JP2002008608A - 電池パックおよびその製造方法 - Google Patents

電池パックおよびその製造方法

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揮好 池内
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Matsushita Electric Ind Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 保護機能をもつ電池パックにおいて、PTC
サーミスタの抵抗値変動を小さくすることで、より性能
の高い電池パックを提供することを目的とする。 【解決手段】 保護回路ユニット52は、プリント基板
44と保護用IC45とFETユニット46と面実装形
のPTCサーミスタ49からなる複合体としたことによ
り、面実装形PTCサーミスタ49をプリント基板44
上に保護用IC45やFETユニット46と同じように
リフローソルダリング法などのはんだ付けによって実装
することにより、面実装形PTCサーミスタ49は、リ
ード付きPTCサーミスタのようにリード端子の曲げ加
工や電気溶接によって角形素電池41の負極端子43や
プリント基板44と接続して回路を構成する必要がな
く、曲げ加工ストレスおよび電気溶接による高温の熱ス
トレスなどに起因する抵抗値変動をなくすことができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【0001】

【発明の属する技術分野】本発明は、過電流または加熱
から電池パックを保護するための保護機能をもつ電池パ
ックおよびその製造方法に関するものである。

【0002】

【従来の技術】従来の技術は、特開平7−57721号
公報に開示されたものが知られている。

【0003】以下、従来の電池パックについて図面を参
照しながら説明する。

【0004】図10(a)は従来の電池パックの要部で
あるケースの一部を切欠いた上面における断面図、図1
0(b)は従来の電池パックの要部であるケースの一部
を切欠いた正面における断面図である。

【0005】図10(a)、図10(b)において、1
は第1の素電池である。2は第1の素電池1に設けた突
起状の正極端子である。3は素電池1の正極端子2側と
反対の面に設けた負極端子である。4は第2の素電池で
ある。5は第2の素電池4に設けた突起状の正極端子で
ある。6は素電池4の正極端子5側と反対の面に設けた
負極端子である。7はリード付きPTCサーミスタであ
る。8はPTCサーミスタ7に設けた一対のリード端子
8であり、第1の素電池1の正極端子2と第2の素電池
4の負極端子6にそれぞれ溶接によって機械的かつ電気
的に接合している。9は素電池1、4およびPTCサー
ミスタ7全体を収納するケースである。10と11は、
ケース9に設けた貫通孔であり、負極端子3と正極端子
5から電気的な接点を取り出すための端子口である。

【0006】次に、電池パック12に使用するPTCサ
ーミスタについて図面を参照しながら説明する。

【0007】図11(a)はリード付きPTCサーミス
タの上面図、図11(b)は図11(a)のA−A線断
面図である。

【0008】図11(a)、図11(b)において、1
5はリード付きPTCサーミスタである。16はポリマ
PTC層である。17はポリマPTC層16の両面に電
気的に接続した電極層である。18は電極層17のポリ
マPTC層16と接続した面の反対面に取り付けたリー
ド端子である。19はリード端子18の一部とポリマP
TC層16および電極層17を覆うように形成した絶縁
樹脂である。

【0009】以上のように構成されたリード付きPTC
サーミスタと、従来の電池パックについて、以下にその
動作を説明する。

【0010】まず、リード付きPTCサーミスタの動作
について説明する。

【0011】図11(b)のポリマPTC層16は、ポ
リエチレンなどの結晶性樹脂と、カーボンブラックなど
の導電粒子との混合物から構成されており、ポリマの熱
膨張(または収縮)に伴う導電粒子間のギャップ変化に
よってポリマ材料の融点より数度低い温度付近で抵抗値
が急激に上昇(または低下)する特性をもつ。そのポリ
マPTC層16と電極層17とリード端子18からなる
リード付きPTCサーミスタ15は、この特性によりポ
リマの融点以上の温度環境で、常温時より遥かに高い抵
抗値(10000倍程度)にシフトし、さらに、常温ま
で温度を下げれば元の抵抗値に復帰する機能を有し、回
路保護部品として利用できる。抵抗値の復帰に関して
は、ヒステリシスによって元の抵抗値よりも高い値(元
の抵抗値の1.5程度)となるが、実用上大きな支障と
はならない。ただし、回路の内部抵抗として無視できな
い場合は、ポリマの融点より30℃から60℃程度低い
温度環境に放置するか、その温度と常温の間を温度が緩
やかに変動する環境に放置することで、元の抵抗値にも
どすことができる。このような抵抗値を元にもどす方法
をアニールと呼び、以降は、このような熱処理によって
抵抗値のプラス変動が低減される現象をアニール効果と
称する。

【0012】以上のように可逆的に抵抗値が上昇または
低下する性質を利用し、過電流による自己発熱によって
温度が上昇し抵抗値が急激に上昇する温度(以降、保護
動作温度と称する)に達することで過電流を微小電流に
抑制し、一度電源を切って、PTCサーミスタの温度を
下げて、過電流の影響を取り除くことにより繰り返し使
用が可能となる。

【0013】ここで、PTCサーミスタの抵抗値の可逆
的性質とは、アニールによって抵抗値が元にもどる性質
も含むものと定義する。

【0014】次に、従来の電池パックの動作について説
明する。

【0015】図10の電池パック12は、素電池1と素
電池4がリード付PTCサーミスタ7を介して直列に接
続された回路構成となっている。この電池パック12
は、電子機器の電源端子に端子口10と端子口11を通
して負極端子3と正極端子5に電気的に接続し回路動作
させる電池ユニットである。ここでリード付きPTCサ
ーミスタ7の代りに金属リードで素電池1と素電池4を
単純に接続した場合、電子機器の電源ラインに短絡異常
が発生したり、電子機器に取り付けていない状態で正極
端子5と負極端子3に金属などの導電性の高い物質が接
触または付着した時などは、過電流によって電池パック
内の素電池1および素電池4が発熱し内圧の上昇によっ
て素電池自身が破損する可能性がある。その安全対策手
段として、リード付きPTCサーミスタ7を使用する方
法があり、この保護動作の原理は、素電池と直列に接続
したPTCサーミスタが過電流に伴う自己発熱によっ
て、その抵抗値を急激に上昇させ、過電流を電池の破損
がない安全なレベルの電流値に抑制するものである(以
下、過電流保護動作と称する)。PTCサーミスタを過
電流保護部品として使う場合、電池パックの使用可能時
間を考慮した選択が必要であり、電池パック容量の消耗
が少なくなるように抵抗値のできるだけ低いものが要求
される。一般的には、抵抗値が40mΩ以下できれば2
0mΩ以下が望まれている。

【0016】以上は、主に一次電池として使用される電
池パックの基本的な構成であるが、近年は、リチウムイ
オン電池などに代表される高性能二次電池が携帯電話用
途などに広く普及してきており、充放電制御を行う保護
回路を内蔵した電池パックの必要性が特に高まってい
る。以下に従来の保護回路付きの電池パックおよびその
製造方法について図面を参照しながら説明する。

【0017】図12は、従来の保護回路付き電池パック
の斜視図である。

【0018】図12において、25は角形素電池であ
る。26は角形素電池25の正極端子であり、外周金属
ケースを兼ねているものである。27は角形素電池25
の負極端子であり、角形素電池25の1面にのみ設けら
れたものである。28は保護回路を構成するためのベー
スとなるプリント基板である。29はプリント基板28
の第1の実装面上に実装した保護用ICである。30は
プリント基板28の第1の実装面上に実装したFETユ
ニットであり、基本的には2個のFETで構成されてい
る。31と32はプリント基板28の保護用IC29の
実装面と反対面の第2の実装面上に取り付けた電池パッ
クの取り出し用正極端子と取り出し用負極端子である。
33は本体の一部が角形素電池25の2面に近接するよ
うに配置したリード付きPTCサーミスタである。34
は負極端子27と溶接によって接合されたリード付きP
TCサーミスタ33の一方のリード端子である。35は
プリント基板28と接続されたリード付きPTCサーミ
スタ33の他方のリード端子である。36はプリント基
板28を介して電池パックの取り出し用正極端子31と
外周金属ケースを兼ねた正極端子26を電気的に接続す
る接続リードである。

【0019】以上のように構成された従来の保護回路付
き電池パックについて、以下にその製造方法を説明す
る。

【0020】まず、プリント基板28の第2の実装面に
スクリーン印刷法を用いてクリームはんだを塗布する。

【0021】次に、印刷形成したクリームはんだの上に
取り出し用正極端子31と取り出し用負極端子32を取
り付け、はんだ付けする。

【0022】次に、プリント基板28の第1の実装面に
スクリーン印刷法を用いてクリームはんだを塗布する。

【0023】次に、印刷形成したクリームはんだの上に
保護用IC29とFETユニット30を取り付ける。

【0024】次に、リフローはんだ付け炉を用いてプリ
ント基板28と、保護用IC29やFETユニット30
をはんだ付けする。

【0025】一方で、角形素電池25の負極端子27に
リード付きPTCサーミスタ33のリード端子34を電
気溶接によって接続し、正極端子26に接続リード36
を電気溶接によって接続する。

