JPH0247842B2 - Seramitsukubarisuta - Google Patents
SeramitsukubarisutaInfo
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- JPH0247842B2 JPH0247842B2 JP56158292A JP15829281A JPH0247842B2 JP H0247842 B2 JPH0247842 B2 JP H0247842B2 JP 56158292 A JP56158292 A JP 56158292A JP 15829281 A JP15829281 A JP 15829281A JP H0247842 B2 JPH0247842 B2 JP H0247842B2
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- ceramic
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Links
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Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はセラミツクバリスタに関するものであ
つて、その目的とするところは異常電圧又は過大
な侵入サージによつて破損されることのない自己
防御作用を備えたセラミツクバリスタを提供する
ことにある。
つて、その目的とするところは異常電圧又は過大
な侵入サージによつて破損されることのない自己
防御作用を備えたセラミツクバリスタを提供する
ことにある。
酸化亜鉛を主体とするセラミツクバリスタは、
酸化亜鉛にビスマス、アンチモン、コバルト、マ
ンガン等の金属酸化物を添加して混合成形し、
1000〜1300℃で焼結して形成され、すぐれた非直
線電圧抵抗特性を有するので各種電気回路のサー
ジ吸収器として広く用いられている。第１図は従
来のセラミツクバリスタを示している。１はセラ
ミツク基板で、その表面および裏面には、銀又は
銅、あるいはアルミニユーム等の導電性金属の焼
き付け、メツキあるいは溶射等によつて平面電極
２，２′を形成している。３，３′は平面電極２，
２′に半田付けされたリード線である。
酸化亜鉛にビスマス、アンチモン、コバルト、マ
ンガン等の金属酸化物を添加して混合成形し、
1000〜1300℃で焼結して形成され、すぐれた非直
線電圧抵抗特性を有するので各種電気回路のサー
ジ吸収器として広く用いられている。第１図は従
来のセラミツクバリスタを示している。１はセラ
ミツク基板で、その表面および裏面には、銀又は
銅、あるいはアルミニユーム等の導電性金属の焼
き付け、メツキあるいは溶射等によつて平面電極
２，２′を形成している。３，３′は平面電極２，
２′に半田付けされたリード線である。
ところで上記構造のセラミツクバリスタは、定
格最大値以上の異常電圧が印加されたとき、ある
いは耐量以上の過大サージが侵入したときは短
絡、破壊されるので、回路に遮断器又は電流ヒユ
ーズを接続してこれを異常電圧および過大サージ
から保護している。本発明はこの点にかんがみ、
セラミツクバリスタそれ自体に異常電圧および過
大サージに対する防御機能を付与することによ
り、遮断器、電流ヒユーズ等を省略し、配線基板
を簡素化することを意図するものである。
格最大値以上の異常電圧が印加されたとき、ある
いは耐量以上の過大サージが侵入したときは短
絡、破壊されるので、回路に遮断器又は電流ヒユ
ーズを接続してこれを異常電圧および過大サージ
から保護している。本発明はこの点にかんがみ、
セラミツクバリスタそれ自体に異常電圧および過
大サージに対する防御機能を付与することによ
り、遮断器、電流ヒユーズ等を省略し、配線基板
を簡素化することを意図するものである。
本発明の実施例を第２図、第３図および第４図
によつて説明する。第２図において、４は長方形
のセラミツク基板で、その表面および裏面の中央
部には若干の巾をもつ耐熱絶縁層５，５′が設け
てある。この耐熱絶縁層５，５′は耐熱ガラスあ
るいはアルミナなどの耐熱性無機絶縁材料を焼付
け、溶射などの方法によつて数十μm程度の厚さ
に形成される。第３図において、６，６′は表面
および裏面の中央部に設けた前記耐熱絶縁層５，
５′の両側に分離して設けた平面電極で、巾の狭
い渡り電極７，７′によつて連通されている。平
面電極６，６′は銀又は銅あるいはアルミニユー
ムの焼付け、メツキ、溶射などの方法によつて形
成される。渡り電極７，７′は比較的融点の低い
アルミニユーム等の易溶性金属の溶射あるいは蒸
着によつて耐熱絶縁層５，５′の上に形成され、
