JPH0436021Y2 - - Google Patents
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- JPH0436021Y2 JPH0436021Y2 JP1393386U JP1393386U JPH0436021Y2 JP H0436021 Y2 JPH0436021 Y2 JP H0436021Y2 JP 1393386 U JP1393386 U JP 1393386U JP 1393386 U JP1393386 U JP 1393386U JP H0436021 Y2 JPH0436021 Y2 JP H0436021Y2
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- layered
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- point metal
- metal body
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- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 32
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 22
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 10
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- 229910020220 Pb—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
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Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Fuses (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
＜産業上の利用分野＞
本考案は抵抗・温度ヒユーズ結合体の改良に関
するものである。
するものである。
＜先行技術と問題点＞
温度ヒユーズを直列に付設した抵抗素子におい
ては、抵抗体が過電流により発熱するとその発熱
により温度ヒユーズを溶断させて、抵抗体への通
電を遮断することができ、抵抗体の異常発熱から
回路を保護できる。
ては、抵抗体が過電流により発熱するとその発熱
により温度ヒユーズを溶断させて、抵抗体への通
電を遮断することができ、抵抗体の異常発熱から
回路を保護できる。
かかる温度ヒユーズ付きの抵抗素子として、第
４図に示すように、絶縁基板１′上に電極２１′，
２２′並びに２３′を設け、電極２１′と電極２
２′との間に層状抵抗体３′を設け、電極２１′と
電極２３′との間に層状低融点金属体４′を設け、
絶縁基板１′上に絶縁層７′を設けたものが公知で
ある。８′，８′はリード導体である。
４図に示すように、絶縁基板１′上に電極２１′，
２２′並びに２３′を設け、電極２１′と電極２
２′との間に層状抵抗体３′を設け、電極２１′と
電極２３′との間に層状低融点金属体４′を設け、
絶縁基板１′上に絶縁層７′を設けたものが公知で
ある。８′，８′はリード導体である。
しかしながら、この温度ヒユーズ付抵抗体にお
ける、電極２１′近傍の層状低融点金属体部分４
０′には抵抗体３′の発生熱が電極２１′を熱伝導
路としてよく伝導するので、その層状低融点金属
体部分４０′はよく加熱されるが、他の低融点金
属体部分は加熱され難い。このため層状低融点金
属体が不均一加熱となり、溶断が遅延し、作動性
に問題がある。
ける、電極２１′近傍の層状低融点金属体部分４
０′には抵抗体３′の発生熱が電極２１′を熱伝導
路としてよく伝導するので、その層状低融点金属
体部分４０′はよく加熱されるが、他の低融点金
属体部分は加熱され難い。このため層状低融点金
属体が不均一加熱となり、溶断が遅延し、作動性
に問題がある。
＜考案の目的＞
本考案の目的は、層状低融点金属体の均一加熱
を図つて、作動性に秀れた基板型の抵抗・温度ヒ
ユーズ結合体を提供することにある。
を図つて、作動性に秀れた基板型の抵抗・温度ヒ
ユーズ結合体を提供することにある。
＜考案の構成＞
本考案に係る抵抗・温度ヒユーズ結合体は、絶
縁基板上に異る位置において層状抵抗体と層状低
融点金属体とを設け、層状低融点金属体上に絶縁
膜を介して層状熱良伝導体を設け、この層状熱良
伝導体と上記層状抵抗体とを熱伝導可能なように
連結したことを特徴とする構成である。
縁基板上に異る位置において層状抵抗体と層状低
融点金属体とを設け、層状低融点金属体上に絶縁
膜を介して層状熱良伝導体を設け、この層状熱良
伝導体と上記層状抵抗体とを熱伝導可能なように
連結したことを特徴とする構成である。
＜実施例の説明＞
以下、図面により本考案を説明する。
第１図Ａは本考案に係る温度ヒユーズ付抵抗素
子を示す説明図、第１図Ｂは第１図Ａにおけるｂ
−ｂ断面図である。
子を示す説明図、第１図Ｂは第１図Ａにおけるｂ
−ｂ断面図である。
第１図Ａ並びに第１図Ｂにおいて、１は絶縁基
板であり、セラミツク板、耐熱性プラスチツク板
を用いることができる。２１，２２並びに２３は
箔状電極である。３は層状抵抗体であり、電極２
１と電極２２との間に設けてある。４は層状低融
点金属体（例えば、Pb−Sn合金系）であり、電
極２１と電極２３との間に設けてある。５は層状
熱良伝導体であり、その熱伝導性は層状低融点金
属体４よりも一段と秀れ、層状低融点金属体４の
直下に絶縁膜６を介して設けてある。この層状熱
良伝導体５は電極２１に連結してあり、電極２３
とは分離してある。この層状熱伝導体５には電極
２３と同じものを用いることができる。７は絶縁
基板上に設けた絶縁層、８，８はリード導体であ
る。
板であり、セラミツク板、耐熱性プラスチツク板
を用いることができる。２１，２２並びに２３は
箔状電極である。３は層状抵抗体であり、電極２
１と電極２２との間に設けてある。４は層状低融
点金属体（例えば、Pb−Sn合金系）であり、電
極２１と電極２３との間に設けてある。５は層状
熱良伝導体であり、その熱伝導性は層状低融点金
属体４よりも一段と秀れ、層状低融点金属体４の
直下に絶縁膜６を介して設けてある。この層状熱
良伝導体５は電極２１に連結してあり、電極２３
とは分離してある。この層状熱伝導体５には電極
２３と同じものを用いることができる。７は絶縁
