JPH10308157A - ヒューズ - Google Patents
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- JPH10308157A JPH10308157A JP11835197A JP11835197A JPH10308157A JP H10308157 A JPH10308157 A JP H10308157A JP 11835197 A JP11835197 A JP 11835197A JP 11835197 A JP11835197 A JP 11835197A JP H10308157 A JPH10308157 A JP H10308157A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 定格電流が大きい薄膜タイプのヒューズを提
供する。 【解決手段】 長方形平板上に形成した絶縁基板３の一
平面上に、可溶体を各種薄膜形成方法により絶縁基板３
の長手方向に長手帯状に薄膜形成してエレメント４を形
成する。絶縁基板３の端面から裏面側に亘って離間する
一対の電極部５，５をエレメント４の端部に電気的に接
続した状態に形成し、ヒューズ部２を形成する。一対の
ヒューズ部２，２を、エレメント４，４を対向させて接
合する。電極部５，５を覆って一対の電極６，６を形成
し、ヒューズ１を形成する。電気的特性が安定な状態で
膜厚を厚く形成しにくいエレメント４を容易に厚く形成
でき、エレメント４の低抵抗化により定格電流の大きい
ヒューズ１を形成できる。絶縁基板３，３にてエレメン
ト４を覆う状態であるため、エレメント４を容易に外部
から保護でき、遮断時の周囲への悪影響を容易に防止で
きる。
供する。 【解決手段】 長方形平板上に形成した絶縁基板３の一
平面上に、可溶体を各種薄膜形成方法により絶縁基板３
の長手方向に長手帯状に薄膜形成してエレメント４を形
成する。絶縁基板３の端面から裏面側に亘って離間する
一対の電極部５，５をエレメント４の端部に電気的に接
続した状態に形成し、ヒューズ部２を形成する。一対の
ヒューズ部２，２を、エレメント４，４を対向させて接
合する。電極部５，５を覆って一対の電極６，６を形成
し、ヒューズ１を形成する。電気的特性が安定な状態で
膜厚を厚く形成しにくいエレメント４を容易に厚く形成
でき、エレメント４の低抵抗化により定格電流の大きい
ヒューズ１を形成できる。絶縁基板３，３にてエレメン
ト４を覆う状態であるため、エレメント４を容易に外部
から保護でき、遮断時の周囲への悪影響を容易に防止で
きる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、回路の過電流破壊
を防止するヒューズに関する。
を防止するヒューズに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ヒューズとしては、近年の電子部
品の小型化の要請により、例えば図５に示す薄膜タイプ
の構成が知られている。
品の小型化の要請により、例えば図５に示す薄膜タイプ
の構成が知られている。
【０００３】この図５に示すヒューズ20は、例えば石
英、硼珪酸などのガラス、アルミナ、窒化アルミなどの
セラミックス、エポキシやポリイミドなどの合成樹脂、
あるいは、合成樹脂とガラス布との複合材料などにて形
成された絶縁基板21の一平面上に、帯状に薄膜状に可溶
体のエレメント22を真空蒸着、イオンプレーティング、
スパッタリング、化学気相成長法などの薄膜形成技術や
レジネートペーストの塗布・焼成などにより形成してい
る。さらに、エレメント22の両端部から絶縁基板21の端
面から裏面側に亘って、離間する一対の電極23，23を導
電ペーストの塗布後に硬化または焼成したり、めっきな
どにより形成している。そして、電極23，23の端部近
傍、およびエレメント22を覆うように、スラリ状セラミ
ックスやガラスペーストの塗布・焼成や、エポキシ樹
脂、ポリイミド樹脂、シリコーン、フッ素系樹脂などの
合成樹脂の塗布・硬化などによりオーバーコート24を設