その厚さは数ミクロンないしは30μmである。８，
８′は表面の２分された平面電極６の一つと、そ
の表面の他方の一つに対向する裏面の平面電極
６′とに半田付けされたリード線である。リード
線８，８′の半田付けされたセラミツク基板４の
表面はエポキシ樹脂などによつてコーテイングさ
れる。第４図は本発明の他の実施例で、イは耐熱
絶縁層５，５′を渡り電極７，７′の下の部分にの
み、設けた場合であり、ロは絶縁層５，５′およ
び渡り電極７，７′を中央部から片方に変位して
設けた場合を示している。
によつて説明する。第２図において、４は長方形
のセラミツク基板で、その表面および裏面の中央
部には若干の巾をもつ耐熱絶縁層５，５′が設け
てある。この耐熱絶縁層５，５′は耐熱ガラスあ
るいはアルミナなどの耐熱性無機絶縁材料を焼付
け、溶射などの方法によつて数十μm程度の厚さ
に形成される。第３図において、６，６′は表面
および裏面の中央部に設けた前記耐熱絶縁層５，
５′の両側に分離して設けた平面電極で、巾の狭
い渡り電極７，７′によつて連通されている。平
面電極６，６′は銀又は銅あるいはアルミニユー
ムの焼付け、メツキ、溶射などの方法によつて形
成される。渡り電極７，７′は比較的融点の低い
アルミニユーム等の易溶性金属の溶射あるいは蒸
着によつて耐熱絶縁層５，５′の上に形成され、
その厚さは数ミクロンないしは30μmである。８，
８′は表面の２分された平面電極６の一つと、そ
の表面の他方の一つに対向する裏面の平面電極
６′とに半田付けされたリード線である。リード
線８，８′の半田付けされたセラミツク基板４の
表面はエポキシ樹脂などによつてコーテイングさ
れる。第４図は本発明の他の実施例で、イは耐熱
絶縁層５，５′を渡り電極７，７′の下の部分にの
み、設けた場合であり、ロは絶縁層５，５′およ
び渡り電極７，７′を中央部から片方に変位して
設けた場合を示している。
次に本発明のセラミツクバリスタの作用を説明
する。いま、過大サージの侵入によつて第３図ロ
に示すようにセラミツク基板４に短絡ａが発生し
たとする。このときの短絡電流はリード線８から
渡り電極７を通過してリード線８′に流れるから
易溶性金属よりなる渡り電極７は通過電流によつ
て溶断される。短絡の場所がａと反対側の場合は
渡り電極７′が溶断する。すなわち、渡り電極７，
７′は電流ヒユーズとして作用するからその材料、
厚み、巾、長さは遮断電流によつて設定される。
第１図の従来のセラミツクバリスタにおいては、
短絡が発生すると短絡電流によつてセラミツク基
板に低抵抗の貫通孔を生じ、この貫通孔を通過す
る過大電流のジユール熱によつてセラミツク基板
が焼損するが、本発明は渡り電極の溶断によつて
これを未然に防止するばかりでなく、短絡が発生
した後も、完全ではないがセラミツクバリスタと
しての作用を保持している。
する。いま、過大サージの侵入によつて第３図ロ
に示すようにセラミツク基板４に短絡ａが発生し
たとする。このときの短絡電流はリード線８から
渡り電極７を通過してリード線８′に流れるから
易溶性金属よりなる渡り電極７は通過電流によつ
て溶断される。短絡の場所がａと反対側の場合は
渡り電極７′が溶断する。すなわち、渡り電極７，
７′は電流ヒユーズとして作用するからその材料、
厚み、巾、長さは遮断電流によつて設定される。
第１図の従来のセラミツクバリスタにおいては、
短絡が発生すると短絡電流によつてセラミツク基
板に低抵抗の貫通孔を生じ、この貫通孔を通過す
る過大電流のジユール熱によつてセラミツク基板
が焼損するが、本発明は渡り電極の溶断によつて
これを未然に防止するばかりでなく、短絡が発生
した後も、完全ではないがセラミツクバリスタと
しての作用を保持している。
以上述べたように本発明のセラミツクバリスタ
は、セラミツク基板４の表面および裏面の中央部
又は中央部から片方にずれた位置に耐熱絶縁層
５，５′を設け、該耐熱絶縁層５，５′の両側に分
離された平面電極を前記セラミツク基板４の表面
および裏面に形成し、前記２分された平面電極を
前記耐熱絶縁層５，５′の上に形成した巾の狭い
易溶性金属よりなる渡り電極７，７′によつて連
通させ、表面および裏面の平面電極には前記渡り
電極７，７′の反対の側にそれぞれリード線を接
続した構造を有するので、定格最大値以上の異常
電圧が印加されたとき、あるいは耐量以上の過大
サージが侵入したときには渡り電極７，７′が溶
断してセラミツクバリスタの破壊焼損を未然に防
止する。したがつて、セラミツクバリスタを保護
するための遮断器又は電流ヒユーズの必要がない
から配線基板が簡素化され、冒頭で述べた本発明
の目的を達成する作用効果を有する。
は、セラミツク基板４の表面および裏面の中央部
又は中央部から片方にずれた位置に耐熱絶縁層
５，５′を設け、該耐熱絶縁層５，５′の両側に分
離された平面電極を前記セラミツク基板４の表面
および裏面に形成し、前記２分された平面電極を
前記耐熱絶縁層５，５′の上に形成した巾の狭い
易溶性金属よりなる渡り電極７，７′によつて連
通させ、表面および裏面の平面電極には前記渡り
電極７，７′の反対の側にそれぞれリード線を接
続した構造を有するので、定格最大値以上の異常
電圧が印加されたとき、あるいは耐量以上の過大
サージが侵入したときには渡り電極７，７′が溶
断してセラミツクバリスタの破壊焼損を未然に防
止する。したがつて、セラミツクバリスタを保護
するための遮断器又は電流ヒユーズの必要がない
から配線基板が簡素化され、冒頭で述べた本発明
の目的を達成する作用効果を有する。
第１図：従来のセラミツクバリスタを示す図
で、イは平面図、ロは側面図、第２図：本発明の
セラミツク基板の実施例を示す図で、イは平面
図、ロは側面図、第３図：本発明のセラミツクバ
リスタの実施例を示す図で、イは平面図、ロは側
面図、第４図：本発明のセラミツク基板の他の実
施例で、イ，ロはその平面図。 記号、１……セラミツクバリスタ、２，２′…
…平面電極、３，３′……リード線、４……セラ
ミツク基板、５，５′……耐熱絶縁層、６，６′…
…平面電極、７，７′……渡り電極、８，８′……
リード線。
で、イは平面図、ロは側面図、第２図：本発明の
セラミツク基板の実施例を示す図で、イは平面
図、ロは側面図、第３図：本発明のセラミツクバ
リスタの実施例を示す図で、イは平面図、ロは側
面図、第４図：本発明のセラミツク基板の他の実
施例で、イ，ロはその平面図。 記号、１……セラミツクバリスタ、２，２′…
…平面電極、３，３′……リード線、４……セラ
ミツク基板、５，５′……耐熱絶縁層、６，６′…
…平面電極、７，７′……渡り電極、８，８′……
リード線。
Claims (1)
- １ セラミツク基板の表面および裏面の中央部又
は中央部から片方にずれた位置に耐熱絶縁層を設
け、該耐熱絶縁層の両側に分離された平面電極を
前記セラミツク基板の表面および裏面に形成し、
前記２分された平面電極を前記耐熱絶縁層の上に
設けた巾の狭い易溶性金属よりなる渡り電極によ
つて連通させ、この渡り電極に接続される前記表
面の２分された平面電極の一つと、その表面の他
方の一つの平面電極に対向する裏面の平面電極と
に、それぞれリード線を接続したことを特徴とす
るセラミツクバリスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56158292A JPH0247842B2 (ja) | 1981-10-05 | 1981-10-05 | Seramitsukubarisuta |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56158292A JPH0247842B2 (ja) | 1981-10-05 | 1981-10-05 | Seramitsukubarisuta |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5858703A JPS5858703A (ja) | 1983-04-07 |
| JPH0247842B2 true JPH0247842B2 (ja) | 1990-10-23 |
Family
ID=15668413
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56158292A Expired - Lifetime JPH0247842B2 (ja) | 1981-10-05 | 1981-10-05 | Seramitsukubarisuta |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0247842B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS624102U (ja) * | 1985-06-24 | 1987-01-12 | ||
| DE10137873C1 (de) | 2001-08-02 | 2002-10-17 | Epcos Ag | Elektrokeramisches Bauelement |
-
1981
- 1981-10-05 JP JP56158292A patent/JPH0247842B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5858703A (ja) | 1983-04-07 |
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