【0026】次に、はんだ付け後のプリント基板28と
角形素電池25に取り付けられたリード付きPTCサー
ミスタ33のリード端子35をはんだ接続する。

【0027】最後に、プリント基板28と接続リード3
6をはんだ接続して、従来の保護回路付き電池パックを
製造していた。

【0028】以上のように構成された従来の保護回路付
き電池パックについて図12と対応した図13の回路ブ
ロック図を参照しながら、以下にその動作を説明する。

【0029】保護回路付き電池パックは、保護用IC2
9と、第1のFET37と第2のFET38からなるF
ETユニット30と、リード付きPTCサーミスタ33
によって角形素電池25の過充電や過放電を保護する制
御動作と、負荷の短絡や保護回路自身の短絡などによっ
て起る過電流からの保護動作を行う機能をもち、その代
表的な動作原理は以下の内容である。(a)過充電保護
動作として、角形素電池25の電圧が既定値に達したと
ころで第2のFET38のゲートをOFF(第1のFE
T37はON状態)にし充電電流の流れを止める。
(b)過放電保護動作として、角形素電池25の電圧が
低くなった時に第1のFET37のゲートをOFF(第
2のFET38はON状態)にし放電電流の流れを止め
る。(c)負荷側の短絡に対してFETユニット30の
ON抵抗の変動を検知し短絡電流の流れを止めるかまた
はリード付きPTCサーミスタ33の過電流保護動作に
よって電流を安全レベルに制限する。(d)保護回路自
身の短絡に対してリード付きPTCサーミスタ33の過
電流保護動作によって短絡電流を安全レベルに制限す
る。

【0030】特に、誤使用によって引き起こされる電極
間の短絡に対しては、2重3重の安全対策が必要であり
保護回路が機能しない場合でも、リード付きPTCサー
ミスタ33が保護部品として大きな役割を担っている。
さらに、このPTCサーミスタは角形素電池25に近接
して配置することで角形素電池25自身の発熱による温
度上昇に対しても直接的な熱伝達により抵抗値が上昇
し、保護動作状態に移行することができる。

【0031】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の構成では、リード付きPTCサーミスタ33を素電
池とプリント基板に取り付ける組み立て加工が必要であ
り、図11に示すリード端子18の折り曲げ加工をポリ
マPTC層16に近い位置で行う場合、ストレスによっ
てリード付きPTCサーミスタ15内部のポリマPTC
層16と電極層17間の一部に亀裂が生じたり、リード
端子18をポリマPTC層16に近い位置で素電池の電
極端子に電気溶接するような場合、熱影響によってポリ
マPTC層16が劣化することでリード付きPTCサー
ミスタ15の抵抗値が増加する要因となり、電池パック
使用時間の低下や動作感度への影響が懸念されるという
課題を有していた。

【0032】これらの抵抗値変動要因は、ポリマPTC
サーミスタの温度に対する抵抗値の可逆的性質に影響を
与えるものであり、性能劣化と判断されるべきものであ
る。

【0033】また、図12に示すリード付きPTCサー
ミスタ33のリード端子35をプリント基板28にはん
だ付けによって取り付ける際に、ポリマの融点以上の熱
処理を行った場合に、抵抗値がプラス側に1.5倍程度
に増加し、また、熱処理温度が240℃を超える場合
は、2倍から3倍程度に増加するためPTCサーミスタ
の内部抵抗をより低い状態に維持することができず、電
池パックの使用時間の低下につながるという課題を有し
ていた。

【0034】本発明は、上記従来の課題のうち少なくと
も1つを解決するもので、PTCサーミスタの取り付け
時のストレスによる影響を軽減することでより性能が高
く、ポリマの融点以上の熱処理を行ってもPTCサーミ
スタの抵抗値のプラス側変動を小さくすることで使用時
間の向上する電池パックおよびその製造方法を提供する
ことを目的とするものである。

【0035】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の電池パックは、素電池と、過電流または加熱
から前記素電池を保護する保護回路ユニットからなる電
池パックであって、前記保護回路ユニットは、保護用I
Cと面実装形のPTCサーミスタを含む複合体からなる
ことを特徴とするもので、この構成によれば、保護回路
ユニットに面実装形PTCサーミスタを用いたことでよ
り高性能化が可能である。

【0036】また、本発明の電池パックの製造方法は、
プリント基板に保護用ICと面実装形PTCサーミスタ
をはんだ付けする工程と、前記はんだ付け後のプリント
基板を熱処理する工程と、素電池の正極と負極にそれぞ
れ接続用リードを接続する工程と、前記接続用リードと
前記プリント基板を電気的に接続する工程からなること
を特徴とするもので、この方法によれば、プリント基板
にはんだ付けした面実装形PTCサーミスタを熱処理す
ることで使用時間の向上が可能である。

【0037】

【発明の実施の形態】本発明の請求項1に記載の発明
は、素電池と、前記素電池を過電流または加熱から保護
する保護回路ユニットからなる電池パックであって、前
記保護回路ユニットは、保護用ICと面実装形のPTC
サーミスタを含む複合体としたもので、この構成によれ
ば、リード端子の曲げ加工や溶接による接続を必要とし
ない面実装形のPTCサーミスタを保護回路ユニット内
に直接取り付けることとなりPTCサーミスタの抵抗値
変動を小さくできるものである。

【0038】請求項2に記載の発明は、特に、請求項1
に記載の素電池と保護回路ユニットのPTCサーミスタ
とを熱結合状態にしたもので、この構成によれば、PT
Cサーミスタは、素電池自身の発熱影響を受けることと
なり過電流による自己発熱との両方で素電池に対して効
率よく保護動作できるものである。

【0039】請求項3に記載の発明は、特に、請求項2
に記載の素電池とPTCサーミスタとを熱伝導部材によ
って接合したもので、この構成によれば、熱伝導部材が
効率よく熱伝達することとなり素電池とPTCサーミス
タを熱結合状態にすることができるものである。

【0040】請求項4に記載の発明は、特に、請求項3
に記載の熱伝導部材を高分子化合物と金属板の何れか一
方または両方からなるものとしたので、この構成によれ
ば、高分子化合物や金属板によって固定することとなり
PTCサーミスタと素電池は強固な結合ができるもので
ある。

【0041】請求項5に記載の発明は、特に、請求項1
に記載の熱伝導部材を融点が300℃以下のはんだ付け
用金属または金属化合物からなるものとしたので、この
構成によれば、PTCサーミスタと素電池は、導電材料
で熱結合することとなり電気的な接続も兼ねることがで
きるものである。

【0042】請求項6に記載の発明は、特に、請求項2
に記載の保護回路ユニットを保護用ICとPTCサーミ
スタが実装されたプリント基板からなるものとしたの
で、この構成によれば、プリント基板で回路構成するこ
ととなり保護回路ユニットの小形化ができるものであ
る。

【0043】請求項7に記載の発明は、特に、請求項6
に記載のプリント基板を厚み方向の面が、素電池の少な
くとも1面に近接し、PTCサーミスタが前記プリント
基板の実装面の素電池側端部近傍に実装されてなるもの
としたので、この構成によれば、PTCサーミスタはプ
リント基板上で素電池と近接することとなりPTCサー
ミスタと素電池を熱結合状態にできるものである。

【0044】請求項8に記載の発明は、特に、請求項6
に記載のプリント基板を第1の実装面が素電池に対向す
るように配置され、PTCサーミスタが前記第1の実装
面に実装されてなるものとしたので、この構成によれ
ば、プリント基板の第1の実装面と素電池が近接するこ
ととなりPTCサーミスタと素電池を熱結合状態にでき
るものである。

【0045】請求項9に記載の発明は、特に、請求項8
に記載の保護用ICとPTCサーミスタが実装されたプ
リント基板の第1の実装面と反対側の第2の実装面に少
なくとも2つ金属端子が接続されてなるものとしたの
で、この構成によれば、プリント基板は対向する素電池
の面に支えられることとなり金属端子が安定して固定で
きるものである。

【0046】請求項10に記載の発明は、特に、請求項
9に記載の金属端子をプリント基板からはみ出した部分
が、プリント基板の第1の実装面側に折り曲げられ、前
記折り曲げられた部分または前記折り曲げられた部分の
一部が素電池の表面上に設けた絶縁シート上に配置され
たものとしたので、この構成によれば、金属端子はプリ
ント基板を仲介せずに素電池の面に支えられることとな
り強固に固定できるものである。

【0047】請求項11に記載の発明は、特に、請求項
1に記載の保護回路ユニットをPTCサーミスタが素電
池の熱容量の異なる正負の電極に対して熱容量の小さい
方の電極と電気的に接続された回路構成からなるものと
したので、この構成によれば、素電池自身の発熱に対し
て熱容量の小さい電極の方が早く温度上昇することとな
りPTCサーミスタに早く熱を伝えることができる。

【0048】請求項12に記載の発明は、特に、請求項
1に記載の保護回路ユニットをPTCサーミスタが素電
池の熱容量の異なる正負の電極に対して熱容量の大きい
方の電極と電気的に接続された回路構成からなるものと
したので、この構成によれば、素電池自身の発熱に対し
て熱容量の大きい電極の方は温度上昇が遅く、PTCサ
ーミスタへの素電池からの熱影響が小さくなり、PTC
サーミスタは過電流による自己発熱を主体として保護動
作することができる。

【0049】請求項13に記載の発明は、特に、請求項
1に記載のPTCサーミスタを素電池から熱影響を受け
ない位置に配置されてなるものとしたので、この構成に
よれば、PTCサーミスタへの素電池からの熱影響がな
くなり、PTCサーミスタは過電流による自己発熱を主
体として保護動作することができる。

【0050】請求項14に記載の発明は、特に、請求項
13に記載の保護回路ユニットを保護用ICとPTCサ
ーミスタが実装されたプリント基板からなるものとした
ので、この構成によれば、プリント基板で回路構成する
こととなり保護回路ユニットの小形化ができるものであ
る。

【0051】請求項15に記載の発明は、特に、請求項
14に記載のプリント基板を厚み方向の面が、素電池の
少なくとも1面に近接し、PTCサーミスタが前記プリ
ント基板の実装面の素電池と反対側端部近傍に実装され
てなるものとしたので、この構成によれば、PTCサー
ミスタはプリント基板上で素電池の遠方に配置すること
となり素電池からの熱影響を受けにくくできるものであ
る。