け、エレメント22の保護およびエレメント22の遮断時に
発生するアークなどが周囲に悪影響を及ぼさないように
している。
英、硼珪酸などのガラス、アルミナ、窒化アルミなどの
セラミックス、エポキシやポリイミドなどの合成樹脂、
あるいは、合成樹脂とガラス布との複合材料などにて形
成された絶縁基板21の一平面上に、帯状に薄膜状に可溶
体のエレメント22を真空蒸着、イオンプレーティング、
スパッタリング、化学気相成長法などの薄膜形成技術や
レジネートペーストの塗布・焼成などにより形成してい
る。さらに、エレメント22の両端部から絶縁基板21の端
面から裏面側に亘って、離間する一対の電極23，23を導
電ペーストの塗布後に硬化または焼成したり、めっきな
どにより形成している。そして、電極23，23の端部近
傍、およびエレメント22を覆うように、スラリ状セラミ
ックスやガラスペーストの塗布・焼成や、エポキシ樹
脂、ポリイミド樹脂、シリコーン、フッ素系樹脂などの
合成樹脂の塗布・硬化などによりオーバーコート24を設
け、エレメント22の保護およびエレメント22の遮断時に
発生するアークなどが周囲に悪影響を及ぼさないように
している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記図
５に示す従来の薄膜タイプのヒューズ20において、安定
した電気的特性となるエレメント22の膜厚は、数μｍ程
度であり、仮に膜厚を厚くすると電気的特性が不安定と
なるとともに、長時間を掛けて膜厚を厚くしなければな
らず製造性が低下してしまう。このため、定格電流の大
きな薄膜タイプのヒューズ20が得られない問題がある。
５に示す従来の薄膜タイプのヒューズ20において、安定
した電気的特性となるエレメント22の膜厚は、数μｍ程
度であり、仮に膜厚を厚くすると電気的特性が不安定と
なるとともに、長時間を掛けて膜厚を厚くしなければな
らず製造性が低下してしまう。このため、定格電流の大
きな薄膜タイプのヒューズ20が得られない問題がある。
【０００５】本発明は、上述の問題点に鑑みなされたも
ので、定格電流が大きい薄膜タイプのヒューズを提供す
ることを目的とする。
ので、定格電流が大きい薄膜タイプのヒューズを提供す
ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１記載のヒューズ
は、平面が対向する一対の絶縁基板と、これら絶縁基板
の対向する平面にそれぞれ対向して薄膜形成された一対
のエレメントと、前記絶縁基板に設けられ前記エレメン
トの端部にそれぞれ電気的に接続する一対の電極とを具
備したもので、エレメントをそれぞれ薄膜形成した一対
の絶縁基板を、エレメントを対向させて接合し、絶縁基
板にエレメントの端部にそれぞれ電気的に接続する電極
を一対設けるため、エレメントの膜厚が容易に厚く形成
され、定格電流が増大するとともに、対称形状であるた
め、同一形状の接合により容易に形成され、絶縁基板が
エレメントを覆う状態となるので、エレメントを被覆す
る構成が不要で、製造性が向上し、エレメントの遮断時
の周囲への悪影響を防止する。
は、平面が対向する一対の絶縁基板と、これら絶縁基板
の対向する平面にそれぞれ対向して薄膜形成された一対
のエレメントと、前記絶縁基板に設けられ前記エレメン
トの端部にそれぞれ電気的に接続する一対の電極とを具
備したもので、エレメントをそれぞれ薄膜形成した一対
の絶縁基板を、エレメントを対向させて接合し、絶縁基
板にエレメントの端部にそれぞれ電気的に接続する電極
を一対設けるため、エレメントの膜厚が容易に厚く形成
され、定格電流が増大するとともに、対称形状であるた
め、同一形状の接合により容易に形成され、絶縁基板が
エレメントを覆う状態となるので、エレメントを被覆す
る構成が不要で、製造性が向上し、エレメントの遮断時
の周囲への悪影響を防止する。
【０００７】請求項２記載のヒューズは、請求項１記載
のヒューズにおいて、一対のエレメントは、少なくとも
一部が空隙を介して対向するもので、エレメントをそれ
ぞれ薄膜形成した同一形状の一対の絶縁基板を、エレメ
ントを空隙を介して対向するように接合することによ
