JPH11339615A - 基板型抵抗・温度ヒュ−ズ - Google Patents
基板型抵抗・温度ヒュ−ズInfo
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- JPH11339615A JPH11339615A JP16431298A JP16431298A JPH11339615A JP H11339615 A JPH11339615 A JP H11339615A JP 16431298 A JP16431298 A JP 16431298A JP 16431298 A JP16431298 A JP 16431298A JP H11339615 A JPH11339615 A JP H11339615A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】抵抗体の通電発熱による温度ヒュ−ズの作動性
を向上でき、かつ充分な小型化を保証できる基板型抵抗
・温度ヒュ−ズを提供する。 【解決手段】絶縁基板１の片面に第１電極２１、第２電
極２２及び第３電極２３を設け、第１電極２１と第３電
極２３との間に低融点可溶合金片４を接続し、第２電極
２２と第３電極２３との間に抵抗体５を接続し、各電極
２１〜２３にリ−ド線３１〜３３を接続してなり、第３
電極２３とリ−ド線３３との接続箇所ｐ3から第３電極
側抵抗体端５０に至る距離Ｌを同接続箇所ｐ3から第３
電極側低融点可溶合金片端４０に至る距離Ｌ’よりも長
くした。
を向上でき、かつ充分な小型化を保証できる基板型抵抗
・温度ヒュ−ズを提供する。 【解決手段】絶縁基板１の片面に第１電極２１、第２電
極２２及び第３電極２３を設け、第１電極２１と第３電
極２３との間に低融点可溶合金片４を接続し、第２電極
２２と第３電極２３との間に抵抗体５を接続し、各電極
２１〜２３にリ−ド線３１〜３３を接続してなり、第３
電極２３とリ−ド線３３との接続箇所ｐ3から第３電極
側抵抗体端５０に至る距離Ｌを同接続箇所ｐ3から第３
電極側低融点可溶合金片端４０に至る距離Ｌ’よりも長
くした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は絶縁基板上に低融点
可溶合金片と抵抗体とを設けた抵抗・温度ヒュ−ズ、即
ち基板型抵抗・温度ヒュ−ズに関するものである。
可溶合金片と抵抗体とを設けた抵抗・温度ヒュ−ズ、即
ち基板型抵抗・温度ヒュ−ズに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電気機器の保護素子として抵抗・温度ヒ
ュ−ズを使用することがあり、この抵抗・温度ヒュ−ズ
として絶縁基板上に低融点可溶合金片と抵抗体とを設け
た基板型抵抗・温度ヒュ−ズが公知である。この抵抗・
温度ヒュ−ズにより機器を保護するには、機器の異常発
熱時にその発生熱で低融点可溶合金片を溶断させて機器
への通電を遮断し、上記異常発熱以外の異常が機器に生
じると、その異常を検出して抵抗体に電流を流し、抵抗
の通電発熱で低融点可溶合金片を溶断させて機器を電源
から遮断している。例えば、リチウムイオン二次電池の
保護に使用し、過充電時に発生する異常電圧で検出通電
制御部を作動させて抵抗体を通電発熱させその発熱で低
融点可溶合金片を溶断させて当該電池を電源から遮断
し、当該電池に短絡等により異常電流が流れて異常発熱
が発生すると、その発熱で低融点可溶合金片を溶断させ
て当該電池を負荷から遮断している。
ュ−ズを使用することがあり、この抵抗・温度ヒュ−ズ
として絶縁基板上に低融点可溶合金片と抵抗体とを設け
