JP2001319552A - 保護素子およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 導電ペーストを塗布焼成して形成した電極を
有する保護素子において、電極の薄型化および低抵抗値
化を図る。 【解決手段】 セラミック製の絶縁基板１にＡｇＰｔ粒
子が９０〜９９重量％、ガラスが０．１〜０．５重量
％、金属酸化物が０．５〜５重量％からなる導電ペース
トを塗布焼成して、シート抵抗値が１．３μｍ／□以下
で、かつ厚さが１７〜３５μｍの電極２、３を形成し、
この電極２、３にリード４、５を接続するとともに、電
極２、３間にまたがって低融点合金６を接続し、低融点
合金６をフラックス７で被覆し、絶縁キャップ８を被せ
て封止樹脂９で固着封止した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は保護素子に関し、
特にセラミック製の絶縁基板に導電ペーストを塗布焼成
して形成した電極を有する温度ヒューズや抵抗付きヒュ
ーズ等の保護素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】電気機器および電子機器（以下、電子機
器という）の過熱焼損を防止するために、保護素子が用
いられている。この種の保護素子には、周囲温度の感知
によって溶断する低融点合金を用いた温度ヒューズと称
されるものと、電子機器の異常を検出して抵抗体に通電
することによって、抵抗体の発熱で低融点合金を加熱し
て溶断させる,いわゆる抵抗付きヒューズと称されるも
のとがある。

【０００３】図９は、従来の薄型温度ヒューズと称され
る保護素子Ｃの一部を切り開いた平面図で、図１０はそ
の長手方向の中心線に沿う断面図である。図９および図
１０において、６１はアルミナセラミック製の矩形状の
絶縁基板で、その長手方向の両端部にＡｇペースト等の
導電ペーストを塗布焼成して形成した電極６２、６３を
有する。これらの電極６２、６３の外方端部には、銅製
またはニッケル製のリード６４、６５がはんだ付け等に
より接続されている。前記電極６２、６３の内方端間に
またがって低融点合金６６が溶接等により接続されてい
る。前記低融点合金６６の全面はフラックス６７によっ
て被覆されている。そして、フラックス６７の上方から
セラミックまたは絶縁樹脂等の成形体よりなる絶縁キャ
ップ６８が被せられ、エポキシ樹脂等の封止樹脂６９に
より固着封止されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、最近の電子
機器の小型化および薄型化に伴って、それに用いられる
保護素子も小型化および薄型化が要求されている。しか
しながら、単純に保護素子の小型化および薄型化を行う
と、必然的に電極の小面積化および薄型化になり、その
結果、電極６２、６３が低融点合金６６に食われて消失
してしまい、低融点合金６６が剥離するといったことが
起こったり、あるいは電極６２、６３の消失は免れて
も、電極６２、６３の抵抗値が増大して、その通電によ
る自己発熱量が増大して、低融点合金６６が誤溶断して
しまうといった不都合が生じる。あるいは、通電電流に
よる自己発熱で低融点合金６６が誤溶融しないようにす
るためには、定格電流値を低く設定して自己発熱量が小
さくなるようにすることが必要になり、最近の小型でし
かも大電流容量の要求に応えられない。

【０００５】そこで、実開昭６３−９９６４０号公報に
は、導電ペースト中の導電体粒子の割合が１５〜３０重
量％のＡｇペースト等の導電ペーストを塗布焼成して、
電極の厚さを５μｍ以上に形成することが開示されてい
る。しかしながら、このように導電体粒子の割合が低い
導電ペーストを用いた場合は、電極が低融点合金に食わ
れることを防止するという所期の目的は達成できるもの
の、電極の抵抗値が大きいため、自己発熱を小さくする
という課題は解決されない。

