JPH1196886A - チップ形ヒューズ及びその製造方法 - Google Patents
チップ形ヒューズ及びその製造方法Info
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- JPH1196886A JPH1196886A JP27055297A JP27055297A JPH1196886A JP H1196886 A JPH1196886 A JP H1196886A JP 27055297 A JP27055297 A JP 27055297A JP 27055297 A JP27055297 A JP 27055297A JP H1196886 A JPH1196886 A JP H1196886A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 過電流が流れたとき、適切にヒューズが溶断
するチップ形ヒューズを提供する。 【解決手段】 無機質の基板２の上面にシリコーン膜４
を形成し、この膜４上にヒューズ膜６を形成している。
するチップ形ヒューズを提供する。 【解決手段】 無機質の基板２の上面にシリコーン膜４
を形成し、この膜４上にヒューズ膜６を形成している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば電子回路に
過電流が流れたとき、溶断することによって、電子回路
に過電流が流れることを防止するチップ形ヒューズ及び
その製造方法に関する。
過電流が流れたとき、溶断することによって、電子回路
に過電流が流れることを防止するチップ形ヒューズ及び
その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】チップ形ヒューズには、プリント基板に
面実装するため、チップ化されたものがある。このチッ
プ化されたチップ形ヒューズには、ガラスエポキシ基板
に直接にヒューズパターンを形成し、このヒューズパタ
ーンに電極を接続したものや、ガラス基板或いはセラミ
ック基板のような無機基板に直接にヒューズパターンを
形成し、やはり電極に接続したものがある。
面実装するため、チップ化されたものがある。このチッ
プ化されたチップ形ヒューズには、ガラスエポキシ基板
に直接にヒューズパターンを形成し、このヒューズパタ
ーンに電極を接続したものや、ガラス基板或いはセラミ
ック基板のような無機基板に直接にヒューズパターンを
形成し、やはり電極に接続したものがある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ガラスエポキ
シ基板に直接にヒューズパターンを形成したものでは、
過電流が流れたとき、基板全体の温度が上昇し、電極部
とプリント基板とを接続しているはんだの溶融が生じた
り、最悪の場合、発火する可能性がある。また、無機基
板に直接にヒューズパターンを形成したものでは、基板
の熱伝導が大きいので、ヒューズの抵抗値を大きくし
て、大きなジュール熱を発生させないと、過電流が流れ
ていてもヒューズが溶断しない。また、ヒューズの抵抗
値を大きくするためには、ヒューズパターンを薄くした
り、細くしたりする必要があり、ヒューズパターンの熱
容量が小さくなり、耐パルス性が低下する。
シ基板に直接にヒューズパターンを形成したものでは、
過電流が流れたとき、基板全体の温度が上昇し、電極部
とプリント基板とを接続しているはんだの溶融が生じた
り、最悪の場合、発火する可能性がある。また、無機基
板に直接にヒューズパターンを形成したものでは、基板
の熱伝導が大きいので、ヒューズの抵抗値を大きくし
て、大きなジュール熱を発生させないと、過電流が流れ
ていてもヒューズが溶断しない。また、ヒューズの抵抗
値を大きくするためには、ヒューズパターンを薄くした
り、細くしたりする必要があり、ヒューズパターンの熱
容量が小さくなり、耐パルス性が低下する。
【０００４】本発明は、過電流が流れたとき、適切にヒ
ューズが溶断するチップ形ヒューズを提供することを目
的とする。また、製造が容易で適切にヒューズ素子が溶
断するチップ形ヒューズの製造方法を提供することを目
的とする。
ューズが溶断するチップ形ヒューズを提供することを目
的とする。また、製造が容易で適切にヒューズ素子が溶
断するチップ形ヒューズの製造方法を提供することを目
的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、請求項１記載の発明によるチップ形ヒューズは、無
機質の基板と、この基板の一面に形成された熱伝導性の
低い膜と、この膜上に形成されたヒューズ素子とを、有