た基板型抵抗・温度ヒュ−ズが公知である。この抵抗・
温度ヒュ−ズにより機器を保護するには、機器の異常発
熱時にその発生熱で低融点可溶合金片を溶断させて機器
への通電を遮断し、上記異常発熱以外の異常が機器に生
じると、その異常を検出して抵抗体に電流を流し、抵抗
の通電発熱で低融点可溶合金片を溶断させて機器を電源
から遮断している。例えば、リチウムイオン二次電池の
保護に使用し、過充電時に発生する異常電圧で検出通電
制御部を作動させて抵抗体を通電発熱させその発熱で低
融点可溶合金片を溶断させて当該電池を電源から遮断
し、当該電池に短絡等により異常電流が流れて異常発熱
が発生すると、その発熱で低融点可溶合金片を溶断させ
て当該電池を負荷から遮断している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
基板型抵抗・温度ヒュ−ズでは、抵抗体の発生熱がリ−
ド線等の外部熱伝導路より漏出してその温度上昇速度が
緩慢化され易く、迅速作動性を保証し難い。
基板型抵抗・温度ヒュ−ズでは、抵抗体の発生熱がリ−
ド線等の外部熱伝導路より漏出してその温度上昇速度が
緩慢化され易く、迅速作動性を保証し難い。
【０００４】本発明の目的は、基板型抵抗・温度ヒュ−
ズにおいて、抵抗体の通電発熱による温度ヒュ−ズの作
動性を向上でき、かつ充分な小型化を保証できる基板型
抵抗・温度ヒュ−ズを提供することにある。
ズにおいて、抵抗体の通電発熱による温度ヒュ−ズの作
動性を向上でき、かつ充分な小型化を保証できる基板型
抵抗・温度ヒュ−ズを提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明に係る基板型抵抗
・温度ヒュ−ズは、絶縁基板の片面に第１電極、第２電
極及び第３電極を設け、第１電極と第３電極との間に低
融点可溶合金片を接続し、第２電極と第３電極との間に
抵抗体を接続し、各電極にリ−ド線を接続してなり、第
３電極とリ−ド線との接続箇所から第３電極側抵抗体端
に至る熱伝達路距離Ｌを同接続箇所から第３電極側低融
点可溶合金片端に至る距離Ｌ’よりも長くしたことを特
徴とする構成であり、距離Ｌを第３電極側抵抗体端と第
３電極側低融点可溶合金片端との距離Ｌ”より大とする
ことが好ましい。
・温度ヒュ−ズは、絶縁基板の片面に第１電極、第２電
極及び第３電極を設け、第１電極と第３電極との間に低
融点可溶合金片を接続し、第２電極と第３電極との間に
抵抗体を接続し、各電極にリ−ド線を接続してなり、第
３電極とリ−ド線との接続箇所から第３電極側抵抗体端
に至る熱伝達路距離Ｌを同接続箇所から第３電極側低融
点可溶合金片端に至る距離Ｌ’よりも長くしたことを特
徴とする構成であり、距離Ｌを第３電極側抵抗体端と第
３電極側低融点可溶合金片端との距離Ｌ”より大とする
ことが好ましい。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態について説明する。図１の（イ）は本発明に
係る基板型抵抗・温度ヒュ−ズを示す図面、図１の
（ロ）は図１の（イ）におけるロ−ロ断面図である。図
１において、１は耐熱性の絶縁基板、例えばセラミック
ス基板であり、通常縦横の各寸法は１０ｍｍ以下、厚み
は１ｍｍ以下である。２１は絶縁基板１の片面上に設け
た第１電極、２２は第２電極、２３は第３電極であり、
導電ペ−スト（例えば、銀ペ−スト）をスクリ−ン印刷
し、これを焼付けにより設けることができる。３１〜３
３は各電極２１〜２３に溶接またははんだ付けにより接
続したリ−ド線であり、銅線、銅メッキ鉄線等を使用で
