JPS5877203A - セラミツクバリスタ - Google Patents
セラミツクバリスタInfo
- Publication number
- JPS5877203A JPS5877203A JP56176000A JP17600081A JPS5877203A JP S5877203 A JPS5877203 A JP S5877203A JP 56176000 A JP56176000 A JP 56176000A JP 17600081 A JP17600081 A JP 17600081A JP S5877203 A JPS5877203 A JP S5877203A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- heat
- ceramic
- insulating layer
- ceramic substrate
- Prior art date
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- Granted
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はセラミックバリスタに関するものであって、そ
の目的とするとζろは異常電圧又は過大な侵入サージに
よって破損されることのない自己防御作用を備えたセラ
ミックバリスタを提供するととＫある。
の目的とするとζろは異常電圧又は過大な侵入サージに
よって破損されることのない自己防御作用を備えたセラ
ミックバリスタを提供するととＫある。
酸化亜鉛を主体とするセラミックバリスタは、酸化亜鉛
にビスマス、アンチモン、コバルト、マンガン等の金属
酸化物を添加して混合成形し、１０００〜１３００℃で
暁結して形成され、すぐれた非直線電圧抵抗特性を有す
るので各種電気回路のサージ吸収器として広く用いられ
ている。第１図は従来のセラミックバリスタを示してい
る。１はセラミック基板で、その表面および裏面には、
銀又は銅、あるいはアルミニューム等の導電性金属の焼
き付け、メッキあるいは溶射等によって平面電極２．２
′を形成している。６．３Ｉは平面電極２．２′に半田
付けされたリード線である。
にビスマス、アンチモン、コバルト、マンガン等の金属
酸化物を添加して混合成形し、１０００〜１３００℃で
暁結して形成され、すぐれた非直線電圧抵抗特性を有す
るので各種電気回路のサージ吸収器として広く用いられ
ている。第１図は従来のセラミックバリスタを示してい
る。１はセラミック基板で、その表面および裏面には、
銀又は銅、あるいはアルミニューム等の導電性金属の焼
き付け、メッキあるいは溶射等によって平面電極２．２
′を形成している。６．３Ｉは平面電極２．２′に半田
付けされたリード線である。
ところで上記構造のセラミックバリスタは、定格最大値
以上の異常電圧が印加されたとき、あるい轄耐量以上の
過大サージが侵入したときは短絡、破壊されるので、回
路に遮断器又は市流ヒーーズを接続してこれを異常電圧
および過大サージから保護している。本発明はこの点に
かんがみ、セラミックバリスタそれ自体に異常電圧およ
び過大サージに対する防御機能を付与することによシ、
遮断器、電流ヒーーズ等を省略し、配線基板を簡素化す
ることを意図するものである。
以上の異常電圧が印加されたとき、あるい轄耐量以上の
過大サージが侵入したときは短絡、破壊されるので、回
路に遮断器又は市流ヒーーズを接続してこれを異常電圧
および過大サージから保護している。本発明はこの点に
かんがみ、セラミックバリスタそれ自体に異常電圧およ
び過大サージに対する防御機能を付与することによシ、
遮断器、電流ヒーーズ等を省略し、配線基板を簡素化す
ることを意図するものである。
本発明の実施例を第２図、第６図および第４図によって
説明する。第２図において、４は長方形のセラミック基
板で、その表面お、よぴａｈの中央部には若干の巾をも
つ耐熱絶縁層５．５が設けである。この耐熱性縁層５．
５１は耐熱ガラスあるいはアルミナなどの耐熱性無機絶
縁材料を焼付け、溶射などの方法によってＦ十ｂ−１シ 程度の厚さ前形成される。第３図において、６６１は表
面および裏面の中央部に設は九Ａｉｌ記耐熱絶縁層５．
５′の両側に分離して設けた平向電極で、巾の狭い渡り
電極７．７′によって連通されている。平面電極６．６
１は釧父は銅あるいはアルミニニームの焼付け、メッキ
、溶射などの方法によって形成される。渡シ電極７．７
１は比較的融点の低いアルミニューム等の易溶性金属の
溶射あるいは蒸着によって耐熱絶縁層５．５１の上に形
成され、その厚さは数ミクロンないし′５０μ謂である
。８．８１は表面および裏面の渡シ電極７．７′の中心
部に半田付けされたリード線である。リード線８．８Ｉ
を半田付けしたセラミック基板４は、その表面をエポキ
シ樹脂などによってコーティングされる。