【0052】請求項16に記載の発明は、特に、請求項
1に記載の保護回路ユニットを保護用ICとFETと面
実装形のPTCサーミスタを含む複合体からなるものと
したので、この構成によれば、リード端子の曲げ加工や
溶接による接続を必要としない面実装形のPTCサーミ
スタを保護回路ユニット内に直接取り付けることとなり
PTCサーミスタの抵抗値変動を小さくできるものであ
る。

【0053】請求項17に記載の発明は、特に請求項1
6に記載の保護回路ユニットを保護用ICとFETとP
TCサーミスタが実装されたプリント基板からなるもの
としたので、この構成によれば、プリント基板で回路構
成することとなり保護回路ユニットの小形化ができるも
のである。

【0054】請求項18に記載の発明は、特に、請求項
17に記載のPTCサーミスタとFETをプリント基板
の実装面に隣接実装が可能な間隔を残して近接するよう
に配置されたもので、この構成によれば、PTCサーミ
スタはFETと熱結合状態になることとなりFETの発
熱によって保護動作することができるものである。これ
はFET自体が熱による悪影響を受けることを防止する
ものである。

【0055】請求項19に記載の発明は、特に、請求項
18に記載の保護回路ユニットをPTCサーミスタがF
ETと電気的に接続された回路構成からなるものとした
ので、この構成によれば、プリント基板上の配線によっ
て接続されることとなり効率よくPTCサーミスタへ熱
を伝えることができる。

【0056】請求項20に記載の発明は、特に、請求項
18に記載の保護回路ユニットをPTCサーミスタが素
電池の熱容量の異なる正負の電極に対して熱容量の大き
い方の電極と電気的に接続された回路構成からなるもの
としたので、この構成によれば、PTCサーミスタは素
電池からの熱影響を少なくしてFETと熱結合状態にな
ることとなりFETの発熱を主体に保護動作することが
できるものである。

【0057】請求項21に記載の発明は、特に、請求項
16に記載のPTCサーミスタをFETから熱影響を受
けない位置に配置されてなるものとしたので、この構成
によれば、PTCサーミスタはFETからの熱影響を受
けることがなくなり過電流による自己発熱を主体に保護
動作ができるものである。

【0058】請求項22に記載の発明は、特に、請求項
16に記載のPTCサーミスタを素電池とFETから熱
影響を受けない位置に配置されてなるものとしたので、
この構成によれば、PTCサーミスタは素電池とFET
の両方からの熱影響を受けることがなくなり過電流によ
る自己発熱を主体に保護動作ができるものである。

【0059】請求項23に記載の発明は、プリント基板
に保護用ICと面実装形PTCサーミスタをはんだ付け
する工程と、前記はんだ付け後のプリント基板を熱処理
する工程と、素電池の正極と負極にそれぞれ接続用リー
ドを接続する工程と、前記接続用リードと前記プリント
基板を電気的に接続する工程からなるものとしたこと
で、この方法によれば、プリント基板にはんだ付けした
面実装形PTCサーミスタを熱処理することでアニール
効果によって、ポリマの融点以上の熱処理を行ってもP
TCサーミスタの抵抗値のプラス側変動を小さくするこ
とが可能である。

【0060】請求項24に記載の発明は、特に、請求項
23に記載のプリント基板の熱処理工程を熱処理温度が
面実装形PTCサーミスタの保護動作温度以下としたも
ので、この方法によれば、確実にPTCサーミスタの抵
抗値のプラス側変動を小さくすることが可能である。

【0061】請求項25に記載の発明は、特に、請求項
24に記載のプリント基板の熱処理工程を相対的に高い
温度の熱処理と、低い温度の熱処理が繰り返す工程であ
るとしたもので、この方法によれば、効率よく短時間で
PTCサーミスタの抵抗値のプラス側変動を小さくする
ことが可能である。

【0062】請求項26に記載の発明は、プリント基板
に保護用ICと面実装形PTCサーミスタをはんだ付け
する工程と、前記はんだ付け後のプリント基板を熱処理
する工程と、前記プリント基板に正極と負極の接続用リ
ードを電気的に接続する工程と、素電池の正極と負極に
それぞれ前記正極と負極の接続用リードを接続する工程
からなるものとしたことで、この方法によれば、プリン
ト基板にはんだ付けした面実装形PTCサーミスタを熱
処理することでアニール効果によって、ポリマの融点以
上の熱処理を行ってもPTCサーミスタの抵抗値のプラ
ス側変動を小さくすることが可能である。

【0063】請求項27に記載の発明は、特に、請求項
26に記載のプリント基板の熱処理工程を熱処理温度が
面実装形PTCサーミスタの保護動作温度以下としたも
ので、この方法によれば、確実にPTCサーミスタの抵
抗値のプラス側変動を小さくすることが可能である。

【0064】請求項28に記載の発明は、特に、請求項
27に記載のプリント基板の熱処理工程を相対的に高い
温度の熱処理と、低い温度の熱処理が繰り返す工程であ
るとしたもので、この方法によれば、効率よく短時間で
PTCサーミスタの抵抗値のプラス側変動を小さくする
ことが可能である。

【0065】請求項29に記載の発明は、プリント基板
に保護用ICと面実装形PTCサーミスタをはんだ付け
する工程と、素電池の正極と負極にそれぞれ接続用リー
ドを接続する工程と、前記接続用リードと前記プリント
基板を電気的に接続する工程と、前記素電池と前記プリ
ント基板を熱処理する工程からなるものとしたことで、
この方法によれば、プリント基板にはんだ付けした面実
装形PTCサーミスタを熱処理することでアニール効果
によって、ポリマの融点以上の熱処理を行ってもPTC
サーミスタの抵抗値のプラス側変動を小さくすることが
可能である。

【0066】請求項30に記載の発明は、特に、請求項
29に記載の素電池とプリント基板の熱処理工程を熱処
理温度が面実装形PTCサーミスタの保護動作温度以下
としたもので、この方法によれば、確実にPTCサーミ
スタの抵抗値のプラス側変動を小さくすることが可能で
ある。

【0067】請求項31に記載の発明は、特に、素電池
とプリント基板の熱処理工程を相対的に高い温度の熱処
理と、低い温度の熱処理が繰り返す工程であるとしたも
ので、この方法によれば、効率よく短時間でPTCサー
ミスタの抵抗値のプラス側変動を小さくすることが可能
である。

【0068】請求項32に記載の発明は、プリント基板
に保護用ICと面実装形PTCサーミスタをはんだ付け
する工程と、前記プリント基板に正極と負極の接続用リ
ードを電気的に接続する工程と、素電池の正極と負極に
それぞれ前記正極と負極の接続用リードを接続する工程
と、前記素電池と前記プリント基板を熱処理する工程か
らなるものとしたことで、この方法によれば、プリント
基板にはんだ付けした面実装形PTCサーミスタを熱処
理することでアニール効果によって、ポリマの融点以上
の熱処理を行ってもPTCサーミスタの抵抗値のプラス
側変動を小さくすることが可能である。

【0069】請求項33に記載の発明は、特に、請求項
32に記載の素電池とプリント基板の熱処理工程を熱処
理温度が面実装形PTCサーミスタの保護動作温度以下
としたもので、この方法によれば、確実にPTCサーミ
スタの抵抗値のプラス側変動を小さくすることが可能で
ある。

【0070】請求項34に記載の発明は、特に、請求項
33に記載の素電池とプリント基板の熱処理工程を相対
的に高い温度の熱処理と、低い温度の熱処理が繰り返す
工程であるとしたもので、この方法によれば、効率よく
短時間でPTCサーミスタの抵抗値のプラス側変動を小
さくすることが可能である。

【0071】(実施の形態1)以下、本発明の実施の形
態1における電池パックおよびその製造方法について、
図面を参照しながら説明する。

【0072】図1は本発明の実施の形態1における電池
パックの斜視図である。

【0073】図1において、41は角形素電池である。
42は角形素電池41の正極端子であり、外周金属ケー
スを兼ねているものである。43は角形素電池41の負
極端子であり、角形素電池41の1面にのみ設けられた
ものである。44は保護回路を構成するためのベースと
なるプリント基板であり、プリント基板44の厚み方向
の面が負極端子43のある角形素電池41の面に近接し
ている。45はプリント基板44の第1の実装面上にS
nAg系またはSnCu系のPbフリーはんだによって
実装された保護用ICである。46はプリント基板44
の第1の実装面上にSnAg系またはSnCu系のPb
フリーはんだによって実装されたFETユニットであ
り、基本的には2個のFETで構成されている。47と
48はプリント基板44の保護用IC45の実装面と反
対側の第2の実装面に取り付けた電池パックの取り出し
用正極端子と取り出し用負極端子である。49はプリン
ト基板44の第1の実装面上にSnAg系またはSnC
u系のPbフリーはんだによって実装された外形が約
4.5mm×3.2mm、厚みが約1mmで、実装前の
抵抗値が15mΩから20mΩで、保護動作温度が11
0℃から120℃の範囲にある面実装形PTCサーミス
タであり、角形素電池41に近接するようにプリント基
板44の端部近傍に配置されている。50は負極端子4
3とプリント基板44を接続する負極側の接続リードで
ある。51はプリント基板44を介して電池パックの取
り出し用正極端子47と外周金属ケースを兼ねた正極端
子42を電気的に接続する正極側の接続リードである。
52はプリント基板44と保護用IC45とFETユニ
ット46と面実装形PTCサーミスタ49によって構成
された保護回路ユニットである。