きる。４は第１電極２１と第３電極２３との間に接続し
た低融点可溶合金片（平型線または丸線）、４１は低融
点可溶合金片４上に塗布したフラックスである。Ｌ’は
第３電極２３におけるリ−ド線接続箇所ｐ3と第３電極
側低融点可溶合金片端４０との間の距離を示している。
５は第２電極２２と第３電極２３との間に接続した抵抗
体であり、例えば、抵抗ペ−スト（例えば、酸化ルテニ
ウム粉末と無機バインダ−と溶媒との混合物）をスクリ
−ン印刷し、これを焼付けることにより設けることがで
きる。Ｌは第３電極２３におけるリ−ド線接続箇所ｐ3
と第３電極側抵抗体端５０との間の距離を示し、Ｌ＞
Ｌ’としてある。上記において、第３電極２３における
リ−ド線接続箇所ｐ3は低融点可溶合金片４を基準とし
て抵抗体５に対し遠方側に位置させてあり、低融点可溶
合金片端４０と抵抗体端５０との間の距離をＬ”とすれ
ば、Ｌ＞Ｌ”としてある。６は電極２１〜２３や低融点
可溶合金片４や抵抗体５を覆って絶縁基板１に被覆した
絶縁層であり、例えば硬化性絶縁樹脂塗料（例えばエポ
キシ樹脂塗料）の浸漬塗装や滴下塗装により設けること
ができる。
実施の形態について説明する。図１の（イ）は本発明に
係る基板型抵抗・温度ヒュ−ズを示す図面、図１の
（ロ）は図１の（イ）におけるロ−ロ断面図である。図
１において、１は耐熱性の絶縁基板、例えばセラミック
ス基板であり、通常縦横の各寸法は１０ｍｍ以下、厚み
は１ｍｍ以下である。２１は絶縁基板１の片面上に設け
た第１電極、２２は第２電極、２３は第３電極であり、
導電ペ−スト（例えば、銀ペ−スト）をスクリ−ン印刷
し、これを焼付けにより設けることができる。３１〜３
３は各電極２１〜２３に溶接またははんだ付けにより接
続したリ−ド線であり、銅線、銅メッキ鉄線等を使用で
きる。４は第１電極２１と第３電極２３との間に接続し
た低融点可溶合金片（平型線または丸線）、４１は低融
点可溶合金片４上に塗布したフラックスである。Ｌ’は
第３電極２３におけるリ−ド線接続箇所ｐ3と第３電極
側低融点可溶合金片端４０との間の距離を示している。
５は第２電極２２と第３電極２３との間に接続した抵抗
体であり、例えば、抵抗ペ−スト（例えば、酸化ルテニ
ウム粉末と無機バインダ−と溶媒との混合物）をスクリ
−ン印刷し、これを焼付けることにより設けることがで
きる。Ｌは第３電極２３におけるリ−ド線接続箇所ｐ3
と第３電極側抵抗体端５０との間の距離を示し、Ｌ＞
Ｌ’としてある。上記において、第３電極２３における
リ−ド線接続箇所ｐ3は低融点可溶合金片４を基準とし
て抵抗体５に対し遠方側に位置させてあり、低融点可溶
合金片端４０と抵抗体端５０との間の距離をＬ”とすれ
ば、Ｌ＞Ｌ”としてある。６は電極２１〜２３や低融点
可溶合金片４や抵抗体５を覆って絶縁基板１に被覆した
絶縁層であり、例えば硬化性絶縁樹脂塗料（例えばエポ
キシ樹脂塗料）の浸漬塗装や滴下塗装により設けること
ができる。
【０００７】本発明に係る抵抗・温度ヒュ−ズにより機
器を保護するには、当該抵抗・温度ヒュ−ズを機器に充
分な熱感度のもとで取付け、機器の異常発熱時にその発
生熱で低融点可溶合金片を溶断させて機器への通電を遮
断し、機器に上記異常発熱以外の異常、例えば異常電圧
が発生すると、その異常を検出して抵抗体に電流を流
し、抵抗の通電発熱で低融点可溶合金片を溶断させて機
器を電源から遮断し、図２はその保護回路の一例を示し
ている。
器を保護するには、当該抵抗・温度ヒュ−ズを機器に充
分な熱感度のもとで取付け、機器の異常発熱時にその発
生熱で低融点可溶合金片を溶断させて機器への通電を遮