り、エレメントの放熱を疎外する空隙が容易に形成さ
れ、速断型のヒューズが容易に得られる。
のヒューズにおいて、一対のエレメントは、少なくとも
一部が空隙を介して対向するもので、エレメントをそれ
ぞれ薄膜形成した同一形状の一対の絶縁基板を、エレメ
ントを空隙を介して対向するように接合することによ
り、エレメントの放熱を疎外する空隙が容易に形成さ
れ、速断型のヒューズが容易に得られる。
【０００８】請求項３記載のヒューズは、請求項１記載
のヒューズにおいて、一対のエレメントは、少なくとも
一部を覆って設けられた消弧作用を有する材料を介して
対向するもので、一対のエレメントの一部をそれぞれ覆
って設けられた保護膜を介して対向させるため、エレメ
ントの遮断時のアークの発生を防止し、確実にヒューズ
端子間がオープンとなり定格電圧の大きい構成が容易に
得られる。
のヒューズにおいて、一対のエレメントは、少なくとも
一部を覆って設けられた消弧作用を有する材料を介して
対向するもので、一対のエレメントの一部をそれぞれ覆
って設けられた保護膜を介して対向させるため、エレメ
ントの遮断時のアークの発生を防止し、確実にヒューズ
端子間がオープンとなり定格電圧の大きい構成が容易に
得られる。
【０００９】
【発明の実施の形態】次に、本発明のヒューズの実施の
一形態を図１を参照して説明する。
一形態を図１を参照して説明する。
【００１０】１はヒューズで、このヒューズ１は、一対
のヒューズ部２，２が接合されて構成されている。そし
て、ヒューズ部２は、長方形平板状の絶縁基板３を有し
ている。この絶縁基板３は、例えば石英、硼珪酸などの
ガラス、アルミナ、窒化アルミなどのセラミックス、エ
ポキシやポリイミドなどの合成樹脂、あるいは、合成樹
脂とガラス布との複合材料などにて形成されている。
のヒューズ部２，２が接合されて構成されている。そし
て、ヒューズ部２は、長方形平板状の絶縁基板３を有し
ている。この絶縁基板３は、例えば石英、硼珪酸などの
ガラス、アルミナ、窒化アルミなどのセラミックス、エ
ポキシやポリイミドなどの合成樹脂、あるいは、合成樹
脂とガラス布との複合材料などにて形成されている。
【００１１】そして、この絶縁基板３の一平面上には、
長手方向に長手状のエレメント４が帯状に薄膜形成され
ている。このエレメント４は、アルミニウムや銅、各種
合金などの可溶体にて、真空蒸着、イオンプレーティン
グ、スパッタリング、化学気相成長法（Chemical Vapor
Deposition:ＣＶＤ）などの薄膜形成技術やレジネート
ペーストの塗布・焼成などにより薄膜形成されている。
長手方向に長手状のエレメント４が帯状に薄膜形成され
ている。このエレメント４は、アルミニウムや銅、各種
合金などの可溶体にて、真空蒸着、イオンプレーティン
グ、スパッタリング、化学気相成長法（Chemical Vapor
Deposition:ＣＶＤ）などの薄膜形成技術やレジネート
ペーストの塗布・焼成などにより薄膜形成されている。
【００１２】また、絶縁基板３の長手方向の端面からエ
レメント４の設けられていない側の裏面側に亘って、離
間する一対の電極部５，５がエレメント４の端部に電気
的に接続した状態で形成されている。
レメント４の設けられていない側の裏面側に亘って、離
間する一対の電極部５，５がエレメント４の端部に電気
的に接続した状態で形成されている。
【００１３】そして、ヒューズ１は、エレメント４，４
が対向させて絶縁基板３，３にて挟持されるようにヒュ
ーズ部２，２が接合されている。
が対向させて絶縁基板３，３にて挟持されるようにヒュ
ーズ部２，２が接合されている。
【００１４】さらに、接合するヒューズ部２，２の端面
および裏面側に位置する電極部５，５を覆うように一対
の電極６，６が設けられてヒューズ１が構成されてい
る。
および裏面側に位置する電極部５，５を覆うように一対
の電極６，６が設けられてヒューズ１が構成されてい
る。
【００１５】次に、上記実施の一形態の製造動作を説明
する。
する。
【００１６】まず、あらかじめ長方形平板上に形成した
絶縁基板３の一平面上に、可溶体を各種薄膜形成方法に