している。無機質の基板としては、例えばガラス基板ま
たはセラミック基板を使用することができる。熱伝導性
の低い膜としては、難燃性の樹脂膜、例えばシリコーン
樹脂膜を使用することができる。
め、請求項１記載の発明によるチップ形ヒューズは、無
機質の基板と、この基板の一面に形成された熱伝導性の
低い膜と、この膜上に形成されたヒューズ素子とを、有
している。無機質の基板としては、例えばガラス基板ま
たはセラミック基板を使用することができる。熱伝導性
の低い膜としては、難燃性の樹脂膜、例えばシリコーン
樹脂膜を使用することができる。
【０００６】無機質の基板は、比較的に熱伝導が良好で
あるが、この無機質の膜上に熱伝導性の低い膜を形成
し、この膜の上にさらにヒューズ素子を形成しているの
で、ヒューズ素子に過電流が流れて、ヒューズ素子が発
熱しても、その熱は無機質基板側には伝導されず、良好
にヒューズ素子が溶断する。従って、特別にヒューズ素
子を薄くしたり、細くしたりする必要がなく、ヒューズ
素子の熱容量を小さくならず、耐パルス性の低下も生じ
ない。無論、電極の溶断や発火が生じることもない。
あるが、この無機質の膜上に熱伝導性の低い膜を形成
し、この膜の上にさらにヒューズ素子を形成しているの
で、ヒューズ素子に過電流が流れて、ヒューズ素子が発
熱しても、その熱は無機質基板側には伝導されず、良好
にヒューズ素子が溶断する。従って、特別にヒューズ素
子を薄くしたり、細くしたりする必要がなく、ヒューズ
素子の熱容量を小さくならず、耐パルス性の低下も生じ
ない。無論、電極の溶断や発火が生じることもない。
【０００７】請求項２記載の発明は、請求項１記載の回
路保護用部品において、さらに、前記ヒューズ素子を、
前記熱伝導性の低い膜と同質の膜で覆ってある。
路保護用部品において、さらに、前記ヒューズ素子を、
前記熱伝導性の低い膜と同質の膜で覆ってある。
【０００８】ヒューズ素子は、基板側だけでなく全周囲
を熱伝導性の低い膜によって覆われているので、益々良
好に溶断する。
を熱伝導性の低い膜によって覆われているので、益々良
好に溶断する。
【０００９】請求項３記載の発明は、無機質の基板上に
熱伝導性の低い樹脂膜を形成し、その後に、この膜上に
ヒューズ素子を、例えば薄膜プロセスを使用して形成す
ることによって、製造するものである。ヒューズ素子を
基板と非接触とするため、例えば、基板上に有機薄膜を
形成し、その上にヒューズ素子を薄膜プロセスによって
形成し、その後に有機薄膜を除去することも考えられ
る。しかし、これでは、有機薄膜を除去する作業が必要
な上に、ヒューズ素子からの発熱を基板側に伝わらない
ようにするためには、後に熱伝導性の低い樹脂等をヒュ
ーズ素子と基板との間に設けなければならない。この作
業が面倒である上に、両者に完全に接触した状態に樹脂
を設けることができず、或る程度の隙間が生じる。これ
に対し、請求項３記載の発明によれば、除去作業が不要
であり、しかも確実にヒューズ素子と基板とに、熱伝導
性の低い樹脂膜を接触させることができる。
熱伝導性の低い樹脂膜を形成し、その後に、この膜上に
ヒューズ素子を、例えば薄膜プロセスを使用して形成す
ることによって、製造するものである。ヒューズ素子を
基板と非接触とするため、例えば、基板上に有機薄膜を
形成し、その上にヒューズ素子を薄膜プロセスによって
形成し、その後に有機薄膜を除去することも考えられ
る。しかし、これでは、有機薄膜を除去する作業が必要
な上に、ヒューズ素子からの発熱を基板側に伝わらない
ようにするためには、後に熱伝導性の低い樹脂等をヒュ
ーズ素子と基板との間に設けなければならない。この作
業が面倒である上に、両者に完全に接触した状態に樹脂
を設けることができず、或る程度の隙間が生じる。これ
に対し、請求項３記載の発明によれば、除去作業が不要
であり、しかも確実にヒューズ素子と基板とに、熱伝導
性の低い樹脂膜を接触させることができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の１実施の形態のチップ形
ヒューズは、図１に示すように、基板２を有している。
この基板２は、例えば小型の直方体状に、無機質、例え
ばセラミックまたはガラスによって形成されている。こ
の基板２の上面のほぼ中央には、熱伝導性の低い樹脂、
例えばシリコーン樹脂製の膜４が形成されている。この
膜は、例えば１０μの厚さのものである。
ヒューズは、図１に示すように、基板２を有している。
この基板２は、例えば小型の直方体状に、無機質、例え
ばセラミックまたはガラスによって形成されている。こ
の基板２の上面のほぼ中央には、熱伝導性の低い樹脂、
例えばシリコーン樹脂製の膜４が形成されている。この
