JPS6322601Y2 - - Google Patents
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- JPS6322601Y2 JPS6322601Y2 JP1984122936U JP12293684U JPS6322601Y2 JP S6322601 Y2 JPS6322601 Y2 JP S6322601Y2 JP 1984122936 U JP1984122936 U JP 1984122936U JP 12293684 U JP12293684 U JP 12293684U JP S6322601 Y2 JPS6322601 Y2 JP S6322601Y2
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- melting point
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- low melting
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Description
【考案の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本考案は温度ヒユーズの改良に関するものであ
る。
る。
〈先行技術と問題点〉
温度ヒユーズとして、第2図に示すように絶縁
基板1′上に抵抗層2′と低融点合金層3′とを互
に隣り合せの配置で設け、低融点合金3′を中間
電極と電極42a′とを用いてリレー回路に電気的
に挿入し抵抗層2′を中間電極と電極42′bを用
いて電気回路の抵抗体として用いるものが公知で
ある(第2図において5′は絶縁被覆、6a′,6
b′はプリント回路、7a′,7b′はハンダ付けであ
る)。
基板1′上に抵抗層2′と低融点合金層3′とを互
に隣り合せの配置で設け、低融点合金3′を中間
電極と電極42a′とを用いてリレー回路に電気的
に挿入し抵抗層2′を中間電極と電極42′bを用
いて電気回路の抵抗体として用いるものが公知で
ある(第2図において5′は絶縁被覆、6a′,6
b′はプリント回路、7a′,7b′はハンダ付けであ
る)。
この温度ヒユーズにおいては、電気回路に異常
電流が流れると、抵抗体としての抵抗層2′が発
熱し、その発熱によつて低融点合金層3′が溶断
してリレー回路が作動する。しかし低融点合金層
3′と抵抗層2′とが中間電極によつて熱的に導通
されているにすぎないので、発熱した抵抗層2′
から低融点合金層3′への熱の伝達性が悪く作動
迅速性に問題がある。
電流が流れると、抵抗体としての抵抗層2′が発
熱し、その発熱によつて低融点合金層3′が溶断
してリレー回路が作動する。しかし低融点合金層
3′と抵抗層2′とが中間電極によつて熱的に導通
されているにすぎないので、発熱した抵抗層2′
から低融点合金層3′への熱の伝達性が悪く作動
迅速性に問題がある。
〈本考案の目的〉
本考案にかかる温度ヒユーズは上述の不利を解
消し得るものである。
消し得るものである。
〈本考案の構成〉
本考案に係る温度ヒユーズは、絶縁基板上に抵
抗層を設け、この抵抗層上の両端並びに中間にそ
れぞれ電極を設け、上記抵抗層上に、片端の電極
と中間電極とにまたがり低融点合金層を設けたこ
とを特徴とする構成である。
抗層を設け、この抵抗層上の両端並びに中間にそ
れぞれ電極を設け、上記抵抗層上に、片端の電極
と中間電極とにまたがり低融点合金層を設けたこ
とを特徴とする構成である。
〈実施例の説明〉
以下、図面により本考案を説明する。
第1図において、1は絶縁基板であり、例えば
セラミツクス板を用いることができる。2は絶縁
基板1上に設けた抵抗層、例えばニツケル合金層
である。3は低融点合金層である。41は抵抗層
2と低融点合金層3とを接続せる中間電極、42
a,42bはリード電極であり、これらの導体並
びに電極には銅を用いることができる。5は絶縁
被覆層である。6a,6bは被保護機器(例えば
トランス)のタツプ端子であり、リード電極42
a,42bを常温硬化性の導電性樹脂7a,7b
例えばカーボン、銀粉等の導電性粒子を配合した
常温硬化性エポキシ樹脂により接着固定してあ
る。
セラミツクス板を用いることができる。2は絶縁
基板1上に設けた抵抗層、例えばニツケル合金層
である。3は低融点合金層である。41は抵抗層
2と低融点合金層3とを接続せる中間電極、42
a,42bはリード電極であり、これらの導体並
びに電極には銅を用いることができる。5は絶縁
被覆層である。6a,6bは被保護機器(例えば
トランス)のタツプ端子であり、リード電極42
a,42bを常温硬化性の導電性樹脂7a,7b
例えばカーボン、銀粉等の導電性粒子を配合した
常温硬化性エポキシ樹脂により接着固定してあ
る。
第3図に示すように、上記中間電極41と電極
42b間の抵抗層部分r1は被保護機器Zに直列に
挿入し、低融点金属層3の両端電極41,42a
は抵抗変化検出回路Dを介してリレー回路Rに挿
入してある。この抵抗変化検出回路Dは、電極4
1−42a間の抵抗r2が変化するとリレー回路R
に電流を流すように構成してある。而して、機器
Zに異常電流が流れると、この異常電流により、
上記抵抗層部分r1(電極41−42b間の部分)
が発熱し、この熱で低融点合金層3が溶断し、電
極41−42a間の抵抗r2が変化し、リレー回路
の作動により機器への通電が遮断される。
