JPH0139064Y2 - - Google Patents
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- JPH0139064Y2 JPH0139064Y2 JP928882U JP928882U JPH0139064Y2 JP H0139064 Y2 JPH0139064 Y2 JP H0139064Y2 JP 928882 U JP928882 U JP 928882U JP 928882 U JP928882 U JP 928882U JP H0139064 Y2 JPH0139064 Y2 JP H0139064Y2
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- Japan
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- conductive layer
- input
- side conductive
- output
- grounding
- Prior art date
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
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- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
- Fuses (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は交流または直流電源、または外部へ長
く引きのばした信号伝送線から電子機器へ侵入す
る線間および線と大地間のサージからこれらを保
護するために用いるサージ吸収器に関するもので
ある。
く引きのばした信号伝送線から電子機器へ侵入す
る線間および線と大地間のサージからこれらを保
護するために用いるサージ吸収器に関するもので
ある。
従来からこのようなサージ吸収器としては、固
定抵抗、コイル、ツエナーダイオード、酸化亜鉛
形電圧非直線抵抗などのデイスクリート部品と、
避雷管などのギヤツプ式避雷器や電流ヒユーズな
どを基板上で接続して用いていた。
定抵抗、コイル、ツエナーダイオード、酸化亜鉛
形電圧非直線抵抗などのデイスクリート部品と、
避雷管などのギヤツプ式避雷器や電流ヒユーズな
どを基板上で接続して用いていた。
しかしながら、デイスクリート部品を使用して
いるため形状的に大きくなり、小形化を目的とす
る電子機器に実装するのが困難であつたり、基板
としてプリント基板を用いるのが一般的であるた
め、定格以上のサージの侵入によつてこれらの部
品が破壊し短絡現象になり短絡電流が流れてプリ
ント基板を焼損させたり、形状が大形になること
により各部品間の接続線のサージに対するインピ
ーダンスが大きくなり、特に制限電圧に直接影響
を与える個所のインピーダンスが大きいとサージ
吸収器の保護レベルが高くなり、電圧抑制効果が
小さくなるといつた欠点があつた。
いるため形状的に大きくなり、小形化を目的とす
る電子機器に実装するのが困難であつたり、基板
としてプリント基板を用いるのが一般的であるた
め、定格以上のサージの侵入によつてこれらの部
品が破壊し短絡現象になり短絡電流が流れてプリ
ント基板を焼損させたり、形状が大形になること
により各部品間の接続線のサージに対するインピ
ーダンスが大きくなり、特に制限電圧に直接影響
を与える個所のインピーダンスが大きいとサージ
吸収器の保護レベルが高くなり、電圧抑制効果が
小さくなるといつた欠点があつた。
本考案は以上のような従来の欠点を除去するも
のであり、小形で基板の焼損もなく、特性的にも
安定したサージ吸収器を提供することを目的とす
るものである。
のであり、小形で基板の焼損もなく、特性的にも
安定したサージ吸収器を提供することを目的とす
るものである。
上記目的を達成するために本考案は、セラミツ
クスなどの耐熱性絶縁基板上にデイスクリート部
品の他にサージ吸収器として厚膜チツプ形状のも
のを用い、ギヤツプ式避雷管として耐熱性絶縁基
板にスリツトを形成して構成し、電流ヒユーズと
して導電パターンの幅、長さを調整して構成した
ことを特徴とするものである。
クスなどの耐熱性絶縁基板上にデイスクリート部
品の他にサージ吸収器として厚膜チツプ形状のも
のを用い、ギヤツプ式避雷管として耐熱性絶縁基
板にスリツトを形成して構成し、電流ヒユーズと
して導電パターンの幅、長さを調整して構成した
ことを特徴とするものである。
以下、本考案の実施例を図面第1図〜第10図
により説明する。
により説明する。
まず、第1図〜第3図において、セラミツク基
板上に電流制限用部品として固定抵抗を、電圧制
限用部品として酸化亜鉛形電圧非直線抵抗素子を
用いた実施例について説明する。
板上に電流制限用部品として固定抵抗を、電圧制
限用部品として酸化亜鉛形電圧非直線抵抗素子を
用いた実施例について説明する。
1はアルミナ磁器などのセラミツクからなる耐
熱性絶縁基板であり、この耐熱性絶縁基板1の上
面中央部に接地用導電層2を設け、この接地用導