【0074】以上のように構成された電池パックについ
て、以下にその製造方法を説明する。

【0075】まず、プリント基板44の第2の実装面に
スクリーン印刷法を用いてクリームはんだを塗布する。

【0076】次に、印刷形成したクリームはんだの上に
取り出し用正極端子47と取り出し用負極端子48を取
り付け、はんだ付けする。

【0077】次に、プリント基板44の第1の実装面に
スクリーン印刷法を用いてクリームはんだを塗布する。

【0078】次に、印刷形成したクリームはんだの上に
保護用IC45とFETユニット46と面実装形PTC
サーミスタ49を取り付ける。

【0079】次に、リフローはんだ付け炉を用いてプリ
ント基板44と、保護用IC45や面実装形PTCサー
ミスタ49などの取り付け部品をピーク温度250℃の
プロファイルではんだ付けする。

【0080】次に、はんだ付けによって抵抗値が40m
Ω程度に増加した面実装形PTCサーミスタ49を実装
したプリント基板44を80℃の周囲温度環境に約30
分間放置し、その後数分以内に25℃の周囲温度環境に
切り替えて約30分間放置する温度サイクルを3回繰り
返し、望ましくは5回繰り返して、抵抗値を20mΩ以
下に復帰させる(以降、アニール処理と称する。)。

【0081】一方で、角形素電池41の負極端子43に
負極側の接続リード50を電気溶接によって接続し、正
極端子42に正極側の接続リード51を電気溶接によっ
て接続する。

【0082】次に、アニール処理後のプリント基板44
と角形素電池41に取り付けられた負極側の接続リード
50をはんだ接続する。

【0083】最後に、プリント基板44と正極側の接続
リード51をはんだ接続して、電池パックを製造するも
のである。

【0084】以上のように構成、製造された電池パック
について、以下にその動作を説明する。

【0085】まず、プリント基板44と保護用IC45
とFETユニット46と面実装形PTCサーミスタ49
によって構成された保護回路ユニット52が、角形素電
池41の過充電や過放電を保護する制御動作と、負荷の
短絡や保護回路自身の短絡などによって起る過電流から
の保護動作を行う。

【0086】以上のように本実施の形態1においては、
面実装形PTCサーミスタ49をプリント基板44上に
保護用IC45やFETユニット46と同じようにリフ
ローソルダリング法などのはんだ付けによって実装する
ことにより、面実装形PTCサーミスタ49は、リード
付きPTCサーミスタのようにリード端子の曲げ加工や
電気溶接によって角形素電池41の負極端子43やプリ
ント基板44と接続して回路を構成する必要がなく、曲
げ加工ストレスおよび電気溶接による高温の熱ストレス
などに起因する抵抗値変動をなくすことが可能である。

【0087】また、本実施の形態1では、プリント基板
44に面実装形PTCサーミスタ49をはんだ付けする
工程と、面実装形PTCサーミスタ49をはんだ付け後
のプリント基板44をアニール処理する工程と、角形素
電池41の正極端子42と負極端子43にそれぞれ正極
側の接続リード51と負極側の接続リード50を電気溶
接する工程と、正極側の接続リード51と負極側の接続
リード50をプリント基板44にはんだ接続する工程か
らなるものとしたことにより、SnAg系やSnCu系
などの融点が200℃以上のPbフリーはんだを用い
て、プリント基板44にはんだ付けした結果、抵抗値が
40mΩまで2倍程度に増加した面実装形PTCサーミ
スタ49は、アニール効果によって、抵抗値を20mΩ
以下に短時間で小さくすることが可能である。

【0088】さらに、本実施の形態1において、面実装
形PTCサーミスタ49は、リード付きPTCサーミス
タのようなリード端子の曲げ加工や電気溶接などの作業
が不要であり、プリント基板44に保護用IC45やF
ETユニット46と同時に実装用マウンタで装着し、は
んだ付けすることができるのでパック電池の組立て加工
に要するコストの削減にも大きな効果がある。

【0089】また、本実施の形態1では、プリント基板
44の厚み方向の面を、角形素電池41の負極端子43
の面に近接し、面実装形PTCサーミスタ49が角形素
電池41に近接するようにプリント基板44の端部近傍
に実装することにより、特に、面実装形PTCサーミス
タ49と角形素電池41が熱結合状態となることで角形
素電池41からの直接的な熱伝達によっても保護動作状
態に移行することができる。

【0090】また、本実施の形態1では、面実装形PT
Cサーミスタ49が角形素電池41の熱容量の異なる正
負の電極端子に対して熱容量の小さい負極端子43と電
気的に接続し、負極端子43の近傍に配置することによ
り、角形素電池41の発熱に対して熱容量の小さい負極
端子43が早く温度上昇することとなり面実装形PTC
サーミスタ49により早く熱を伝えることができる。

【0091】なお、本実施の形態1において、アニール
処理工程は、面実装形PTCサーミスタをプリント基板
に実装した直後の工程としたが、角形素電池と実装済み
のプリント基板を接続リードではんだ接続した後の工程
で行っても同様に抵抗値を小さくすることができる。

【0092】なお、実施の形態1において、正極側の接
続リードと負極側の接続リードは、先に角形素電池に電
気溶接し、その後プリント基板にはんだ付けしたが、先
にプリント基板にはんだ付けした後に角形素電池に電気
溶接する工程の順序であってもよい。

【0093】なお、本実施の形態1において、アニール
処理温度は相対的に高い温度を80℃、相対的に低い温
度を25℃とし、放置時間を約30分間としたが、面実
装形PTCサーミスタの動作温度110℃以下で−40
℃以上であれば任意の温度を選択してもよいし、製造工
程での支障がなければ、放置時間も12時間程度まで延
長してもよい。また、60℃から110℃の温度範囲で
一定温度に数時間以上の長時間放置しておいてもはんだ
付けにより増加した抵抗値の低減が可能である。

【0094】なお、本実施の形態1において、プリント
基板への実装用はんだをSnAg系またはSnCu系の
Pbフリー系はんだとしたが、その他のPbフリー系は
んだや従来のSnPb系はんだを用いてもよい。

【0095】(実施の形態2)以下、本発明の実施の形
態2における電池パックおよびその製造方法について、
図面を参照しながら説明する。

【0096】図2は本発明の実施の形態2における電池
パックの斜視図である。

【0097】図2において、61は角形素電池である。
62は角形素電池61の正極端子であり、外周金属ケー
スを兼ねているものである。63は角形素電池61の負
極端子であり、角形素電池61の1面にのみ設けられた
ものである。64は保護回路を構成するためのベースと
なるプリント基板であり、プリント基板64の厚み方向
の面が負極端子63のある角形素電池61の面に近接し
ている。65はプリント基板64の第1の実装面上にS
nAg系またはSnCu系のPbフリーはんだによって
実装された保護用ICである。66はプリント基板64
の第1の実装面上にSnAg系またはSnCu系のPb
フリーはんだによって実装されたFETユニットであ
り、基本的には2個のFETで構成されている。67と
68はプリント基板64の保護用IC65の実装面と反
対側の第2の実装面に取り付けた電池パックの取り出し
用正極端子と取り出し用負極端子である。69はプリン
ト基板64の第1の実装面上にSnAg系またはSnC
u系のPbフリーはんだによって実装された外形が約
4.5mm×3.2mm、厚みが約1mmで、実装前の
抵抗値が15mΩから20mΩで、保護動作温度が11
0℃から120℃の範囲にある面実装形PTCサーミス
タであり、角形素電池61に近接するようにプリント基
板64の端部近傍に配置されている。70は面実装形P
TCサーミスタ69と角形素電池61の負極端子63と
同一面とに接着した硬化温度100℃のエポキシ樹脂で
あり、実施の形態1の構成と異なるところは、エポキシ
樹脂70を設けた点である。71は負極端子63とプリ
ント基板64を接続する負極側の接続リードである。7
2はプリント基板64を介して電池パックの取り出し用
正極端子67と外周金属ケースを兼ねた正極端子62を
電気的に接続する正極側の接続リードである。73はプ
リント基板64と保護用IC65とFETユニット66
と面実装形PTCサーミスタ69によって構成された保
護回路ユニットである。

【0098】以上のように構成された電池パックについ
て、以下にその製造方法を説明する。

【0099】まず、プリント基板64の第2の実装面に
スクリーン印刷法を用いてクリームはんだを塗布する。

【0100】次に、印刷形成したクリームはんだの上に
取り出し用正極端子67と取り出し用負極端子68を取
り付け、はんだ付けする。

【0101】次に、プリント基板64の第1の実装面に
スクリーン印刷法を用いてクリームはんだを塗布する。

【0102】次に、印刷形成したクリームはんだの上に
保護用IC65とFETユニット66と面実装形PTC
サーミスタ69を取り付ける。

【0103】次に、リフローはんだ付け炉を用いてプリ
ント基板64と、保護用IC65や面実装形PTCサー
ミスタ69などの取り付け部品をピーク温度250℃の
プロファイルではんだ付けする。

【0104】一方で、角形素電池61の負極端子63に
負極側の接続リード71を電気溶接によって接続し、正
極端子62に正極側の接続リード72を電気溶接によっ
て接続する。

【0105】次に、アニール処理後のプリント基板64
と、角形素電池61に取り付けられた負極側の接続リー
ド71と正極側の接続リード72とをはんだ接続する。

【0106】最後に、エポキシ樹脂70を面実装形PT
Cサーミスタ69と角形素電池61の負極端子63と同
一面とに塗布し、約100℃の周囲温度環境で5時間放
置する熱処理によって硬化接着させる。はんだ付けによ
って抵抗値が40mΩ程度に増加した面実装形PTCサ
ーミスタ69をエポキシ樹脂の硬化温度を利用した上記
の熱処理工程を行うことにより抵抗値を20mΩ以下に
復帰させて、電池パックを製造するものである。