より絶縁基板３の長手方向に長手帯状に薄膜形成してエ
レメント４を形成する。
絶縁基板３の一平面上に、可溶体を各種薄膜形成方法に
より絶縁基板３の長手方向に長手帯状に薄膜形成してエ
レメント４を形成する。
【００１７】そして、絶縁基板３の長手方向の端面から
エレメント４の設けられていない側の裏面側に亘って、
例えば導電ペーストなどを塗布・硬化して、離間する一
対の電極部５，５をエレメント４の端部に電気的に接続
した状態に形成し、ヒューズ部２を形成する。
エレメント４の設けられていない側の裏面側に亘って、
例えば導電ペーストなどを塗布・硬化して、離間する一
対の電極部５，５をエレメント４の端部に電気的に接続
した状態に形成し、ヒューズ部２を形成する。
【００１８】次に、形成した一対のヒューズ部２，２
を、エレメント４，４を対向させて絶縁基板３，３にて
挟持するように導電ペーストや半田などにて接合する。
を、エレメント４，４を対向させて絶縁基板３，３にて
挟持するように導電ペーストや半田などにて接合する。
【００１９】さらに、接合するヒューズ部２，２の端面
および裏面側に位置する電極部５，５を覆うように、例
えば導電ペーストなどを塗布・硬化して、一対の電極
６，６を形成し、ヒューズ１を形成する。
および裏面側に位置する電極部５，５を覆うように、例
えば導電ペーストなどを塗布・硬化して、一対の電極
６，６を形成し、ヒューズ１を形成する。
【００２０】次に、上記実施の一形態の作用を説明す
る。
る。
【００２１】まず、製造したヒューズ１の電極６，６
を、図示しない過電流より保護すべき回路間のランドに
半田付けして、回路基板に搭載する。回路基板に過電流
が流れた場合、エレメント４が溶断する。
を、図示しない過電流より保護すべき回路間のランドに
半田付けして、回路基板に搭載する。回路基板に過電流
が流れた場合、エレメント４が溶断する。
【００２２】ここで、ヒューズ１のエレメント４の溶断
は、電流通電時のエレメント４のジュール発熱が外部へ
の放熱を上回り、エレメント４の温度が融点以上になっ
た際に生じる。このため、ヒューズ１の各部位の構造や
材質が同一であれば、外部への放熱は同一であることか
ら、通電時のエレメント４の発熱量により、ヒューズ１
の定格電流が決定される。すなわち、エレメント４を低
抵抗化することにより、定格電流の大きいヒューズ１が
得られる。
は、電流通電時のエレメント４のジュール発熱が外部へ
の放熱を上回り、エレメント４の温度が融点以上になっ
た際に生じる。このため、ヒューズ１の各部位の構造や
材質が同一であれば、外部への放熱は同一であることか
ら、通電時のエレメント４の発熱量により、ヒューズ１
の定格電流が決定される。すなわち、エレメント４を低
抵抗化することにより、定格電流の大きいヒューズ１が
得られる。
【００２３】そこで、エレメント４を簡単な構成で容易
に低抵抗化する方法として膜厚を厚くすることが考えら
れるが、エレメント４を薄膜形成技術により薄膜形成す
る構成において、安定した電気的特性が得られるエレメ
ント４の膜厚は約数μｍまでで、これより厚く形成する
と安定した電気的特性が得られなくなる。また、仮にこ
の数μｍより膜厚が厚く安定した電気的特性を有したエ
レメント４を形成できたとしても、この数μｍより厚く
形成するためには薄膜形成技術では多大な時間を要して
しまう。
に低抵抗化する方法として膜厚を厚くすることが考えら
れるが、エレメント４を薄膜形成技術により薄膜形成す
る構成において、安定した電気的特性が得られるエレメ
ント４の膜厚は約数μｍまでで、これより厚く形成する
と安定した電気的特性が得られなくなる。また、仮にこ
の数μｍより膜厚が厚く安定した電気的特性を有したエ
レメント４を形成できたとしても、この数μｍより厚く
形成するためには薄膜形成技術では多大な時間を要して
しまう。
【００２４】また、エレメント４の低抵抗化を図る方法
として、電極６，６間の距離を短くすることも考えられ
るが、特に小型化の要望が強い例えば３．２×１．６mm
程度の大きさの薄膜タイプのヒューズ１では、エレメン