膜は、例えば１０μの厚さのものである。
【００１１】この膜４上に、ヒューズ素子、例えばヒュ
ーズ膜６が形成されている。このヒューズ膜６は、図２
に示すようにシリコーン樹脂膜４のほぼ中央に形成され
ている。このヒューズ膜６は、基板２の上面にその両端
部に向かって形成されているリード上面部８ａ、８ｂと
一体に形成されている。
ーズ膜６が形成されている。このヒューズ膜６は、図２
に示すようにシリコーン樹脂膜４のほぼ中央に形成され
ている。このヒューズ膜６は、基板２の上面にその両端
部に向かって形成されているリード上面部８ａ、８ｂと
一体に形成されている。
【００１２】基板２の両端面には、リード上面部８ａ、
８ｂと接触した状態にリード端面部８ｃ、８ｄが形成さ
れている。また、基板２の下面の両端部側には、リード
下面部８ｅ、８ｆがリード端面部８ｃ、８ｄと接触した
状態に形成されている。また、これらリード上面部８
ａ、リード端面部８ｃ、リード下面部８ｅには、ニッケ
ル及びはんだメッキ１０ａが施され、同じくリード上面
部８ｂ、リード端面部８ｄ、リード下面部８ｆにも、ニ
ッケル及びはんだメッキ１０ｂが施されている。
８ｂと接触した状態にリード端面部８ｃ、８ｄが形成さ
れている。また、基板２の下面の両端部側には、リード
下面部８ｅ、８ｆがリード端面部８ｃ、８ｄと接触した
状態に形成されている。また、これらリード上面部８
ａ、リード端面部８ｃ、リード下面部８ｅには、ニッケ
ル及びはんだメッキ１０ａが施され、同じくリード上面
部８ｂ、リード端面部８ｄ、リード下面部８ｆにも、ニ
ッケル及びはんだメッキ１０ｂが施されている。
【００１３】ヒューズ膜６及びリード上面部８ａ、８ｂ
の一部を覆うように、その上面側には、シリコーン樹脂
膜１２が形成されている。
の一部を覆うように、その上面側には、シリコーン樹脂
膜１２が形成されている。
【００１４】このチップ形ヒューズは、例えば次のよう
にして製造される。図３（ａ）に示すように基板２の上
面中央に、例えばスクリーン印刷等によってシリコーン
膜４を形成する。次に、同図（ｂ）に示すように、薄膜
プロセス、例えば真空蒸着、メッキ、エッチング等を施
すことによってヒューズ膜６とリード上面部８ａ、８ｂ
を、例えば銅によって形成する。
にして製造される。図３（ａ）に示すように基板２の上
面中央に、例えばスクリーン印刷等によってシリコーン
膜４を形成する。次に、同図（ｂ）に示すように、薄膜
プロセス、例えば真空蒸着、メッキ、エッチング等を施
すことによってヒューズ膜６とリード上面部８ａ、８ｂ
を、例えば銅によって形成する。
【００１５】次に、図示を省略したが、スクリーン印刷
によってシリコーン樹脂膜１２を形成する。
によってシリコーン樹脂膜１２を形成する。
【００１６】そして、同図（ｃ）に示すようにリード下
面８ｅ、８ｆを蒸着、エッチング等によって形成し、同
図（ｄ）に示すようにリード端面８ｃ、８ｆを同じく蒸
着、エッチング等によって形成し、最後にニッケル及び
はんだメッキ１０ａ、１０ｂが施される。
面８ｅ、８ｆを蒸着、エッチング等によって形成し、同
図（ｄ）に示すようにリード端面８ｃ、８ｆを同じく蒸
着、エッチング等によって形成し、最後にニッケル及び
はんだメッキ１０ａ、１０ｂが施される。
【００１７】このチップ形ヒューズは、シリコーン膜４
を設けているので、ヒューズ膜６が直接に基板２と接触
していない。従って、ヒューズ膜６で発生した熱は、基
板２側には逃げにくく、効率よく確実に溶断する。
を設けているので、ヒューズ膜６が直接に基板２と接触
していない。従って、ヒューズ膜６で発生した熱は、基
板２側には逃げにくく、効率よく確実に溶断する。
【００１８】図４は、このチップ形ヒューズと、ヒュー
ズ膜６を直接に基板２に形成した以外、このチップ形ヒ
ューズと同一に形成しているものとの溶断特性を示した
もので、このチップ形ヒューズの方が、最小溶断電流が
小さく、大電流域ではほぼ同じ時間で溶断する。
ズ膜６を直接に基板２に形成した以外、このチップ形ヒ
ューズと同一に形成しているものとの溶断特性を示した
もので、このチップ形ヒューズの方が、最小溶断電流が
小さく、大電流域ではほぼ同じ時間で溶断する。
【００１９】図５は、このチップ形ヒューズと、これと
最小溶断電流が等しくなるようにヒューズ膜の厚さを薄
くして抵抗値を変更すると共に、直接に基板２にヒュー
ズ膜を形成したものとの溶断特性を示したものである。
図５より、溶断時間が短い程、抵抗値が大きくなるの
で、同じ定格で作る場合、このチップ形ヒューズの方
が、小さい抵抗値で作成することができる。即ち、この
チップ形ヒューズの方が電圧降下が小さく、耐パルス性
が大きい。
最小溶断電流が等しくなるようにヒューズ膜の厚さを薄
くして抵抗値を変更すると共に、直接に基板２にヒュー
ズ膜を形成したものとの溶断特性を示したものである。
図５より、溶断時間が短い程、抵抗値が大きくなるの
で、同じ定格で作る場合、このチップ形ヒューズの方
が、小さい抵抗値で作成することができる。即ち、この
チップ形ヒューズの方が電圧降下が小さく、耐パルス性
が大きい。
【００２０】また、セラミック基板は熱伝導性が良いの
で、ヒューズ膜の材質によって溶断電流以下でセラミッ
ク基板の温度が上昇し、このチップ形ヒューズをプリン
ト基板に取り付けている半田が溶融する可能性があった
が、シリコーン膜４を設けたことによって、この点も改
善された。なお、ヒューズ膜に代えて、はんだ等からな
るヒューズ線を使用することもできる。
で、ヒューズ膜の材質によって溶断電流以下でセラミッ
ク基板の温度が上昇し、このチップ形ヒューズをプリン
ト基板に取り付けている半田が溶融する可能性があった
が、シリコーン膜４を設けたことによって、この点も改
善された。なお、ヒューズ膜に代えて、はんだ等からな
るヒューズ線を使用することもできる。
【００２１】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、過電流
が流れた際に、電極部が溶断することなく、適切にヒュ
ーズが溶断するチップ形ヒューズを得ることができた。
が流れた際に、電極部が溶断することなく、適切にヒュ
ーズが溶断するチップ形ヒューズを得ることができた。
【図１】本発明の１実施の形態のチップ形ヒューズの縦
断面図である。
断面図である。
【図２】図１のチップ形ヒューズの部分省略平面図であ
る。
る。
【図３】図１のチップ形ヒューズの製造過程を示す図で
ある。
ある。
【図４】図１のチップ形ヒューズと基板に直接にヒュー
ズ膜を形成したチップ形ヒューズの溶断特性図である。
ズ膜を形成したチップ形ヒューズの溶断特性図である。
【図５】図１のチップ形ヒューズと、基板に直接にヒュ
ーズ膜を形成し、かつ最小溶断電流が等しくなるように
ヒューズ膜の厚さを調整したチップ形ヒューズの溶断特
性図である。
ーズ膜を形成し、かつ最小溶断電流が等しくなるように
ヒューズ膜の厚さを調整したチップ形ヒューズの溶断特
性図である。
２ 基板 ４ シリコーン膜 ６ ヒューズ膜
Claims (3)
- 【請求項１】 無機質の基板と、この基板の一面に形成
された熱伝導性の低い膜と、この膜上に形成されたヒュ
ーズ素子とを、有するチップ形ヒューズ。 - 【請求項２】 請求項１記載のチップ形ヒューズにおい
て、さらに、前記ヒューズ素子を、前記熱伝導性の低い
膜と同質の膜で覆ったことを特徴とするチップ形ヒュー
ズ。 - 【請求項３】 無機質の基板の一面に、熱伝導性の低い
膜を形成する過程と、この膜上にヒューズ素子を形成す
る過程とを、有するチップ形ヒューズの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27055297A JPH1196886A (ja) | 1997-09-16 | 1997-09-16 | チップ形ヒューズ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27055297A JPH1196886A (ja) | 1997-09-16 | 1997-09-16 | チップ形ヒューズ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1196886A true JPH1196886A (ja) | 1999-04-09 |
Family
ID=17487775
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27055297A Pending JPH1196886A (ja) | 1997-09-16 | 1997-09-16 | チップ形ヒューズ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1196886A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005243621A (ja) * | 2004-01-29 | 2005-09-08 | Cooper Technol Co | 低抵抗ポリマーマトリックスヒューズの装置および方法 |
| JP2005302585A (ja) * | 2004-04-14 | 2005-10-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 回路保護素子およびその製造方法 |