【0107】以上のように構成、製造された電池パック
について、以下にその動作を説明する。

【0108】まず、プリント基板64と保護用IC65
とFETユニット66と面実装形PTCサーミスタ69
によって構成された保護回路ユニット73が、角形素電
池61の過充電や過放電を保護する制御動作と、負荷の
短絡や保護回路自身の短絡などによって起る過電流から
の保護動作を行う。

【0109】以上のように本実施の形態2においては、
実施の形態1の効果に加えて、面実装形PTCサーミス
タ69と角形素電池61を熱伝導部材であるエポキシ樹
脂70によって接合することにより、面実装形PTCサ
ーミスタ69に効率よく熱伝達することができる。さら
に、エポキシ樹脂を硬化させる工程と面実装形PTCサ
ーミスタ69の抵抗値を復帰させる熱処理工程を同時に
行うことができる。

【0110】なお、本実施の形態2において、エポキシ
樹脂を熱伝導部材として用いたが、フェノール樹脂、シ
リコーン樹脂などの接着性のある高分子化合物を用いて
も同様の効果を得ることができる。

【0111】なお、本実施の形態2において、エポキシ
樹脂を熱伝導部材として用いたが、アルミ板、SUS板
などの金属を中間材としてエポキシ樹脂により角形素電
池と面実装形PTCサーミスタを接着することでより効
率よく熱伝達することができる。

【0112】なお、本実施の形態2において、熱処理工
程は、エポキシ樹脂の硬化工程と兼用したが、面実装形
PTCサーミスタをプリント基板にはんだ付けした以降
の工程で単独にアニール処理工程を行ってもよい。

【0113】なお、本実施の形態2において、プリント
基板への実装用はんだをSnAg系またはSnCu系の
Pbフリー系はんだとしたが、その他のPbフリー系は
んだや従来のSnPb系はんだを用いてもよい。

【0114】(実施の形態3)以下、本発明の実施の形
態3における電池パックおよびその製造方法について、
図面を参照しながら説明する。

【0115】図3は本発明の実施の形態3における電池
パックの斜視図である。

【0116】図3において、81は角形素電池である。
82は角形素電池81の正極端子であり、外周金属ケー
スを兼ねているものである。83は角形素電池81の負
極端子であり、角形素電池81の1面にのみ設けられた
ものである。84は保護回路を構成するためのベースと
なるプリント基板であり、プリント基板84の厚み方向
の面が負極端子83のある角形素電池81の面に近接し
ている。85はプリント基板84の第1の実装面上にS
nAg系またはSnCu系のPbフリーはんだによって
実装された保護用ICである。86はプリント基板84
の第1の実装面上にSnAg系またはSnCu系のPb
フリーはんだによって実装されたFETユニットであ
り、基本的には2個のFETで構成されている。87と
88はプリント基板84の保護用IC85の実装面と反
対面の第2の実装面上に取り付けた電池パックの取り出
し用正極端子と取り出し用負極端子である。89はプリ
ント基板84の第1の実装面上にSnAg系またはSn
Cu系のPbフリーはんだによって実装された外形が約
4.5mm×3.2mm、厚みが約1mmで、実装前の
抵抗値が15mΩから20mΩで、保護動作温度が11
0℃から120℃の範囲にある面実装形PTCサーミス
タであり、角形素電池81に近接するようにプリント基
板84の端部近傍に配置されている。90は負極端子8
3とプリント基板84を接続する負極側の接続リードで
ある。91はプリント基板84を介して電池パックの取
り出し用正極端子87と外周金属ケースを兼ねた正極端
子82を電気的に接続する正極側の接続リードである。
92は面実装形PTCサーミスタ89の側面電極端子9
3と負極側の接続リード90を電気的に接続した融点が
300℃以下、望ましくは260℃以下、より望ましく
は240℃以下のSnAg系またはSnCu系のPbフ
リーはんだ部材であり、実施の形態1の構成と異なると
ころは、はんだ部材92を設けた点である。94はプリ
ント基板84と保護用IC85とFETユニット86と
面実装形PTCサーミスタ89によって構成された保護
回路ユニットである。

【0117】以上のように構成された電池パックについ
て、以下にその製造方法を説明する。

【0118】まず、プリント基板84の第2の実装面に
スクリーン印刷法を用いてクリームはんだを塗布する。

【0119】次に、印刷形成したクリームはんだの上に
取り出し用正極端子87と取り出し用負極端子88を取
り付け、はんだ付けする。

【0120】次に、プリント基板84の第1の実装面に
スクリーン印刷法を用いてクリームはんだを塗布する。

【0121】次に、印刷形成したクリームはんだの上に
保護用IC85とFETユニット86と面実装形PTC
サーミスタ89を取り付ける。

【0122】次に、リフローはんだ付け炉を用いてプリ
ント基板84と、保護用IC85や面実装形PTCサー
ミスタ89などの取り付け部品をピーク温度250℃の
プロファイルではんだ付けする。

【0123】次に、プリント基板84に正極側の接続リ
ード91をはんだ接続する。

【0124】次に、プリント基板84と面実装形PTC
サーミスタ89の側面電極端子93に負極側の接続リー
ド90をはんだ部材92によって接続する。

【0125】次に、角形素電池81の負極端子83に負
極側の接続リード90を電気溶接によって接続し、正極
端子82に正極側の接続リード91を電気溶接によって
接続する。

【0126】最後に、プリント基板84へのはんだ付け
やはんだ部材92との接続によって抵抗値が40mΩか
ら50mΩ程度に増加した面実装形PTCサーミスタ8
9を80℃の周囲温度環境に約30分間放置し、その後
数分以内に25℃の周囲温度環境に切り替えて約30分
間放置する温度サイクルを5回繰り返し、望ましくは1
0回繰り返すことで抵抗値を20mΩ以下に復帰させる
アニール処理を行うことにより、電池パックを製造する
ものである。

【0127】以上のように構成、製造された電池パック
について、以下にその動作を説明する。

【0128】まず、プリント基板84と保護用IC85
とFETユニット86と面実装形PTCサーミスタ89
によって構成された保護回路ユニット94が、角形素電
池81の過充電や過放電を保護する制御動作と、負荷の
短絡や保護回路自身の短絡などによって起る過電流から
の保護動作を行う。

【0129】以上のように本実施の形態3においては、
実施の形態1の効果に加えて融点が300℃以下のはん
だ部材92を用いて面実装形PTCサーミスタ89の側
面電極端子93と負極側の接続リード90を電気的な接
続したことにより、角形素電池81の発熱をはんだ部材
92を介して面実装形PTCサーミスタ89に伝達で
き、はんだ部材92の接続によって抵抗値が増加した面
実装形PTCサーミスタ89をアニール処理によって、
抵抗値を復帰させることができる。

【0130】なお、本実施の形態3において、はんだ部
材はSnAg系またはSnCu系のPbフリーはんだと
したが、Sn、Bi、Ag、Cu、Zn、In、Auな
どから選択されたPbフリー系のはんだ部材や、SnP
b系はんだを用いても同様の効果が得られる。

【0131】(実施の形態4)以下、本発明の実施の形
態4における電池パックおよびその製造方法について、
図面を参照しながら説明する。

【0132】図4は本発明の実施の形態4における電池
パックの斜視図である。図5は図4の電池パックの展開
図である。

【0133】図4、図5において、101は角形素電池
である。102は角形素電池101の正極端子であり、
外周金属ケースを兼ねているものである。103は角形
素電池101の負極端子であり、角形素電池101の1
面にのみ設けられたものである。104は保護回路を構
成するためのベースとなるプリント基板であり、プリン
ト基板104の第1の実装面が負極端子103のある角
形素電池101の面に対向している。105はプリント
基板104の第1の実装面上にSnAg系またはSnC
u系のPbフリーはんだによって実装された保護用IC
である。106はプリント基板104の第1の実装面上
にSnAg系またはSnCu系のPbフリーはんだによ
って実装されたFETユニットであり、基本的には2個
のFETで構成されている。107と108はプリント
基板104の保護用IC105の実装面と反対側の第2
の実装面に取り付けた電池パックの取り出し用正極端子
と取り出し用負極端子であり、プリント基板104から
はみ出して折り曲げられた部分の先端部が、角形素電池
101の正極端子102の上面に絶縁シート109を介
して近接している。110はプリント基板104の第1
の実装面上にSnAg系またはSnCu系のPbフリー
はんだによって実装された外形が約4.5mm×3.2
mm、厚みが約1mmで、実装前の抵抗値が15mΩか
ら20mΩで、保護動作温度が110℃から120℃の
範囲にある面実装形PTCサーミスタであり、面実装形
PTCサーミスタ110の実装面と反対の上面が、負極
端子103のある角形素電池101の面に対向して近接
している。111は負極端子103とプリント基板10
4を接続する負極側の接続リードである。112はプリ
ント基板104を介して電池パックの取り出し用正極端
子107と外周金属ケースを兼ねた正極端子102を電
気的に接続する正極側の接続リードである。113はプ
リント基板104と保護用IC105とFETユニット
106と面実装形PTCサーミスタ110によって構成
された保護回路ユニットである。

【0134】以上のように構成された電池パックについ
て、以下にその製造方法を説明する。

【0135】まず、プリント基板104の第1の実装面
にスクリーン印刷法を用いてクリームはんだを塗布す
る。

【0136】次に、印刷形成したクリームはんだの上に
保護用IC105とFETユニット106と面実装形P
TCサーミスタ110を取り付ける。

【0137】次に、リフローはんだ付け炉を用いてプリ
ント基板104と、保護用IC105や面実装形PTC
サーミスタ110などの取り付け部品をピーク温度25
0℃のプロファイルではんだ付けする。

【0138】一方で、角形素電池101の負極端子10
3に負極側の接続リード111を電気溶接によって接続
し、正極端子102に正極側の接続リード112を電気
溶接によって接続する。