断し、機器に上記異常発熱以外の異常、例えば異常電圧
が発生すると、その異常を検出して抵抗体に電流を流
し、抵抗の通電発熱で低融点可溶合金片を溶断させて機
器を電源から遮断し、図２はその保護回路の一例を示し
ている。
【０００８】図２において、Ａは本発明に係る抵抗・温
度ヒュ−ズを、４は温度ヒュ−ズエレメントとしての低
融点可溶合金片を、５は抵抗エレメントとしての膜抵抗
を、２１〜２３は第１電極〜第３電極をそれぞれ示し、
回路ｚと電源ｓとの間に上記抵抗・温度ヒュ−ズＡと過
電圧検出通電器Ｂ（トランジスタ−Ｔｒのベ−ス側にツ
エナダイオ−ドＤを接続）とを挿入し、回路ｚにツエナ
ダイオ−ドＤの降伏電圧以上の逆電圧が作用すると、ベ
−ス電流が流れ、このベ−ス電流に応じてコレクタ電流
が流れて抵抗エレメント５が通電発熱され、この発生熱
が温度ヒュ−ズエレメント４に伝達されて温度ヒュ−ズ
エレメントとしての低融点可溶合金片が溶断され、回路
ｚが電源ｓから遮断される。
度ヒュ−ズを、４は温度ヒュ−ズエレメントとしての低
融点可溶合金片を、５は抵抗エレメントとしての膜抵抗
を、２１〜２３は第１電極〜第３電極をそれぞれ示し、
回路ｚと電源ｓとの間に上記抵抗・温度ヒュ−ズＡと過
電圧検出通電器Ｂ（トランジスタ−Ｔｒのベ−ス側にツ
エナダイオ−ドＤを接続）とを挿入し、回路ｚにツエナ
ダイオ−ドＤの降伏電圧以上の逆電圧が作用すると、ベ
−ス電流が流れ、このベ−ス電流に応じてコレクタ電流
が流れて抵抗エレメント５が通電発熱され、この発生熱
が温度ヒュ−ズエレメント４に伝達されて温度ヒュ−ズ
エレメントとしての低融点可溶合金片が溶断され、回路
ｚが電源ｓから遮断される。
【０００９】本発明に係る基板型抵抗・温度ヒュ−ズに
おいては、（電極の厚み）／（絶縁基板の厚み）の比が
小さく（１／１００〜１／１０程度）、しかも、電極が
ガラス等のバインダ−と金属粒体との混合物であって熱
伝導性に優れた金属を含んでいても金属粒子間の接触に
よる熱伝達であり金属単体に較べて相当に低い熱伝導率
であるから、平面的な熱伝達に電極が関与するところは
少なく２点間での熱伝達性は２点間の距離で評価でき
る。しかるに、Ｌ＞Ｌ’として抵抗体５からリ−ド線接
続箇所ｐ3に至る距離を長くしてあるから、すなわち外
気と接して放熱点となるリ−ド線３３の始端から抵抗体
５までの距離を長くしてあるから、その放熱点に至るま
での熱抵抗を高くでき、抵抗体発生熱の外部への漏出量
をそれだれ少なくできる。更に、Ｌ＞Ｌ”としているの
で、抵抗体端５０から前記放熱点に至る熱経路の途中か
ら低融点可溶合金片４に抵抗体発生熱を伝達できて抵抗
体端５０から低融点可溶合金片端４０に至るまでの熱抵
抗を相当に低くできるので、抵抗体５の発生熱を低融点
可溶合金片４に効率よく伝達できる。従って、抵抗体発
熱に基づく低融点可溶合金片４の溶断を迅速に行わせる
ことができる。
おいては、（電極の厚み）／（絶縁基板の厚み）の比が
小さく（１／１００〜１／１０程度）、しかも、電極が
ガラス等のバインダ−と金属粒体との混合物であって熱
伝導性に優れた金属を含んでいても金属粒子間の接触に
よる熱伝達であり金属単体に較べて相当に低い熱伝導率
であるから、平面的な熱伝達に電極が関与するところは
少なく２点間での熱伝達性は２点間の距離で評価でき
る。しかるに、Ｌ＞Ｌ’として抵抗体５からリ−ド線接
続箇所ｐ3に至る距離を長くしてあるから、すなわち外
気と接して放熱点となるリ−ド線３３の始端から抵抗体
５までの距離を長くしてあるから、その放熱点に至るま
での熱抵抗を高くでき、抵抗体発生熱の外部への漏出量
をそれだれ少なくできる。更に、Ｌ＞Ｌ”としているの
