JPS588123B2 - セラミックバリスタの製造方法 - Google Patents

セラミックバリスタの製造方法

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Publication number
JPS588123B2
JPS588123B2 JP8338978A JP8338978A JPS588123B2 JP S588123 B2 JPS588123 B2 JP S588123B2 JP 8338978 A JP8338978 A JP 8338978A JP 8338978 A JP8338978 A JP 8338978A JP S588123 B2 JPS588123 B2 JP S588123B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ceramic varistor
metal film
board
coated
electric circuit
Prior art date
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Expired
Application number
JP8338978A
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English (en)
Other versions
JPS559493A (en
Inventor
笠川則行
吉田昇
小田大
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication of JPS559493A publication Critical patent/JPS559493A/ja
Publication of JPS588123B2 publication Critical patent/JPS588123B2/ja
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、セラミックバリスタに、大きなエネルギーの
サージの侵入等、定格を超える過大負荷が印加された場
合に、直ちに回路を開放状態とするヒューズ機能をもた
せるセラミックバリスタの製造方法に関するものである
セラミックバリスタは、近年の機器の電子化と相俟って
、その優れたサージ吸収性能から広く実用に供されてき
ている。
これは機器等のサージ保護の目的に使用されるもので、
第1図に示すような外観形状が主である。
その内部は第2図に示すように焼結体からなる板状のセ
ラミックバリスタ素子1の相対向する面に電極2が付与
されている。
これに、回路等への供給電力の異常や、想定しなかった
ような大きなエネルギーのサージの侵入、さらには誤使
用等、定格を超える過大負荷が印加された場合、素子1
に大電流が流れ、ジュール熱によって短絡破壊する。
この時、外装の樹脂等も焼損し、時に回路周辺にまで焼
損被害をおよぼすことがある。
本発明は、通常は優れたサージ吸収器として機能し、異
常時には回路から自己を切り離すヒューズ機能を有する
、きわめて安全性の高い高信頼度のセラミックバリスタ
を提供するものである。
以下、実施例に基づいて第3図a,b,第4図および第
5図とともに説明する。
第3図において、3は耐熱性の絶縁基板で、その一方の
面にa図のように、リード端子接続部Aと電路Bの部分
に分かれた金属膜4を設ける。
また、その裏面に周囲を適当寸法残してほぼ全面に金属
膜4′を設け、金属膜4,4′が一部でつながって電気
的に接続されるようにする。
これを、第2図に示すような素子1に重ねて、第4図に
示すようにリード端子6で保持する。
その断面の様子が第5図である。
この状態で半田槽へ浸漬する等の方法によって素子1の
電極2とリード端子6、および電極2と金属膜4′、金
属膜4とリード端子6を電気的、機械的に接続する。
その後エポキシ樹脂等で被覆する。
ここで、第3図aの電路Bは、素子1の定格(電流、電
力等)に十分耐え、素子1が破壊する負荷(電流、電力
等)で溶断するように、その巾、長さ、厚みを設定する
また電路B部に半田等が付着した場合は、その断面積が
変わるため、必要ある場合はその防止策としてソルダレ
ジスト5等を塗着する。
さらに、具体的に一例を述べる。
絶縁基板3としてのアルミナ基板に銀を印刷して金属膜
4,4′を形成し、電路B部にソルダレジスト5を塗着
した。
この時の電路B部の寸法は、巾1mm、厚み35μmで
あった。
これを直径が14φmmの素子1に重ね合わせて、リー
ド端子6としとの半田鍍金軟銅線で保持し、半田槽へ浸
漬し、半田付けした。
これをエポキシ樹脂で被覆した。この時採用した素子1
は、本来A.C.100Vラインに適用するもので、サ
ージ耐量は100A(8×20μs.標準衝撃波)であ
る。
このようにして得られたセラミックバリスタを誤使用を
想定して、A.C.200Vラインに装着したが、瞬時
に電路B部が溶融して開放状態となった。
この時の電流容量は25Aであった。また過大サージの
侵入を想定して1500A(8×20μs.以下同じ)
を印加したが異常はなく、1700Aを印加した時電路
B部が破壊した。
この時素子1は正常であった。
この両実験において、電路B部破壊時にエポキシ樹脂は
発煙や発火もすることなく、また大きな音を発すること
もなかった。
以上詳述したように本発明によれば、きわめて安全性の
高いサージ吸収器を本来の機能を損なうことなく平易に
得られるもので、外観形状も従来品と大差がなく、機器
等の信頼性向上に寄与するものである。
ここで、絶縁基板3はアルミナ基板に限定されるもので
はなく、また金属膜4,4′は銀に限定するものではな
い。
他の材料で、印刷以外の方法によっても同様の効果が得
られるものである。
さらに、第6図に示すように電路Bを設定した場合は、
基板3のエッジ部の金属膜厚が必然的に薄くなって、そ
の個所が溶融破壊する。
また、第7図のように電路Bに切欠部を設けることによ
って、その個所で開放せしめることができる。
それぞれ素子定格に見合った寸法を設定すればよい。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来例の外観図、第2図は適用素子の断面図、
第3図a,bは本発明による実施例の絶縁基板に金属膜
を付与した平面図と下面図、第4図は本発明バリスタの
内部構成を示す平面図、第5図は同断面図、第6図およ
び第7図はそれぞれ他の実施例の平面図である。 1・・・・・・セラミックバリスタ素子、2・・・・・
・電極、3・・・・・・絶縁基板、4,4′・・・・・
・金属膜、6・・・・・・リード端子、A・・・・・・
リード端子接続部、B・・・・・・電路。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 相対向する面に電極を有する板状のセラミックバリ
    スタ素子と、一方の面のほぼ全面に金属膜を設け、他の
    面にリード端子接続部および前記素子の定格に耐えその
    素子が破壊する負荷で溶断ずるように巾や厚みが設定さ
    れた裏面に通じる金属膜の電路を設けた耐熱性絶縁基板
    を、リード端子と共に半田付け等の方法によって電気的
    、機械的に接続した後、絶縁塗料等で被覆してなること
    を特徴とするセラミックバリスタの製造方法。
JP8338978A 1978-07-07 1978-07-07 セラミックバリスタの製造方法 Expired JPS588123B2 (ja)

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JP8338978A JPS588123B2 (ja) 1978-07-07 1978-07-07 セラミックバリスタの製造方法

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JP8338978A JPS588123B2 (ja) 1978-07-07 1978-07-07 セラミックバリスタの製造方法

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Publication Number Publication Date
JPS559493A JPS559493A (en) 1980-01-23
JPS588123B2 true JPS588123B2 (ja) 1983-02-14

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ID=13801059

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS624102U (ja) * 1985-06-24 1987-01-12

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JPS559493A (en) 1980-01-23

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