説明する。第２図において、４は長方形のセラミック基
板で、その表面お、よぴａｈの中央部には若干の巾をも
つ耐熱絶縁層５．５が設けである。この耐熱性縁層５．
５１は耐熱ガラスあるいはアルミナなどの耐熱性無機絶
縁材料を焼付け、溶射などの方法によってＦ十ｂ−１シ 程度の厚さ前形成される。第３図において、６６１は表
面および裏面の中央部に設は九Ａｉｌ記耐熱絶縁層５．
５′の両側に分離して設けた平向電極で、巾の狭い渡り
電極７．７′によって連通されている。平面電極６．６
１は釧父は銅あるいはアルミニニームの焼付け、メッキ
、溶射などの方法によって形成される。渡シ電極７．７
１は比較的融点の低いアルミニューム等の易溶性金属の
溶射あるいは蒸着によって耐熱絶縁層５．５１の上に形
成され、その厚さは数ミクロンないし′５０μ謂である
。８．８１は表面および裏面の渡シ電極７．７′の中心
部に半田付けされたリード線である。リード線８．８Ｉ
を半田付けしたセラミック基板４は、その表面をエポキ
シ樹脂などによってコーティングされる。
第４図は本発明の他の実施例である。この実施例は耐熱
絶縁層および渡シ電極を含む上記の構造をセラきツク基
板の表面にのみ設け、裏面には第１図の平面電極２１と
同様な裏面電極９を設け、これにリード線８１が半田付
けしである。
絶縁層および渡シ電極を含む上記の構造をセラきツク基
板の表面にのみ設け、裏面には第１図の平面電極２１と
同様な裏面電極９を設け、これにリード線８１が半田付
けしである。
次に本発明のセラミックバリスタの作用を説・明する。
いま、過大サージの侵入によって第５図に示すようにセ
ラミック基板４に短絡１が発生したとする。このときの
短絡電流はリード線８から渡り電極７．７，１を通過し
てリード線８Ｉに流れるから易溶性金輌よシなる渡り電
極７．１倶 ７１舎通過電流によって溶断される。溶断の個所はｂ又
はｂ′若しくはその双方である。′ＰＩ絡の場所がａと
反対側のａｌの場合は、溶゛断の１帖１所はＣ又はａｌ
若しくはその双方である。第４図の実施例の場合は、溶
断の個所はｂ又＃″Ｊｃのみとなる。すなわち、渡シ電
極７．７１Ｖｉ電が１ヒエーズとして作用するからその
材料、厚み、巾、長さは遮断電流によって設定される。
ラミック基板４に短絡１が発生したとする。このときの
短絡電流はリード線８から渡り電極７．７，１を通過し
てリード線８Ｉに流れるから易溶性金輌よシなる渡り電
極７．１倶 ７１舎通過電流によって溶断される。溶断の個所はｂ又
はｂ′若しくはその双方である。′ＰＩ絡の場所がａと
反対側のａｌの場合は、溶゛断の１帖１所はＣ又はａｌ
若しくはその双方である。第４図の実施例の場合は、溶
断の個所はｂ又＃″Ｊｃのみとなる。すなわち、渡シ電
極７．７１Ｖｉ電が１ヒエーズとして作用するからその
材料、厚み、巾、長さは遮断電流によって設定される。
第１図の従来のセラミックバリスタにおいては、知絡が
発生すると短絡電流によりてセラミツ゛り基板に低抵抗
の貫通孔を生じ、この貫通孔を通過する過大電流のジェ
ール熱によってセラミック基板が焼損するが、本発明は
渡多電極の溶断によってこれを未然に防止するばかシで
なく、知絡が発生した後も、残シの半分がセラミックバ
リスタとしての作用を保持している。
発生すると短絡電流によりてセラミツ゛り基板に低抵抗
の貫通孔を生じ、この貫通孔を通過する過大電流のジェ
ール熱によってセラミック基板が焼損するが、本発明は
渡多電極の溶断によってこれを未然に防止するばかシで
なく、知絡が発生した後も、残シの半分がセラミックバ
リスタとしての作用を保持している。
以上述べたように本発明のセラミックバリスタは、セラ
ミック基板４の表面および裏面の中央部に若干の巾をも
つ耐熱絶縁層を設け、この耐熱絶縁層の両側に分離され
た平面電極を前記セラミック基板４０表面および裏面に
左右対称に形成し、前記２分された平面電極を前記耐熱
絶縁層の上に形成し・た巾の狭い易溶性金属よりなる渡
り電極によって連通させ、この渡り電極の中心にリード
線を半田付けした構造を有するので、定格最大値以上の
異常電圧が印加されたとき、あるいは耐量以上の過大サ
ージが侵入し゛たときには渡り電極が溶断してセラミッ
ク（す々 スタの破壊焼損を未然に防止する。したがって、セラミ
ックパリス、りを保護するための遮断器又は電流ヒユー
ズの必要力５ないから配線基板が簡素化され、冒頭で述
べた本発明の目的を達成する作用効果を有する。
ミック基板４の表面および裏面の中央部に若干の巾をも
つ耐熱絶縁層を設け、この耐熱絶縁層の両側に分離され
た平面電極を前記セラミック基板４０表面および裏面に
左右対称に形成し、前記２分された平面電極を前記耐熱
絶縁層の上に形成し・た巾の狭い易溶性金属よりなる渡
り電極によって連通させ、この渡り電極の中心にリード
線を半田付けした構造を有するので、定格最大値以上の