【０００６】また、特開平１１−１９５３６２号公報に
は、大電流下での自己発熱量を抑制するために、導電ペ
ーストを塗布焼成して形成した電極のシート抵抗値に着
眼して、電極のシート抵抗値を１．３ｍΩ／□以下にす
ることが開示されている。しかしながら、この発明は、
単に電極のシート抵抗にのみ着眼したもので、Ａｇペー
ストを用いてこのようなシート抵抗値を実現するために
は、電極の厚さを４０〜１００μｍにしなければならな
いことが開示されている。このように電極の厚さが厚く
なると、それのみで保護素子の薄型化が阻害されるのみ
ならず、必然的にこの電極上に重ねて接続されている低
融点合金の高さが高くなり、保護素子の低背化を阻害す
ることが明らかである。そこで、本発明は、低シート抵
抗値で、かつ薄型の電極を有する保護素子を提供するこ
とを目的とするものである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために、セラミック製の絶縁基板の離隔した位置
に導電ペーストを塗布焼成して形成した電極を有し、こ
れら電極間に低融点合金を接続してなる保護素子におい
て、前記電極のシート抵抗値が１．３ｍΩ／□以下で、
かつ厚さが１７〜３５μｍの範囲にあることを特徴とす
る保護素子である。本発明はまた、セラミック製の絶縁
基板の離隔した位置に導電ペーストを塗布焼成して電極
を形成し、これら電極間に低融点合金を接続する保護素
子の製造方法において、前記電極を形成する導電ペース
トが、導電体粒子をバインダ中に分散したものであり、
導電体粒子の含有量が９０重量％以上であることを特徴
とする保護素子の製造方法である。

【０００８】以下、本発明の各種態様について、作用効
果とともに説明する。本発明の請求項１記載の発明は、
セラミック製の絶縁基板の離隔した位置に導電ペースト
を塗布焼成して形成した電極を有し、これら電極間に低
融点合金を接続してなる保護素子において、前記電極の
シート抵抗値が１．３ｍΩ／□以下で、かつ厚さが１７
〜３５μｍの範囲にあることを特徴とする保護素子であ
る。このような構成によると、低シート抵抗値で、かつ
薄型の電極により、低背化された保護素子が得られる。

【０００９】本発明の請求項２載の発明は、前記電極を
形成する導電体粒子が、ＡｇＰｔまたはＡｇＰｄよりな
ることを特徴とする請求項１記載の保護素子である。こ
のような構成によると、ＡｇＰｔまたはＡｇＰｄよりな
る良導電性の導電体粒子により、低抵抗でかつ薄型の電
極を有する保護素子が得られる。

【００１０】本発明の請求項３記載の発明は、前記保護
素子が、温度ヒューズまたは抵抗付きヒューズであるこ
とを特徴とする請求項１または２記載の保護素子であ
る。このような構成によると、低抵抗でかつ薄型の電極
を有する温度ヒューズまたは抵抗付きヒューズと称され
る保護素子が得られる。

【００１１】本発明の請求項４記載の発明は、セラミッ
ク製の絶縁基板の離隔した位置に導電ペーストを塗布焼
成して電極を形成し、これら電極間に低融点合金を接続
する保護素子の製造方法において、前記電極を形成する
導電ペーストが、導電体粒子をバインダ中に分散したも
のであり、導電体粒子の含有量が９０重量％以上である
ことを特徴とする保護素子の製造方法である。このよう
な製造方法によると、導電ペースト中の導電体粒子の含
有量が多く、低抵抗で薄型の電極を有する保護素子が得
られる。

【００１２】本発明の請求項５記載の発明は、前記電極
を形成する導電ペーストの組成が、ＡｇＰｔが９０〜９
９重量％、ガラスが０．１〜０．５重量％、金属酸化物
が０．５〜５重量％であることを特徴とする請求項４記
載の保護素子の製造方法である。このような製造方法に
よると、導電体粒子の含有量が多く、低抵抗で薄型の電
極を有する保護素子が得られる。

【００１３】本発明の請求項６記載の発明は、前記請求
項５記載の導電ペーストを、８００〜９００℃で５〜１
５分間焼成して電極を形成することを特徴とする保護素
子の製造方法である。このような製造方法によると、ガ
ラス等のバインダ成分が十分溶融して、導電体粒子を強
固に固着した電極を有する保護素子が得られる。

【００１４】本発明の請求項７記載の発明は、前記保護
素子が、温度ヒューズまたは抵抗付きヒューズであるこ
とを特徴とする請求項４ないし６記載の保護素子の製造
方法である。このような製造方法によると、低抵抗で薄
型の電極を有する温度ヒューズまたは抵抗付きヒューズ
が得られる。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の保護素子の実施形
態について、図面を参照して説明する。