電層2の両側に入力側導電層3,4と出力側導電
層5,6を銀の焼付けなどにより設けてある。上
記入力側導電層3と出力側導電層5、入力側導電
層4と出力側導電層6はそれぞれ直線上に設けら
れ、この入力側導電層3と出力側導電層5との
間、入力側導電層4と出力側導電層6との間には
厚膜抵抗のような電流制限用部品7,8がそれぞ
れ設けられている。
熱性絶縁基板であり、この耐熱性絶縁基板1の上
面中央部に接地用導電層2を設け、この接地用導
電層2の両側に入力側導電層3,4と出力側導電
層5,6を銀の焼付けなどにより設けてある。上
記入力側導電層3と出力側導電層5、入力側導電
層4と出力側導電層6はそれぞれ直線上に設けら
れ、この入力側導電層3と出力側導電層5との
間、入力側導電層4と出力側導電層6との間には
厚膜抵抗のような電流制限用部品7,8がそれぞ
れ設けられている。
また、接地用導電層2と入力側導電層3,4と
の間には放電ギヤツプに相当するスリツト9,1
0が耐熱性絶縁基板1に設けられている。
の間には放電ギヤツプに相当するスリツト9,1
0が耐熱性絶縁基板1に設けられている。
さらに、この入力側導電層3,4には、幅を狭
くして所定のサージ電流または短絡電流以上の電
流で溶断するように構成した溶断部11,12が
設けられ、この溶断部11,12の端部には入力
端15,16が設けられている。
くして所定のサージ電流または短絡電流以上の電
流で溶断するように構成した溶断部11,12が
設けられ、この溶断部11,12の端部には入力
端15,16が設けられている。
また、接地用導電層2と出力側導電層5,6間
にはそれぞれ酸化亜鉛形電圧非直線抵抗素子1
3,14が接続されている。
にはそれぞれ酸化亜鉛形電圧非直線抵抗素子1
3,14が接続されている。
上記入力端15,16、出力側導電層5,6の
端部、接地用導電層2の一端部17にはそれぞれ
リード線(図示せず)が接続され、このリード線
を除く全体は保護モールドされている。
端部、接地用導電層2の一端部17にはそれぞれ
リード線(図示せず)が接続され、このリード線
を除く全体は保護モールドされている。
第3図は上記構成のサージ吸収器の電気的等価
回路図である。
回路図である。
第4図〜第6図に示す実施例は、上述の実施例
の入力側導電層3,4を3a,3b、4a,4b
に分割し、この入力側導電層3aと3b間および
4aと4b間に続流防止用特性要素として酸化亜
鉛形電圧非直線抵抗素子18,19を接続し、入
力側導電層3bと接地用導電層2間および入力側
導電層4bと接地用導電層2間にスリツト9,1
0が形成された構成となつており、他の部分は上
述の実施例と同一であり、第6図は同等価回路図
である。
の入力側導電層3,4を3a,3b、4a,4b
に分割し、この入力側導電層3aと3b間および
4aと4b間に続流防止用特性要素として酸化亜
鉛形電圧非直線抵抗素子18,19を接続し、入
力側導電層3bと接地用導電層2間および入力側
導電層4bと接地用導電層2間にスリツト9,1
0が形成された構成となつており、他の部分は上
述の実施例と同一であり、第6図は同等価回路図
である。
また、第7図〜第9図に示す実施例は、第4図
〜第6図に示した実施例に出力側導電層22,2
3を追加し、出力側導電層5と22,6と23間
に固定抵抗20,21を接続し、出力側導電層2
2,23間にツエナーダイオード24を接続した
もので、出力側導電層5,6は中間の導電層とな
り、出力端としては出力側導電層22,23が利
用され、その等価回路は第9図に示すようにな
る。
〜第6図に示した実施例に出力側導電層22,2
3を追加し、出力側導電層5と22,6と23間
に固定抵抗20,21を接続し、出力側導電層2
2,23間にツエナーダイオード24を接続した
もので、出力側導電層5,6は中間の導電層とな
り、出力端としては出力側導電層22,23が利
用され、その等価回路は第9図に示すようにな
る。
次に第10図によりその使用例を示す。25は
AC電源、DC電源または信号発信機で、配電線ま
たは信号伝送線26,27を経て本考案のサージ
吸収器28に入力される。a,bはサージ吸収器
28の入力端子、c,dは出力端子、eは接地端
子である。29はこのサージ吸収器28を介して
接続される被保護機器である。
AC電源、DC電源または信号発信機で、配電線ま
たは信号伝送線26,27を経て本考案のサージ
吸収器28に入力される。a,bはサージ吸収器
28の入力端子、c,dは出力端子、eは接地端
子である。29はこのサージ吸収器28を介して
接続される被保護機器である。
このような接続によつて電源25または信号伝
送線26,27(両方出ているものは2個所にサ
ージ吸収器が必要)から侵入するサージは、サー
ジ吸収器28によつて低減され、被保護機器がサ
ージ吸収器と保護協調がとれていればサージから
保護される。
送線26,27(両方出ているものは2個所にサ
ージ吸収器が必要)から侵入するサージは、サー
ジ吸収器28によつて低減され、被保護機器がサ
ージ吸収器と保護協調がとれていればサージから
保護される。
以上のように本考案のサージ吸収器は構成され
るため、構成部品を厚膜化チツプ化で小形化でき
るとともに、結線を耐熱性絶縁基板に形成した導