異常電圧が印加されたとき、あるいは耐量以上の過大サ
ージが侵入し゛たときには渡り電極が溶断してセラミッ
ク（す々 スタの破壊焼損を未然に防止する。したがって、セラミ
ックパリス、りを保護するための遮断器又は電流ヒユー
ズの必要力５ないから配線基板が簡素化され、冒頭で述
べた本発明の目的を達成する作用効果を有する。
第１図：従来のセラミックバリスタ′を示す図で、（イ
）は平面図、←）は側面図 第２同二本発明のセラミック基板の実施例を示す図で、
６）は平面図、←）は側面図 第６図工本発明のセラミックバリスタの実施例を示す図
で、ｆｌ）は平面図、（ｏ）は側面図第４図：本発明の
セラミックバリスタの他の実施例の側面図 第５図工本発明のセラミックバリスタの作用説・明図 〔記号〕４・・・セラミック基板、５．５１・・・耐熱
絶縁層、６．６１・・、平面電極、７．７′−・・渡り
電極、８．８１・・・リード線、９・・・裏面１［極代
理人弁理士 芝 崎 政 信
）は平面図、←）は側面図 第２同二本発明のセラミック基板の実施例を示す図で、
６）は平面図、←）は側面図 第６図工本発明のセラミックバリスタの実施例を示す図
で、ｆｌ）は平面図、（ｏ）は側面図第４図：本発明の
セラミックバリスタの他の実施例の側面図 第５図工本発明のセラミックバリスタの作用説・明図 〔記号〕４・・・セラミック基板、５．５１・・・耐熱
絶縁層、６．６１・・、平面電極、７．７′−・・渡り
電極、８．８１・・・リード線、９・・・裏面１［極代
理人弁理士 芝 崎 政 信
Claims (2)
- （１） セラミック基板の表面および裏面の中央部に
若干の巾をもつ耐熱絶縁層を設け、この耐熱絶縁層の両
側に分離された平面！極を前記セラミック基板の表面お
よび裏面に左右対称に形成し、前記２分された平面電極
を前記耐熱絶縁層の上に設けた巾の狭い易溶性金楓よ如
なる渡シ電極によって連通させ、この渡り電極の中心部
に、リード線を半田付けしたセラミックバリスタ - （２） 耐熱絶縁層および渡シ電極を含む％許請木の
範囲（１）の電極構造をセラミック基板の表面にのみ設
け、セラミック基板の裏面には１個の平面電極を設けて
これにリード線を半ｌ」伺けしたセラミックバリスタ
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56176000A JPH0247844B2 (ja) | 1981-11-02 | 1981-11-02 | Seramitsukubarisuta |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56176000A JPH0247844B2 (ja) | 1981-11-02 | 1981-11-02 | Seramitsukubarisuta |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5877203A true JPS5877203A (ja) | 1983-05-10 |
| JPH0247844B2 JPH0247844B2 (ja) | 1990-10-23 |
Family
ID=16005951
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56176000A Expired - Lifetime JPH0247844B2 (ja) | 1981-11-02 | 1981-11-02 | Seramitsukubarisuta |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0247844B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105304243A (zh) * | 2015-11-12 | 2016-02-03 | 郑品章 | 压敏电阻 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0523638U (ja) * | 1991-08-13 | 1993-03-26 | アルプス電気株式会社 | ダブルスーパーヘテロダイン方式チユーナ |
-
1981
- 1981-11-02 JP JP56176000A patent/JPH0247844B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105304243A (zh) * | 2015-11-12 | 2016-02-03 | 郑品章 | 压敏电阻 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0247844B2 (ja) | 1990-10-23 |
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