Ｒが電源Ｓから遮断される。この場合、第２膜導体２２
や第４膜導体２４に大きな電流が流れるが、これらの膜
導体の厚みを２５μｍ以上にしてあるので、電流容量を
充足し得る。
【００１４】
〔実施例〕厚み１０００μｍのアルミナセラミックス板
面に酸化ルテニウム系抵抗ペ−スト（デュポン社製ＤＰ
１９００）をスクリ−ン印刷し、８７０℃×３０分で焼
付けて厚み１５μｍの膜抵抗を形成した。ついで、この
膜抵抗の両端部とアルミナセラミックス板面とにまたが
って銀系ペ−スト（デュポン社製ＱＳ１７４）をスクリ
−ン印刷し、８７０℃×３０分で焼付けて厚み３０μｍ
の膜導体を形成した。試料１０箇についてクラック発生
の有無を調査したが、クラックを発生したものは皆無で
あった。 〔比較例〕実施例に対し、膜抵抗と膜導体との形成を前
後逆にした以外、実施例に同じとした。試料１０箇につ
いてクラック発生の有無を調査したが、１０箇中９箇に
クラックの発生が認められた。
面に酸化ルテニウム系抵抗ペ−スト（デュポン社製ＤＰ
１９００）をスクリ−ン印刷し、８７０℃×３０分で焼
付けて厚み１５μｍの膜抵抗を形成した。ついで、この
膜抵抗の両端部とアルミナセラミックス板面とにまたが
って銀系ペ−スト（デュポン社製ＱＳ１７４）をスクリ
−ン印刷し、８７０℃×３０分で焼付けて厚み３０μｍ
の膜導体を形成した。試料１０箇についてクラック発生
の有無を調査したが、クラックを発生したものは皆無で
あった。 〔比較例〕実施例に対し、膜抵抗と膜導体との形成を前
後逆にした以外、実施例に同じとした。試料１０箇につ
いてクラック発生の有無を調査したが、１０箇中９箇に
クラックの発生が認められた。
【００１５】
【発明の効果】本発明によれば、電極である膜導体の厚
みを２５μｍ以上に厚くしても膜抵抗を基板面上にクラ
ックの発生なくペ−スト印刷法により、従来とは膜導体
の印刷と膜抵抗の印刷の順序を逆にするだけで容易に形
成でき、通電電流が大きく電極の膜導体厚みを厚くする
ことが要求される各種回路素子の膜抵抗の製作に有用で
ある。
みを２５μｍ以上に厚くしても膜抵抗を基板面上にクラ
ックの発生なくペ−スト印刷法により、従来とは膜導体
の印刷と膜抵抗の印刷の順序を逆にするだけで容易に形
成でき、通電電流が大きく電極の膜導体厚みを厚くする
ことが要求される各種回路素子の膜抵抗の製作に有用で
ある。
【図１】本発明に係る膜抵抗の形成方法を作業手順で示
す説明図である。
す説明図である。
【図２】本発明により膜抵抗を形成した保護素子の一例
を示す説明図である。
を示す説明図である。
【図３】図２に示す保護素子の使用方法を示す回路図で
ある。
ある。
【図４】本発明により膜抵抗を形成した保護素子の別例
を示す説明図である。
を示す説明図である。
【図５】図４に示す保護素子の使用方法を示す回路図で
ある。
ある。
【図６】過電圧作動型の膜抵抗式保護素子を示す回路図
である。
である。
【図７】従来の膜抵抗を示す説明図である。
１ 基板 ２ 膜導体 ２１ 第１膜導体 ２２ 第２膜導体 ２３ 第３膜導体 ２４ 第４膜導体 Ｒ 膜抵抗 Ａ 低融点可溶合金片 Ｂ 低融点可溶合金片
Claims (4)
- 【請求項１】基板面に抵抗ペ−ストを用いて膜抵抗を印
刷形成し、該膜抵抗の端部と基板面とにまたがり膜導体
を導体ぺ−ストを用いて印刷形成することを特徴とする
膜抵抗の形成方法。 - 【請求項２】膜導体の厚みが２５μｍ以上である請求項
１記載の膜抵抗の形成方法。 - 【請求項３】絶縁基板の片面上に第１膜導体、第２膜導
体、第３膜導体及び第４膜導体を設け、請求項１または
請求項２記載の膜抵抗の形成方法により第１膜導体と第
２膜導体とにわたって膜抵抗を設け、第２膜導体と第３
膜導体との間に低融点可溶合金片Ａを接続し、第３膜導
体と第４膜導体との間に低融点可溶合金片Ｂを接続し、
これらの低融点可溶合金片にフラックスを塗布し、上記
絶縁基板の片面を覆って絶縁層を被覆して成ることを特
徴とする保護素子。 - 【請求項４】絶縁基板の片面上に第１膜導体、第２膜導
体、第３膜導体及び第４膜導体を設け、請求項１または
請求項２記載の膜抵抗の形成方法により第２膜導体と第
４膜導体とにわたって膜抵抗を設け、第１膜導体と第２
膜導体との間及び第２膜導体と第３膜導体との間に低融
点可溶合金片Ａ及びＢをそれぞれ接続し、低融点可溶合
金片にフラックスを塗布し、上記絶縁基板の片面を覆っ
て絶縁層を被覆して成ることを特徴とする保護素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8297673A JPH10125514A (ja) | 1996-10-18 | 1996-10-18 | 膜抵抗の形成方法及び保護素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8297673A JPH10125514A (ja) | 1996-10-18 | 1996-10-18 | 膜抵抗の形成方法及び保護素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10125514A true JPH10125514A (ja) | 1998-05-15 |
Family
ID=17849664
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8297673A Pending JPH10125514A (ja) | 1996-10-18 | 1996-10-18 | 膜抵抗の形成方法及び保護素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10125514A (ja) |
-
1996
- 1996-10-18 JP JP8297673A patent/JPH10125514A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051101 |
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| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051110 |
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| A02 | Decision of refusal |
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