【実施形態１】図１は本発明の第１実施形態の温度ヒュ
ーズと称される保護素子Ａの一部を切り開いた平面図
で、図２はその長手方向の中心線に沿う断面図である。
図１および図２において、１はアルミナセラミック製の
矩形状の絶縁基板で、その長手方向の両端部にＡｇＰ
ｔ,ＡｇＰｄ等の導電ペーストを塗布焼成して電極２、
３が形成されている。この電極２、３は、それぞれシー
ト抵抗値が１．３ｍΩ／□以下であり、かつ厚さが１７
〜３５μｍのものである。これらの電極２、３の外方端
部には、それぞれはんだ付け等により銅製またはニッケ
ル製のリード４、５が接続されている。また、各電極
２、３の内方端部間にまたがって低融点合金６が溶接等
により接続されている。この低融点合金６は全面がフラ
ックス７により被覆されている。このフラックス７の上
方からはセラミックまたは絶縁樹脂製の成形体よりなる
絶縁キャップ８が被せられて、エポキシ樹脂等の封止樹
脂９により固着封止されている。

【００１６】前記電極２、３は、例えばＡｇＰｔの導電
体粒子の割合が９８．１重量％、ガラスが０．２重量
％、金属酸化物が１．７重量％からなるＡｇＰｔ導電ペ
ーストを、２００〜３２５メッシュのステンレス製スク
リーンを用いてスクリーン印刷により厚さ８０〜１５０
μｍに塗布形成し、室温で５〜１０分間放置して印刷膜
のレベリングを行い、その後乾燥オーブン中において１
５０℃で１０分間乾燥させた後、焼成炉で〜１００℃／
分の昇温速度で８５０℃まで昇温し、８５０℃のピーク
温度で１０分間焼成し、その後〜１００℃／分の降温速
度で常温まで降温して形成した。このようにして得られ
た電極２、３は、その厚さが１７〜３５μｍで、シート
抵抗値が１．３ｍΩ／□以下であった。このような電極
２、３を有する保護素子Ａは、内部抵抗が小さく、かつ
低背化ができる。なお、上記導電ペーストの焼成後の電
極２、３の厚さ（μｍ）とシート抵抗（ｍΩ／□）との
関係は、図３のようになっている。

【００１７】また、導電ペーストの組成は、上記のもの
が市販品から入手が容易であるが、例えば、ＡｇＰｔ、
ＡｇＰｄの導電体粒子の割合が９０〜９９重量％、ガラ
スが０．１〜１重量％、金属酸化物が０．５〜５重量％
からなるＡｇＰｔまたはＡｇＰｄ導電ペーストを用いて
もよい。ここで、ＡｇＰｔ、ＡｇＰｄの導電体粒子の割
合が９０重量％未満では、得られる電極２、３のシート
抵抗値が１．３ｍΩ／□を超えるし、９９重量％を超え
ると、絶縁基板１に対する電極２、３の固着強度が不足
する。したがって、ＡｇＰｔ、ＡｇＰｄの導電体粒子の
割合は９０〜９９重量％が望ましい。また、ガラスが
０．１重量％未満では、電極２、３の絶縁基板１に対す
る固着強度が不足するし、１重量％を超えると、電極
２、３のシート抵抗値が１．３ｍΩ／□を超える。した
がって、ガラスの割合は０．１〜１重量％が望ましい。
さらに、金属酸化物が０．５重量％未満では、電極２、
３の絶縁基板１に対する固着強度が不足し、５重量％を
超えると、電極２、３のシート抵抗値が１．３ｍΩ／□
を超える。したがって、金属酸化物の割合は０．５〜５
重量％が望ましい。

【００１８】また、上記実施例の導電ペースト塗布膜の
焼成条件は、上記した８５０℃で１０分間の条件が最も
望ましいが、８００〜９００℃のピーク温度範囲で、５
〜１５分間の範囲内で変更することができる。ここで、
焼成温度と焼成時間とは相反する関係にあり、焼成温度
が低い場合は焼成時間を長くし、焼成温度が高い場合は
焼成時間を短くする。ピーク温度が８００℃よりも低い
と、ガラス等のバインダ成分の溶融が不十分になり、電
極２、３の固着強度が不足するし、９００℃を超えると
ガラス等のバインダ成分が流れ過ぎて、電極２、３の形
状および厚さの確保が困難になる。したがって、導電ペ
ースト塗布膜の焼成時のピーク温度は８００〜９００℃
が望ましい。また、ピーク温度下での焼成時間が５分間
未満では、ガラス等のバインダ成分の溶融が不十分にな
って、電極２、３の固着強度が不足するし、１５分間を
超えると、ガラス等のバインダ成分が流れ過ぎて、電極
２、３の形状および厚さの確保が困難になる。したがっ
て、焼成時間は５〜１５分間が望ましい。

