JPH0243321B2 - - Google Patents
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- JPH0243321B2 JPH0243321B2 JP56175998A JP17599881A JPH0243321B2 JP H0243321 B2 JPH0243321 B2 JP H0243321B2 JP 56175998 A JP56175998 A JP 56175998A JP 17599881 A JP17599881 A JP 17599881A JP H0243321 B2 JPH0243321 B2 JP H0243321B2
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- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はセラミツクバリスタに関するものであ
つて、その目的とするところは異常電圧又は過大
な侵入サージによつて破損されることのない自己
防御作用を備えたセラミツクバリスタを提供する
ことにある。
つて、その目的とするところは異常電圧又は過大
な侵入サージによつて破損されることのない自己
防御作用を備えたセラミツクバリスタを提供する
ことにある。
酸化亜鉛を主体とするセラミツクバリスタは、
酸化亜鉛にビスマス、アンチモン、コバルト、マ
ンガン等の金属酸化物を添加して混合成形し、
1000〜1300℃で焼結して形成され、すぐれた非直
線電圧抵抗特性を有するので各種電気回路のサー
ジ吸収器として広く用いられている。第１図は従
来のセラミツクバリスタを示している。１はセラ
ミツク基板で、その表面および裏面には、銀又は
銅、あるいはアルミニユーム等の導電性金属の焼
き付け、メツキあるいは溶射等によつて平面電極
２，２′を形成している。３，３′は平面電極２，
２′に半田付けされたリード線である。
酸化亜鉛にビスマス、アンチモン、コバルト、マ
ンガン等の金属酸化物を添加して混合成形し、
1000〜1300℃で焼結して形成され、すぐれた非直
線電圧抵抗特性を有するので各種電気回路のサー
ジ吸収器として広く用いられている。第１図は従
来のセラミツクバリスタを示している。１はセラ
ミツク基板で、その表面および裏面には、銀又は
銅、あるいはアルミニユーム等の導電性金属の焼
き付け、メツキあるいは溶射等によつて平面電極
２，２′を形成している。３，３′は平面電極２，
２′に半田付けされたリード線である。
ところで上記構造のセラミツクバリスタは、定
格最大値以上の異常電圧が印加されたとき、ある
いは耐量以上の過大サージが侵入したときは短
絡、破壊されるので、回路に遮断器又は電流ヒユ
ーズを接続してこれを異常電圧および過大サージ
から保護している。本発明はこの点にかんがみ、
セラミツクバリスタそれ自体に異常電圧および過
大サージに対する防御機能を付与することによ
り、遮断器、電流ヒユーズ等を省略し、配線基板
を簡素化することを意図するものである。
格最大値以上の異常電圧が印加されたとき、ある
いは耐量以上の過大サージが侵入したときは短
絡、破壊されるので、回路に遮断器又は電流ヒユ
ーズを接続してこれを異常電圧および過大サージ
から保護している。本発明はこの点にかんがみ、
セラミツクバリスタそれ自体に異常電圧および過
大サージに対する防御機能を付与することによ
り、遮断器、電流ヒユーズ等を省略し、配線基板
を簡素化することを意図するものである。
本発明の実施例を第２図および第３図によつて
説明する。第２図において、４は長方形のセラミ
ツク基板で、その表面の中央部には若干の巾をも
つ耐熱絶縁層５が設けてある。この耐熱絶縁層５
は耐熱ガラスあるいはアルミナなどの耐熱性無機
絶縁材料を焼付け、溶射などの方法によつて数十
μｍ程度の厚さに形成される。第３図において、
６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄおよび７ａ，７ｂ，７
ｃ，７ｄは前記耐熱絶縁層５の両側に分離して設
けた複数個の表面電極で６ａと７ａ、６ｂと７
ｂ、６ｃと７ｃ、６ｄと７ｄは巾の狭い渡り電極
８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄによつて連通されてい
る。表面電極６，７は銀又は銅あるいはアルミニ
ユームの焼付け、メツキ、溶射などの方法によつ
て形成される。渡り電極８は比較的融点の低いア
ルミニユーム等の易溶性金属の溶射あるいは蒸着
によつて耐熱絶縁層５の上に形成され、その厚さ
は数ミクロンないしは30μｍである。９は渡り電
極８の中心部に半田付けされたリード線である。
１０は第１図の平面電極２′と同様な裏面電極で
リード線９′が半田付けされる。リード線９，９1
を半田付けしたセラミツク基板４の表面はエポキ
シ樹脂などによつてコーテイングされる。
説明する。第２図において、４は長方形のセラミ
ツク基板で、その表面の中央部には若干の巾をも
つ耐熱絶縁層５が設けてある。この耐熱絶縁層５
は耐熱ガラスあるいはアルミナなどの耐熱性無機
絶縁材料を焼付け、溶射などの方法によつて数十
μｍ程度の厚さに形成される。第３図において、
６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄおよび７ａ，７ｂ，７
ｃ，７ｄは前記耐熱絶縁層５の両側に分離して設
けた複数個の表面電極で６ａと７ａ、６ｂと７
ｂ、６ｃと７ｃ、６ｄと７ｄは巾の狭い渡り電極
８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄによつて連通されてい
る。表面電極６，７は銀又は銅あるいはアルミニ
ユームの焼付け、メツキ、溶射などの方法によつ
て形成される。渡り電極８は比較的融点の低いア
ルミニユーム等の易溶性金属の溶射あるいは蒸着
によつて耐熱絶縁層５の上に形成され、その厚さ
は数ミクロンないしは30μｍである。９は渡り電
極８の中心部に半田付けされたリード線である。
１０は第１図の平面電極２′と同様な裏面電極で
リード線９′が半田付けされる。リード線９，９1
を半田付けしたセラミツク基板４の表面はエポキ
シ樹脂などによつてコーテイングされる。
次に本発明のセラミツクバリスタの作用を説明
する。いま、過大サージの侵入によつて第３図イ
および第４図に示すようにセラミツク基板４に短
絡ａが発生したとする。このときの短絡電流はリ
ード線９から渡り電極８ｂを通過してリード線
９′に流れるから易溶性金属よりなる渡り電極８
ｂは通過電流によつて溶断される。短絡の場所が
ａと反対側のa′の場合は渡り電極８ｃが溶断す
る。すなわち、渡り電極８は電流ヒユーズとして
作用するからその材料、厚み、巾、長さは遮断電
流によつて設定される。第１図の従来のセラミツ
クバリスタにおいては、短絡が発生すると短絡電
流によつてセラミツク基板に低抵抗の貫通孔を生
じ、この貫通孔を通過する過大電流のジユール熱
によつてセラミツク基板が焼損するが、本発明は
渡り電極の溶断によつてこれを未然に防止するば
かりでなく、短絡が発生した後も、短絡の発生し
た個所を除く残余の約75％の部分がセラミツクバ
リスタとしての作用を保持している。
する。いま、過大サージの侵入によつて第３図イ
および第４図に示すようにセラミツク基板４に短
絡ａが発生したとする。このときの短絡電流はリ
ード線９から渡り電極８ｂを通過してリード線
９′に流れるから易溶性金属よりなる渡り電極８
ｂは通過電流によつて溶断される。短絡の場所が
ａと反対側のa′の場合は渡り電極８ｃが溶断す
る。すなわち、渡り電極８は電流ヒユーズとして
作用するからその材料、厚み、巾、長さは遮断電
流によつて設定される。第１図の従来のセラミツ
クバリスタにおいては、短絡が発生すると短絡電
流によつてセラミツク基板に低抵抗の貫通孔を生
じ、この貫通孔を通過する過大電流のジユール熱
によつてセラミツク基板が焼損するが、本発明は
渡り電極の溶断によつてこれを未然に防止するば
かりでなく、短絡が発生した後も、短絡の発生し
た個所を除く残余の約75％の部分がセラミツクバ
リスタとしての作用を保持している。
以上述べたように本発明のセラミツクバリスタ
は、セラミツク基板４の表面の中央部に若干の巾
をもつ耐熱絶縁層５を設け、この耐熱絶縁層５の
両側に複数個に分離された表面電極６，７を左右
対称に形成し、これら複数個の表面電極のうち、
対称の位置にある２個の表面電極を前記耐熱絶縁
層５の上に形成した巾の狭い易溶性金属よりなる
複数個の渡り電極８によつてそれぞれ連通させ、
この複数個の渡り電極８の中心部および前記セラ
ミツク基板４の裏面電極１０に、それぞれリード
線９，９′を半田付けした構造を有するので、定
格最大値以上の異常電圧が印加されたとき、ある
いは耐量以上の過大サージが侵入したときには渡
り電極８が溶断してセラミツクバリスタの破壊焼
損を未然に防止する。したがつて、セラミツクバ
リスタを保護するための遮断器又は電流ヒユーズ
の必要がないから配線基板が簡素化され、冒頭で
述べた本発明の目的を達成する作用効果を有す
る。
は、セラミツク基板４の表面の中央部に若干の巾
をもつ耐熱絶縁層５を設け、この耐熱絶縁層５の
両側に複数個に分離された表面電極６，７を左右
対称に形成し、これら複数個の表面電極のうち、
対称の位置にある２個の表面電極を前記耐熱絶縁
層５の上に形成した巾の狭い易溶性金属よりなる
複数個の渡り電極８によつてそれぞれ連通させ、
この複数個の渡り電極８の中心部および前記セラ
ミツク基板４の裏面電極１０に、それぞれリード
線９，９′を半田付けした構造を有するので、定
格最大値以上の異常電圧が印加されたとき、ある
いは耐量以上の過大サージが侵入したときには渡
り電極８が溶断してセラミツクバリスタの破壊焼
損を未然に防止する。したがつて、セラミツクバ
リスタを保護するための遮断器又は電流ヒユーズ
の必要がないから配線基板が簡素化され、冒頭で
述べた本発明の目的を達成する作用効果を有す
る。
第１図：従来のセラミツクバリスタを示す図
で、イは平面図、ロは側面図、第２図：本発明の
セラミツク基板の実施例を示す図で、イは平面
図、ロは側面図、第３図：本発明のセラミツクバ
リスタの実施例を示す図で、イは平面図、ロは側
面図、第４図：本発明のセラミツクバリスタの作
用説明図 〔記号〕４……セラミツク基板、５……耐熱絶
縁層、６，７……表面電極、８……渡り電極、
９，９′……リード線、１０……裏面電極。
で、イは平面図、ロは側面図、第２図：本発明の
セラミツク基板の実施例を示す図で、イは平面
図、ロは側面図、第３図：本発明のセラミツクバ
リスタの実施例を示す図で、イは平面図、ロは側
面図、第４図：本発明のセラミツクバリスタの作
用説明図 〔記号〕４……セラミツク基板、５……耐熱絶
縁層、６，７……表面電極、８……渡り電極、
９，９′……リード線、１０……裏面電極。
Claims (1)
- １ セラミツク基板の表面の中央部に若干の巾を
もつ耐熱絶縁層を設け、この耐熱絶縁層の両側に
複数個に分離された表面電極を左右対称に形成
し、これら複数個の表面電極のうち、対称の位置
にある２個の表面電極を前記耐熱絶縁層の上に設
けた巾の狭い易溶性金属よりなる複数個の渡り電
極によつてそれぞれ連通させ、この複数個の渡り
電極の中心部および前記セラミツク基板の裏面電
極に、それぞれリード線を半田付けしたセラミツ
クバリスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56175998A JPS5877201A (ja) | 1981-11-02 | 1981-11-02 | セラミツクバリスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56175998A JPS5877201A (ja) | 1981-11-02 | 1981-11-02 | セラミツクバリスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5877201A JPS5877201A (ja) | 1983-05-10 |
| JPH0243321B2 true JPH0243321B2 (ja) | 1990-09-28 |
Family
ID=16005913
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56175998A Granted JPS5877201A (ja) | 1981-11-02 | 1981-11-02 | セラミツクバリスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5877201A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH044120U (ja) * | 1990-04-25 | 1992-01-14 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61232692A (ja) * | 1985-04-08 | 1986-10-16 | 富士電機株式会社 | 印刷配線基板 |
| JPS624102U (ja) * | 1985-06-24 | 1987-01-12 | ||
| DE10137873C1 (de) | 2001-08-02 | 2002-10-17 | Epcos Ag | Elektrokeramisches Bauelement |
-
1981
- 1981-11-02 JP JP56175998A patent/JPS5877201A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH044120U (ja) * | 1990-04-25 | 1992-01-14 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5877201A (ja) | 1983-05-10 |
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