で、抵抗体端５０から前記放熱点に至る熱経路の途中か
ら低融点可溶合金片４に抵抗体発生熱を伝達できて抵抗
体端５０から低融点可溶合金片端４０に至るまでの熱抵
抗を相当に低くできるので、抵抗体５の発生熱を低融点
可溶合金片４に効率よく伝達できる。従って、抵抗体発
熱に基づく低融点可溶合金片４の溶断を迅速に行わせる
ことができる。
【００１０】また、機器の異常発熱時、その発生熱が第
３電極２３のリ−ド線３３→このリ−ド線の接続箇所ｐ
3→低融点可溶合金片端４０を経て低融点可溶合金片４
に伝達される経路を考察すると、リ−ド線３３の接続箇
所ｐ3→低融点可溶合金片端４０に至る距離Ｌ’は、
Ｌ’＜Ｌであり充分に短いから当該経路の熱抵抗が小で
あり、機器の異常発熱に基づく低融点可溶合金片４の溶
断も迅速に行わせることができる。
３電極２３のリ−ド線３３→このリ−ド線の接続箇所ｐ
3→低融点可溶合金片端４０を経て低融点可溶合金片４
に伝達される経路を考察すると、リ−ド線３３の接続箇
所ｐ3→低融点可溶合金片端４０に至る距離Ｌ’は、
Ｌ’＜Ｌであり充分に短いから当該経路の熱抵抗が小で
あり、機器の異常発熱に基づく低融点可溶合金片４の溶
断も迅速に行わせることができる。
【００１１】図３の（イ）は本発明に係る基板型抵抗・
温度ヒュ−ズの別実施例を示す図面、図３の（ロ）は同
じく底面図であり、各電極２１〜２３に絶縁基板１の裏
面側に延在させた脚部２１０〜２３０を設け、これらの
脚部を回路基板にチップオンボ−ド法によりリフロ−法
ではんだ付けしての実装するものであり、第３電極の脚
部付け根２３１と第３電極側抵抗体端５０との間の距離
Ｌを同脚部付け根２３１と第３電極側低融点可溶合金片
端４０との距離Ｌ’よりも長くしてある。この基板型抵
抗・温度ヒュ−ズにおいて、第３電極の脚部は抵抗体の
通電発熱に対する外部放熱点となり、また、機器発生熱
の低融点可溶合金片への熱伝達導入点となり、第３電極
の脚部が前記実施例における第３電極のリ−ド線接続箇
所と熱的には実質的に同様な作用を奏する。従って、第
３電極２３の脚部付け根２３１から第３電極側抵抗体端
５０に至る距離Ｌを同脚部付け根２３１から第３電極側
低融点可溶合金片端４０に至る距離Ｌ’よりも長くした
ために、前記実施例と同様、抵抗体発熱に基づく低融点
可溶合金片４の溶断を迅速に行わせることができ、また
抵抗体発熱に基づく低融点可溶合金片４の溶断を迅速に
行わせることができる。図３において、１は絶縁基板、
４１はフラックス、５は抵抗体（膜抵抗）、６は絶縁層
である。
温度ヒュ−ズの別実施例を示す図面、図３の（ロ）は同
じく底面図であり、各電極２１〜２３に絶縁基板１の裏
面側に延在させた脚部２１０〜２３０を設け、これらの
脚部を回路基板にチップオンボ−ド法によりリフロ−法
ではんだ付けしての実装するものであり、第３電極の脚
部付け根２３１と第３電極側抵抗体端５０との間の距離
Ｌを同脚部付け根２３１と第３電極側低融点可溶合金片
端４０との距離Ｌ’よりも長くしてある。この基板型抵
抗・温度ヒュ−ズにおいて、第３電極の脚部は抵抗体の
通電発熱に対する外部放熱点となり、また、機器発生熱
の低融点可溶合金片への熱伝達導入点となり、第３電極
の脚部が前記実施例における第３電極のリ−ド線接続箇
所と熱的には実質的に同様な作用を奏する。従って、第
３電極２３の脚部付け根２３１から第３電極側抵抗体端
５０に至る距離Ｌを同脚部付け根２３１から第３電極側
低融点可溶合金片端４０に至る距離Ｌ’よりも長くした
ために、前記実施例と同様、抵抗体発熱に基づく低融点
可溶合金片４の溶断を迅速に行わせることができ、また