ト４の遮断時に生じるアークにより、短絡する確率が高
くなり、遮断性が低下する。
として、電極６，６間の距離を短くすることも考えられ
るが、特に小型化の要望が強い例えば３．２×１．６mm
程度の大きさの薄膜タイプのヒューズ１では、エレメン
ト４の遮断時に生じるアークにより、短絡する確率が高
くなり、遮断性が低下する。
【００２５】ところで、上記実施の一形態のヒューズ１
は、薄膜形成技術によりエレメント４をそれぞれ薄膜形
成した一対のヒューズ部２，２をエレメント４，４を対
向させて接合して形成するため、エレメント４の膜厚が
実質的に２倍の厚さとなる。このため、エレメント４の
低抵抗化が得られ、定格電流を増大できる。
は、薄膜形成技術によりエレメント４をそれぞれ薄膜形
成した一対のヒューズ部２，２をエレメント４，４を対
向させて接合して形成するため、エレメント４の膜厚が
実質的に２倍の厚さとなる。このため、エレメント４の
低抵抗化が得られ、定格電流を増大できる。
【００２６】また、単に同一形状のヒューズ部２，２を
接合するのみで、エレメント４の膜厚を厚くできるた
め、製造性を向上できる。
接合するのみで、エレメント４の膜厚を厚くできるた
め、製造性を向上できる。
【００２７】さらに、エレメント４は一対の絶縁基板
３，３にて挟持されて覆われた状態となっているため、
従来のようにエポキシ樹脂などにてエレメント４を被覆
する構成が不要で、エレメント４が外部から保護された
状態が容易に得られ、製造性を向上できるとともに、エ
レメント４の遮断時の周囲への悪影響を容易に防止でき
る。
３，３にて挟持されて覆われた状態となっているため、
従来のようにエポキシ樹脂などにてエレメント４を被覆
する構成が不要で、エレメント４が外部から保護された
状態が容易に得られ、製造性を向上できるとともに、エ
レメント４の遮断時の周囲への悪影響を容易に防止でき
る。
【００２８】なお、上記実施の一形態において、エレメ
ント４、電極部５および電極６の形成方法は、上記方法
に限定されるものではなく、いずれの方法でもできる。
例えば、電極部５を設けていない一対のヒューズ部２，
２を接合した後に一対の電極６，６を設けるなどしても
よい。
ント４、電極部５および電極６の形成方法は、上記方法
に限定されるものではなく、いずれの方法でもできる。
例えば、電極部５を設けていない一対のヒューズ部２，
２を接合した後に一対の電極６，６を設けるなどしても
よい。
【００２９】次に、本発明のヒューズの他の実施の形態
を図２を参照して説明する。
を図２を参照して説明する。
【００３０】この図２に示す実施の形態は、図１に示す
実施の形態の一対のヒューズ部２を、エレメント４，４
を所定の間隔で対向するように向かい合わせ、エレメン
ト４，４の長手方向の両端部に電極６，６が介在するよ
うに導電ペースなどを塗布・硬化して接合するとともに
電極６，６を形成し、一対のエレメント４，４間に空隙
８を介在させてヒューズ９を形成したものである。
実施の形態の一対のヒューズ部２を、エレメント４，４
を所定の間隔で対向するように向かい合わせ、エレメン
ト４，４の長手方向の両端部に電極６，６が介在するよ
うに導電ペースなどを塗布・硬化して接合するとともに
電極６，６を形成し、一対のエレメント４，４間に空隙
８を介在させてヒューズ９を形成したものである。
【００３１】この図２に示す実施の形態によれば、一対
のエレメント４，４が空隙８を介して対向するため、通
電時のエレメント４，４の放熱が空隙により疎外される
ので、エレメント４の速断型のヒューズが容易に得られ
るとともに、速断性を得るための空隙８を容易に形成で
きる。
のエレメント４，４が空隙８を介して対向するため、通
電時のエレメント４，４の放熱が空隙により疎外される
ので、エレメント４の速断型のヒューズが容易に得られ
るとともに、速断性を得るための空隙８を容易に形成で
きる。
【００３２】なお、上記図２に示す実施の形態におい
て、電極６を介在させて間隙８を設けて説明したが、例
えば図３に示すように、図１に示すヒューズ部２の電極
部５をエレメント４の長手方向の端部にまで設け、この