【００１９】

【実施形態２】次に、本発明の第２実施形態である抵抗
付きヒューズと称される保護素子について、図面を参照
して説明する。図４は、そのような保護素子Ｂの一部を
切り開いた平面図で、図５は図４のＡ−Ａ線に沿う断面
図、図６は一部を切り開いた下面図である。図４〜図６
において、１１はアルミナセラミック等よりなる略矩形
状の絶縁基板で、その長手方向の両端近傍の中心線から
偏芯した位置に透孔１２、１３が形成されている。絶縁
基板１１の表面の前記透孔１２,１３を含まない第１位
置，前記透孔１２を含む第２位置，透孔１３を含む第３
位置に、それぞれＡｇＰｔ、ＡｇＰｄの導電体粒子を含
む導電ペーストを塗布焼成して電極１４，１５，１６が
形成されている。また、絶縁基板１１の裏面の前記透孔
１２を含む第４位置，透孔１３を含む第５位置に、それ
ぞれＡｇＰｔ、ＡｇＰｄの導電体粒子の導電ペーストを
塗布焼成して電極１７，１８が形成されている。これら
の電極１４、１５、１６、１７、１８は、シート抵抗値
が１．３ｍΩ／□以下で、かつ厚さが１７〜３５μｍに
形成されている。なお、これらの電極１４，１５，１６
および１７，１８は、絶縁基板１１に直接形成する場合
の他、予めＭｎＭｏペースト等を塗布焼成して下地層を
形成しておいて、その上に形成してもよい。このように
すると、絶縁基板１１に対する電極１４，１５，１６お
よび１７，１８の密着強度を大きくできる。ここで、絶
縁基板１１の表面の第２位置における電極１５と裏面の
第４位置における電極１７とは、透孔１２内に充填され
た導電物質によって接続されており、絶縁基板１１の表
面の第３位置における電極１６と裏面の第５位置におけ
る電極１８とは、透孔１３内に充填された導電物質によ
って接続されている。前記絶縁基板１１の裏面の電極１
７，１８間にまたがって、例えば酸化ルテニウム等の抵
抗ペーストを塗布焼成して抵抗体１９が形成されてお
り、これらの電極１７、１８および抵抗体１９はガラス
または耐熱性樹脂等の絶縁材料よりなる絶縁層２０で被
覆されている。これらの電極１４、１５、１６上に第１
実施形態の保護素子Ａと同様に、銅製またはニッケル製
のリード２１、２２、２３が、例えばはんだ付け等によ
り接続されている。さらに、前記電極１４、１５の内方
端間にまたがって、低融点合金２４が溶接等により接続
されている。この低融点合金２４の全面はフラックス２
５で覆われ、さらにその上方からセラミックまたは樹脂
等の成形体からなる絶縁キャップ２６が被せられ、エポ
キシ樹脂等の封止樹脂２７で固着封止されている。

【００２０】次に、上記実施形態の抵抗付きヒューズよ
りなる保護素子Ｂの等価回路について説明する。図７は
その等価回路図を示す。図７において、３０（２１），
３１（２２），３２（２３）は第１，第２，第３端子
で、それぞれリード２１，２２，２３に対応している。
また、３３（２４）はヒューズで、前記低融点合金２４
に対応している。このヒューズ３３（２４）は、前記第
１，第２端子３０（２１），３１（２２）間に接続され
ている。さらに、３４（１９）は抵抗体で、抵抗体１９
に対応しており、前記第２，第３端子３１（２２），３
２（２３）間に接続されている。

【００２１】次に、図４〜図６に示す抵抗付きヒューズ
よりなる保護素子Ｂを、リチウムイオン二次電池の過充
電防止用保護装置として適用する場合について、図８に
より説明する。図８において、４１，４２は正負直流入
力端子で、４３，４４は正負直流出力端子であり、負直
流入力端子４２と負直流出力端子４４とは接続されてい
る。また、抵抗付きヒューズよりなる保護装置Ｂの第１
端子３０（２１）は正直流入力端子４１に接続され、第
２端子３１（２２）は正直流出力端子４３に接続されて
いる。また、４５は負荷の端子電圧を検知する電圧検知
手段で、図示例はツェナダイオード４６と電流制限抵抗
４７の直列接続で構成されており、前記ツェナダイオー
ド４６のカソードは前記正直流出力端子４３に接続され
ている。第３端子３２（２３）には、前記電圧検知手段
４５による電圧検知によって導通状態となるスイッチン
グ手段、例えばトランジスタ４８のコレクタが接続さ
れ、そのエミッタは負直流入力端子４２および負直流出
力端子４４に接続されている。ここで、リード２１，２
２が一直線状に導出されており、かつ幅広状であり、リ
ード２３のみが異なる位置から導出され、かつ幅狭状で
あるので、これらリード２１，２２，２３、すなわち，
第１，第２，第３端子３０（２１），３１（２２），３
２（２３）の判別が容易で、誤接続することがない。