抵抗体発熱に基づく低融点可溶合金片４の溶断を迅速に
行わせることができる。図３において、１は絶縁基板、
４１はフラックス、５は抵抗体（膜抵抗）、６は絶縁層
である。
【００１２】本発明に係る基板型抵抗・温度ヒュ−ズに
おいては、第３電極を抵抗体用と低融点可溶合金片用と
に併用し、低融点可溶合金片への熱導入経路の一部を抵
抗体発熱に対する熱放出経路の一部として利用してお
り、両経路を独立して設けている従来の基板型抵抗・温
度ヒュ−ズに較べ小型にできる。
おいては、第３電極を抵抗体用と低融点可溶合金片用と
に併用し、低融点可溶合金片への熱導入経路の一部を抵
抗体発熱に対する熱放出経路の一部として利用してお
り、両経路を独立して設けている従来の基板型抵抗・温
度ヒュ−ズに較べ小型にできる。
【００１３】本発明に係る基板型抵抗・温度ヒュ−ズに
おいては、図１（図３）において各電極のリ−ド線接続
箇所ｐ1、ｐ2、ｐ3（各電極の脚部付け根）を結んだ三
角内に電極２１−２３間低融点可溶合金片部分の少なく
とも９０％が存在し、同三角外に電極２２−２３間抵抗
体部分の少なくとも８５％が存在するように設計するこ
とが寸法上好ましい。
おいては、図１（図３）において各電極のリ−ド線接続
箇所ｐ1、ｐ2、ｐ3（各電極の脚部付け根）を結んだ三
角内に電極２１−２３間低融点可溶合金片部分の少なく
とも９０％が存在し、同三角外に電極２２−２３間抵抗
体部分の少なくとも８５％が存在するように設計するこ
とが寸法上好ましい。
【００１４】なお、上記実施例においては、Ｌ＞Ｌ”と
しているが、Ｌ”＞Ｌのもとで、Ｌ＞Ｌ’の形態で実施
することも可能である。
しているが、Ｌ”＞Ｌのもとで、Ｌ＞Ｌ’の形態で実施
することも可能である。
【００１５】
【発明の効果】本発明に係る基板型抵抗・温度ヒュ−ズ
においては、低融点可溶合金片と抵抗体に対する共通電
極である第３電極のリ−ド線接続位置を特定の位置にす
ることにより、抵抗体発熱に基づく低融点可溶合金片の
溶断を迅速に行わせることができ、また抵抗体発熱に基
づく低融点可溶合金片の溶断を迅速に行わせることがで
きるようにしてあり、作動速度の迅速化を図ることがで
きる。また、第３電極を抵抗体用と低融点可溶合金片用
とに併用し、低融点可溶合金片への熱導入経路の一部を
抵抗体発熱に対する熱放出経路の一部として利用してお
り、両経路を独立して設けている従来の基板型抵抗・温
度ヒュ−ズに較べ小型にできる。
においては、低融点可溶合金片と抵抗体に対する共通電
極である第３電極のリ−ド線接続位置を特定の位置にす
ることにより、抵抗体発熱に基づく低融点可溶合金片の
溶断を迅速に行わせることができ、また抵抗体発熱に基
づく低融点可溶合金片の溶断を迅速に行わせることがで
きるようにしてあり、作動速度の迅速化を図ることがで
きる。また、第３電極を抵抗体用と低融点可溶合金片用
とに併用し、低融点可溶合金片への熱導入経路の一部を
抵抗体発熱に対する熱放出経路の一部として利用してお
り、両経路を独立して設けている従来の基板型抵抗・温
度ヒュ−ズに較べ小型にできる。
【図１】本発明に係る基板型抵抗・温度ヒュ−ズの一例
を示す図面である。
を示す図面である。
【図２】本発明に係る基板型抵抗・温度ヒュ−ズの使用
状態を示す図面である。
状態を示す図面である。
【図３】本発明に係る基板型抵抗・温度ヒュ−ズの別例
を示す図面である。
を示す図面である。
１ 絶縁基板 ２１ 第１電極 ２２ 第２電極 ２３ 第３電極 ３１ リ−ド線 ３２ リ−ド線 ３３ リ−ド線 ４ 低融点可溶合金片 ４０ 第３電極側低融点可溶合金片端 ｐ3 第３電極とリ−ド線との接続箇所 ５ 抵抗体 ５０ 第３電極側抵抗体端 ２３１ 第３電極の脚部付け根