ヒューズ部２をエレメント４を対向させて接合すること
により、電極部５，５の厚さ寸法分で間隙８を形成する
など、空隙８の介在方法は、いずれの方法でもできる。
て、電極６を介在させて間隙８を設けて説明したが、例
えば図３に示すように、図１に示すヒューズ部２の電極
部５をエレメント４の長手方向の端部にまで設け、この
ヒューズ部２をエレメント４を対向させて接合すること
により、電極部５，５の厚さ寸法分で間隙８を形成する
など、空隙８の介在方法は、いずれの方法でもできる。
【００３３】次に、本発明のヒューズのさらに他の実施
の形態を図４を参照して説明する。
の形態を図４を参照して説明する。
【００３４】この図４に示す実施の形態は、図２に示す
実施の形態の空隙８に消弧作用を有する消弧材料を充填
したものである。すなわち、例えば図１に示す実施の形
態のヒューズ部２のエレメント４の略中央部に、例えば
スパッタリングにより消弧作用を有する消弧材料として
の珪素化合物である酸化珪素を主成分として薄膜状に形
成された保護膜10を設け、このヒューズ部２を保護膜1
0，10を接合しつつ、対向するエレメント４，４の端部
間に導電ペーストなどを充填するように電極６，６を形
成して、ヒューズ11を形成する。
実施の形態の空隙８に消弧作用を有する消弧材料を充填
したものである。すなわち、例えば図１に示す実施の形
態のヒューズ部２のエレメント４の略中央部に、例えば
スパッタリングにより消弧作用を有する消弧材料として
の珪素化合物である酸化珪素を主成分として薄膜状に形
成された保護膜10を設け、このヒューズ部２を保護膜1
0，10を接合しつつ、対向するエレメント４，４の端部
間に導電ペーストなどを充填するように電極６，６を形
成して、ヒューズ11を形成する。
【００３５】そして、この図４に示す構成によれば、一
対のエレメント４，４の一部をそれぞれ覆って設けた保
護膜10，10を介して対向したため、保護膜10，10の酸化
珪素の消弧作用により、エレメント４，４の遮断時のア
ークの発生を防止でき、確実にヒューズ端子間をオープ
ンにし定格電圧の大きい構成が容易に得られる。
対のエレメント４，４の一部をそれぞれ覆って設けた保
護膜10，10を介して対向したため、保護膜10，10の酸化
珪素の消弧作用により、エレメント４，４の遮断時のア
ークの発生を防止でき、確実にヒューズ端子間をオープ
ンにし定格電圧の大きい構成が容易に得られる。
【００３６】さらに、保護膜10をスパッタリングにより
形成された薄膜としたため、保護膜10をさらに薄膜化が
容易にでき、製造性も向上できる。
形成された薄膜としたため、保護膜10をさらに薄膜化が
容易にでき、製造性も向上できる。
【００３７】なお、この図４に示す実施の形態におい
て、ヒューズ部２にそれぞれ消弧作用を有する保護膜10
を薄膜状に形成し接合して説明したが、例えば図２に示
す実施の形態の空隙８に、消弧作用を有する消弧材料を
介在させる、すなわち消弧作用を有する粒状のガラス粒
子を充填するなど、いずれの方法により消弧作用を有す
る消弧材料を介在させても同様の効果が得られる。
て、ヒューズ部２にそれぞれ消弧作用を有する保護膜10
を薄膜状に形成し接合して説明したが、例えば図２に示
す実施の形態の空隙８に、消弧作用を有する消弧材料を
介在させる、すなわち消弧作用を有する粒状のガラス粒
子を充填するなど、いずれの方法により消弧作用を有す
る消弧材料を介在させても同様の効果が得られる。
【００３８】また、薄膜状に形成した一対の保護膜10，
10間に例えばシリコーンを主成分とするペーストなどを
塗布・硬化させて、保護膜10，10を積層構造にするなど
してもよい。この構成によれば、エレメント４，４を被
覆する保護膜10の消弧作用が、保護膜10，10間に介在し
た消弧作用を有する消弧材料にて消弧作用が補強され、
確実にアークの発生を防止できる。
10間に例えばシリコーンを主成分とするペーストなどを
塗布・硬化させて、保護膜10，10を積層構造にするなど
してもよい。この構成によれば、エレメント４，４を被
覆する保護膜10の消弧作用が、保護膜10，10間に介在し
た消弧作用を有する消弧材料にて消弧作用が補強され、