【００２２】上記の構成において、正負直流入力端子４
１，４２に電源，例えば充電器４９を接続し、正負直流
出力端子４３，４４に負荷としてリチウムイオン二次電
池５０を接続する。すると、リチウムイオン二次電池５
０の端子電圧が低いためツェナダイオード４６が非導通
であるので、トランジスタ４８は非導通状態であり、充
電器４９−正直流入力端子４１−第１端子３０（２１）
−ヒューズ３３（２４）−第２端子３１（２２）−正直
流出力端子４３−リチウムイオン二次電池５０−負直流
出力端子４４−負直流入力端子４２−充電器４９の経路
で電流が流れて、リチウムイオン二次電池５０が充電さ
れ、その端子電圧が徐々に上昇する。リチウムイオン二
次電池５０の端子電圧がツェナダイオード４６のツェナ
電圧を超えると、ツェナダイオード４６が導通状態にな
り、トランジスタ４８にバイアス電流が供給され、トラ
ンジスタ４８が導通状態になる。それによって、充電器
４９−正直流入力端子４１−第１端子３０（２１）−ヒ
ューズ３３（２４）−第２端子３１（２２）−抵抗体３
４（１９）−第３端子３２（２３）−トランジスタ４８
−負直流入力端子４２−充電器４９の経路で電流が流れ
て、抵抗体３４（１９）が発熱して、その発熱による加
熱でヒューズ３３（２４）が溶断して、リチウムイオン
二次電池５０の充電を阻止する。したがって、リチウム
イオン二次電池５０の過充電が防止されて、危険が未然
に防止できる。

【００２３】上記本発明の実施形態は、特定の構成につ
いて説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定され
るものではなく、各種の変形が可能である。

【００２４】例えば、実施形態１、２において、絶縁キ
ャップ８、２６を用いる場合について説明したが、この
ようにすれば、外観形状が見栄えよくなるとともに、絶
縁キャップに品名、定格、製造者標等を予め印刷形成で
きる利点がある。しかしながら、絶縁樹脂を塗布または
ポッテングして封止するようにしてもよい。

【００２５】また、上記実施形態１、２では、絶縁基板
１、１１に直接導電ペーストを塗布焼成して電極２、３
および１４、１５、１６、１７、１８を形成する場合に
ついて説明したが、絶縁基板１、１１にＭｏＭｎ等より
なるメタライズ層を形成して、その上に電極２、３およ
び１４、１５、１６、１７、１８を形成するようにして
もよい。そのようにすると、電極２、３および１４、１
５、１６、１７、１８の絶縁基板１、１１に対する固着
強度を増大することができる。

【００２６】さらに、上記実施形態２において、本発明
の請求項でいう電極とは、低融点合金２４を接続する電
極１４，１５をいう。したがって、シート抵抗値を１．
３ｍΩ／□以下にするのは、これらの電極１４，１５の
みでよい。しかしながら、実際問題として電極１４、１
５のみを他の電極１６，１７，１８と異なる条件で形成
することは、却って製造原価の上昇を招くので、全電極
を同一条件で形成することが望ましい。

【００２７】なお、上記実施形態は、いずれもリード
４，５または２１，２２，２３を設ける場合について説
明したが、電極２，３または１４，１５，１６を絶縁基
板１，１１の端面を通って裏面に延長形成することによ
って、リードレス構造、すなわち表面実装構造にしても
よい。