Claims (4)
- 【請求項１】絶縁基板の片面に第１電極、第２電極及び
第３電極を設け、第１電極と第３電極との間に低融点可
溶合金片を接続し、第２電極と第３電極との間に抵抗体
を接続し、各電極にリ−ド線を接続してなり、第３電極
とリ−ド線との接続箇所から第３電極側抵抗体端に至る
熱抵抗を同接続箇所から第３電極側低融点可溶合金片端
に至る熱抵抗よりも大としたことを特徴とする基板型抵
抗・温度ヒュ−ズ。 - 【請求項２】絶縁基板の片面に第１電極、第２電極及び
第３電極を設け、第１電極と第３電極との間に低融点可
溶合金片を接続し、第２電極と第３電極との間に抵抗体
を接続し、各電極にリ−ド線を接続してなり、第３電極
とリ−ド線との接続箇所から第３電極側抵抗体端に至る
距離Ｌを同接続箇所から第３電極側低融点可溶合金片端
に至る距離Ｌ’よりも長くしたことを特徴とする基板型
抵抗・温度ヒュ−ズ。 - 【請求項３】絶縁基板の片面に第１電極、第２電極及び
第３電極を設け、第１電極と第３電極との間に低融点可
溶合金片を接続し、第２電極と第３電極との間に抵抗体
を接続し、各電極に回路板の導体に接合する脚部を設け
てなり、第３電極の脚部付け根から第３電極側抵抗体端
に至る距離Ｌを同脚部付け根から第３電極側低融点可溶
合金片端に至る距離Ｌ’よりも長くしたことを特徴とす
る基板型抵抗・温度ヒュ−ズ。 - 【請求項４】距離Ｌを第３電極側抵抗体端と第３電極側
低融点可溶合金片端との距離Ｌ”より大とした請求項２
または３記載の基板型抵抗・温度ヒュ−ズ。
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| JP16431298A JP4112078B2 (ja) | 1998-05-27 | 1998-05-27 | 基板型抵抗・温度ヒュ−ズ |
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| JP16431298A JP4112078B2 (ja) | 1998-05-27 | 1998-05-27 | 基板型抵抗・温度ヒュ−ズ |
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP16431298A Expired - Fee Related JP4112078B2 (ja) | 1998-05-27 | 1998-05-27 | 基板型抵抗・温度ヒュ−ズ |
Country Status (1)
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| JP (1) | JP4112078B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6504467B1 (en) * | 1999-07-31 | 2003-01-07 | Mannesmann Vdo Ag | Switch integral in a semiconductor element |
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1998
- 1998-05-27 JP JP16431298A patent/JP4112078B2/ja not_active Expired - Fee Related
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