【0139】次に、プリント基板104と、角形素電池
101に取り付けられた負極側の接続リード111と正
極側の接続リード112とをはんだ接続する。

【0140】次に、負極側の接続リード111と正極側
の接続リード112を折り曲げてプリント基板104の
第1の実装面を角形素電池101の負極端子103のあ
る面に対向させる。

【0141】次に、約90度に折り曲げられた取り出し
用正極端子107と取り出し用負極端子108を各々が
角形素電池101に取り付けた絶縁シート109とプリ
ント基板104の第2の実装面に接するようにプリント
基板104の第2の実装面にはんだ接続する。

【0142】最後に、プリント基板104とのはんだ付
けによって抵抗値が40mΩ程度に増加した面実装形P
TCサーミスタ110を実装したプリント基板104を
角形素電池101と共に、80℃の周囲温度環境に約3
0分間放置し、その後数分以内に25℃の周囲温度環境
に切り替えて約30分間放置する温度サイクルを3回繰
り返し、望ましくは5回繰り返して、抵抗値を20mΩ
以下に復帰させるアニール処理を行うことにより、電池
パックを製造する。

【0143】以上のように構成、製造された電池パック
について、以下にその動作を説明する。

【0144】まず、プリント基板104と保護用IC1
05とFETユニット106と面実装形PTCサーミス
タ110によって構成された保護回路ユニット113
が、角形素電池101の過充電や過放電を保護する制御
動作と、負荷の短絡や保護回路自身の短絡などによって
起る過電流からの保護動作を行う。

【0145】以上のように本実施の形態4においては、
面実装形PTCサーミスタ110をプリント基板104
上に保護用IC105やFETユニット106と同じよ
うにリフローソルダリング法などのはんだ付けによって
実装することにより、面実装形PTCサーミスタ110
は、リード付きPTCサーミスタのようにリード端子の
曲げ加工や電気溶接によって角形素電池101の負極端
子103やプリント基板104と接続して回路を構成す
る必要がなく、曲げ加工ストレスおよび電気溶接による
高温の熱ストレスなどに起因する抵抗値変動をなくすこ
とが可能である。

【0146】また、本実施の形態4では、プリント基板
104に面実装形PTCサーミスタ101をはんだ付け
する工程と、角形素電池101の正極端子102と負極
端子103にそれぞれ正極側の接続リード112と負極
側の接続リード111を電気溶接する工程と、正極側の
接続リード112と負極側の接続リード111をプリン
ト基板104にはんだ接続する工程と、面実装形PTC
サーミスタ110をはんだ付け後のプリント基板104
と角形素電池101を同時アニール処理する工程からな
るものとしたことにより、SnAg系やSnCu系など
の融点が200℃以上のPbフリーはんだを用いて、プ
リント基板104にはんだ付けした結果、抵抗値が40
mΩまで2倍程度に増加した面実装形PTCサーミスタ
110は、アニール効果によって、抵抗値を20mΩ以
下に短時間で小さくすることが可能である。

【0147】また、本実施の形態4では、プリント基板
104の実装面を、角形素電池101の負極端子103
の面に対向させ、面実装形PTCサーミスタ110の実
装面と反対の上面が、負極端子103のある角形素電池
101の面に対向して近接していることにより、特に、
面実装形PTCサーミスタ110の主要面が角形素電池
101と近接し、互いに熱結合状態となることで角形素
電池101からの直接的な熱伝達によって、より早く保
護動作状態に移行することができる。

【0148】また、本実施の形態4では、プリント基板
104の実装面を、角形素電池101の負極端子103
の面に対向させ、面実装形PTCサーミスタ110が実
装されたプリント基板104の実装面と反対側の実装面
に電池パックの取り出し用正極端子107と取り出し用
負極端子108を取り付けたことにより、プリント基板
104は対向する角形素電池101に支えられることと
なり、取り出し用正極端子107と取り出し用負極端子
108が安定して固定でき、外部電子機器の電極端子と
確実に接続できる。

【0149】また、本実施の形態4では、取り出し用正
極端子107と取り出し用負極端子108のプリント基
板104からはみ出して折り曲げられた部分の先端部が
角形素電池101の正極端子102の上面に絶縁シート
109を介して近接していることにより、取り出し用正
極端子107と取り出し用負極端子108はプリント基
板104を仲介せずに角形素電池101の上面に支えら
れることとなり強固に固定でき、この面で外部電子機器
の電極端子と接続すれば、機械的ストレスからプリント
基板104を守ることができる。

【0150】なお、本実施の形態4において、保護用I
CとFETユニットは、面実装形PTCサーミスタと同
じプリント基板の実装面に配置したが、取り出し用正極
端子や取り出し用負極端子を取り付けた面実装形PTC
サーミスタと反対側のプリント基板の実装面に配置して
もよい。

【0151】なお、本実施の形態4において、アニール
処理温度は相対的に高い温度を80℃、相対的に低い温
度を25℃とし、放置時間を約30分間としたが、面実
装形PTCサーミスタの動作温度110℃以下で−40
℃以上であれば任意の温度を選択してもよいし、製造工
程での支障がなければ、放置時間も12時間程度まで延
長してもよい。また、60℃から110℃の温度範囲で
一定温度に数時間以上の長時間放置しておいてもはんだ
付けにより増加した抵抗値の低減が可能である。

【0152】なお、本実施の形態4において、プリント
基板への実装用はんだをSnAg系やSnCu系のPb
フリー系はんだとしたが、その他のPbフリー系はんだ
や従来のSnPb系はんだを用いてもよい。また、図4
の様に、面実装形PTCサーミスタ110と角形素電池
101を対向させることで、面実装形PTCサーミスタ
110は、角形素電池101の放射熱を受けるので、よ
り角形素電池101と熱結合をさせることができる。

【0153】(実施の形態5)以下、本発明の実施の形
態5における電池パックおよびその製造方法について、
図面を参照しながら説明する。

【0154】図6は本発明の実施の形態5における電池
パックの斜視図である。

【0155】図6において、121は角形素電池であ
る。122は角形素電池121の正極端子であり、外周
金属ケースを兼ねているものである。123は角形素電
池121の負極端子であり、角形素電池121の1面に
のみ設けられたものである。124は保護回路を構成す
るためのベースとなるプリント基板であり、プリント基
板124の厚み方向の面が負極端子123のある角形素
電池121の面に近接している。125はプリント基板
124の第1の実装面上にSnAg系またはSnCu系
のPbフリーはんだによって実装された保護用ICであ
る。126はプリント基板124の第1の実装面上にS
nAg系またはSnCu系のPbフリーはんだによって
実装されたFETユニットであり、基本的には2個のF
ETで構成されている。127と128はプリント基板
124の保護用IC125の実装面と反対側の第2の実
装面に取り付けた電池パックの取り出し用正極端子と取
り出し用負極端子である。129はプリント基板124
の第1の実装面上にSnAg系またはSnCu系のPb
フリーはんだによって実装された面実装形PTCサーミ
スタであり、保護用IC125を挟んでFETユニット
126と間隔を取り、角形素電池121と近接するプリ
ント基板104の端部と反対側の端部近傍に配置されて
いる。さらに、面実装形PTCサーミスタ129はプリ
ント基板124を介して取り出し用正極端子127と電
気的に接続している。130は負極端子123とプリン
ト基板124を接続する負極側の接続リードである。1
31はプリント基板124を介して面実装形PTCサー
ミスタ129と外周金属ケースを兼ねた正極端子122
を電気的に接続する正極側の接続リードである。132
はプリント基板124と保護用IC125とFETユニ
ット126と面実装形PTCサーミスタ129によって
構成された保護回路ユニットである。

【0156】以上のように構成された電池パックについ
て、以下にその製造方法を説明する。

【0157】まず、プリント基板124の第2の実装面
にスクリーン印刷法を用いてクリームはんだを塗布す
る。

【0158】次に、印刷形成したクリームはんだの上に
取り出し用正極端子127と取り出し用負極端子128
を取り付け、はんだ付けする。

【0159】次に、プリント基板124の第1の実装面
にスクリーン印刷法を用いてクリームはんだを塗布す
る。

【0160】次に、印刷形成したクリームはんだの上に
保護用IC125とFETユニット126と面実装形P
TCサーミスタ129を取り付ける。

【0161】次に、リフローはんだ付け炉を用いてプリ
ント基板124と、保護用IC125や面実装形PTC
サーミスタ129などの取り付け部品をピーク温度25
0℃のプロファイルではんだ付けする。

【0162】次に、はんだ付けによって抵抗値が40m
Ω程度に増加した面実装形PTCサーミスタ129を実
装したプリント基板124を80℃の周囲温度環境に約
30分間放置し、その後数分以内に25℃の周囲温度環
境に切り替えて約30分間放置する温度サイクルを3回
繰り返し、望ましくは5回繰り返して、抵抗値を20m
Ω以下に復帰させるアニール処理を行う。

【0163】一方で、角形素電池121の負極端子12
3に負極側の接続リード130を電気溶接によって接続
し、正極端子122に正極側の接続リード131を電気
溶接によって接続する。

【0164】次に、アニール処理後のプリント基板12
4と角形素電池121に取り付けられた負極側の接続リ
ード130をはんだ接続する。

【0165】最後に、プリント基板124と正極側の接
続リード131をはんだ接続して、電池パックを製造す
るものである。

【0166】以上のように構成、製造された電池パック
について、以下にその動作を説明する。

【0167】まず、プリント基板124と保護用IC1
25とFETユニット126と面実装形PTCサーミス
タ129によって構成された保護回路ユニット132
が、角形素電池121の過充電や過放電を保護する制御
動作と、負荷の短絡や保護回路自身の短絡などによって
起る過電流からの保護動作を行う。