| WO2009060607A1 (ja) * | 2007-11-08 | 2009-05-14 | Panasonic Corporation | 回路保護素子およびその製造方法 |
| WO2011043233A1 (ja) * | 2009-10-08 | 2011-04-14 | 北陸電気工業株式会社 | チップヒューズ |
| CN102129936A (zh) * | 2011-01-26 | 2011-07-20 | 上海长园维安电子线路保护股份有限公司 | 带垫层的薄型温度熔断器的制造工艺 |
| CN104299868A (zh) * | 2013-07-17 | 2015-01-21 | 乾坤科技股份有限公司 | 保护元件及过电流及过电压保护模块 |
| KR102095225B1 (ko) | 2019-12-02 | 2020-03-31 | 장병철 | 혼성집적회로 기술을 이용한 칩형 퓨즈 |
| KR102095227B1 (ko) | 2019-12-02 | 2020-03-31 | 장병철 | 후막 인쇄방식을 이용한 칩형 퓨즈 제조방법 |
-
1997
- 1997-09-16 JP JP27055297A patent/JPH1196886A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005243621A (ja) * | 2004-01-29 | 2005-09-08 | Cooper Technol Co | 低抵抗ポリマーマトリックスヒューズの装置および方法 |
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| JP2010080418A (ja) * | 2007-11-08 | 2010-04-08 | Panasonic Corp | 回路保護素子およびその製造方法 |
| US9035740B2 (en) | 2007-11-08 | 2015-05-19 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Circuit protective device and method for manufacturing the same |
| WO2011043233A1 (ja) * | 2009-10-08 | 2011-04-14 | 北陸電気工業株式会社 | チップヒューズ |
| JP2011082064A (ja) * | 2009-10-08 | 2011-04-21 | Hokuriku Electric Ind Co Ltd | チップヒューズ |
| CN102129936A (zh) * | 2011-01-26 | 2011-07-20 | 上海长园维安电子线路保护股份有限公司 | 带垫层的薄型温度熔断器的制造工艺 |
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| KR102095225B1 (ko) | 2019-12-02 | 2020-03-31 | 장병철 | 혼성집적회로 기술을 이용한 칩형 퓨즈 |
| KR102095227B1 (ko) | 2019-12-02 | 2020-03-31 | 장병철 | 후막 인쇄방식을 이용한 칩형 퓨즈 제조방법 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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Effective date: 20040812 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20070927 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20071009 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071207 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20080401 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080602 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20080916 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |