TW202115979A - 保護元件 - Google Patents

Abstract

本發明之保護元件具備：絕緣基板；第1電極及第2電極，其等以於前述絕緣基板之一個表面上相互對向之方式設置；發熱體，其設置於前述絕緣基板之一個表面上；第3電極，其連接於前述發熱體之一個端部；發熱體引出電極，其連接於前述發熱體之與前述一個端部為相反側之端部；及熔線元件，其相互對向之一個端部與前述第1電極連接，另一個端部與前述第2電極連接，前述一個端部與前述另一個端部之間之中央部與前述發熱體引出電極相接；且前述第1電極之與前述第2電極對向之側面及連接於該側面之上表面之至少一部分由第1絕緣構件被覆，前述第2電極之與前述第1電極對向之側面及連接於該側面之上表面之至少一部分由第2絕緣構件被覆。

Description

保護元件

本發明係關於一種保護元件。 本發明申請案基於2019年9月4日於日本申請之日本發明專利申請2019-161178號並主張其優先權，且其內容為本說明書所引用。

於電路基板，一般而言具備保護元件。保護元件當於電流路徑中發生超過額定之過電流時等之異常時，遮斷電流路徑。作為保護元件，例如已知一種具備下述部分之構成者(參照專利文獻1)，即：絕緣基板；第1電極及第2電極，其等以於絕緣基板之一個表面上相互對向之方式設置；發熱體，其設置於絕緣基板之一個表面上；第3電極，其連接於發熱體之一個端部；發熱體引出電極，其連接於發熱體之與第3電極連接之端部為相反側之端部；及熔線元件，其相互對向之一個端部與第1電極連接，另一個端部與第2電極連接，該端部間之中央部與發熱體引出電極連接。於該構成之保護元件中，第1電極與發熱體引出電極之間及第2電極與發熱體引出電極之間被設為空間。因此，藉由使熔線元件藉由熱而熔融，而熔線元件在第1電極與發熱體引出電極之空間之上或者第2電極與發熱體引出電極之空間之上熔斷。

上述保護元件中，當過電流流過第1電極與第2電極之間時，於熔線元件發生焦耳熱。熔線元件藉由該熱熔融而熔斷，藉此遮斷電路基板之電流路徑。又，當於電路基板發生過電流以外之異常時，藉由在第3電極中流動有電流，而發熱體發熱。該熱經由發熱體引出電極而傳遞至熔線元件，熔線元件熔融而熔斷。藉此，遮斷電路基板之電流路徑。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1] 日本特開2017-174592號公報

[發明所欲解決之課題]

伴隨著近年之電子機器之高電力化及小型化，而對保護元件期望進一步之低電阻化與小型化。為了實現保護元件之低電阻化，而考量增大熔線元件之剖面積。然而，該情形下，由於產生確保用於保持經熔融之熔線元件之空間之必要，故難以將保護元件小型化。 又，為了實現保護元件之低電阻化與小型化，而考量將第1電極與發熱體引出電極之間及第2電極與發熱體引出電極之間縮窄，而縮短熔線元件之寬度。然而，該情形下，易於在第1電極與發熱體引出電極之間或者第2電極與發熱體引出電極之間發生內部短路。

本發明係鑒於上述之事態而完成者，其目的在於提供一種容易實現低電阻化與小型化之構造、且不易發生內部短路之保護元件。 [解決課題之技術手段]

本發明為了解決上述課題，而提供以下之手段。

(1)本發明之一態樣之保護元件具備：絕緣基板；第1電極及第2電極，其等以於前述絕緣基板之一個表面上相互對向之方式設置；發熱體，其設置於前述絕緣基板之一個表面上；第3電極，其連接於前述發熱體之一個端部；發熱體引出電極，其連接於前述發熱體之與前述一個端部為相反側之端部；及熔線元件，其相互對向之一個端部與前述第1電極連接，另一個端部與前述第2電極連接，前述一個端部與前述另一個端部之間之中央部與前述發熱體引出電極相接；且前述第1電極之與前述第2電極對向之側面及連接於該側面之上表面之至少一部分由第1絕緣構件被覆，前述第2電極之與前述第1電極對向之側面及連接於該側面之上表面之至少一部分由第2絕緣構件被覆。

(2)如上述(1)之態樣，其中前述發熱體引出電極可設為延伸至第1絕緣構件及第2絕緣構件之上表面之構成。 [發明之效果]

根據本發明，可提供一種容易實現低電阻化與小型化之構造、且不易發生內部短路之保護元件。

以下，對於本發明之實施形態，參照圖式詳細地進行說明。以下之說明中所使用之圖式，為了易於理解特徵，方便起見有時將成為特徵之部分放大而顯示。圖式之各構成要素之尺寸比率等有時與實際不同。以下之說明中所例示之材料、尺寸等為一例，本發明並不限定於該等，在發揮本發明之效果之範圍內可適當變更。

[第1實施形態] 圖1～圖4顯示本發明之第1實施形態之保護元件之構成。圖1係保護元件之俯視圖(平面圖)。圖2係保護元件之仰視圖(底面圖)。圖3係圖1之III-III'線橫剖面圖。圖4係圖1之IV-IV'線縱剖面圖。

第1實施形態之保護元件1具備：絕緣基板10；第1電極11(第1上表面電極11a)及第2電極12(第2上表面電極12a)，其等以在絕緣基板10之上表面10a之上相互對向之方式設置；發熱體20，其設置於絕緣基板10之下表面10b之上；第3電極13，其連接於發熱體20之一個端部；發熱體引出電極14，其連接於發熱體20之與一個端部為相反側之端部；及熔線元件30，其與第1電極11、第2電極12及發熱體引出電極14連接。於熔線元件30之相互對向之一個端部30a經由第1端子18a連接有第1電極11。於另一個端部30b經由第2端子18b連接有第2電極12。並且，於熔線元件30之端部30a與端部30b之間之中央部30c，經由導電構件15連接有發熱體引出電極14。第1端子18a與熔線元件30、第2端子18b與熔線元件30、且導電構件15與熔線元件30分別藉由銲膏32接著。

作為絕緣基板10，若為具有絕緣性之材質者則無特別限制，例如，除了如陶瓷基板或玻璃環氧基板般之用於印刷配線基板之基板以外，還可使用玻璃基板、樹脂基板、絕緣處理金屬基板等。再者，於該等之中，作為在耐熱性與熱傳遞性上優異之絕緣基板之陶瓷基板為較佳。

第1電極11包含：第1上表面電極11a、第1下表面電極11b、及第1導通部11c。第1上表面電極11a形成於絕緣基板10之上表面10a之上。第1上表面電極11a之與第2上表面電極12a對向之側面及連接於該側面之上表面之至少一部分由第1絕緣構件17a被覆。第1上表面電極11a之未由第1絕緣構件17a被覆之部分，由第1端子18a被覆。第1下表面電極11b形成於絕緣基板10之下表面10b之上。第1下表面電極11b連接於電路基板之配線。第1導通部11c將絕緣基板10貫通，而將第1上表面電極11a與第1下表面電極11b電性連接。

第2電極12包含第2上表面電極12a、第2下表面電極12b、及第2導通部12c。第2上表面電極12a形成於絕緣基板10之上表面10a之上。第2上表面電極12a之與第1上表面電極11a對向之側面及連接於該側面之上表面之至少一部分由第2絕緣構件17b被覆。第2上表面電極12a之未由第2絕緣構件17b被覆之部分，由第2端子18b被覆。第2下表面電極12b形成於絕緣基板10之下表面10b之上。第2下表面電極12b連接於電路基板之配線。第2導通部12c將絕緣基板10貫通，而將第2上表面電極12a與第2下表面電極12b電性連接。

第3電極13連接於發熱體20之一個端部。第3電極13之一部分由絕熱構件21被覆。第3電極13之未由絕熱構件21被覆之部分，與電路基板之開關元件連接。開關元件當在電路基板發生過電流以外之異常時作動，對第3電極13供給電流。

作為構成第1電極11、第2電極12及第3電極13之材料，可使用Ag、Cu等金屬材料。第1電極11、第2電極12及第3電極13之表面可由Ag、Ag-Pt、Ag-Pd、Au、Ni-Au等之金屬或合金被覆。

發熱體20與第3電極13比較，相對而言電阻較高。發熱體20係由藉由通電而易於發熱之高電阻導電性材料而形成。作為構成發熱體20之材料，可使用氧化釕或碳黑。

發熱體20由絕熱構件21被覆。作為絕熱構件21之材料，例如可使用陶瓷、玻璃等絕緣材料。

發熱體引出電極14包含：發熱體引出上表面電極14a、發熱體引出下表面電極14b、及發熱體引出電極導通部14c。發熱體引出上表面電極14a形成於絕緣基板10之上表面10a之上。於發熱體引出上表面電極14a之上表面之上，積層有導電構件15。發熱體引出下表面電極14b形成於絕緣基板10之下表面10b之上，且與發熱體20連接。發熱體引出電極導通部14c將絕緣基板10貫通，而將發熱體引出上表面電極14a與發熱體引出下表面電極14b電性連接。

發熱體引出電極14及導電構件15較佳為熱傳遞性與導電性較高。作為構成發熱體引出電極14及導電構件15之材料，可使用Ag、Cu等金屬材料。發熱體引出電極14及導電構件15之表面可由Ag、Ag-Pt、Ag-Pd、Au、Ni-Au等金屬或合金被覆。

於發熱體引出上表面電極14a與第1端子18a之間形成空間19a。又，於發熱體引出上表面電極14a與第2端子18b之間形成空間19b。空間19a之下方之第1上表面電極11a，由第1絕緣構件17a被覆。空間19b之下方之第2上表面電極12a，由第2絕緣構件17b被覆。因此，即便將發熱體引出上表面電極14a延長至第1絕緣構件17a之上表面，特別是延長至發熱體引出上表面電極14a與第1上表面電極11a隔著第1絕緣構件17a重疊之位置，亦不易發生內部短路。同樣地，即便將發熱體引出上表面電極14a延長至第2絕緣構件17b之上表面，特別是延長至發熱體引出上表面電極14a與第1上表面電極11a隔著第2絕緣構件17b重疊之位置，亦不易發生內部短路。因此，可縮窄空間19a及空間19b之寬度。空間19a之寬度Wa與空間19b之寬度Wb分別處於0.02 mm以上1.0 mm以下之範圍內為較佳。

若熔線元件30可藉由熱而熔斷，則於構成或材料上無特別限制。熔線元件30可為金屬單體。熔線元件30可為將外側設為熔點相對高之高熔點金屬層、將內側設為熔點相對低之低熔點金屬層之積層體。 在熔線元件30為金屬單體之情形下，作為其材料，可使用In、Pb、Ag、Cu或以該等中之任一者為主成分之合金。在積層體之情形下，低熔點金屬層之熔點較佳為在安裝保護元件1時進行之回流銲時之加熱溫度(通常為約220℃)以上、280℃以下之範圍內。低熔點金屬層之材料較佳為錫或者以錫為主成分之錫合金。錫合金之錫之含有量較佳為40質量%以上，更佳為60質量%以上。作為錫合金之例，可舉出Sn-Bi合金、In-Sn合金、Sn-Ag-Cu合金。高熔點金屬層係包含熔解於低熔點金屬層之熔融物之金屬材料之層。在低熔點金屬層之材料為錫或者錫合金之情形下，高熔點金屬層之材料較佳為銀或者以銀為主成分之合金。銀合金之銀之含有量較佳為40質量%以上，更佳為60質量%以上。作為銀合金之例，可舉出Ag-Pd合金。

圖5係顯示第1實施形態之保護元件作動，而熔線元件熔融之狀態之橫剖面圖。圖5之橫剖面圖係與圖3之III-III'線橫剖面圖相同位置之橫剖面圖。 當於電路基板之配線流動有過電流時，過電流經由保護元件1之第1電極11與第1端子18a及第2電極12與第2端子18b而流向熔線元件30。當過電流流過熔線元件30時，於熔線元件30發生焦耳熱。熔線元件30藉由該熱熔融而熔斷，藉此遮斷電路基板之電流路徑。又，當於電路基板發生過電流以外之異常時，藉由在第3電極13流動有電流，而發熱體20發熱。該熱經由發熱體引出電極14傳遞至熔線元件30，熔線元件30熔融而熔斷，藉此遮斷電路基板之電流路徑。熔融後之熔線元件熔融固化物31保持於銲膏32之上。

其次，對保護元件1之製造方法進行說明。 保護元件1例如可如下述般進行製造。

首先，開始，準備絕緣基板10。 於所準備之絕緣基板10，形成第1電極11之第1導通部11c、第2電極12之第2導通部12c、發熱體引出電極導通部14c。

其次，分別於絕緣基板10之上表面10a之第1導通部11c之周圍形成第1上表面電極11a，於第2導通部12c之周圍形成第2上表面電極12a。進而，於第1上表面電極11a與第2上表面電極12a之間形成發熱體引出上表面電極14a。又，分別於絕緣基板10之下表面10b之第1導通部11c之周圍形成第1下表面電極11b，於第2導通部12c之周圍形成第2下表面電極12b。進而，於絕緣基板10之下表面10b之發熱體引出電極導通部14c之周圍形成發熱體引出下表面電極14b。於與發熱體引出下表面電極14b對向之位置形成第3電極13。

該等電極例如可藉由印刷法、鍍敷法、蒸鍍法、濺鍍法等作為電極之形成方法而利用之周知之方法形成。印刷法係將電極形成用之金屬或者合金之膏體以所期望之圖案進行印刷，並根據需要予以煅燒之方法。

其次，於絕緣基板10之下表面10b之上形成發熱體20。發熱體20以一個端部連接於第3電極13，另一個端部與發熱體引出下表面電極14b連接之方式形成。接著，將發熱體20以絕熱構件21被覆。

發熱體20例如可藉由塗佈包含高電阻導電材料與黏結劑之高電阻導電性膏體，並根據需要予以煅燒而形成。作為黏結劑，可使用水玻璃等無機系黏結劑或熱固性樹脂等有機系黏結劑。又，發熱體20可藉由鍍敷法、蒸鍍法、濺鍍法等作為導電膜之形成方法而利用之周知之方法形成。進而，作為發熱體20之形成方法，亦可使用將藉由上述之方法而獲得之高電阻導電膜予以貼附或積層之方法。

絕熱構件21例如可藉由印刷法、鍍敷法、蒸鍍法、濺鍍法等作為電極之形成方法而利用之周知之方法形成。印刷法係將絕熱構件之膏體以所期望之圖案進行印刷，並根據需要予以煅燒之方法。

其次，於第1上表面電極11a之與第2上表面電極12a對向之側面及連接於該側面之上表面之一部分形成第1絕緣構件17a。於第1上表面電極11a之未形成第1絕緣構件17a之部分形成第1端子18a。同樣地，於第2上表面電極12a之與第1上表面電極11a對向之側面及連接於該側面之上表面之一部分形成第2絕緣構件17b。於第2上表面電極12a之未形成第2絕緣構件17b之部分形成第2端子18b。再者，第1絕緣構件17a與第1端子18a及第2絕緣構件17b與第2端子18b之形成順序無特別限制。可將第1端子18a與第2端子18b先於第1絕緣構件17a與第2絕緣構件17b而形成。

第1絕緣構件17a及第2絕緣構件17b例如可藉由印刷法形成。印刷法係將絕緣材料之膏體以所期望之圖案進行印刷，並根據需要予以煅燒之方法。

第1端子18a及第2端子18b例如可藉由印刷法、鍍敷法、蒸鍍法、濺鍍法等作為電極之形成方法而利用之周知之方法形成。印刷法係將端子形成用之金屬或者合金之膏體以所期望之圖案進行印刷，並根據需要予以煅燒之方法。

其次，於發熱體引出上表面電極14a之上表面形成導電構件15。導電構件15例如可藉由印刷法、鍍敷法、蒸鍍法、濺鍍法等作為電極之形成方法而利用之周知之方法形成。

然後，於第1端子18a、導電構件15及第2端子18b之上表面將熔線元件30予以積層。熔線元件30可藉由在第1端子18a、導電構件15及第2端子18b之上表面塗佈銲膏32，接著於銲膏32之上配置熔線元件30而積層。

根據如以上般之構成之本實施形態之保護元件1，由於第1上表面電極11a與第2上表面電極12a分別由第1絕緣構件17a與第2絕緣構件17b被覆，故即便將空間19a之寬度Wa以及空間19b之寬度Wb縮窄亦不易發生內部短路。因此，本實施形態之保護元件1容易小型化。又，藉由將空間19a之寬度Wa以及空間19b之寬度Wb縮窄，而可縮短熔線元件30之寬度，故可降低保護元件1之第1電極11與第2電極12之間之電阻。因此，本實施形態之保護元件1容易低電阻化與小型化，且不易發生內部短路。

[第2實施形態] 圖6～圖7顯示本發明之第2實施形態之保護元件之構成。圖6係本發明之第2實施形態之保護元件之橫剖面圖，圖7係保護元件之縱剖面圖。圖6之橫剖面圖相當於圖3之III-III'線橫剖面圖，圖7之縱剖面圖相當於圖4之IV-IV線縱剖面圖。

第2實施形態之保護元件2之發熱體引出上表面電極14d設為將第1實施形態之保護元件1之發熱體引出上表面電極14a與導電構件15設為一體之形狀，不經由導電構件15與熔線元件30連接。於此點上，第2實施形態之保護元件2與第1實施形態之保護元件1不同。再者，第2實施形態之保護元件2與第1實施形態之保護元件1共通之部分，賦予同一符號且省略說明。

保護元件2例如除了下述之點以外，可與第1實施形態之保護元件1同樣地製造。 於絕緣基板10之上表面10a不形成發熱體引出上表面電極14a。 取代形成導電構件15，而於絕緣基板10之上表面10a形成發熱體引出上表面電極14d。發熱體引出上表面電極14d例如可藉由印刷法、鍍敷法、蒸鍍法、濺鍍法等作為電極之形成方法而利用之周知之方法形成。

根據如以上之構成之本實施形態之保護元件2，由於第1上表面電極11a與第2上表面電極12a分別由第1絕緣構件17a與第2絕緣構件17b被覆，故與第1實施形態之保護元件1同樣地，容易低電阻化與小型化，且不易發生內部短路。又，由於保護元件2之發熱體引出上表面電極14d不經由導電構件15與熔線元件30連接，故可將由發熱體20發出之熱更高效率地傳遞至熔線元件30。因此，根據保護元件2，可進一步加速當於第3電極13中流動有電流時之熔斷速度。

[第3實施形態] 圖8～圖11顯示本發明之第3實施形態之保護元件之構成。圖8係保護元件之俯視圖(平面圖)，圖9係保護元件之仰視圖(底面圖)。圖10係圖8之X-X'線橫剖面圖，圖11係圖8之XI-XI'線縱剖面圖。再者，第3實施形態之保護元件3與第1實施形態之保護元件1共通之部分，賦予同一符號且省略說明。

於第3實施形態之保護元件3中，發熱體20設置於絕緣基板10之上表面10a之上。發熱體20由絕熱構件21被覆。絕熱構件21被覆第1上表面電極11a之與第2上表面電極12a對向之側面及連接於該側面之上表面之一部分、以及第2上表面電極12a之與第1上表面電極11a對向之側面及連接於該側面之上表面之一部分。亦即，絕熱構件21亦作為將第1上表面電極11a與第2上表面電極12a絕緣之絕緣構件而發揮功能。

發熱體20之一個端部連接於第3電極13。第3電極13包含：第3上表面電極13a、第3下表面電極13b、及第3導通部13c。第3上表面電極13a形成於絕緣基板10之上表面10a之上。第3上表面電極13a連接於發熱體20之一個端部。第3下表面電極13b形成於絕緣基板10之下表面10b之上。第3下表面電極13b連接於電路基板之開關元件。第3導通部13c將絕緣基板10貫通，而將第3上表面電極13a與第3下表面電極13b電性連接。

發熱體20之與第3下表面電極13b側為相反側之端部，連接於發熱體引出電極14。發熱體引出電極14於絕熱構件21之上表面引繞。發熱體引出電極14藉由銲膏32與熔線元件30連接。

其次，對保護元件3之製造方法進行說明。 保護元件3例如可如下述般進行製造。

首先，開始，準備絕緣基板10。 於所準備之絕緣基板10，形成第1電極11之第1導通部11c、第2電極12之第2導通部12c、及第3導通部13c。

其次，分別於絕緣基板10之上表面10a之第1導通部11c之周圍形成第1上表面電極11a，於第2導通部12c之周圍形成第2上表面電極12a。進而，於絕緣基板10之上表面10a之第3導通部13c之周圍形成第3上表面電極13a，於下表面10b之第3導通部13c之周圍形成第3下表面電極13b。

其次，於絕緣基板10之上表面10a之第1上表面電極11a與第2上表面電極12a之間，形成與發熱體20寬度相同或者較其寬之絕熱構件層。接著，於絕熱構件層之上形成發熱體20。發熱體20以一個端部連接於第3上表面電極13a之方式形成。

其次，於第1上表面電極11a之不與第2上表面電極12a對向之側面、及連接於該側面之上表面之一部分形成第1端子18a。於第2上表面電極12a之不與第1上表面電極11a對向之側面、及連接於該側面之上表面之一部形成第2端子18b。接著，於第1上表面電極11a與第2上表面電極12a之間形成絕熱構件21。

其次，於絕熱構件21之上表面形成發熱體引出電極14。發熱體引出電極14以一個端部連接於發熱體20之方式形成。

然後，於第1端子18a、發熱體引出電極14及第2端子18b之上表面，使用銲膏32將熔線元件30予以積層。

根據如以上般之構成之保護元件3，由於第1上表面電極11a與第2上表面電極12a分別由絕熱構件21被覆，故與第1實施形態之保護元件1同樣地，儘管為容易實現低電阻化與小型化之構造，卻不易發生內部短路。又，由於發熱體20配置於絕緣基板10之上表面10a側，故可進一步高效率地將由發熱體20發出之熱傳遞至熔線元件30。因此，可進一步加速當於第3電極13中流動有電流時之熔斷速度。 [實施例]

其次，對於本發明藉由實施例進行說明。

[實施例1] 製作第1實施形態之保護元件1。各構件之構成材料為如以下所述般。 絕緣基板10：氧化鋁基板，縱：2 mm、寬度：4 mm、厚度：0.2 mm 第1電極11：表面由Ni-Au鍍敷被覆之Ag 第2電極12：表面由Ni-Au鍍敷被覆之Ag 第3電極13：表面由Ni-Au鍍敷被覆之Ag 發熱體引出電極14：表面由Ni-Au鍍敷被覆之Ag 導電構件15：表面由Ni-Au鍍敷被覆之Ag 第1絕緣構件17a、第2絕緣構件17b：玻璃 第1端子18a、第2端子18b：銀 空間19a與空間19b之合計寬度(Wa+Wb)：0.5 mm 發熱體20：氧化釕 熔線元件30：將外側作為高熔點金屬層而使用Ag，將內側作為低熔點金屬層而使用Sn合金而成之積層體，縱：1.6 mm、寬度：2.0 mm、厚度：0.6 mm 銲膏32：Sn合金

(評估) 測定保護元件1之熔線元件30之第1電極11與第2電極12間之電阻值。又，在對第3電極13供給11 W之電力與12 W之電力後，計測直至熔線元件30熔斷為止之時間。將該等之結果與熔線元件30之縱與橫之尺寸及空間19a與空間19b之合計寬度一起顯示於表1。

[實施例2] 除了取代形成發熱體引出上表面電極14a與導電構件15，而形成發熱體引出上表面電極14d之以外，與實施例1同樣地製作第2實施形態之保護元件2。對於所獲得之保護元件2，與實施例1同樣地進行評估。表1顯示該結果。

[實施例3] 使用與實施例1相同之材料，製作第3實施形態之保護元件3。對於所獲得之保護元件3，與實施例1同樣地進行評估。表1顯示該結果。

[比較例1] 圖12顯示比較例1中製作之保護元件之橫剖面圖。比較例1中製作之保護元件4之以下之點與實施例1中製作之保護元件1不同。 於第1上表面電極11a之上表面不形成第1絕緣構件17a，於第2上表面電極12a之上表面不形成第2絕緣構件17b，將發熱體引出上表面電極14a之周圍由導電構件15被覆。導電構件15之寬度設為與實施例1之保護元件1相同。又，以導電構件15與第1上表面電極11a之空間19a之寬度Wa為0.25 mm之方式將第1上表面電極11a之位置向外側偏移0.5 mm。以導電構件15與第2上表面電極12a之空間19b之寬度Wa為0.25 mm之方式將第2上表面電極12a之位置向外側偏移0.5 mm。藉此，空間19a與空間19b之合計寬度(Wa+Wb)為0.5 mm而與保護元件1相同，但熔線元件30之寬度為3 mm而較保護元件1寬1 mm。對於所獲得之保護元件4，與實施例1同樣地進行評估。表1顯示該結果。

[表1]

	熔線元件	空間之合計寬度(mm)	第1電極與第2電極之電阻值(mΩ)	熔斷時間(秒)
縱(mm)	寬度(mm)	電力11 W	電力25 W
實施例1	1.6	2	0.5	0.8	4.0	0.50
實施例2	1.6	2	0.5	0.8	3.5	0.40
實施例3	1.6	2	0.5	0.8	2.5	0.35
比較例1	1.6	3	0.5	1.0	2.5	0.35

如表1所示般，實施例1～3之保護元件1～3與比較例1之保護元件4相比第1電極11與第2電極12間之電阻值更小。考量此係緣於熔線元件30之寬度窄，而第1電極11與第2電極12間之距離變短之故。

又，取代將發熱體引出上表面電極14a與導電構件15與分開而形成，而形成發熱體引出上表面電極14d之實施例2之保護元件2，當使電流流過第3電極13時之熔斷時間與實施例1之保護元件1相比變短，而熔斷速度更快。 將發熱體20配置於絕緣基板10之上表面10a側之實施例3之保護元件3，當使電流流過第3電極13時之熔斷時間與實施例2之保護元件2相比變短，而熔斷速度進一步快。

1,2,3,4:保護元件 10:絕緣基板 10a:上表面 10b:下表面 11:第1電極 11a:第1上表面電極 11b:第1下表面電極 11c:第1導通部 12:第2電極 12a:第2上表面電極 12b:第2下表面電極 12c:第2導通部 13:第3電極 13a:第3上表面電極 13b:第3下表面電極 13c:第3導通部 14:發熱體引出電極 14a,14d:發熱體引出上表面電極 14b:發熱體引出下表面電極 14c:發熱體引出電極導通部 15:導電構件 17a:第1絕緣構件 17b:第2絕緣構件 18a:第1端子 18b:第2端子 19a,19b:空間 20:發熱體 21:絕熱構件 30:熔線元件 30a,30b:端部 30c:中央部 31:熔線元件熔融固化物 32:銲膏 III-III':線 IV-IV':線 Wa,Wb:寬度 X-X':線 XI-XI':線

圖1係本發明之第1實施形態之保護元件之俯視圖。 圖2係本發明之第1實施形態之保護元件之仰視圖。 圖3係圖1之III-III'線橫剖面圖。 圖4係圖1之IV-IV'線縱剖面圖。 圖5係顯示第1實施形態之保護元件作動，而熔線元件熔融之狀態之橫剖面圖。 圖6係本發明之第2實施形態之保護元件之橫剖面圖。 圖7係本發明之第2實施形態之保護元件之縱剖面圖。 圖8係本發明之第3實施形態之保護元件之俯視圖。 圖9係本發明之第3實施形態之保護元件之仰視圖。 圖10係圖9之X-X'線橫剖面圖。 圖11係圖9之XI-XI'線縱剖面圖。 圖12係比較例1中製作之保護元件之橫剖面圖。

1:保護元件

10:絕緣基板

10a:上表面

11:第1電極

11a:第1上表面電極

11c:第1導通部

12:第2電極

12a:第2上表面電極

12c:第2導通部

14:發熱體引出電極

14a:發熱體引出上表面電極

14c:發熱體引出電極導通部

15:導電構件

17b:第2絕緣構件

18a:第1端子

18b:第2端子

19a,19b:空間

III-III':線

IV-IV':線

Wa,Wb:寬度

Claims (2)

1. 一種保護元件，其具備：絕緣基板； 第1電極及第2電極，其等以於前述絕緣基板之一個表面上相互對向之方式設置； 發熱體，其設置於前述絕緣基板之一個表面上； 第3電極，其連接於前述發熱體之一個端部； 發熱體引出電極，其連接於前述發熱體之與前述一個端部為相反側之端部；及 熔線元件，其相互對向之一個端部與前述第1電極連接，另一個端部與前述第2電極連接，前述一個端部與前述另一個端部之間之中央部與前述發熱體引出電極連接；且 前述第1電極之與前述第2電極對向之側面及連接於該側面之上表面之至少一部分由第1絕緣構件被覆， 前述第2電極之與前述第1電極對向之側面及連接於該側面之上表面之至少一部分由第2絕緣構件被覆。
2. 如請求項1之保護元件，其中前述發熱體引出電極延長至第1絕緣構件及第2絕緣構件之上表面。

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