42b間の抵抗層部分r1は被保護機器Zに直列に
挿入し、低融点金属層3の両端電極41,42a
は抵抗変化検出回路Dを介してリレー回路Rに挿
入してある。この抵抗変化検出回路Dは、電極4
1−42a間の抵抗r2が変化するとリレー回路R
に電流を流すように構成してある。而して、機器
Zに異常電流が流れると、この異常電流により、
上記抵抗層部分r1(電極41−42b間の部分)
が発熱し、この熱で低融点合金層3が溶断し、電
極41−42a間の抵抗r2が変化し、リレー回路
の作動により機器への通電が遮断される。
而るに、低融点合金層3を抵抗層2上に設けて
あるので、抵抗層部分(電極41−42b間)の
発生熱を低融点合金層3に、中間電極41による
だけではなく抵抗層2をも介して伝達できるの
で、その発生熱を低融点合金層3に効率よく伝達
でき、低融点合金層3の溶断作動を迅速に行なわ
せ得る。
あるので、抵抗層部分(電極41−42b間)の
発生熱を低融点合金層3に、中間電極41による
だけではなく抵抗層2をも介して伝達できるの
で、その発生熱を低融点合金層3に効率よく伝達
でき、低融点合金層3の溶断作動を迅速に行なわ
せ得る。
〈考案の効果〉
従つて、本考案によれば抵抗層付温度ヒユーズ
の作動迅速性を向上できる。
の作動迅速性を向上できる。
第1図は本考案に係る温度ヒユーズを示す説明
図、第2図は従来の温度ヒユーズを示す説明図、
第3図は本考案温度ヒユーズの使用方法を示す説
明図である。 図において、1は絶縁基板、2は抵抗層、3は
低融点合金層である。
図、第2図は従来の温度ヒユーズを示す説明図、
第3図は本考案温度ヒユーズの使用方法を示す説
明図である。 図において、1は絶縁基板、2は抵抗層、3は
低融点合金層である。
Claims (1)
- 絶縁基板上に抵抗層を設け、この抵抗層上の両
端並びに中間にそれぞれ電極を設け、上記抵抗層
上に片端の電極と中間電極とにまたがり低融点合
金層を設けたことを特徴とする温度ヒユーズ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12293684U JPS6138744U (ja) | 1984-08-10 | 1984-08-10 | 温度ヒユ−ズ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12293684U JPS6138744U (ja) | 1984-08-10 | 1984-08-10 | 温度ヒユ−ズ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6138744U JPS6138744U (ja) | 1986-03-11 |
JPS6322601Y2 true JPS6322601Y2 (ja) | 1988-06-21 |
Family
ID=30681692
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12293684U Granted JPS6138744U (ja) | 1984-08-10 | 1984-08-10 | 温度ヒユ−ズ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6138744U (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3426508B2 (ja) * | 1998-06-30 | 2003-07-14 | 矢崎総業株式会社 | 低融点材溶断装置及び回路遮断装置 |
JP6102266B2 (ja) * | 2013-01-11 | 2017-03-29 | 株式会社村田製作所 | ヒューズ |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5333349A (en) * | 1976-09-08 | 1978-03-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Chipplike temperature fuse and method of manufacturing thereof |
JPS5987736A (ja) * | 1982-11-12 | 1984-05-21 | 富士通株式会社 | 半導体記憶装置 |
-
1984
- 1984-08-10 JP JP12293684U patent/JPS6138744U/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5333349A (en) * | 1976-09-08 | 1978-03-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Chipplike temperature fuse and method of manufacturing thereof |
JPS5987736A (ja) * | 1982-11-12 | 1984-05-21 | 富士通株式会社 | 半導体記憶装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6138744U (ja) | 1986-03-11 |
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