【0168】以上のように本実施の形態5においては、
面実装形PTCサーミスタ129をプリント基板124
上に保護用IC125やFETユニット126と同じよ
うにリフローソルダリング法などのはんだ付けによって
実装することにより、面実装形PTCサーミスタ129
は、リード付きPTCサーミスタのようにリード端子の
曲げ加工や電気溶接によって回路構成する必要がなく、
曲げ加工ストレスおよび電気溶接による高温の熱ストレ
スなどに起因する抵抗値変動をなくすことが可能であ
る。

【0169】また、本実施の形態5では、プリント基板
124に面実装形PTCサーミスタ129をはんだ付け
する工程と、面実装形PTCサーミスタ129をはんだ
付け後のプリント基板124をアニール処理する工程
と、角形素電池121の正極端子122と負極端子12
3にそれぞれ正極側の接続リード131と負極側の接続
リード130を電気溶接する工程と、正極側の接続リー
ド131と負極側の接続リード130をプリント基板4
4にはんだ接続する工程からなるものとしたことによ
り、SnAg系やSnCu系などの融点が200℃以上
のPbフリーはんだを用いて、プリント基板44にはん
だ付けした結果、抵抗値が40mΩまで2倍程度に増加
した面実装形PTCサーミスタ49は、アニール効果に
よって、抵抗値を20mΩ以下に短時間で小さくするこ
とが可能である。

【0170】また、本実施の形態5では、面実装形PT
Cサーミスタ129が角形素電池121の熱容量の大き
い外周金属ケースを兼ねた正極端子122と電気的に接
続し、角形素電池121と近接するプリント基板104
の端部と反対側の端部近傍に配置することにより、角形
素電池121の発熱に対して正極端子122は温度上昇
が遅く、面実装形PTCサーミスタ129と角形素電池
121との間隔によって角形素電池121からの熱影響
が小さくなり、面実装形PTCサーミスタ121は過電
流による自己発熱を主体として保護動作することができ
るので過電流による保護動作を優先する用途に適してい
る。尚、面実装形PTCサーミスタ129を角形素電池
121と対向しない側のプリント基板104の面に実装
することで、角形素電池121からの放射熱、または空
気の対流による熱の伝導を低減することができ、同様の
効果を奏する。また、面実装形PTCサーミスタ129
と角形素電池121との間に、両者を遮蔽する手段を設
けることにより、両者間の熱の伝達を減少させることも
できる。特に、電池パック全体の構成上、図4の様な構
成にせざるを得ない場合、PTCサーミスタ129と角
形素電池121の間に遮蔽手段を設けることは有用であ
る。

【0171】また、本実施の形態5では、面実装形PT
Cサーミスタ129は保護用IC125を挟んでFET
ユニット126と間隔を取り、FETユニット126か
ら熱影響を受けない位置に配置することにより、面実装
形PTCサーミスタ129は角形素電池121とFET
ユニット126の両方からの熱影響が小さくなり、過電
流による自己発熱を主体に保護動作ができるので過電流
による保護動作を優先する用途に適している。

【0172】なお、本実施の形態5において、面実装形
PTCサーミスタは、FETユニットとプリント基板の
同一実装面に配置したが、熱的影響がより小さくなるよ
うに互いに反対側の実装面に配置してもよい。

【0173】なお、本実施の形態5において、プリント
基板への実装用はんだをSnAg系やSnCu系のPb
フリー系はんだとしたが、その他のPbフリー系はんだ
や従来のSnPb系はんだを用いてもよい。

【0174】(実施の形態6)以下、本発明の実施の形
態6における電池パックについて、図面を参照しながら
説明する。

【0175】図7は本発明の実施の形態6における電池
パックの斜視図である。図8は図7の電池パックの回路
ブロック図である。

【0176】図7および図8において、141は角形素
電池である。142は角形素電池141の正極端子であ
り、外周金属ケースを兼ねているものである。143は
角形素電池141の負極端子であり、角形素電池141
の1面にのみ設けられたものである。144は保護回路
を構成するためのベースとなるプリント基板であり、プ
リント基板144の厚み方向の面が負極端子143のあ
る角形素電池141の面に近接している。145はプリ
ント基板144の第1の実装面上にはんだ付けによって
実装された保護用ICである。146はプリント基板1
44の第1の実装面上にはんだ付けによって実装された
FETユニットであり、基本的には2個のFET147
とFET148で構成されている。149と150はプ
リント基板144の保護用IC145の実装面と反対側
の第2の実装面に取り付けた電池パックの取り出し用正
極端子と取り出し用負極端子である。151はプリント
基板144の第1の実装面上にはんだ付けによって実装
された面実装形PTCサーミスタであり、FET147
と電気的に接続し、FETユニット146と隣接実装可
能な0.1mm以上0.5mm以下の間隔を残して近接
して配置されている。152は負極端子143とプリン
ト基板144を接続する負極側の接続リードである。1
53はプリント基板144を介して電池パック141の
取り出し用正極端子149と外周金属ケースを兼ねた正
極端子142を電気的に接続する正極側の接続リードで
ある。154はプリント基板144と保護用IC145
とFETユニット146と面実装形PTCサーミスタ1
51によって構成された保護回路ユニットである。

【0177】以上のように構成された電池パックについ
て、以下にその製造方法を説明する。

【0178】まず、プリント基板144の第2の実装面
にスクリーン印刷法を用いてクリームはんだを塗布す
る。

【0179】次に、印刷形成したクリームはんだの上に
取り出し用正極端子149と取り出し用負極端子150
を取り付け、はんだ付けする。

【0180】次に、プリント基板144の第1の実装面
にスクリーン印刷法を用いてクリームはんだを塗布す
る。

【0181】次に、印刷形成したクリームはんだの上に
保護用IC145とFETユニット146と面実装形P
TCサーミスタ151を取り付ける。

【0182】次に、リフローはんだ付け炉を用いてプリ
ント基板144と、保護用IC145や面実装形PTC
サーミスタ151などの取り付け部品をピーク温度25
0℃のプロファイルではんだ付けする。

【0183】次に、はんだ付けによって抵抗値が40m
Ω程度に増加した面実装形PTCサーミスタ151を実
装したプリント基板44を80℃の周囲温度環境に約3
0分間放置し、その後数分以内に25℃の周囲温度環境
に切り替えて約30分間放置する温度サイクルを3回繰
り返し、望ましくは5回繰り返して、抵抗値を20mΩ
以下に復帰させるアニール処理を行う。

【0184】一方で、角形素電池141の負極端子14
3に負極側の接続リード152を電気溶接によって接続
し、正極端子142に正極側の接続リード153を電気
溶接によって接続する。

【0185】次に、アニール処理後のプリント基板14
4と角形素電池141に取り付けられた負極側の接続リ
ード152をはんだ接続する。

【0186】最後に、プリント基板144と正極側の接
続リード153をはんだ接続して、電池パックを製造す
るものである。

【0187】以上のように構成、製造された電池パック
について、以下にその動作を説明する。

【0188】まず、プリント基板144と保護用IC1
45とFETユニット146と面実装形PTCサーミス
タ151によって構成された保護回路ユニット154
が、角形素電池141の過充電や過放電を保護する制御
動作と、負荷の短絡や保護回路自身の短絡などによって
起る過電流からの保護動作を行う。

【0189】以上のように本実施の形態6においては、
面実装形PTCサーミスタ151をプリント基板144
上に保護用IC145やFETユニット146と同じよ
うにリフローソルダリング法などのはんだ付けによって
実装することにより、面実装形PTCサーミスタ151
は、リード付きPTCサーミスタのようにリード端子の
曲げ加工や電気溶接によって回路構成する必要がなく、
曲げ加工ストレスおよび電気溶接による高温の熱ストレ
スなどに起因する抵抗値変動をなくすことが可能であ
る。

【0190】また、本実施の形態6では、プリント基板
144に面実装形PTCサーミスタ151をはんだ付け
する工程と、面実装形PTCサーミスタ151をはんだ
付け後のプリント基板144をアニール処理する工程
と、角形素電池141の正極端子142と負極端子14
3にそれぞれ正極側の接続リード153と負極側の接続
リード152を電気溶接する工程と、正極側の接続リー
ド153と負極側の接続リード152をプリント基板1
44にはんだ接続する工程からなるものとしたことによ
り、SnAg系やSnCu系などの融点が200℃以上
のPbフリーはんだを用いて、プリント基板144には
んだ付けした結果、抵抗値が40mΩまで2倍程度に増
加した面実装形PTCサーミスタ151は、アニール効
果によって、抵抗値を20mΩ以下に短時間で小さくす
ることが可能である。

【0191】また、本実施の形態6では、面実装形PT
Cサーミスタ151とFETユニット146と隣接実装
可能な0.1mm以上0.5mm以下の間隔を残して近
接して配置することにより、面実装形PTCサーミスタ
151はFETユニット146と熱結合状態となりFE
Tユニット146の発熱によっても保護動作することが
できるものである。

【0192】また、本実施の形態6では、面実装形PT
Cサーミスタ151とFET147と電気的に接続し、
FETユニット146と隣接実装可能な0.1mm以上
0.5mm以下の間隔を残して近接して配置することに
より、プリント基板144上の配線を使って効率よくP
TCサーミスタへ熱を伝えることができる。

【0193】なお、本実施の形態6において、図8の回
路ブロック図に示すように面実装形PTCサーミスタは
角形素電池の負極側とFET間で回路接続し、FETユ
ニットと熱結合状態となるように構成したが、図9に示
すように面実装形PTCサーミスタ161が角形素電池
162と電池パックの取り出し用正極端子163間で回
路接続し、FETユニット164と熱結合状態となるよ
うに構成することで、角形素電池162の熱容量の大き
い正極端子163は発熱による温度上昇が遅くなること
により、面実装形PTCサーミスタ161は角形素電池
162からの熱影響を少なくしてFETユニット164
からの発熱を主体に保護動作することができるものであ
る。

