JPH04365304A - ヒューズ付チップ抵抗器 - Google Patents
ヒューズ付チップ抵抗器Info
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- JPH04365304A JPH04365304A JP23674591A JP23674591A JPH04365304A JP H04365304 A JPH04365304 A JP H04365304A JP 23674591 A JP23674591 A JP 23674591A JP 23674591 A JP23674591 A JP 23674591A JP H04365304 A JPH04365304 A JP H04365304A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、電子回路基板上に表面
実装されるチップ抵抗器に関し、定常状態では優れた抵
抗器としての特性を示すと同時に、異常な大電流に対し
ては遮断するヒューズ特性を兼ね備えたヒューズ付チッ
プ抵抗器に関する。
実装されるチップ抵抗器に関し、定常状態では優れた抵
抗器としての特性を示すと同時に、異常な大電流に対し
ては遮断するヒューズ特性を兼ね備えたヒューズ付チッ
プ抵抗器に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のヒューズ抵抗器は例えば、抵抗体
に大電流が流れた際に発生するジュール熱により抵抗体
自身を溶断させるもの、皮膜抵抗体の表面にヒューズ作
用体を付着させ異常な大電流が流された際に、この部分
の抵抗値が極めて高くなり、電流を遮断するもの。有機
薄膜上に抵抗体を形成し、大電流通過時の発熱により、
前記有機薄膜を溶融させ、機械的に抵抗膜を断線させる
ものなどが利用されていた。また、溶断形チップ抵抗器
では、絶縁基板上に、前記ヒューズ抵抗体を別途接続し
たものなどがある。
に大電流が流れた際に発生するジュール熱により抵抗体
自身を溶断させるもの、皮膜抵抗体の表面にヒューズ作
用体を付着させ異常な大電流が流された際に、この部分
の抵抗値が極めて高くなり、電流を遮断するもの。有機
薄膜上に抵抗体を形成し、大電流通過時の発熱により、
前記有機薄膜を溶融させ、機械的に抵抗膜を断線させる
ものなどが利用されていた。また、溶断形チップ抵抗器
では、絶縁基板上に、前記ヒューズ抵抗体を別途接続し
たものなどがある。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】(1)前述したヒュー
ズ抵抗器はいずれも抵抗体の自己発熱を利用し、抵抗体
自身を溶断又は高抵抗値化させる方式となっている為、
抵抗体がヒューズ作用を果たすには例えば無電解ニッケ
ル系合金皮膜を用いた場合は900〜1000℃程度の
温度上昇が必要となり、この温度に致達するためには、
大電力を必要とする。従って、近年需要が増加している
低電力の電気機器に使用するヒューズ素子としては適さ
なかった。 (2)また、従来のヒューズ抵抗器は抵抗体自信にヒュ
ーズ機能を持たせるため、低電力での溶断特性を得よう
とした場合には抵抗値範囲が低い領域に限定されてしま
うという欠点がある。 (3)更に、同様の理由から抵抗体に発生したジュール
熱が表面あるいは端子部分から放散して行き、溶断時間
のバラツキの原因となっていた。 (4)従来の溶断形ヒューズ抵抗器では、通電用端子を
形成し絶縁基板上に、別途製造したヒューズ抵抗体を取
り付けるため、小型化することが難しく、高度な製造技
術を必要とした。 本発明は同一基板片上に抵抗体とヒューズ作用部を独立
に設けることにより、所望の抵抗値を持つ抵抗体と所望
の破壊電力値を持つヒューズ作用体を組み合わせること
が可能であり、かつ信頼性の高い抵抗器としての性能と
、優れた溶断特性ヒューズ作用を同時に満足するヒュー
ズ付チップ抵抗器を提供することを目的とする。
ズ抵抗器はいずれも抵抗体の自己発熱を利用し、抵抗体
自身を溶断又は高抵抗値化させる方式となっている為、
抵抗体がヒューズ作用を果たすには例えば無電解ニッケ
ル系合金皮膜を用いた場合は900〜1000℃程度の
温度上昇が必要となり、この温度に致達するためには、
大電力を必要とする。従って、近年需要が増加している
低電力の電気機器に使用するヒューズ素子としては適さ
なかった。 (2)また、従来のヒューズ抵抗器は抵抗体自信にヒュ
ーズ機能を持たせるため、低電力での溶断特性を得よう
とした場合には抵抗値範囲が低い領域に限定されてしま
うという欠点がある。 (3)更に、同様の理由から抵抗体に発生したジュール
熱が表面あるいは端子部分から放散して行き、溶断時間
のバラツキの原因となっていた。 (4)従来の溶断形ヒューズ抵抗器では、通電用端子を
形成し絶縁基板上に、別途製造したヒューズ抵抗体を取
り付けるため、小型化することが難しく、高度な製造技
術を必要とした。 本発明は同一基板片上に抵抗体とヒューズ作用部を独立
に設けることにより、所望の抵抗値を持つ抵抗体と所望
の破壊電力値を持つヒューズ作用体を組み合わせること
が可能であり、かつ信頼性の高い抵抗器としての性能と
、優れた溶断特性ヒューズ作用を同時に満足するヒュー
ズ付チップ抵抗器を提供することを目的とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】(1)この発明は、同一
の平面形状を有する基板片上の両端に外部接続用電極を
有し、基板片の表面に抵抗膜のパターンを形成し、その
両端又は片端に中継電極部を配し、外部電極の少なくと
も一部と中継電極を例えば金属の細線などのヒューズ作
用体で接続されていることを特徴として構成される。 (2)また、この発明は基板片の面積を有効に活用する
為、外部接続用電極の一部を凸形に形成し、ヒューズ作
用体の接続部として利用することにより小型化を容易に
することも特徴としている。 (3)更に、ヒューズ作用体の溶断部の局部的なリーク
を防止するための工夫として基板片に予め溝加工を施し
、ヒューズ作用体の少なくとも一部がその上方に位置す
るように配置することも特徴として構成している。
の平面形状を有する基板片上の両端に外部接続用電極を
有し、基板片の表面に抵抗膜のパターンを形成し、その
両端又は片端に中継電極部を配し、外部電極の少なくと
も一部と中継電極を例えば金属の細線などのヒューズ作
用体で接続されていることを特徴として構成される。 (2)また、この発明は基板片の面積を有効に活用する
為、外部接続用電極の一部を凸形に形成し、ヒューズ作
用体の接続部として利用することにより小型化を容易に
することも特徴としている。 (3)更に、ヒューズ作用体の溶断部の局部的なリーク
を防止するための工夫として基板片に予め溝加工を施し
、ヒューズ作用体の少なくとも一部がその上方に位置す
るように配置することも特徴として構成している。
【0005】
【作 用】この発明は抵抗体部とヒューズ作用部
を独立に配置することにより、定常電流が流れている場
合は抵抗体部の安定した性能が作用し、異常な大電流が
流れた場合には、ヒューズ作用体が瞬時に溶断し、電流
を遮断することにより、機器の保護素子として働くもの
である。また、外部接続用電極の片側又は両側を凸形に
形成し、ヒューズ作用体の接続点として利用することに
より基板片の表面を有効に利用し、小形を可能にしてい
る。 更に基板片に予め溝加工を施し、ヒューズ作用体の少な
くともその一部を上方に配設することにより、ヒューズ
作用体の溶断後のリークを防止し、ヒューズ作用の信頼
性を高めることを可能としている。
を独立に配置することにより、定常電流が流れている場
合は抵抗体部の安定した性能が作用し、異常な大電流が
流れた場合には、ヒューズ作用体が瞬時に溶断し、電流
を遮断することにより、機器の保護素子として働くもの
である。また、外部接続用電極の片側又は両側を凸形に
形成し、ヒューズ作用体の接続点として利用することに
より基板片の表面を有効に利用し、小形を可能にしてい
る。 更に基板片に予め溝加工を施し、ヒューズ作用体の少な
くともその一部を上方に配設することにより、ヒューズ
作用体の溶断後のリークを防止し、ヒューズ作用の信頼
性を高めることを可能としている。
【0006】
【実施例1】以下にこの発明の請求項目に記載した内容
に準じた実施例を図面を参照して説明する。図1はその
一実施例のヒューズ付チップ抵抗器を示す説明図である
。セラミックなどの絶縁材料よりなる基板1上に真空蒸
着法又はスパッタリング法により、例えばニクロム合金
などの抵抗膜及び例えば金などの貴金属の下層電極膜を
着膜させた後、所望の抵抗値を得るために抵抗器パター
ン3を形成し、中継電極膜4c及び下層電極4a,4b
をエッチング法により成形する。次に各電極部を除く基
板表面を感光性樹脂6で被膜下の地、中継電極4cと下
層電極4aの露出部の間を例えばヒューズ作用体,金,
アルミニウム,亜鉛などの金属からなる箔片又は細線を
使用し、熱圧着又は超音波によりボンディングし、外部
接続部を除く基板表面を保護用樹脂7で被覆する。 更に下層電極4a,4bの露出部分に半田付け可能な合
金成分からなる上層電極2a,2bを形成し、ヒューズ
付チップ抵抗器を完成した。なお、この実施例では抵抗
膜をニクロム合金を用い真空蒸着法又はスパッタリング
法で形成しているが、酸化ルテニウム等のペーストを印
刷し形成しても良い。また、この実施例ではヒューズを
片側のみに取り付けているが両側であってもよい。更に
ヒューズ作用体は金,アルミニウム,亜鉛などの金属か
らなる箔又は細線を使用したが予め基板に同様の金属を
着膜し、パターン形成する方法もあり得る。
に準じた実施例を図面を参照して説明する。図1はその
一実施例のヒューズ付チップ抵抗器を示す説明図である
。セラミックなどの絶縁材料よりなる基板1上に真空蒸
着法又はスパッタリング法により、例えばニクロム合金
などの抵抗膜及び例えば金などの貴金属の下層電極膜を
着膜させた後、所望の抵抗値を得るために抵抗器パター
ン3を形成し、中継電極膜4c及び下層電極4a,4b
をエッチング法により成形する。次に各電極部を除く基
板表面を感光性樹脂6で被膜下の地、中継電極4cと下
層電極4aの露出部の間を例えばヒューズ作用体,金,
アルミニウム,亜鉛などの金属からなる箔片又は細線を
使用し、熱圧着又は超音波によりボンディングし、外部
接続部を除く基板表面を保護用樹脂7で被覆する。 更に下層電極4a,4bの露出部分に半田付け可能な合
金成分からなる上層電極2a,2bを形成し、ヒューズ
付チップ抵抗器を完成した。なお、この実施例では抵抗
膜をニクロム合金を用い真空蒸着法又はスパッタリング
法で形成しているが、酸化ルテニウム等のペーストを印
刷し形成しても良い。また、この実施例ではヒューズを
片側のみに取り付けているが両側であってもよい。更に
ヒューズ作用体は金,アルミニウム,亜鉛などの金属か
らなる箔又は細線を使用したが予め基板に同様の金属を
着膜し、パターン形成する方法もあり得る。
【実施例2】以下にこの発明の請求項目2に記載した内
容に準じた実施例を図面を参照して説明する。図2はそ
の一実施例のヒューズ付チップ抵抗器を示す説明図であ
る。実施例1と同様に基板上に抵抗膜及び下層電極膜を
着膜した後、下層電極膜4aの上部を凸形に形成し、中
継電極部4cを前記下層電極膜の突出部4dと平行に位
置するようにパターン形成する。そしてヒューズ作用体
により両端極部を接続する。実施例2では片側にヒュー
ズ作用体を配しているが両側に配置しても良い。
容に準じた実施例を図面を参照して説明する。図2はそ
の一実施例のヒューズ付チップ抵抗器を示す説明図であ
る。実施例1と同様に基板上に抵抗膜及び下層電極膜を
着膜した後、下層電極膜4aの上部を凸形に形成し、中
継電極部4cを前記下層電極膜の突出部4dと平行に位
置するようにパターン形成する。そしてヒューズ作用体
により両端極部を接続する。実施例2では片側にヒュー
ズ作用体を配しているが両側に配置しても良い。
【実施例3】以下にこの発明の請求項目3に記載した内
容に準じた実施例を図面を参照して説明する。図3はそ
の一実施例のヒューズ付チップ抵抗器を示す説明図であ
る。基板表面の一部8を長孔状に溝加工し、中継電極部
4cと下層電極膜4aの突出部4dをその両側に位置す
るようにパターン形成し、ヒューズ作用体が長孔状の溝
上を通過するように配設されている。また、保護用樹脂
7は抵抗体部のみを被膜した。なお、溝加工の形状は実
施例では長孔としたが、他の形状であっても良い。
容に準じた実施例を図面を参照して説明する。図3はそ
の一実施例のヒューズ付チップ抵抗器を示す説明図であ
る。基板表面の一部8を長孔状に溝加工し、中継電極部
4cと下層電極膜4aの突出部4dをその両側に位置す
るようにパターン形成し、ヒューズ作用体が長孔状の溝
上を通過するように配設されている。また、保護用樹脂
7は抵抗体部のみを被膜した。なお、溝加工の形状は実
施例では長孔としたが、他の形状であっても良い。
【0007】
【発明の効果】実施例1で示したように本発明品は、抵
抗体部とヒューズ作用部を独立に形成することにより広
い抵抗値範囲が得られると同時に接続するヒューズ作用
体も材質や形状を選択することにより所望の溶断性能を
得ることができる。したがって、定常電流が流れている
場合は抵抗体部が作用し、安定した抵抗機能を示し、異
常な大電流が流れた場合には、ヒューズ作用部が作用し
、瞬時に溶断し、電流を遮断する。この場合抵抗体の自
己発熱を利用しないため、溶断時間が短縮され大電流に
より周辺機器及び部品に悪影響を及ぼすことが無い。 更にチップ全体としての発熱量が非常に小さく回路基板
に高密度に実装できる。実施例2で示した発明品は外部
接続用電極の両側または片側を凸形に形成し、模基板片
の大きさを小型化し、実装密度の向上に貢献し得るもの
である。実施例3で示した発明品は、ヒューズ作用体配
設部の下方の基板に溝加を施し、ヒューズ作用体が遮断
した後のリークを防止する効果が得られる。今日部品の
表面実装化が進み、小型化及び小電力化に対する需要が
増大する中で本発明品の実用価値は高いものといえる。
抗体部とヒューズ作用部を独立に形成することにより広
い抵抗値範囲が得られると同時に接続するヒューズ作用
体も材質や形状を選択することにより所望の溶断性能を
得ることができる。したがって、定常電流が流れている
場合は抵抗体部が作用し、安定した抵抗機能を示し、異
常な大電流が流れた場合には、ヒューズ作用部が作用し
、瞬時に溶断し、電流を遮断する。この場合抵抗体の自
己発熱を利用しないため、溶断時間が短縮され大電流に
より周辺機器及び部品に悪影響を及ぼすことが無い。 更にチップ全体としての発熱量が非常に小さく回路基板
に高密度に実装できる。実施例2で示した発明品は外部
接続用電極の両側または片側を凸形に形成し、模基板片
の大きさを小型化し、実装密度の向上に貢献し得るもの
である。実施例3で示した発明品は、ヒューズ作用体配
設部の下方の基板に溝加を施し、ヒューズ作用体が遮断
した後のリークを防止する効果が得られる。今日部品の
表面実装化が進み、小型化及び小電力化に対する需要が
増大する中で本発明品の実用価値は高いものといえる。
【図1】、
【図2】及び
【図3】は本発明のヒューズ付チップ抵抗器の内部構造
図である。
図である。
1:基板
2a、2b:上層電極膜
3:抵抗膜パターン
4a、4b:下層電極膜
4c:中継電極
4d:下層電極膜突出部
5:ヒューズ作用体
6:感光性樹脂
7:保護用樹脂
8:基板溝加工部
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項目1】所定の平面形状を有する基板片を使用し
たチップ抵抗器において、同一基板上に抵抗体部とヒュ
ーズ部が各々独立して形成されていることを特徴とする
ヒューズ付チップ抵抗器。 【請求項目2】請求項目1に関し、基板片の両端に設け
た電極の両側又は片側を凸形に形成し、抵抗体終端部に
設け、中継電極の間をヒューズ作用体により接続するこ
とを特徴とするヒューズ付チップ抵抗器。 【請求項目3】請求項目1及び請求項目2に関し、予め
溝加工された基板を使用し、ヒューズ作用体の一部が溝
の上方を通過するように配置されたヒューズ付チップ抵
抗器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23674591A JPH04365304A (ja) | 1991-06-12 | 1991-06-12 | ヒューズ付チップ抵抗器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23674591A JPH04365304A (ja) | 1991-06-12 | 1991-06-12 | ヒューズ付チップ抵抗器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04365304A true JPH04365304A (ja) | 1992-12-17 |
Family
ID=17005163
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23674591A Pending JPH04365304A (ja) | 1991-06-12 | 1991-06-12 | ヒューズ付チップ抵抗器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04365304A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013146889A1 (ja) * | 2012-03-29 | 2013-10-03 | デクセリアルズ株式会社 | 保護素子 |
JP2013229295A (ja) * | 2012-03-29 | 2013-11-07 | Dexerials Corp | 保護素子 |
-
1991
- 1991-06-12 JP JP23674591A patent/JPH04365304A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013146889A1 (ja) * | 2012-03-29 | 2013-10-03 | デクセリアルズ株式会社 | 保護素子 |
JP2013229295A (ja) * | 2012-03-29 | 2013-11-07 | Dexerials Corp | 保護素子 |
CN104185889A (zh) * | 2012-03-29 | 2014-12-03 | 迪睿合电子材料有限公司 | 保护元件 |
CN104185889B (zh) * | 2012-03-29 | 2016-12-14 | 迪睿合电子材料有限公司 | 保护元件 |
US10008356B2 (en) | 2012-03-29 | 2018-06-26 | Dexerials Corporation | Protection element |
US10269523B2 (en) | 2012-03-29 | 2019-04-23 | Dexerials Corporation | Protection element |
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