確実にアークの発生を防止できる。
【００３９】
【発明の効果】請求項１記載のヒューズによれば、エレ
メントをそれぞれ薄膜形成した一対の絶縁基板をエレメ
ントを対向させて接合し、絶縁基板にエレメントの端部
にそれぞれ電気的に接続する電極を一対設けるため、エ
レメントの膜厚が容易に厚く形成でき、定格電流を増大
できるとともに、対称形状であるため、同一形状の接合
により容易に形成でき、また絶縁基板がエレメントを覆
う状態となるので、エレメントを被覆する構成が不要
で、製造性を向上でき、エレメントの遮断時の周囲への
悪影響を防止できる。
メントをそれぞれ薄膜形成した一対の絶縁基板をエレメ
ントを対向させて接合し、絶縁基板にエレメントの端部
にそれぞれ電気的に接続する電極を一対設けるため、エ
レメントの膜厚が容易に厚く形成でき、定格電流を増大
できるとともに、対称形状であるため、同一形状の接合
により容易に形成でき、また絶縁基板がエレメントを覆
う状態となるので、エレメントを被覆する構成が不要
で、製造性を向上でき、エレメントの遮断時の周囲への
悪影響を防止できる。
【００４０】請求項２記載のヒューズによれば、請求項
１記載のヒューズの効果に加え、エレメントをそれぞれ
薄膜形成した同一形状の一対の絶縁基板を、エレメント
を空隙を介して対向するように接合するため、エレメン
トの放熱を疎外する空隙を容易に形成でき、速断性を向
上できる。
１記載のヒューズの効果に加え、エレメントをそれぞれ
薄膜形成した同一形状の一対の絶縁基板を、エレメント
を空隙を介して対向するように接合するため、エレメン
トの放熱を疎外する空隙を容易に形成でき、速断性を向
上できる。
【００４１】請求項３記載のヒューズによれば、請求項
１記載のヒューズの効果に加え、一対のエレメントの一
部をそれぞれ覆って設けられた保護膜を介して対向させ
るため、エレメントの遮断時のアークの発生を防止で
き、確実にヒューズ端子間をオープンにでき、定格電圧
の大きい構成が容易に得られる。
１記載のヒューズの効果に加え、一対のエレメントの一
部をそれぞれ覆って設けられた保護膜を介して対向させ
るため、エレメントの遮断時のアークの発生を防止で
き、確実にヒューズ端子間をオープンにでき、定格電圧
の大きい構成が容易に得られる。
【図１】本発明のヒューズの実施の一形態を示す断面図
である。
である。
【図２】本発明のヒューズの他の実施の形態を示す断面
図である。
図である。
【図３】本発明のヒューズのさらに他の実施の形態を示
す断面図である。
す断面図である。
【図４】本発明のヒューズのさらに他の実施の形態を示
す断面図である。
す断面図である。
【図５】従来例のヒューズを示す断面図である。
１，９，11 ヒューズ ３ 絶縁基板 ４ エレメント ６ 電極 ８ 空隙 10 消弧材料にて形成された保護膜
Claims (3)
- 【請求項１】 平面が対向する一対の絶縁基板と、 これら絶縁基板の対向する平面にそれぞれ対向して薄膜
形成された一対のエレメントと、 前記絶縁基板に設けられ前記エレメントの端部にそれぞ
れ電気的に接続する一対の電極とを具備したことを特徴
とするヒューズ。 - 【請求項２】 一対のエレメントは、少なくとも一部が
空隙を介して対向することを特徴とした請求項１記載の
ヒューズ。 - 【請求項３】 一対のエレメントは、少なくとも一部を
覆って設けられた消弧作用を有する消弧材料を介して対
向することを特徴とした請求項１記載のヒューズ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11835197A JPH10308157A (ja) | 1997-05-08 | 1997-05-08 | ヒューズ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11835197A JPH10308157A (ja) | 1997-05-08 | 1997-05-08 | ヒューズ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10308157A true JPH10308157A (ja) | 1998-11-17 |