【００２８】以上のように本発明は、セラミック製の絶
縁基板の離隔した位置に導電ペーストを塗布焼成して形
成した電極を有し、これら電極間に低融点合金を接続し
てなる保護素子において、前記電極のシート抵抗値が
１．３ｍΩ／□以下で、かつ厚さが１７〜３５μｍの範
囲にあることを特徴とする保護素子であるから、保護素
子の低内部抵抗化および薄型化が実現できる。本発明は
また、セラミック製の絶縁基板の離隔した位置に導電ペ
ーストを塗布焼成して電極を形成し、これら電極間に低
融点合金を接続する保護素子の製造方法において、前記
電極を形成する導電ペーストが、導電体粒子をバインダ
中に分散したものであり、導電体粒子の含有量が９０重
量％以上であることを特徴とする保護素子の製造方法で
あるから、１７〜３５μｍという薄い電極で、１．３ｍ
Ω／□以下という低抵抗が実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の第１実施形態の温度ヒューズからな
る保護素子Ａの一部を切り開いた平面図

【図２】 本発明の第１実施形態の温度ヒューズからな
る保護素子Ａの長手方向の中心線に沿う断面図

【図３】 本発明の保護素子における電極の厚さとシー
ト抵抗値との特性図

【図４】 本発明の第２実施形態の抵抗付きヒューズか
らなる保護素子Ｂの一部を切り開いた平面図

【図５】 本発明の第２実施形態の抵抗付きヒューズか
らなる保護素子ＢのＡ−Ａ線に沿う断面図

【図６】 本発明の第２実施形態の抵抗付きヒューズか
らなる保護素子Ｂの一部を切り開いた下面図

【図７】 本発明の第２実施形態の抵抗付きヒューズか
らなる保護素子Ｂの等価回路図

【図８】 本発明の第２実施形態の抵抗付きヒューズか
らなる保護素子Ｂをリチウムイオン二次電池の過充電防
止回路に用いた場合の回路図

【図９】 従来の温度ヒューズからなる保護素子Ｃの一
部を切り開いた平面図

【図１０】 従来の温度ヒューズからなる保護素子Ｃの
長手方向の中心線に沿う断面図

【符号の説明】

１、１１ 絶縁基板 ２、３、１４、１５、１６、１７、１８ 電極 ４、５、２１、２２、２３ リード ６、２４ 低融点合金 ７、２５ フラックス ８、２６ 絶縁キャップ ９、２７ 封止樹脂 １２、１３ 透孔 １９ 抵抗体 ２０ 絶縁層 ３０、３１、３２ 端子 ３３ ヒューズ ３４ 抵抗体 ４１、４２ 正負直流入力端子 ４３、４４ 正負直流出力端子 ４５ 電圧検知手段 ４６ 電圧検知素子（ツェナダイオード） ４７ 電流制限抵抗 ４８ スイッチング手段（トランジスタ） ４９ 充電器 ５０ リチウムイオン二次電池

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】セラミック製の絶縁基板の離隔した位置に
   導電ペーストを塗布焼成して形成した電極を有し、これ
   ら電極間に低融点合金を接続してなる保護素子におい
   て、前記電極のシート抵抗値が１．３ｍΩ／□以下で、
   かつ厚さが１７〜３５μｍの範囲にあることを特徴とす
   る保護素子。
2. 【請求項２】前記電極を形成する導電体成分が、ＡｇＰ
   ｔまたはＡｇＰｄよりなることを特徴とする請求項１記
   載の保護素子。
3. 【請求項３】前記保護素子が、温度ヒューズまたは抵抗
   付きヒューズであることを特徴とする請求項１または２
   記載の保護素子。
4. 【請求項４】セラミック製の絶縁基板の離隔した位置に
   導電ペーストを塗布焼成して電極を形成し、これら電極
   間に低融点合金を接続する保護素子の製造方法におい
   て、前記電極を形成する導電ペーストが、導電体粒子を
   バインダ中に分散したものであり、導電体粒子の含有量
   が９０重量％以上であることを特徴とする保護素子の製
   造方法。
5. 【請求項５】前記電極を形成する導電ペーストの組成
   が、ＡｇＰｔが９０〜９９重量％、ガラスが０．１〜
   ０．５重量％、金属酸化物が０．５〜５重量％であるこ
   とを特徴とする請求項４記載の保護素子の製造方法。
6. 【請求項６】前記請求項５記載の導電ペーストを、８０
   ０〜９００℃で５〜１５分間焼成して電極を形成するこ
   とを特徴とする保護素子の製造方法。
7. 【請求項７】前記保護素子が、温度ヒューズまたは抵抗
   付きヒューズであることを特徴とする請求項４ないし６
   記載の保護素子の製造方法。