【0194】なお、本実施の形態6において、プリント
基板への実装用はんだをSnAg系やSnCu系のPb
フリー系はんだとしたが、その他のPbフリー系はんだ
や従来のSnPb系はんだを用いてもよい。

【0195】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、保護回路
ユニットは保護用ICと面実装形のPTCサーミスタを
含む複合体からなることにより、リード端子の曲げ加工
や溶接による接続を必要としない面実装形のPTCサー
ミスタを保護回路ユニット内に直接取り付けることとな
り、取り付け時のストレスによる影響を軽減し、抵抗値
の不可逆的な抵抗値変動を小さくし、さらに、面実装形
PTCサーミスタをプリント基板にはんだ付けする工程
の以降で、熱処理する工程を設ける方法により、ポリマ
の融点以上の熱処理を行った場合でも、PTCサーミス
タの抵抗値のプラス側変動を小さくすることができるも
のであり、より高性能で使用時間の長い電池パックおよ
びその製造方法を提供できるものである。

【図面の簡単な説明】

【図1】本発明の実施の形態1における電池パックの斜
視図

【図2】本発明の実施の形態2における電池パックの斜
視図

【図3】本発明の実施の形態3における電池パックの斜
視図

【図4】本発明の実施の形態4における電池パックの斜
視図

【図5】同展開図

【図6】本発明の実施の形態5における電池パックの斜
視図

【図7】本発明の実施の形態6における電池パックの斜
視図

【図8】同回路ブロック図

【図9】本発明の他の実施の形態における回路ブロック

【図10】(a)従来の電池パックの要部であるケース
の一部を切欠いた上面における断面図 (b)従来の電池パックの要部であるケースの一部を切
欠いた正面における断面図

【図11】(a)リード付きPTCサーミスタの上面図 (b)同図11(a)のA−A線断面図

【図12】従来の保護回路付き電池パックの斜視図

【図13】同回路ブロック図

【符号の説明】

41 角形素電池 45 保護用IC 49 面実装形PTCサーミスタ 52 保護回路ユニット

Claims (34)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 素電池と、前記素電池を過電流または加
    熱から保護する保護回路ユニットからなる電池パックで
    あって、前記保護回路ユニットは、保護用ICと面実装
    形のPTCサーミスタを含む複合体からなることを特徴
    とする電池パック。
  2. 【請求項2】 素電池と保護回路ユニットのPTCサー
    ミスタとは、熱結合状態にある請求項1記載の電池パッ
    ク。
  3. 【請求項3】 素電池とPTCサーミスタとの熱結合状
    態は、熱伝導部材によって接合された請求項2記載の電
    池パック。
  4. 【請求項4】 熱伝導部材は、高分子化合物と金属板の
    何れか一方または両方からなる請求項3記載の電池パッ
    ク。
  5. 【請求項5】 熱伝導部材は、融点が300℃以下のは
    んだ付け用金属または金属化合物からなる請求項1記載
    の電池パック。
  6. 【請求項6】 保護回路ユニットは、保護用ICとPT
    Cサーミスタが実装されたプリント基板からなる請求項
    2記載の電池パック。
  7. 【請求項7】 プリント基板の厚み方向の面が、素電池
    の少なくとも1面に近接し、PTCサーミスタが前記プ
    リント基板の実装面の素電池側端部近傍に実装されてな
    る請求項6記載の電池パック。
  8. 【請求項8】 プリント基板の第1の実装面が素電池に
    対向するように配置され、PTCサーミスタが前記第1
    の実装面に実装されてなる請求項6記載の電池パック。
  9. 【請求項9】 保護用ICとPTCサーミスタが実装さ
    れたプリント基板の第1の実装面と反対側の第2の実装
    面に少なくとも2つ金属端子が接続されてなる請求項8
    記載の電池パック。
  10. 【請求項10】 金属端子のプリント基板からはみ出し
    た部分が、プリント基板の第1の実装面側に折り曲げら
    れ、前記折り曲げられた部分または前記折り曲げられた
    部分の一部が素電池の表面上に設けた絶縁シート上に配
    置された請求項9記載の電池パック。
  11. 【請求項11】 保護回路ユニットは、PTCサーミス
    タが素電池の熱容量の異なる正負の電極に対して熱容量
    の小さい方の電極と電気的に接続された回路構成からな
    る請求項1記載の電池パック。
  12. 【請求項12】 保護回路ユニットは、PTCサーミス
    タが素電池の熱容量の異なる正負の電極に対して熱容量
    の大きい方の電極と電気的に接続された回路構成からな
    る請求項1記載の電池パック。
  13. 【請求項13】 PTCサーミスタは、素電池から熱影
    響を受けない位置に配置されてなる請求項1記載の電池
    パック。
  14. 【請求項14】 保護回路ユニットは、保護用ICとP
    TCサーミスタが実装されたプリント基板からなる請求
    項13記載の電池パック。
  15. 【請求項15】 プリント基板の厚み方向の面が、素電
    池の少なくとも1面に近接し、PTCサーミスタが前記
    プリント基板の実装面の素電池と反対側端部近傍に実装
    されてなる請求項14記載の電池パック。
  16. 【請求項16】 保護回路ユニットは、保護用IC、F
    ETおよび面実装形のPTCサーミスタを含む複合体か
    らなる請求項1記載の電池パック。
  17. 【請求項17】 保護回路ユニットは、保護用IC、F
    ETおよびPTCサーミスタが実装されたプリント基板
    からなる請求項16記載の電池パック。
  18. 【請求項18】 PTCサーミスタとFETとは、プリ
    ント基板の実装面に隣接実装が可能な間隔を残して近接
    するように配置された請求項17記載の電池パック。
  19. 【請求項19】 保護回路ユニットは、PTCサーミス
    タがFETと電気的に接続された回路構成からなる請求
    項18記載の電池パック。
  20. 【請求項20】 保護回路ユニットは、PTCサーミス
    タが素電池の熱容量の異なる正負の電極に対して熱容量
    の大きい方の電極と電気的に接続された回路構成からな
    る請求項18記載の電池パック。
  21. 【請求項21】 PTCサーミスタは、FETから熱影
    響を受けない位置に配置されてなる請求項16記載の電
    池パック。
  22. 【請求項22】 PTCサーミスタは、素電池とFET
    から熱影響を受けない位置に配置されてなる請求項16
    記載の電池パック。
  23. 【請求項23】 プリント基板に保護用ICと面実装形
    PTCサーミスタをはんだ付けする工程と、前記はんだ
    付け後のプリント基板を熱処理する工程と、素電池の正
    極と負極にそれぞれ接続用リードを接続する工程と、前
    記接続用リードと前記プリント基板を電気的に接続する
    工程からなる電池パックの製造方法。
  24. 【請求項24】 プリント基板の熱処理工程は、熱処理
    温度が面実装形PTCサーミスタの保護動作温度以下で
    ある請求項23記載の電池パックの製造方法。
  25. 【請求項25】 プリント基板の熱処理工程は、相対的
    に高い温度の熱処理と、低い温度の熱処理が繰り返す工
    程である請求項24記載の電池パックの製造方法。
  26. 【請求項26】 プリント基板に保護用ICと面実装形
    PTCサーミスタをはんだ付けする工程と、前記はんだ
    付け後のプリント基板を熱処理する工程と、前記プリン
    ト基板に正極と負極の接続用リードを電気的に接続する
    工程と、素電池の正極と負極にそれぞれ前記正極と負極
    の接続用リードを接続する工程からなる電池パックの製
    造方法。
  27. 【請求項27】 プリント基板の熱処理工程は、熱処理
    温度が面実装形PTCサーミスタの保護動作温度以下で
    ある請求項26記載の電池パックの製造方法。
  28. 【請求項28】 プリント基板の熱処理工程は、相対的
    に高い温度の熱処理と、低い温度の熱処理が繰り返す工
    程である請求項27記載の電池パックの製造方法。
  29. 【請求項29】 プリント基板に保護用ICと面実装形
    PTCサーミスタをはんだ付けする工程と、素電池の正
    極と負極にそれぞれ接続用リードを接続する工程と、前
    記接続用リードと前記プリント基板を電気的に接続する
    工程と、前記素電池と前記プリント基板を熱処理する工
    程からなる電池パックの製造方法。
  30. 【請求項30】 素電池とプリント基板の熱処理工程
    は、熱処理温度が面実装形PTCサーミスタの保護動作
    温度以下である請求項29記載の電池パックの製造方
    法。
  31. 【請求項31】 素電池とプリント基板の熱処理工程
    は、相対的に高い温度の熱処理と、低い温度の熱処理が
    繰り返す工程である請求項30記載の電池パックの製造
    方法。
  32. 【請求項32】 プリント基板に保護用ICと面実装形
    PTCサーミスタをはんだ付けする工程と、前記プリン
    ト基板に正極と負極の接続用リードを電気的に接続する
    工程と、素電池の正極と負極にそれぞれ前記正極と負極
    の接続用リードを接続する工程と、前記素電池と前記プ
    リント基板を熱処理する工程からなる電池パックの製造
    方法。
  33. 【請求項33】 素電池とプリント基板の熱処理工程
    は、熱処理温度が面実装形PTCサーミスタの保護動作
    温度以下である請求項32記載の電池パックの製造方
    法。
  34. 【請求項34】 素電池とプリント基板の熱処理工程
    は、相対的に高い温度の熱処理と、低い温度の熱処理が
    繰り返す工程である請求項33記載の電池パックの製造
    方法。
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