電層で、ギヤツプ避雷器を耐熱性絶縁基板に形成
したスリツトで、電流ヒユーズを幅や長さを選択
した導電層の溶断部でその機能をもたせることが
でき小形化に大きく貢献し、基板としてセラミツ
クスなどの耐熱性絶縁基板を用いているため焼損
事故を無くすことができ、これら部品の取付スペ
ースが限定される電子機器のサージ対策用部品と
して安全性の高い優れたものとして利用できるな
どの利点をもち、実用的価値の大なるものであ
る。
るため、構成部品を厚膜化チツプ化で小形化でき
るとともに、結線を耐熱性絶縁基板に形成した導
電層で、ギヤツプ避雷器を耐熱性絶縁基板に形成
したスリツトで、電流ヒユーズを幅や長さを選択
した導電層の溶断部でその機能をもたせることが
でき小形化に大きく貢献し、基板としてセラミツ
クスなどの耐熱性絶縁基板を用いているため焼損
事故を無くすことができ、これら部品の取付スペ
ースが限定される電子機器のサージ対策用部品と
して安全性の高い優れたものとして利用できるな
どの利点をもち、実用的価値の大なるものであ
る。
第1図は本考案のサージ吸収器の一実施例を示
す保護モールドを施す前の上面図、第2図は同正
面図、第3図は同等価回路図、第4図は他の実施
例の保護モールドを施す前の上面図、第5図は同
正面図、第6図は同等価回路図、第7図はさらに
他の実施例の保護モールドを施す前の上面図、第
8図は同正面図、第9図は同等価回路図、第10
図は本考案のサージ吸収器の使用例を示すブロツ
ク図である。 1……耐熱性絶縁基板、2……接地用導電層、
3,3a,3b,4,4a,4b……入力側導電
層、5,6……出力側導電層、7,8……電流制
限用部品、9,10……スリツト、11,12…
…溶断部、13,14……酸化亜鉛形電圧非直線
抵抗素子、15,16……入力端、17……接地
端、18,19……酸化亜鉛形電圧非直線抵抗素
子、20,21……固定抵抗、22,23……出
力側導電層、24……ツエナーダイオード。
す保護モールドを施す前の上面図、第2図は同正
面図、第3図は同等価回路図、第4図は他の実施
例の保護モールドを施す前の上面図、第5図は同
正面図、第6図は同等価回路図、第7図はさらに
他の実施例の保護モールドを施す前の上面図、第
8図は同正面図、第9図は同等価回路図、第10
図は本考案のサージ吸収器の使用例を示すブロツ
ク図である。 1……耐熱性絶縁基板、2……接地用導電層、
3,3a,3b,4,4a,4b……入力側導電
層、5,6……出力側導電層、7,8……電流制
限用部品、9,10……スリツト、11,12…
…溶断部、13,14……酸化亜鉛形電圧非直線
抵抗素子、15,16……入力端、17……接地
端、18,19……酸化亜鉛形電圧非直線抵抗素
子、20,21……固定抵抗、22,23……出
力側導電層、24……ツエナーダイオード。
Claims (1)
- 耐熱性絶縁基板上の中央部に接地用導電層を設
け、この接地用導電層の両側にそれぞれ入力側導
電層と出力側導電層を設け、このそれぞれの側の
入力側導電層と出力側導電層間にサージ電流制限
用部品を接続し、入力側導電層と接地用導電層と
の間の耐熱性絶縁基板にスリツトを設け、かつ、
入力側導電層にあるサージ電流や負荷電流以上の
電流が流れることにより溶断する幅狭で一定の長
さの溶断部を設け、上記出力側導電層と接地用導
電層との間にサージ電圧制限機能を有する部品を
設置して構成したサージ吸収器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP928882U JPS58112026U (ja) | 1982-01-25 | 1982-01-25 | サ−ジ吸収器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP928882U JPS58112026U (ja) | 1982-01-25 | 1982-01-25 | サ−ジ吸収器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58112026U JPS58112026U (ja) | 1983-07-30 |
JPH0139064Y2 true JPH0139064Y2 (ja) | 1989-11-22 |
Family
ID=30021941
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP928882U Granted JPS58112026U (ja) | 1982-01-25 | 1982-01-25 | サ−ジ吸収器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58112026U (ja) |
-
1982
- 1982-01-25 JP JP928882U patent/JPS58112026U/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS58112026U (ja) | 1983-07-30 |
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