基板上に設けた絶縁層、８，８はリード導体であ
る。
上記において、過電流により層状抵抗体３が発
熱すると、この発生熱が電極２１を熱伝導路とし
て層状熱良伝導体５に伝導され、層状低融点金属
体４を電極２１側の一端４０からのみならず、直
下からも加熱できるので、層状低融点金属体４を
よく一様に加熱できる。
熱すると、この発生熱が電極２１を熱伝導路とし
て層状熱良伝導体５に伝導され、層状低融点金属
体４を電極２１側の一端４０からのみならず、直
下からも加熱できるので、層状低融点金属体４を
よく一様に加熱できる。
第２図は本考案の別実施例を示し、層状熱良伝
導体５を層状低融点金属体４の中間部に交叉させ
てある。６は層状熱良伝導体５と層状低融点金属
体４とを絶縁せる絶縁膜である。
導体５を層状低融点金属体４の中間部に交叉させ
てある。６は層状熱良伝導体５と層状低融点金属
体４とを絶縁せる絶縁膜である。
第３図は本考案の別実施例に係る抵抗体付き温
度ヒユーズを示し、３並びに４は互に独立の層状
抵抗体並びに層状低融点金属体、５は層状抵抗体
３に熱伝導可能なように連結した層状良熱伝導体
であり、絶縁膜６を介して層状低融点金属体４に
交叉させてある。８１，８１並びに８２，８２は
それぞれリード導体である。
度ヒユーズを示し、３並びに４は互に独立の層状
抵抗体並びに層状低融点金属体、５は層状抵抗体
３に熱伝導可能なように連結した層状良熱伝導体
であり、絶縁膜６を介して層状低融点金属体４に
交叉させてある。８１，８１並びに８２，８２は
それぞれリード導体である。
この温度ヒユーズにおいては、層状抵抗体３を
被保護回路に接続し、層状低融点金属体４を被保
護回路のリレー回路に接続して、被保護回路の過
電流により層状抵抗体３を発熱させ、この発熱に
より層状低融点金属体４を溶断させる。而るに、
層状低融点金属体４がその直下から層状熱良伝導
体５によつて加熱されるので、層状低融点金属体
４を一様に加熱でき、層状低融点金属体４を円滑
に溶断できる。従つて、被保護回路を良好に保護
できる。
被保護回路に接続し、層状低融点金属体４を被保
護回路のリレー回路に接続して、被保護回路の過
電流により層状抵抗体３を発熱させ、この発熱に
より層状低融点金属体４を溶断させる。而るに、
層状低融点金属体４がその直下から層状熱良伝導
体５によつて加熱されるので、層状低融点金属体
４を一様に加熱でき、層状低融点金属体４を円滑
に溶断できる。従つて、被保護回路を良好に保護
できる。
＜考案の効果＞
本考案に係る抵抗・温度ヒユーズ結合体におい
ては、上述した通り、層状低融点金属体を一様に
加熱できるので、作動特性に秀れている。また、
層状抵抗体と層状低融点金属体とを別の位置に設
けてあるので、通常のヒートサイクル下では、低
融点金属体を安定に保持できる。
ては、上述した通り、層状低融点金属体を一様に
加熱できるので、作動特性に秀れている。また、
層状抵抗体と層状低融点金属体とを別の位置に設
けてあるので、通常のヒートサイクル下では、低
融点金属体を安定に保持できる。
第１図Ａは本考案に係る抵抗・温度ヒユーズ結
合体を示す説明図、第１図Ｂは第１図Ａにおける
ｂ−ｂ断面図、第２図並びに第３図はそれぞれ本
考案の別実施例を示す説明図、第４図は公知の抵
抗・温度ヒユーズ結合体を示す説明図である。 図において、１は絶縁基板、２１，２２並びに
２３は電極、３は層状抵抗体、４は層状低融点金
属体、５は層状熱良伝導体、６は絶縁膜である。
合体を示す説明図、第１図Ｂは第１図Ａにおける
ｂ−ｂ断面図、第２図並びに第３図はそれぞれ本
考案の別実施例を示す説明図、第４図は公知の抵
抗・温度ヒユーズ結合体を示す説明図である。 図において、１は絶縁基板、２１，２２並びに
２３は電極、３は層状抵抗体、４は層状低融点金
属体、５は層状熱良伝導体、６は絶縁膜である。
Claims (1)
- 絶縁基板上に異る位置において層状抵抗体と層
状低融点金属体とを設け、層状低融点金属体上に
絶縁膜を介して層状熱良伝導体を設け、この層状
熱良伝導体と上記層状抵抗体とを熱伝導可能なよ
うに連結したことを特徴とする抵抗・温度ヒユー
ズ結合体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1393386U JPH0436021Y2 (ja) | 1986-01-31 | 1986-01-31 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1393386U JPH0436021Y2 (ja) | 1986-01-31 | 1986-01-31 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62126041U JPS62126041U (ja) | 1987-08-10 |
| JPH0436021Y2 true JPH0436021Y2 (ja) | 1992-08-26 |
Family
ID=30803454
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1393386U Expired JPH0436021Y2 (ja) | 1986-01-31 | 1986-01-31 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0436021Y2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000011831A (ja) | 1998-06-19 | 2000-01-14 | Nec Kansai Ltd | 抵抗付温度ヒューズ |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4967849B2 (ja) * | 2007-06-26 | 2012-07-04 | パナソニック株式会社 | 保護装置 |
-
1986
- 1986-01-31 JP JP1393386U patent/JPH0436021Y2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000011831A (ja) | 1998-06-19 | 2000-01-14 | Nec Kansai Ltd | 抵抗付温度ヒューズ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62126041U (ja) | 1987-08-10 |
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