Family
ID=14734557
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11835197A Pending JPH10308157A (ja) | 1997-05-08 | 1997-05-08 | ヒューズ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10308157A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010244773A (ja) * | 2009-04-03 | 2010-10-28 | Hung-Jr Chiou | 電流保護の素子構造、および、その製造方法 |
| DE102010026091A1 (de) * | 2010-07-05 | 2012-01-05 | Hung-Chih Chiu | Überstromsicherung |
| JP2012023367A (ja) * | 2010-07-16 | 2012-02-02 | Schurter Ag | 保護要素 |
| JP2013041829A (ja) * | 2011-08-18 | 2013-02-28 | Industrial Technology Research Institute | 保護素子および保護素子を用いた保護装置 |
| CN102956413A (zh) * | 2011-08-18 | 2013-03-06 | 财团法人工业技术研究院 | 保护元件及应用此保护元件的保护装置 |
| JP2014049553A (ja) * | 2012-08-30 | 2014-03-17 | Nichicon Corp | 固体電解コンデンサ |
| US9972991B2 (en) | 2016-05-20 | 2018-05-15 | Polytronics Technology Corp. | Protection device and circuit protection apparatus containing the same |
-
1997
- 1997-05-08 JP JP11835197A patent/JPH10308157A/ja active Pending
Cited By (12)
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|---|---|---|---|---|
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| DE102010026091B4 (de) * | 2010-07-05 | 2017-02-02 | Hung-Chih Chiu | Überstromsicherung |
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| DE102017110897B4 (de) | 2016-05-20 | 2021-09-23 | Polytronics Technology Corporation | Schutzvorrichtung und Schaltkreisschutzgerät aufweisend dasselbe |
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|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
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|
| A977 | Report on retrieval |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20070523 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |