JP2002008608A - 電池パックおよびその製造方法 - Google Patents
電池パックおよびその製造方法Info
- Publication number
- JP2002008608A JP2002008608A JP2000187265A JP2000187265A JP2002008608A JP 2002008608 A JP2002008608 A JP 2002008608A JP 2000187265 A JP2000187265 A JP 2000187265A JP 2000187265 A JP2000187265 A JP 2000187265A JP 2002008608 A JP2002008608 A JP 2002008608A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit board
- printed circuit
- battery pack
- ptc thermistor
- protection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M50/00—Constructional details or processes of manufacture of the non-active parts of electrochemical cells other than fuel cells, e.g. hybrid cells
- H01M50/20—Mountings; Secondary casings or frames; Racks, modules or packs; Suspension devices; Shock absorbers; Transport or carrying devices; Holders
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C1/00—Details
- H01C1/14—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C1/00—Details
- H01C1/14—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors
- H01C1/1406—Terminals or electrodes formed on resistive elements having positive temperature coefficient
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M10/00—Secondary cells; Manufacture thereof
- H01M10/42—Methods or arrangements for servicing or maintenance of secondary cells or secondary half-cells
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0201—Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
- H05K1/181—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with surface mounted components
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M2200/00—Safety devices for primary or secondary batteries
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M2200/00—Safety devices for primary or secondary batteries
- H01M2200/10—Temperature sensitive devices
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/10—Energy storage using batteries
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49108—Electric battery cell making
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49108—Electric battery cell making
- Y10T29/49114—Electric battery cell making including adhesively bonding
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Battery Mounting, Suspending (AREA)
- Connection Of Batteries Or Terminals (AREA)
- Secondary Cells (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 保護機能をもつ電池パックにおいて、ＰＴＣ
サーミスタの抵抗値変動を小さくすることで、より性能
の高い電池パックを提供することを目的とする。 【解決手段】 保護回路ユニット５２は、プリント基板
４４と保護用ＩＣ４５とＦＥＴユニット４６と面実装形
のＰＴＣサーミスタ４９からなる複合体としたことによ
り、面実装形ＰＴＣサーミスタ４９をプリント基板４４
上に保護用ＩＣ４５やＦＥＴユニット４６と同じように
リフローソルダリング法などのはんだ付けによって実装
することにより、面実装形ＰＴＣサーミスタ４９は、リ
ード付きＰＴＣサーミスタのようにリード端子の曲げ加
工や電気溶接によって角形素電池４１の負極端子４３や
プリント基板４４と接続して回路を構成する必要がな
く、曲げ加工ストレスおよび電気溶接による高温の熱ス
トレスなどに起因する抵抗値変動をなくすことができ
る。
サーミスタの抵抗値変動を小さくすることで、より性能
の高い電池パックを提供することを目的とする。 【解決手段】 保護回路ユニット５２は、プリント基板
４４と保護用ＩＣ４５とＦＥＴユニット４６と面実装形
のＰＴＣサーミスタ４９からなる複合体としたことによ
り、面実装形ＰＴＣサーミスタ４９をプリント基板４４
上に保護用ＩＣ４５やＦＥＴユニット４６と同じように
リフローソルダリング法などのはんだ付けによって実装
することにより、面実装形ＰＴＣサーミスタ４９は、リ
ード付きＰＴＣサーミスタのようにリード端子の曲げ加
工や電気溶接によって角形素電池４１の負極端子４３や
プリント基板４４と接続して回路を構成する必要がな
く、曲げ加工ストレスおよび電気溶接による高温の熱ス
トレスなどに起因する抵抗値変動をなくすことができ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、過電流または加熱
から電池パックを保護するための保護機能をもつ電池パ
ックおよびその製造方法に関するものである。
から電池パックを保護するための保護機能をもつ電池パ
ックおよびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の技術は、特開平７−５７７２１号
公報に開示されたものが知られている。
公報に開示されたものが知られている。
【０００３】以下、従来の電池パックについて図面を参
照しながら説明する。
照しながら説明する。
【０００４】図１０（ａ）は従来の電池パックの要部で
あるケースの一部を切欠いた上面における断面図、図１
０（ｂ）は従来の電池パックの要部であるケースの一部
を切欠いた正面における断面図である。
あるケースの一部を切欠いた上面における断面図、図１
０（ｂ）は従来の電池パックの要部であるケースの一部
を切欠いた正面における断面図である。
【０００５】図１０（ａ）、図１０（ｂ）において、１
は第１の素電池である。２は第１の素電池１に設けた突
起状の正極端子である。３は素電池１の正極端子２側と
反対の面に設けた負極端子である。４は第２の素電池で
ある。５は第２の素電池４に設けた突起状の正極端子で
ある。６は素電池４の正極端子５側と反対の面に設けた
負極端子である。７はリード付きＰＴＣサーミスタであ
る。８はＰＴＣサーミスタ７に設けた一対のリード端子
８であり、第１の素電池１の正極端子２と第２の素電池
４の負極端子６にそれぞれ溶接によって機械的かつ電気
的に接合している。９は素電池１、４およびＰＴＣサー
ミスタ７全体を収納するケースである。１０と１１は、
ケース９に設けた貫通孔であり、負極端子３と正極端子
５から電気的な接点を取り出すための端子口である。
は第１の素電池である。２は第１の素電池１に設けた突
起状の正極端子である。３は素電池１の正極端子２側と
反対の面に設けた負極端子である。４は第２の素電池で
ある。５は第２の素電池４に設けた突起状の正極端子で
ある。６は素電池４の正極端子５側と反対の面に設けた
負極端子である。７はリード付きＰＴＣサーミスタであ
る。８はＰＴＣサーミスタ７に設けた一対のリード端子
８であり、第１の素電池１の正極端子２と第２の素電池
４の負極端子６にそれぞれ溶接によって機械的かつ電気
的に接合している。９は素電池１、４およびＰＴＣサー
ミスタ７全体を収納するケースである。１０と１１は、
ケース９に設けた貫通孔であり、負極端子３と正極端子
５から電気的な接点を取り出すための端子口である。
【０００６】次に、電池パック１２に使用するＰＴＣサ
ーミスタについて図面を参照しながら説明する。
ーミスタについて図面を参照しながら説明する。
【０００７】図１１（ａ）はリード付きＰＴＣサーミス
タの上面図、図１１（ｂ）は図１１（ａ）のＡ−Ａ線断
面図である。
タの上面図、図１１（ｂ）は図１１（ａ）のＡ−Ａ線断
面図である。
【０００８】図１１（ａ）、図１１（ｂ）において、１
５はリード付きＰＴＣサーミスタである。１６はポリマ
ＰＴＣ層である。１７はポリマＰＴＣ層１６の両面に電
気的に接続した電極層である。１８は電極層１７のポリ
マＰＴＣ層１６と接続した面の反対面に取り付けたリー
ド端子である。１９はリード端子１８の一部とポリマＰ
ＴＣ層１６および電極層１７を覆うように形成した絶縁
樹脂である。
５はリード付きＰＴＣサーミスタである。１６はポリマ
ＰＴＣ層である。１７はポリマＰＴＣ層１６の両面に電
気的に接続した電極層である。１８は電極層１７のポリ
マＰＴＣ層１６と接続した面の反対面に取り付けたリー
ド端子である。１９はリード端子１８の一部とポリマＰ
ＴＣ層１６および電極層１７を覆うように形成した絶縁
樹脂である。
【０００９】以上のように構成されたリード付きＰＴＣ
サーミスタと、従来の電池パックについて、以下にその
動作を説明する。
サーミスタと、従来の電池パックについて、以下にその
動作を説明する。
【００１０】まず、リード付きＰＴＣサーミスタの動作
について説明する。
について説明する。
【００１１】図１１（ｂ）のポリマＰＴＣ層１６は、ポ
リエチレンなどの結晶性樹脂と、カーボンブラックなど
の導電粒子との混合物から構成されており、ポリマの熱
膨張（または収縮）に伴う導電粒子間のギャップ変化に
よってポリマ材料の融点より数度低い温度付近で抵抗値
が急激に上昇（または低下）する特性をもつ。そのポリ
マＰＴＣ層１６と電極層１７とリード端子１８からなる
リード付きＰＴＣサーミスタ１５は、この特性によりポ
リマの融点以上の温度環境で、常温時より遥かに高い抵
抗値（１００００倍程度）にシフトし、さらに、常温ま
で温度を下げれば元の抵抗値に復帰する機能を有し、回
路保護部品として利用できる。抵抗値の復帰に関して
は、ヒステリシスによって元の抵抗値よりも高い値（元
の抵抗値の１．５程度）となるが、実用上大きな支障と
はならない。ただし、回路の内部抵抗として無視できな
い場合は、ポリマの融点より３０℃から６０℃程度低い
温度環境に放置するか、その温度と常温の間を温度が緩
やかに変動する環境に放置することで、元の抵抗値にも
どすことができる。このような抵抗値を元にもどす方法
をアニールと呼び、以降は、このような熱処理によって
抵抗値のプラス変動が低減される現象をアニール効果と
称する。
リエチレンなどの結晶性樹脂と、カーボンブラックなど
の導電粒子との混合物から構成されており、ポリマの熱
膨張（または収縮）に伴う導電粒子間のギャップ変化に
よってポリマ材料の融点より数度低い温度付近で抵抗値
が急激に上昇（または低下）する特性をもつ。そのポリ
マＰＴＣ層１６と電極層１７とリード端子１８からなる
リード付きＰＴＣサーミスタ１５は、この特性によりポ
リマの融点以上の温度環境で、常温時より遥かに高い抵
抗値（１００００倍程度）にシフトし、さらに、常温ま
で温度を下げれば元の抵抗値に復帰する機能を有し、回
路保護部品として利用できる。抵抗値の復帰に関して
は、ヒステリシスによって元の抵抗値よりも高い値（元
の抵抗値の１．５程度）となるが、実用上大きな支障と
はならない。ただし、回路の内部抵抗として無視できな
い場合は、ポリマの融点より３０℃から６０℃程度低い
温度環境に放置するか、その温度と常温の間を温度が緩
やかに変動する環境に放置することで、元の抵抗値にも
どすことができる。このような抵抗値を元にもどす方法
をアニールと呼び、以降は、このような熱処理によって
抵抗値のプラス変動が低減される現象をアニール効果と
称する。
【００１２】以上のように可逆的に抵抗値が上昇または
低下する性質を利用し、過電流による自己発熱によって
温度が上昇し抵抗値が急激に上昇する温度（以降、保護
動作温度と称する）に達することで過電流を微小電流に
抑制し、一度電源を切って、ＰＴＣサーミスタの温度を
下げて、過電流の影響を取り除くことにより繰り返し使
用が可能となる。
低下する性質を利用し、過電流による自己発熱によって
温度が上昇し抵抗値が急激に上昇する温度（以降、保護
動作温度と称する）に達することで過電流を微小電流に
抑制し、一度電源を切って、ＰＴＣサーミスタの温度を
下げて、過電流の影響を取り除くことにより繰り返し使
用が可能となる。
【００１３】ここで、ＰＴＣサーミスタの抵抗値の可逆
的性質とは、アニールによって抵抗値が元にもどる性質
も含むものと定義する。
的性質とは、アニールによって抵抗値が元にもどる性質
も含むものと定義する。
【００１４】次に、従来の電池パックの動作について説
明する。
明する。
【００１５】図１０の電池パック１２は、素電池１と素
電池４がリード付ＰＴＣサーミスタ７を介して直列に接
続された回路構成となっている。この電池パック１２
は、電子機器の電源端子に端子口１０と端子口１１を通
して負極端子３と正極端子５に電気的に接続し回路動作
させる電池ユニットである。ここでリード付きＰＴＣサ
ーミスタ７の代りに金属リードで素電池１と素電池４を
単純に接続した場合、電子機器の電源ラインに短絡異常
が発生したり、電子機器に取り付けていない状態で正極
端子５と負極端子３に金属などの導電性の高い物質が接
触または付着した時などは、過電流によって電池パック
内の素電池１および素電池４が発熱し内圧の上昇によっ
て素電池自身が破損する可能性がある。その安全対策手
段として、リード付きＰＴＣサーミスタ７を使用する方
法があり、この保護動作の原理は、素電池と直列に接続
したＰＴＣサーミスタが過電流に伴う自己発熱によっ
て、その抵抗値を急激に上昇させ、過電流を電池の破損
がない安全なレベルの電流値に抑制するものである（以
下、過電流保護動作と称する）。ＰＴＣサーミスタを過
電流保護部品として使う場合、電池パックの使用可能時
間を考慮した選択が必要であり、電池パック容量の消耗
が少なくなるように抵抗値のできるだけ低いものが要求
される。一般的には、抵抗値が４０ｍΩ以下できれば２
０ｍΩ以下が望まれている。
電池４がリード付ＰＴＣサーミスタ７を介して直列に接
続された回路構成となっている。この電池パック１２
は、電子機器の電源端子に端子口１０と端子口１１を通
して負極端子３と正極端子５に電気的に接続し回路動作
させる電池ユニットである。ここでリード付きＰＴＣサ
ーミスタ７の代りに金属リードで素電池１と素電池４を
単純に接続した場合、電子機器の電源ラインに短絡異常
が発生したり、電子機器に取り付けていない状態で正極
端子５と負極端子３に金属などの導電性の高い物質が接
触または付着した時などは、過電流によって電池パック
内の素電池１および素電池４が発熱し内圧の上昇によっ
て素電池自身が破損する可能性がある。その安全対策手
段として、リード付きＰＴＣサーミスタ７を使用する方
法があり、この保護動作の原理は、素電池と直列に接続
したＰＴＣサーミスタが過電流に伴う自己発熱によっ
て、その抵抗値を急激に上昇させ、過電流を電池の破損
がない安全なレベルの電流値に抑制するものである（以
下、過電流保護動作と称する）。ＰＴＣサーミスタを過
電流保護部品として使う場合、電池パックの使用可能時
間を考慮した選択が必要であり、電池パック容量の消耗
が少なくなるように抵抗値のできるだけ低いものが要求
される。一般的には、抵抗値が４０ｍΩ以下できれば２
０ｍΩ以下が望まれている。
【００１６】以上は、主に一次電池として使用される電
池パックの基本的な構成であるが、近年は、リチウムイ
オン電池などに代表される高性能二次電池が携帯電話用
途などに広く普及してきており、充放電制御を行う保護
回路を内蔵した電池パックの必要性が特に高まってい
る。以下に従来の保護回路付きの電池パックおよびその
製造方法について図面を参照しながら説明する。
池パックの基本的な構成であるが、近年は、リチウムイ
オン電池などに代表される高性能二次電池が携帯電話用
途などに広く普及してきており、充放電制御を行う保護
回路を内蔵した電池パックの必要性が特に高まってい
る。以下に従来の保護回路付きの電池パックおよびその
製造方法について図面を参照しながら説明する。
【００１７】図１２は、従来の保護回路付き電池パック
の斜視図である。
の斜視図である。
【００１８】図１２において、２５は角形素電池であ
る。２６は角形素電池２５の正極端子であり、外周金属
ケースを兼ねているものである。２７は角形素電池２５
の負極端子であり、角形素電池２５の１面にのみ設けら
れたものである。２８は保護回路を構成するためのベー
スとなるプリント基板である。２９はプリント基板２８
の第１の実装面上に実装した保護用ＩＣである。３０は
プリント基板２８の第１の実装面上に実装したＦＥＴユ
ニットであり、基本的には２個のＦＥＴで構成されてい
る。３１と３２はプリント基板２８の保護用ＩＣ２９の
実装面と反対面の第２の実装面上に取り付けた電池パッ
クの取り出し用正極端子と取り出し用負極端子である。
３３は本体の一部が角形素電池２５の２面に近接するよ
うに配置したリード付きＰＴＣサーミスタである。３４
は負極端子２７と溶接によって接合されたリード付きＰ
ＴＣサーミスタ３３の一方のリード端子である。３５は
プリント基板２８と接続されたリード付きＰＴＣサーミ
スタ３３の他方のリード端子である。３６はプリント基
板２８を介して電池パックの取り出し用正極端子３１と
外周金属ケースを兼ねた正極端子２６を電気的に接続す
る接続リードである。
る。２６は角形素電池２５の正極端子であり、外周金属
ケースを兼ねているものである。２７は角形素電池２５
の負極端子であり、角形素電池２５の１面にのみ設けら
れたものである。２８は保護回路を構成するためのベー
スとなるプリント基板である。２９はプリント基板２８
の第１の実装面上に実装した保護用ＩＣである。３０は
プリント基板２８の第１の実装面上に実装したＦＥＴユ
ニットであり、基本的には２個のＦＥＴで構成されてい
る。３１と３２はプリント基板２８の保護用ＩＣ２９の
実装面と反対面の第２の実装面上に取り付けた電池パッ
クの取り出し用正極端子と取り出し用負極端子である。
３３は本体の一部が角形素電池２５の２面に近接するよ
うに配置したリード付きＰＴＣサーミスタである。３４
は負極端子２７と溶接によって接合されたリード付きＰ
ＴＣサーミスタ３３の一方のリード端子である。３５は
プリント基板２８と接続されたリード付きＰＴＣサーミ
スタ３３の他方のリード端子である。３６はプリント基
板２８を介して電池パックの取り出し用正極端子３１と
外周金属ケースを兼ねた正極端子２６を電気的に接続す
る接続リードである。
【００１９】以上のように構成された従来の保護回路付
き電池パックについて、以下にその製造方法を説明す
る。
き電池パックについて、以下にその製造方法を説明す
る。
【００２０】まず、プリント基板２８の第２の実装面に
スクリーン印刷法を用いてクリームはんだを塗布する。
スクリーン印刷法を用いてクリームはんだを塗布する。
【００２１】次に、印刷形成したクリームはんだの上に
取り出し用正極端子３１と取り出し用負極端子３２を取
り付け、はんだ付けする。
取り出し用正極端子３１と取り出し用負極端子３２を取
り付け、はんだ付けする。
【００２２】次に、プリント基板２８の第１の実装面に
スクリーン印刷法を用いてクリームはんだを塗布する。
スクリーン印刷法を用いてクリームはんだを塗布する。
【００２３】次に、印刷形成したクリームはんだの上に
保護用ＩＣ２９とＦＥＴユニット３０を取り付ける。
保護用ＩＣ２９とＦＥＴユニット３０を取り付ける。
【００２４】次に、リフローはんだ付け炉を用いてプリ
ント基板２８と、保護用ＩＣ２９やＦＥＴユニット３０
をはんだ付けする。
ント基板２８と、保護用ＩＣ２９やＦＥＴユニット３０
をはんだ付けする。
【００２５】一方で、角形素電池２５の負極端子２７に
リード付きＰＴＣサーミスタ３３のリード端子３４を電
気溶接によって接続し、正極端子２６に接続リード３６
を電気溶接によって接続する。
リード付きＰＴＣサーミスタ３３のリード端子３４を電
気溶接によって接続し、正極端子２６に接続リード３６
を電気溶接によって接続する。
【００２６】次に、はんだ付け後のプリント基板２８と
角形素電池２５に取り付けられたリード付きＰＴＣサー
ミスタ３３のリード端子３５をはんだ接続する。
角形素電池２５に取り付けられたリード付きＰＴＣサー
ミスタ３３のリード端子３５をはんだ接続する。
【００２７】最後に、プリント基板２８と接続リード３
６をはんだ接続して、従来の保護回路付き電池パックを
製造していた。
６をはんだ接続して、従来の保護回路付き電池パックを
製造していた。
【００２８】以上のように構成された従来の保護回路付
き電池パックについて図１２と対応した図１３の回路ブ
ロック図を参照しながら、以下にその動作を説明する。
き電池パックについて図１２と対応した図１３の回路ブ
ロック図を参照しながら、以下にその動作を説明する。
【００２９】保護回路付き電池パックは、保護用ＩＣ２
９と、第１のＦＥＴ３７と第２のＦＥＴ３８からなるＦ
ＥＴユニット３０と、リード付きＰＴＣサーミスタ３３
によって角形素電池２５の過充電や過放電を保護する制
御動作と、負荷の短絡や保護回路自身の短絡などによっ
て起る過電流からの保護動作を行う機能をもち、その代
表的な動作原理は以下の内容である。（ａ）過充電保護
動作として、角形素電池２５の電圧が既定値に達したと
ころで第２のＦＥＴ３８のゲートをＯＦＦ（第１のＦＥ
Ｔ３７はＯＮ状態）にし充電電流の流れを止める。
（ｂ）過放電保護動作として、角形素電池２５の電圧が
低くなった時に第１のＦＥＴ３７のゲートをＯＦＦ（第
２のＦＥＴ３８はＯＮ状態）にし放電電流の流れを止め
る。（ｃ）負荷側の短絡に対してＦＥＴユニット３０の
ＯＮ抵抗の変動を検知し短絡電流の流れを止めるかまた
はリード付きＰＴＣサーミスタ３３の過電流保護動作に
よって電流を安全レベルに制限する。（ｄ）保護回路自
身の短絡に対してリード付きＰＴＣサーミスタ３３の過
電流保護動作によって短絡電流を安全レベルに制限す
る。
９と、第１のＦＥＴ３７と第２のＦＥＴ３８からなるＦ
ＥＴユニット３０と、リード付きＰＴＣサーミスタ３３
によって角形素電池２５の過充電や過放電を保護する制
御動作と、負荷の短絡や保護回路自身の短絡などによっ
て起る過電流からの保護動作を行う機能をもち、その代
表的な動作原理は以下の内容である。（ａ）過充電保護
動作として、角形素電池２５の電圧が既定値に達したと
ころで第２のＦＥＴ３８のゲートをＯＦＦ（第１のＦＥ
Ｔ３７はＯＮ状態）にし充電電流の流れを止める。
（ｂ）過放電保護動作として、角形素電池２５の電圧が
低くなった時に第１のＦＥＴ３７のゲートをＯＦＦ（第
２のＦＥＴ３８はＯＮ状態）にし放電電流の流れを止め
る。（ｃ）負荷側の短絡に対してＦＥＴユニット３０の
ＯＮ抵抗の変動を検知し短絡電流の流れを止めるかまた
はリード付きＰＴＣサーミスタ３３の過電流保護動作に
よって電流を安全レベルに制限する。（ｄ）保護回路自
身の短絡に対してリード付きＰＴＣサーミスタ３３の過
電流保護動作によって短絡電流を安全レベルに制限す
る。
【００３０】特に、誤使用によって引き起こされる電極
間の短絡に対しては、２重３重の安全対策が必要であり
保護回路が機能しない場合でも、リード付きＰＴＣサー
ミスタ３３が保護部品として大きな役割を担っている。
さらに、このＰＴＣサーミスタは角形素電池２５に近接
して配置することで角形素電池２５自身の発熱による温
度上昇に対しても直接的な熱伝達により抵抗値が上昇
し、保護動作状態に移行することができる。
間の短絡に対しては、２重３重の安全対策が必要であり
保護回路が機能しない場合でも、リード付きＰＴＣサー
ミスタ３３が保護部品として大きな役割を担っている。
さらに、このＰＴＣサーミスタは角形素電池２５に近接
して配置することで角形素電池２５自身の発熱による温
度上昇に対しても直接的な熱伝達により抵抗値が上昇
し、保護動作状態に移行することができる。
【００３１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の構成では、リード付きＰＴＣサーミスタ３３を素電
池とプリント基板に取り付ける組み立て加工が必要であ
り、図１１に示すリード端子１８の折り曲げ加工をポリ
マＰＴＣ層１６に近い位置で行う場合、ストレスによっ
てリード付きＰＴＣサーミスタ１５内部のポリマＰＴＣ
層１６と電極層１７間の一部に亀裂が生じたり、リード
端子１８をポリマＰＴＣ層１６に近い位置で素電池の電
極端子に電気溶接するような場合、熱影響によってポリ
マＰＴＣ層１６が劣化することでリード付きＰＴＣサー
ミスタ１５の抵抗値が増加する要因となり、電池パック
使用時間の低下や動作感度への影響が懸念されるという
課題を有していた。
来の構成では、リード付きＰＴＣサーミスタ３３を素電
池とプリント基板に取り付ける組み立て加工が必要であ
り、図１１に示すリード端子１８の折り曲げ加工をポリ
マＰＴＣ層１６に近い位置で行う場合、ストレスによっ
てリード付きＰＴＣサーミスタ１５内部のポリマＰＴＣ
層１６と電極層１７間の一部に亀裂が生じたり、リード
端子１８をポリマＰＴＣ層１６に近い位置で素電池の電
極端子に電気溶接するような場合、熱影響によってポリ
マＰＴＣ層１６が劣化することでリード付きＰＴＣサー
ミスタ１５の抵抗値が増加する要因となり、電池パック
使用時間の低下や動作感度への影響が懸念されるという
課題を有していた。
【００３２】これらの抵抗値変動要因は、ポリマＰＴＣ
サーミスタの温度に対する抵抗値の可逆的性質に影響を
与えるものであり、性能劣化と判断されるべきものであ
る。
サーミスタの温度に対する抵抗値の可逆的性質に影響を
与えるものであり、性能劣化と判断されるべきものであ
る。
【００３３】また、図１２に示すリード付きＰＴＣサー
ミスタ３３のリード端子３５をプリント基板２８にはん
だ付けによって取り付ける際に、ポリマの融点以上の熱
処理を行った場合に、抵抗値がプラス側に１．５倍程度
に増加し、また、熱処理温度が２４０℃を超える場合
は、２倍から３倍程度に増加するためＰＴＣサーミスタ
の内部抵抗をより低い状態に維持することができず、電
池パックの使用時間の低下につながるという課題を有し
ていた。
ミスタ３３のリード端子３５をプリント基板２８にはん
だ付けによって取り付ける際に、ポリマの融点以上の熱
処理を行った場合に、抵抗値がプラス側に１．５倍程度
に増加し、また、熱処理温度が２４０℃を超える場合
は、２倍から３倍程度に増加するためＰＴＣサーミスタ
の内部抵抗をより低い状態に維持することができず、電
池パックの使用時間の低下につながるという課題を有し
ていた。
【００３４】本発明は、上記従来の課題のうち少なくと
も１つを解決するもので、ＰＴＣサーミスタの取り付け
時のストレスによる影響を軽減することでより性能が高
く、ポリマの融点以上の熱処理を行ってもＰＴＣサーミ
スタの抵抗値のプラス側変動を小さくすることで使用時
間の向上する電池パックおよびその製造方法を提供する
ことを目的とするものである。
も１つを解決するもので、ＰＴＣサーミスタの取り付け
時のストレスによる影響を軽減することでより性能が高
く、ポリマの融点以上の熱処理を行ってもＰＴＣサーミ
スタの抵抗値のプラス側変動を小さくすることで使用時
間の向上する電池パックおよびその製造方法を提供する
ことを目的とするものである。
【００３５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の電池パックは、素電池と、過電流または加熱
から前記素電池を保護する保護回路ユニットからなる電
池パックであって、前記保護回路ユニットは、保護用Ｉ
Ｃと面実装形のＰＴＣサーミスタを含む複合体からなる
ことを特徴とするもので、この構成によれば、保護回路
ユニットに面実装形ＰＴＣサーミスタを用いたことでよ
り高性能化が可能である。
に本発明の電池パックは、素電池と、過電流または加熱
から前記素電池を保護する保護回路ユニットからなる電
池パックであって、前記保護回路ユニットは、保護用Ｉ
Ｃと面実装形のＰＴＣサーミスタを含む複合体からなる
ことを特徴とするもので、この構成によれば、保護回路
ユニットに面実装形ＰＴＣサーミスタを用いたことでよ
り高性能化が可能である。
【００３６】また、本発明の電池パックの製造方法は、
プリント基板に保護用ＩＣと面実装形ＰＴＣサーミスタ
をはんだ付けする工程と、前記はんだ付け後のプリント
基板を熱処理する工程と、素電池の正極と負極にそれぞ
れ接続用リードを接続する工程と、前記接続用リードと
前記プリント基板を電気的に接続する工程からなること
を特徴とするもので、この方法によれば、プリント基板
にはんだ付けした面実装形ＰＴＣサーミスタを熱処理す
ることで使用時間の向上が可能である。
プリント基板に保護用ＩＣと面実装形ＰＴＣサーミスタ
をはんだ付けする工程と、前記はんだ付け後のプリント
基板を熱処理する工程と、素電池の正極と負極にそれぞ
れ接続用リードを接続する工程と、前記接続用リードと
前記プリント基板を電気的に接続する工程からなること
を特徴とするもので、この方法によれば、プリント基板
にはんだ付けした面実装形ＰＴＣサーミスタを熱処理す
ることで使用時間の向上が可能である。
【００３７】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、素電池と、前記素電池を過電流または加熱から保護
する保護回路ユニットからなる電池パックであって、前
記保護回路ユニットは、保護用ＩＣと面実装形のＰＴＣ
サーミスタを含む複合体としたもので、この構成によれ
ば、リード端子の曲げ加工や溶接による接続を必要とし
ない面実装形のＰＴＣサーミスタを保護回路ユニット内
に直接取り付けることとなりＰＴＣサーミスタの抵抗値
変動を小さくできるものである。
は、素電池と、前記素電池を過電流または加熱から保護
する保護回路ユニットからなる電池パックであって、前
記保護回路ユニットは、保護用ＩＣと面実装形のＰＴＣ
サーミスタを含む複合体としたもので、この構成によれ
ば、リード端子の曲げ加工や溶接による接続を必要とし
ない面実装形のＰＴＣサーミスタを保護回路ユニット内
に直接取り付けることとなりＰＴＣサーミスタの抵抗値
変動を小さくできるものである。
【００３８】請求項２に記載の発明は、特に、請求項１
に記載の素電池と保護回路ユニットのＰＴＣサーミスタ
とを熱結合状態にしたもので、この構成によれば、ＰＴ
Ｃサーミスタは、素電池自身の発熱影響を受けることと
なり過電流による自己発熱との両方で素電池に対して効
率よく保護動作できるものである。
に記載の素電池と保護回路ユニットのＰＴＣサーミスタ
とを熱結合状態にしたもので、この構成によれば、ＰＴ
Ｃサーミスタは、素電池自身の発熱影響を受けることと
なり過電流による自己発熱との両方で素電池に対して効
率よく保護動作できるものである。
【００３９】請求項３に記載の発明は、特に、請求項２
に記載の素電池とＰＴＣサーミスタとを熱伝導部材によ
って接合したもので、この構成によれば、熱伝導部材が
効率よく熱伝達することとなり素電池とＰＴＣサーミス
タを熱結合状態にすることができるものである。
に記載の素電池とＰＴＣサーミスタとを熱伝導部材によ
って接合したもので、この構成によれば、熱伝導部材が
効率よく熱伝達することとなり素電池とＰＴＣサーミス
タを熱結合状態にすることができるものである。
【００４０】請求項４に記載の発明は、特に、請求項３
に記載の熱伝導部材を高分子化合物と金属板の何れか一
方または両方からなるものとしたので、この構成によれ
ば、高分子化合物や金属板によって固定することとなり
ＰＴＣサーミスタと素電池は強固な結合ができるもので
ある。
に記載の熱伝導部材を高分子化合物と金属板の何れか一
方または両方からなるものとしたので、この構成によれ
ば、高分子化合物や金属板によって固定することとなり
ＰＴＣサーミスタと素電池は強固な結合ができるもので
ある。
【００４１】請求項５に記載の発明は、特に、請求項１
に記載の熱伝導部材を融点が３００℃以下のはんだ付け
用金属または金属化合物からなるものとしたので、この
構成によれば、ＰＴＣサーミスタと素電池は、導電材料
で熱結合することとなり電気的な接続も兼ねることがで
きるものである。
に記載の熱伝導部材を融点が３００℃以下のはんだ付け
用金属または金属化合物からなるものとしたので、この
構成によれば、ＰＴＣサーミスタと素電池は、導電材料
で熱結合することとなり電気的な接続も兼ねることがで
きるものである。
【００４２】請求項６に記載の発明は、特に、請求項２
に記載の保護回路ユニットを保護用ＩＣとＰＴＣサーミ
スタが実装されたプリント基板からなるものとしたの
で、この構成によれば、プリント基板で回路構成するこ
ととなり保護回路ユニットの小形化ができるものであ
る。
に記載の保護回路ユニットを保護用ＩＣとＰＴＣサーミ
スタが実装されたプリント基板からなるものとしたの
で、この構成によれば、プリント基板で回路構成するこ
ととなり保護回路ユニットの小形化ができるものであ
る。
【００４３】請求項７に記載の発明は、特に、請求項６
に記載のプリント基板を厚み方向の面が、素電池の少な
くとも１面に近接し、ＰＴＣサーミスタが前記プリント
基板の実装面の素電池側端部近傍に実装されてなるもの
としたので、この構成によれば、ＰＴＣサーミスタはプ
リント基板上で素電池と近接することとなりＰＴＣサー
ミスタと素電池を熱結合状態にできるものである。
に記載のプリント基板を厚み方向の面が、素電池の少な
くとも１面に近接し、ＰＴＣサーミスタが前記プリント
基板の実装面の素電池側端部近傍に実装されてなるもの
としたので、この構成によれば、ＰＴＣサーミスタはプ
リント基板上で素電池と近接することとなりＰＴＣサー
ミスタと素電池を熱結合状態にできるものである。
【００４４】請求項８に記載の発明は、特に、請求項６
に記載のプリント基板を第１の実装面が素電池に対向す
るように配置され、ＰＴＣサーミスタが前記第１の実装
面に実装されてなるものとしたので、この構成によれ
ば、プリント基板の第１の実装面と素電池が近接するこ
ととなりＰＴＣサーミスタと素電池を熱結合状態にでき
るものである。
に記載のプリント基板を第１の実装面が素電池に対向す
るように配置され、ＰＴＣサーミスタが前記第１の実装
面に実装されてなるものとしたので、この構成によれ
ば、プリント基板の第１の実装面と素電池が近接するこ
ととなりＰＴＣサーミスタと素電池を熱結合状態にでき
るものである。
【００４５】請求項９に記載の発明は、特に、請求項８
に記載の保護用ＩＣとＰＴＣサーミスタが実装されたプ
リント基板の第１の実装面と反対側の第２の実装面に少
なくとも２つ金属端子が接続されてなるものとしたの
で、この構成によれば、プリント基板は対向する素電池
の面に支えられることとなり金属端子が安定して固定で
きるものである。
に記載の保護用ＩＣとＰＴＣサーミスタが実装されたプ
リント基板の第１の実装面と反対側の第２の実装面に少
なくとも２つ金属端子が接続されてなるものとしたの
で、この構成によれば、プリント基板は対向する素電池
の面に支えられることとなり金属端子が安定して固定で
きるものである。
【００４６】請求項１０に記載の発明は、特に、請求項
９に記載の金属端子をプリント基板からはみ出した部分
が、プリント基板の第１の実装面側に折り曲げられ、前
記折り曲げられた部分または前記折り曲げられた部分の
一部が素電池の表面上に設けた絶縁シート上に配置され
たものとしたので、この構成によれば、金属端子はプリ
ント基板を仲介せずに素電池の面に支えられることとな
り強固に固定できるものである。
９に記載の金属端子をプリント基板からはみ出した部分
が、プリント基板の第１の実装面側に折り曲げられ、前
記折り曲げられた部分または前記折り曲げられた部分の
一部が素電池の表面上に設けた絶縁シート上に配置され
たものとしたので、この構成によれば、金属端子はプリ
ント基板を仲介せずに素電池の面に支えられることとな
り強固に固定できるものである。
【００４７】請求項１１に記載の発明は、特に、請求項
１に記載の保護回路ユニットをＰＴＣサーミスタが素電
池の熱容量の異なる正負の電極に対して熱容量の小さい
方の電極と電気的に接続された回路構成からなるものと
したので、この構成によれば、素電池自身の発熱に対し
て熱容量の小さい電極の方が早く温度上昇することとな
りＰＴＣサーミスタに早く熱を伝えることができる。
１に記載の保護回路ユニットをＰＴＣサーミスタが素電
池の熱容量の異なる正負の電極に対して熱容量の小さい
方の電極と電気的に接続された回路構成からなるものと
したので、この構成によれば、素電池自身の発熱に対し
て熱容量の小さい電極の方が早く温度上昇することとな
りＰＴＣサーミスタに早く熱を伝えることができる。
【００４８】請求項１２に記載の発明は、特に、請求項
１に記載の保護回路ユニットをＰＴＣサーミスタが素電
池の熱容量の異なる正負の電極に対して熱容量の大きい
方の電極と電気的に接続された回路構成からなるものと
したので、この構成によれば、素電池自身の発熱に対し
て熱容量の大きい電極の方は温度上昇が遅く、ＰＴＣサ
ーミスタへの素電池からの熱影響が小さくなり、ＰＴＣ
サーミスタは過電流による自己発熱を主体として保護動
作することができる。
１に記載の保護回路ユニットをＰＴＣサーミスタが素電
池の熱容量の異なる正負の電極に対して熱容量の大きい
方の電極と電気的に接続された回路構成からなるものと
したので、この構成によれば、素電池自身の発熱に対し
て熱容量の大きい電極の方は温度上昇が遅く、ＰＴＣサ
ーミスタへの素電池からの熱影響が小さくなり、ＰＴＣ
サーミスタは過電流による自己発熱を主体として保護動
作することができる。
【００４９】請求項１３に記載の発明は、特に、請求項
１に記載のＰＴＣサーミスタを素電池から熱影響を受け
ない位置に配置されてなるものとしたので、この構成に
よれば、ＰＴＣサーミスタへの素電池からの熱影響がな
くなり、ＰＴＣサーミスタは過電流による自己発熱を主
体として保護動作することができる。
１に記載のＰＴＣサーミスタを素電池から熱影響を受け
ない位置に配置されてなるものとしたので、この構成に
よれば、ＰＴＣサーミスタへの素電池からの熱影響がな
くなり、ＰＴＣサーミスタは過電流による自己発熱を主
体として保護動作することができる。
【００５０】請求項１４に記載の発明は、特に、請求項
１３に記載の保護回路ユニットを保護用ＩＣとＰＴＣサ
ーミスタが実装されたプリント基板からなるものとした
ので、この構成によれば、プリント基板で回路構成する
こととなり保護回路ユニットの小形化ができるものであ
る。
１３に記載の保護回路ユニットを保護用ＩＣとＰＴＣサ
ーミスタが実装されたプリント基板からなるものとした
ので、この構成によれば、プリント基板で回路構成する
こととなり保護回路ユニットの小形化ができるものであ
る。
【００５１】請求項１５に記載の発明は、特に、請求項
１４に記載のプリント基板を厚み方向の面が、素電池の
少なくとも１面に近接し、ＰＴＣサーミスタが前記プリ
ント基板の実装面の素電池と反対側端部近傍に実装され
てなるものとしたので、この構成によれば、ＰＴＣサー
ミスタはプリント基板上で素電池の遠方に配置すること
となり素電池からの熱影響を受けにくくできるものであ
る。
１４に記載のプリント基板を厚み方向の面が、素電池の
少なくとも１面に近接し、ＰＴＣサーミスタが前記プリ
ント基板の実装面の素電池と反対側端部近傍に実装され
てなるものとしたので、この構成によれば、ＰＴＣサー
ミスタはプリント基板上で素電池の遠方に配置すること
となり素電池からの熱影響を受けにくくできるものであ
る。
【００５２】請求項１６に記載の発明は、特に、請求項
１に記載の保護回路ユニットを保護用ＩＣとＦＥＴと面
実装形のＰＴＣサーミスタを含む複合体からなるものと
したので、この構成によれば、リード端子の曲げ加工や
溶接による接続を必要としない面実装形のＰＴＣサーミ
スタを保護回路ユニット内に直接取り付けることとなり
ＰＴＣサーミスタの抵抗値変動を小さくできるものであ
る。
１に記載の保護回路ユニットを保護用ＩＣとＦＥＴと面
実装形のＰＴＣサーミスタを含む複合体からなるものと
したので、この構成によれば、リード端子の曲げ加工や
溶接による接続を必要としない面実装形のＰＴＣサーミ
スタを保護回路ユニット内に直接取り付けることとなり
ＰＴＣサーミスタの抵抗値変動を小さくできるものであ
る。
【００５３】請求項１７に記載の発明は、特に請求項１
６に記載の保護回路ユニットを保護用ＩＣとＦＥＴとＰ
ＴＣサーミスタが実装されたプリント基板からなるもの
としたので、この構成によれば、プリント基板で回路構
成することとなり保護回路ユニットの小形化ができるも
のである。
６に記載の保護回路ユニットを保護用ＩＣとＦＥＴとＰ
ＴＣサーミスタが実装されたプリント基板からなるもの
としたので、この構成によれば、プリント基板で回路構
成することとなり保護回路ユニットの小形化ができるも
のである。
【００５４】請求項１８に記載の発明は、特に、請求項
１７に記載のＰＴＣサーミスタとＦＥＴをプリント基板
の実装面に隣接実装が可能な間隔を残して近接するよう
に配置されたもので、この構成によれば、ＰＴＣサーミ
スタはＦＥＴと熱結合状態になることとなりＦＥＴの発
熱によって保護動作することができるものである。これ
はＦＥＴ自体が熱による悪影響を受けることを防止する
ものである。
１７に記載のＰＴＣサーミスタとＦＥＴをプリント基板
の実装面に隣接実装が可能な間隔を残して近接するよう
に配置されたもので、この構成によれば、ＰＴＣサーミ
スタはＦＥＴと熱結合状態になることとなりＦＥＴの発
熱によって保護動作することができるものである。これ
はＦＥＴ自体が熱による悪影響を受けることを防止する
ものである。
【００５５】請求項１９に記載の発明は、特に、請求項
１８に記載の保護回路ユニットをＰＴＣサーミスタがＦ
ＥＴと電気的に接続された回路構成からなるものとした
ので、この構成によれば、プリント基板上の配線によっ
て接続されることとなり効率よくＰＴＣサーミスタへ熱
を伝えることができる。
１８に記載の保護回路ユニットをＰＴＣサーミスタがＦ
ＥＴと電気的に接続された回路構成からなるものとした
ので、この構成によれば、プリント基板上の配線によっ
て接続されることとなり効率よくＰＴＣサーミスタへ熱
を伝えることができる。
【００５６】請求項２０に記載の発明は、特に、請求項
１８に記載の保護回路ユニットをＰＴＣサーミスタが素
電池の熱容量の異なる正負の電極に対して熱容量の大き
い方の電極と電気的に接続された回路構成からなるもの
としたので、この構成によれば、ＰＴＣサーミスタは素
電池からの熱影響を少なくしてＦＥＴと熱結合状態にな
ることとなりＦＥＴの発熱を主体に保護動作することが
できるものである。
１８に記載の保護回路ユニットをＰＴＣサーミスタが素
電池の熱容量の異なる正負の電極に対して熱容量の大き
い方の電極と電気的に接続された回路構成からなるもの
としたので、この構成によれば、ＰＴＣサーミスタは素
電池からの熱影響を少なくしてＦＥＴと熱結合状態にな
ることとなりＦＥＴの発熱を主体に保護動作することが
できるものである。
【００５７】請求項２１に記載の発明は、特に、請求項
１６に記載のＰＴＣサーミスタをＦＥＴから熱影響を受
けない位置に配置されてなるものとしたので、この構成
によれば、ＰＴＣサーミスタはＦＥＴからの熱影響を受
けることがなくなり過電流による自己発熱を主体に保護
動作ができるものである。
１６に記載のＰＴＣサーミスタをＦＥＴから熱影響を受
けない位置に配置されてなるものとしたので、この構成
によれば、ＰＴＣサーミスタはＦＥＴからの熱影響を受
けることがなくなり過電流による自己発熱を主体に保護
動作ができるものである。
【００５８】請求項２２に記載の発明は、特に、請求項
１６に記載のＰＴＣサーミスタを素電池とＦＥＴから熱
影響を受けない位置に配置されてなるものとしたので、
この構成によれば、ＰＴＣサーミスタは素電池とＦＥＴ
の両方からの熱影響を受けることがなくなり過電流によ
る自己発熱を主体に保護動作ができるものである。
１６に記載のＰＴＣサーミスタを素電池とＦＥＴから熱
影響を受けない位置に配置されてなるものとしたので、
この構成によれば、ＰＴＣサーミスタは素電池とＦＥＴ
の両方からの熱影響を受けることがなくなり過電流によ
る自己発熱を主体に保護動作ができるものである。
【００５９】請求項２３に記載の発明は、プリント基板
に保護用ＩＣと面実装形ＰＴＣサーミスタをはんだ付け
する工程と、前記はんだ付け後のプリント基板を熱処理
する工程と、素電池の正極と負極にそれぞれ接続用リー
ドを接続する工程と、前記接続用リードと前記プリント
基板を電気的に接続する工程からなるものとしたこと
で、この方法によれば、プリント基板にはんだ付けした
面実装形ＰＴＣサーミスタを熱処理することでアニール
効果によって、ポリマの融点以上の熱処理を行ってもＰ
ＴＣサーミスタの抵抗値のプラス側変動を小さくするこ
とが可能である。
に保護用ＩＣと面実装形ＰＴＣサーミスタをはんだ付け
する工程と、前記はんだ付け後のプリント基板を熱処理
する工程と、素電池の正極と負極にそれぞれ接続用リー
ドを接続する工程と、前記接続用リードと前記プリント
基板を電気的に接続する工程からなるものとしたこと
で、この方法によれば、プリント基板にはんだ付けした
面実装形ＰＴＣサーミスタを熱処理することでアニール
効果によって、ポリマの融点以上の熱処理を行ってもＰ
ＴＣサーミスタの抵抗値のプラス側変動を小さくするこ
とが可能である。
【００６０】請求項２４に記載の発明は、特に、請求項
２３に記載のプリント基板の熱処理工程を熱処理温度が
面実装形ＰＴＣサーミスタの保護動作温度以下としたも
ので、この方法によれば、確実にＰＴＣサーミスタの抵
抗値のプラス側変動を小さくすることが可能である。
２３に記載のプリント基板の熱処理工程を熱処理温度が
面実装形ＰＴＣサーミスタの保護動作温度以下としたも
ので、この方法によれば、確実にＰＴＣサーミスタの抵
抗値のプラス側変動を小さくすることが可能である。
【００６１】請求項２５に記載の発明は、特に、請求項
２４に記載のプリント基板の熱処理工程を相対的に高い
温度の熱処理と、低い温度の熱処理が繰り返す工程であ
るとしたもので、この方法によれば、効率よく短時間で
ＰＴＣサーミスタの抵抗値のプラス側変動を小さくする
ことが可能である。
２４に記載のプリント基板の熱処理工程を相対的に高い
温度の熱処理と、低い温度の熱処理が繰り返す工程であ
るとしたもので、この方法によれば、効率よく短時間で
ＰＴＣサーミスタの抵抗値のプラス側変動を小さくする
ことが可能である。
【００６２】請求項２６に記載の発明は、プリント基板
に保護用ＩＣと面実装形ＰＴＣサーミスタをはんだ付け
する工程と、前記はんだ付け後のプリント基板を熱処理
する工程と、前記プリント基板に正極と負極の接続用リ
ードを電気的に接続する工程と、素電池の正極と負極に
それぞれ前記正極と負極の接続用リードを接続する工程
からなるものとしたことで、この方法によれば、プリン
ト基板にはんだ付けした面実装形ＰＴＣサーミスタを熱
処理することでアニール効果によって、ポリマの融点以
上の熱処理を行ってもＰＴＣサーミスタの抵抗値のプラ
ス側変動を小さくすることが可能である。
に保護用ＩＣと面実装形ＰＴＣサーミスタをはんだ付け
する工程と、前記はんだ付け後のプリント基板を熱処理
する工程と、前記プリント基板に正極と負極の接続用リ
ードを電気的に接続する工程と、素電池の正極と負極に
それぞれ前記正極と負極の接続用リードを接続する工程
からなるものとしたことで、この方法によれば、プリン
ト基板にはんだ付けした面実装形ＰＴＣサーミスタを熱
処理することでアニール効果によって、ポリマの融点以
上の熱処理を行ってもＰＴＣサーミスタの抵抗値のプラ
ス側変動を小さくすることが可能である。
【００６３】請求項２７に記載の発明は、特に、請求項
２６に記載のプリント基板の熱処理工程を熱処理温度が
面実装形ＰＴＣサーミスタの保護動作温度以下としたも
ので、この方法によれば、確実にＰＴＣサーミスタの抵
抗値のプラス側変動を小さくすることが可能である。
２６に記載のプリント基板の熱処理工程を熱処理温度が
面実装形ＰＴＣサーミスタの保護動作温度以下としたも
ので、この方法によれば、確実にＰＴＣサーミスタの抵
抗値のプラス側変動を小さくすることが可能である。
【００６４】請求項２８に記載の発明は、特に、請求項
２７に記載のプリント基板の熱処理工程を相対的に高い
温度の熱処理と、低い温度の熱処理が繰り返す工程であ
るとしたもので、この方法によれば、効率よく短時間で
ＰＴＣサーミスタの抵抗値のプラス側変動を小さくする
ことが可能である。
２７に記載のプリント基板の熱処理工程を相対的に高い
温度の熱処理と、低い温度の熱処理が繰り返す工程であ
るとしたもので、この方法によれば、効率よく短時間で
ＰＴＣサーミスタの抵抗値のプラス側変動を小さくする
ことが可能である。
【００６５】請求項２９に記載の発明は、プリント基板
に保護用ＩＣと面実装形ＰＴＣサーミスタをはんだ付け
する工程と、素電池の正極と負極にそれぞれ接続用リー
ドを接続する工程と、前記接続用リードと前記プリント
基板を電気的に接続する工程と、前記素電池と前記プリ
ント基板を熱処理する工程からなるものとしたことで、
この方法によれば、プリント基板にはんだ付けした面実
装形ＰＴＣサーミスタを熱処理することでアニール効果
によって、ポリマの融点以上の熱処理を行ってもＰＴＣ
サーミスタの抵抗値のプラス側変動を小さくすることが
可能である。
に保護用ＩＣと面実装形ＰＴＣサーミスタをはんだ付け
する工程と、素電池の正極と負極にそれぞれ接続用リー
ドを接続する工程と、前記接続用リードと前記プリント
基板を電気的に接続する工程と、前記素電池と前記プリ
ント基板を熱処理する工程からなるものとしたことで、
この方法によれば、プリント基板にはんだ付けした面実
装形ＰＴＣサーミスタを熱処理することでアニール効果
によって、ポリマの融点以上の熱処理を行ってもＰＴＣ
サーミスタの抵抗値のプラス側変動を小さくすることが
可能である。
【００６６】請求項３０に記載の発明は、特に、請求項
２９に記載の素電池とプリント基板の熱処理工程を熱処
理温度が面実装形ＰＴＣサーミスタの保護動作温度以下
としたもので、この方法によれば、確実にＰＴＣサーミ
スタの抵抗値のプラス側変動を小さくすることが可能で
ある。
２９に記載の素電池とプリント基板の熱処理工程を熱処
理温度が面実装形ＰＴＣサーミスタの保護動作温度以下
としたもので、この方法によれば、確実にＰＴＣサーミ
スタの抵抗値のプラス側変動を小さくすることが可能で
ある。
【００６７】請求項３１に記載の発明は、特に、素電池
とプリント基板の熱処理工程を相対的に高い温度の熱処
理と、低い温度の熱処理が繰り返す工程であるとしたも
ので、この方法によれば、効率よく短時間でＰＴＣサー
ミスタの抵抗値のプラス側変動を小さくすることが可能
である。
とプリント基板の熱処理工程を相対的に高い温度の熱処
理と、低い温度の熱処理が繰り返す工程であるとしたも
ので、この方法によれば、効率よく短時間でＰＴＣサー
ミスタの抵抗値のプラス側変動を小さくすることが可能
である。
【００６８】請求項３２に記載の発明は、プリント基板
に保護用ＩＣと面実装形ＰＴＣサーミスタをはんだ付け
する工程と、前記プリント基板に正極と負極の接続用リ
ードを電気的に接続する工程と、素電池の正極と負極に
それぞれ前記正極と負極の接続用リードを接続する工程
と、前記素電池と前記プリント基板を熱処理する工程か
らなるものとしたことで、この方法によれば、プリント
基板にはんだ付けした面実装形ＰＴＣサーミスタを熱処
理することでアニール効果によって、ポリマの融点以上
の熱処理を行ってもＰＴＣサーミスタの抵抗値のプラス
側変動を小さくすることが可能である。
に保護用ＩＣと面実装形ＰＴＣサーミスタをはんだ付け
する工程と、前記プリント基板に正極と負極の接続用リ
ードを電気的に接続する工程と、素電池の正極と負極に
それぞれ前記正極と負極の接続用リードを接続する工程
と、前記素電池と前記プリント基板を熱処理する工程か
らなるものとしたことで、この方法によれば、プリント
基板にはんだ付けした面実装形ＰＴＣサーミスタを熱処
理することでアニール効果によって、ポリマの融点以上
の熱処理を行ってもＰＴＣサーミスタの抵抗値のプラス
側変動を小さくすることが可能である。
【００６９】請求項３３に記載の発明は、特に、請求項
３２に記載の素電池とプリント基板の熱処理工程を熱処
理温度が面実装形ＰＴＣサーミスタの保護動作温度以下
としたもので、この方法によれば、確実にＰＴＣサーミ
スタの抵抗値のプラス側変動を小さくすることが可能で
ある。
３２に記載の素電池とプリント基板の熱処理工程を熱処
理温度が面実装形ＰＴＣサーミスタの保護動作温度以下
としたもので、この方法によれば、確実にＰＴＣサーミ
スタの抵抗値のプラス側変動を小さくすることが可能で
ある。
【００７０】請求項３４に記載の発明は、特に、請求項
３３に記載の素電池とプリント基板の熱処理工程を相対
的に高い温度の熱処理と、低い温度の熱処理が繰り返す
工程であるとしたもので、この方法によれば、効率よく
短時間でＰＴＣサーミスタの抵抗値のプラス側変動を小
さくすることが可能である。
３３に記載の素電池とプリント基板の熱処理工程を相対
的に高い温度の熱処理と、低い温度の熱処理が繰り返す
工程であるとしたもので、この方法によれば、効率よく
短時間でＰＴＣサーミスタの抵抗値のプラス側変動を小
さくすることが可能である。
【００７１】（実施の形態１）以下、本発明の実施の形
態１における電池パックおよびその製造方法について、
図面を参照しながら説明する。
態１における電池パックおよびその製造方法について、
図面を参照しながら説明する。
【００７２】図１は本発明の実施の形態１における電池
パックの斜視図である。
パックの斜視図である。
【００７３】図１において、４１は角形素電池である。
４２は角形素電池４１の正極端子であり、外周金属ケー
スを兼ねているものである。４３は角形素電池４１の負
極端子であり、角形素電池４１の１面にのみ設けられた
ものである。４４は保護回路を構成するためのベースと
なるプリント基板であり、プリント基板４４の厚み方向
の面が負極端子４３のある角形素電池４１の面に近接し
ている。４５はプリント基板４４の第１の実装面上にＳ
ｎＡｇ系またはＳｎＣｕ系のＰｂフリーはんだによって
実装された保護用ＩＣである。４６はプリント基板４４
の第１の実装面上にＳｎＡｇ系またはＳｎＣｕ系のＰｂ
フリーはんだによって実装されたＦＥＴユニットであ
り、基本的には２個のＦＥＴで構成されている。４７と
４８はプリント基板４４の保護用ＩＣ４５の実装面と反
対側の第２の実装面に取り付けた電池パックの取り出し
用正極端子と取り出し用負極端子である。４９はプリン
ト基板４４の第１の実装面上にＳｎＡｇ系またはＳｎＣ
ｕ系のＰｂフリーはんだによって実装された外形が約
４．５ｍｍ×３．２ｍｍ、厚みが約１ｍｍで、実装前の
抵抗値が１５ｍΩから２０ｍΩで、保護動作温度が１１
０℃から１２０℃の範囲にある面実装形ＰＴＣサーミス
タであり、角形素電池４１に近接するようにプリント基
板４４の端部近傍に配置されている。５０は負極端子４
３とプリント基板４４を接続する負極側の接続リードで
ある。５１はプリント基板４４を介して電池パックの取
り出し用正極端子４７と外周金属ケースを兼ねた正極端
子４２を電気的に接続する正極側の接続リードである。
５２はプリント基板４４と保護用ＩＣ４５とＦＥＴユニ
ット４６と面実装形ＰＴＣサーミスタ４９によって構成
された保護回路ユニットである。
４２は角形素電池４１の正極端子であり、外周金属ケー
スを兼ねているものである。４３は角形素電池４１の負
極端子であり、角形素電池４１の１面にのみ設けられた
ものである。４４は保護回路を構成するためのベースと
なるプリント基板であり、プリント基板４４の厚み方向
の面が負極端子４３のある角形素電池４１の面に近接し
ている。４５はプリント基板４４の第１の実装面上にＳ
ｎＡｇ系またはＳｎＣｕ系のＰｂフリーはんだによって
実装された保護用ＩＣである。４６はプリント基板４４
の第１の実装面上にＳｎＡｇ系またはＳｎＣｕ系のＰｂ
フリーはんだによって実装されたＦＥＴユニットであ
り、基本的には２個のＦＥＴで構成されている。４７と
４８はプリント基板４４の保護用ＩＣ４５の実装面と反
対側の第２の実装面に取り付けた電池パックの取り出し
用正極端子と取り出し用負極端子である。４９はプリン
ト基板４４の第１の実装面上にＳｎＡｇ系またはＳｎＣ
ｕ系のＰｂフリーはんだによって実装された外形が約
４．５ｍｍ×３．２ｍｍ、厚みが約１ｍｍで、実装前の
抵抗値が１５ｍΩから２０ｍΩで、保護動作温度が１１
０℃から１２０℃の範囲にある面実装形ＰＴＣサーミス
タであり、角形素電池４１に近接するようにプリント基
板４４の端部近傍に配置されている。５０は負極端子４
３とプリント基板４４を接続する負極側の接続リードで
ある。５１はプリント基板４４を介して電池パックの取
り出し用正極端子４７と外周金属ケースを兼ねた正極端
子４２を電気的に接続する正極側の接続リードである。
５２はプリント基板４４と保護用ＩＣ４５とＦＥＴユニ
ット４６と面実装形ＰＴＣサーミスタ４９によって構成
された保護回路ユニットである。
【００７４】以上のように構成された電池パックについ
て、以下にその製造方法を説明する。
て、以下にその製造方法を説明する。
【００７５】まず、プリント基板４４の第２の実装面に
スクリーン印刷法を用いてクリームはんだを塗布する。
スクリーン印刷法を用いてクリームはんだを塗布する。
【００７６】次に、印刷形成したクリームはんだの上に
取り出し用正極端子４７と取り出し用負極端子４８を取
り付け、はんだ付けする。
取り出し用正極端子４７と取り出し用負極端子４８を取
り付け、はんだ付けする。
【００７７】次に、プリント基板４４の第１の実装面に
スクリーン印刷法を用いてクリームはんだを塗布する。
スクリーン印刷法を用いてクリームはんだを塗布する。
【００７８】次に、印刷形成したクリームはんだの上に
保護用ＩＣ４５とＦＥＴユニット４６と面実装形ＰＴＣ
サーミスタ４９を取り付ける。
保護用ＩＣ４５とＦＥＴユニット４６と面実装形ＰＴＣ
サーミスタ４９を取り付ける。
【００７９】次に、リフローはんだ付け炉を用いてプリ
ント基板４４と、保護用ＩＣ４５や面実装形ＰＴＣサー
ミスタ４９などの取り付け部品をピーク温度２５０℃の
プロファイルではんだ付けする。
ント基板４４と、保護用ＩＣ４５や面実装形ＰＴＣサー
ミスタ４９などの取り付け部品をピーク温度２５０℃の
プロファイルではんだ付けする。
【００８０】次に、はんだ付けによって抵抗値が４０ｍ
Ω程度に増加した面実装形ＰＴＣサーミスタ４９を実装
したプリント基板４４を８０℃の周囲温度環境に約３０
分間放置し、その後数分以内に２５℃の周囲温度環境に
切り替えて約３０分間放置する温度サイクルを３回繰り
返し、望ましくは５回繰り返して、抵抗値を２０ｍΩ以
下に復帰させる（以降、アニール処理と称する。）。
Ω程度に増加した面実装形ＰＴＣサーミスタ４９を実装
したプリント基板４４を８０℃の周囲温度環境に約３０
分間放置し、その後数分以内に２５℃の周囲温度環境に
切り替えて約３０分間放置する温度サイクルを３回繰り
返し、望ましくは５回繰り返して、抵抗値を２０ｍΩ以
下に復帰させる（以降、アニール処理と称する。）。
【００８１】一方で、角形素電池４１の負極端子４３に
負極側の接続リード５０を電気溶接によって接続し、正
極端子４２に正極側の接続リード５１を電気溶接によっ
て接続する。
負極側の接続リード５０を電気溶接によって接続し、正
極端子４２に正極側の接続リード５１を電気溶接によっ
て接続する。
【００８２】次に、アニール処理後のプリント基板４４
と角形素電池４１に取り付けられた負極側の接続リード
５０をはんだ接続する。
と角形素電池４１に取り付けられた負極側の接続リード
５０をはんだ接続する。
【００８３】最後に、プリント基板４４と正極側の接続
リード５１をはんだ接続して、電池パックを製造するも
のである。
リード５１をはんだ接続して、電池パックを製造するも
のである。
【００８４】以上のように構成、製造された電池パック
について、以下にその動作を説明する。
について、以下にその動作を説明する。
【００８５】まず、プリント基板４４と保護用ＩＣ４５
とＦＥＴユニット４６と面実装形ＰＴＣサーミスタ４９
によって構成された保護回路ユニット５２が、角形素電
池４１の過充電や過放電を保護する制御動作と、負荷の
短絡や保護回路自身の短絡などによって起る過電流から
の保護動作を行う。
とＦＥＴユニット４６と面実装形ＰＴＣサーミスタ４９
によって構成された保護回路ユニット５２が、角形素電
池４１の過充電や過放電を保護する制御動作と、負荷の
短絡や保護回路自身の短絡などによって起る過電流から
の保護動作を行う。
【００８６】以上のように本実施の形態１においては、
面実装形ＰＴＣサーミスタ４９をプリント基板４４上に
保護用ＩＣ４５やＦＥＴユニット４６と同じようにリフ
ローソルダリング法などのはんだ付けによって実装する
ことにより、面実装形ＰＴＣサーミスタ４９は、リード
付きＰＴＣサーミスタのようにリード端子の曲げ加工や
電気溶接によって角形素電池４１の負極端子４３やプリ
ント基板４４と接続して回路を構成する必要がなく、曲
げ加工ストレスおよび電気溶接による高温の熱ストレス
などに起因する抵抗値変動をなくすことが可能である。
面実装形ＰＴＣサーミスタ４９をプリント基板４４上に
保護用ＩＣ４５やＦＥＴユニット４６と同じようにリフ
ローソルダリング法などのはんだ付けによって実装する
ことにより、面実装形ＰＴＣサーミスタ４９は、リード
付きＰＴＣサーミスタのようにリード端子の曲げ加工や
電気溶接によって角形素電池４１の負極端子４３やプリ
ント基板４４と接続して回路を構成する必要がなく、曲
げ加工ストレスおよび電気溶接による高温の熱ストレス
などに起因する抵抗値変動をなくすことが可能である。
【００８７】また、本実施の形態１では、プリント基板
４４に面実装形ＰＴＣサーミスタ４９をはんだ付けする
工程と、面実装形ＰＴＣサーミスタ４９をはんだ付け後
のプリント基板４４をアニール処理する工程と、角形素
電池４１の正極端子４２と負極端子４３にそれぞれ正極
側の接続リード５１と負極側の接続リード５０を電気溶
接する工程と、正極側の接続リード５１と負極側の接続
リード５０をプリント基板４４にはんだ接続する工程か
らなるものとしたことにより、ＳｎＡｇ系やＳｎＣｕ系
などの融点が２００℃以上のＰｂフリーはんだを用い
て、プリント基板４４にはんだ付けした結果、抵抗値が
４０ｍΩまで２倍程度に増加した面実装形ＰＴＣサーミ
スタ４９は、アニール効果によって、抵抗値を２０ｍΩ
以下に短時間で小さくすることが可能である。
４４に面実装形ＰＴＣサーミスタ４９をはんだ付けする
工程と、面実装形ＰＴＣサーミスタ４９をはんだ付け後
のプリント基板４４をアニール処理する工程と、角形素
電池４１の正極端子４２と負極端子４３にそれぞれ正極
側の接続リード５１と負極側の接続リード５０を電気溶
接する工程と、正極側の接続リード５１と負極側の接続
リード５０をプリント基板４４にはんだ接続する工程か
らなるものとしたことにより、ＳｎＡｇ系やＳｎＣｕ系
などの融点が２００℃以上のＰｂフリーはんだを用い
て、プリント基板４４にはんだ付けした結果、抵抗値が
４０ｍΩまで２倍程度に増加した面実装形ＰＴＣサーミ
スタ４９は、アニール効果によって、抵抗値を２０ｍΩ
以下に短時間で小さくすることが可能である。
【００８８】さらに、本実施の形態１において、面実装
形ＰＴＣサーミスタ４９は、リード付きＰＴＣサーミス
タのようなリード端子の曲げ加工や電気溶接などの作業
が不要であり、プリント基板４４に保護用ＩＣ４５やＦ
ＥＴユニット４６と同時に実装用マウンタで装着し、は
んだ付けすることができるのでパック電池の組立て加工
に要するコストの削減にも大きな効果がある。
形ＰＴＣサーミスタ４９は、リード付きＰＴＣサーミス
タのようなリード端子の曲げ加工や電気溶接などの作業
が不要であり、プリント基板４４に保護用ＩＣ４５やＦ
ＥＴユニット４６と同時に実装用マウンタで装着し、は
んだ付けすることができるのでパック電池の組立て加工
に要するコストの削減にも大きな効果がある。
【００８９】また、本実施の形態１では、プリント基板
４４の厚み方向の面を、角形素電池４１の負極端子４３
の面に近接し、面実装形ＰＴＣサーミスタ４９が角形素
電池４１に近接するようにプリント基板４４の端部近傍
に実装することにより、特に、面実装形ＰＴＣサーミス
タ４９と角形素電池４１が熱結合状態となることで角形
素電池４１からの直接的な熱伝達によっても保護動作状
態に移行することができる。
４４の厚み方向の面を、角形素電池４１の負極端子４３
の面に近接し、面実装形ＰＴＣサーミスタ４９が角形素
電池４１に近接するようにプリント基板４４の端部近傍
に実装することにより、特に、面実装形ＰＴＣサーミス
タ４９と角形素電池４１が熱結合状態となることで角形
素電池４１からの直接的な熱伝達によっても保護動作状
態に移行することができる。
【００９０】また、本実施の形態１では、面実装形ＰＴ
Ｃサーミスタ４９が角形素電池４１の熱容量の異なる正
負の電極端子に対して熱容量の小さい負極端子４３と電
気的に接続し、負極端子４３の近傍に配置することによ
り、角形素電池４１の発熱に対して熱容量の小さい負極
端子４３が早く温度上昇することとなり面実装形ＰＴＣ
サーミスタ４９により早く熱を伝えることができる。
Ｃサーミスタ４９が角形素電池４１の熱容量の異なる正
負の電極端子に対して熱容量の小さい負極端子４３と電
気的に接続し、負極端子４３の近傍に配置することによ
り、角形素電池４１の発熱に対して熱容量の小さい負極
端子４３が早く温度上昇することとなり面実装形ＰＴＣ
サーミスタ４９により早く熱を伝えることができる。
【００９１】なお、本実施の形態１において、アニール
処理工程は、面実装形ＰＴＣサーミスタをプリント基板
に実装した直後の工程としたが、角形素電池と実装済み
のプリント基板を接続リードではんだ接続した後の工程
で行っても同様に抵抗値を小さくすることができる。
処理工程は、面実装形ＰＴＣサーミスタをプリント基板
に実装した直後の工程としたが、角形素電池と実装済み
のプリント基板を接続リードではんだ接続した後の工程
で行っても同様に抵抗値を小さくすることができる。
【００９２】なお、実施の形態１において、正極側の接
続リードと負極側の接続リードは、先に角形素電池に電
気溶接し、その後プリント基板にはんだ付けしたが、先
にプリント基板にはんだ付けした後に角形素電池に電気
溶接する工程の順序であってもよい。
続リードと負極側の接続リードは、先に角形素電池に電
気溶接し、その後プリント基板にはんだ付けしたが、先
にプリント基板にはんだ付けした後に角形素電池に電気
溶接する工程の順序であってもよい。
【００９３】なお、本実施の形態１において、アニール
処理温度は相対的に高い温度を８０℃、相対的に低い温
度を２５℃とし、放置時間を約３０分間としたが、面実
装形ＰＴＣサーミスタの動作温度１１０℃以下で−４０
℃以上であれば任意の温度を選択してもよいし、製造工
程での支障がなければ、放置時間も１２時間程度まで延
長してもよい。また、６０℃から１１０℃の温度範囲で
一定温度に数時間以上の長時間放置しておいてもはんだ
付けにより増加した抵抗値の低減が可能である。
処理温度は相対的に高い温度を８０℃、相対的に低い温
度を２５℃とし、放置時間を約３０分間としたが、面実
装形ＰＴＣサーミスタの動作温度１１０℃以下で−４０
℃以上であれば任意の温度を選択してもよいし、製造工
程での支障がなければ、放置時間も１２時間程度まで延
長してもよい。また、６０℃から１１０℃の温度範囲で
一定温度に数時間以上の長時間放置しておいてもはんだ
付けにより増加した抵抗値の低減が可能である。
【００９４】なお、本実施の形態１において、プリント
基板への実装用はんだをＳｎＡｇ系またはＳｎＣｕ系の
Ｐｂフリー系はんだとしたが、その他のＰｂフリー系は
んだや従来のＳｎＰｂ系はんだを用いてもよい。
基板への実装用はんだをＳｎＡｇ系またはＳｎＣｕ系の
Ｐｂフリー系はんだとしたが、その他のＰｂフリー系は
んだや従来のＳｎＰｂ系はんだを用いてもよい。
【００９５】（実施の形態２）以下、本発明の実施の形
態２における電池パックおよびその製造方法について、
図面を参照しながら説明する。
態２における電池パックおよびその製造方法について、
図面を参照しながら説明する。
【００９６】図２は本発明の実施の形態２における電池
パックの斜視図である。
パックの斜視図である。
【００９７】図２において、６１は角形素電池である。
６２は角形素電池６１の正極端子であり、外周金属ケー
スを兼ねているものである。６３は角形素電池６１の負
極端子であり、角形素電池６１の１面にのみ設けられた
ものである。６４は保護回路を構成するためのベースと
なるプリント基板であり、プリント基板６４の厚み方向
の面が負極端子６３のある角形素電池６１の面に近接し
ている。６５はプリント基板６４の第１の実装面上にＳ
ｎＡｇ系またはＳｎＣｕ系のＰｂフリーはんだによって
実装された保護用ＩＣである。６６はプリント基板６４
の第１の実装面上にＳｎＡｇ系またはＳｎＣｕ系のＰｂ
フリーはんだによって実装されたＦＥＴユニットであ
り、基本的には２個のＦＥＴで構成されている。６７と
６８はプリント基板６４の保護用ＩＣ６５の実装面と反
対側の第２の実装面に取り付けた電池パックの取り出し
用正極端子と取り出し用負極端子である。６９はプリン
ト基板６４の第１の実装面上にＳｎＡｇ系またはＳｎＣ
ｕ系のＰｂフリーはんだによって実装された外形が約
４．５ｍｍ×３．２ｍｍ、厚みが約１ｍｍで、実装前の
抵抗値が１５ｍΩから２０ｍΩで、保護動作温度が１１
０℃から１２０℃の範囲にある面実装形ＰＴＣサーミス
タであり、角形素電池６１に近接するようにプリント基
板６４の端部近傍に配置されている。７０は面実装形Ｐ
ＴＣサーミスタ６９と角形素電池６１の負極端子６３と
同一面とに接着した硬化温度１００℃のエポキシ樹脂で
あり、実施の形態１の構成と異なるところは、エポキシ
樹脂７０を設けた点である。７１は負極端子６３とプリ
ント基板６４を接続する負極側の接続リードである。７
２はプリント基板６４を介して電池パックの取り出し用
正極端子６７と外周金属ケースを兼ねた正極端子６２を
電気的に接続する正極側の接続リードである。７３はプ
リント基板６４と保護用ＩＣ６５とＦＥＴユニット６６
と面実装形ＰＴＣサーミスタ６９によって構成された保
護回路ユニットである。
６２は角形素電池６１の正極端子であり、外周金属ケー
スを兼ねているものである。６３は角形素電池６１の負
極端子であり、角形素電池６１の１面にのみ設けられた
ものである。６４は保護回路を構成するためのベースと
なるプリント基板であり、プリント基板６４の厚み方向
の面が負極端子６３のある角形素電池６１の面に近接し
ている。６５はプリント基板６４の第１の実装面上にＳ
ｎＡｇ系またはＳｎＣｕ系のＰｂフリーはんだによって
実装された保護用ＩＣである。６６はプリント基板６４
の第１の実装面上にＳｎＡｇ系またはＳｎＣｕ系のＰｂ
フリーはんだによって実装されたＦＥＴユニットであ
り、基本的には２個のＦＥＴで構成されている。６７と
６８はプリント基板６４の保護用ＩＣ６５の実装面と反
対側の第２の実装面に取り付けた電池パックの取り出し
用正極端子と取り出し用負極端子である。６９はプリン
ト基板６４の第１の実装面上にＳｎＡｇ系またはＳｎＣ
ｕ系のＰｂフリーはんだによって実装された外形が約
４．５ｍｍ×３．２ｍｍ、厚みが約１ｍｍで、実装前の
抵抗値が１５ｍΩから２０ｍΩで、保護動作温度が１１
０℃から１２０℃の範囲にある面実装形ＰＴＣサーミス
タであり、角形素電池６１に近接するようにプリント基
板６４の端部近傍に配置されている。７０は面実装形Ｐ
ＴＣサーミスタ６９と角形素電池６１の負極端子６３と
同一面とに接着した硬化温度１００℃のエポキシ樹脂で
あり、実施の形態１の構成と異なるところは、エポキシ
樹脂７０を設けた点である。７１は負極端子６３とプリ
ント基板６４を接続する負極側の接続リードである。７
２はプリント基板６４を介して電池パックの取り出し用
正極端子６７と外周金属ケースを兼ねた正極端子６２を
電気的に接続する正極側の接続リードである。７３はプ
リント基板６４と保護用ＩＣ６５とＦＥＴユニット６６
と面実装形ＰＴＣサーミスタ６９によって構成された保
護回路ユニットである。
【００９８】以上のように構成された電池パックについ
て、以下にその製造方法を説明する。
て、以下にその製造方法を説明する。
【００９９】まず、プリント基板６４の第２の実装面に
スクリーン印刷法を用いてクリームはんだを塗布する。
スクリーン印刷法を用いてクリームはんだを塗布する。
【０１００】次に、印刷形成したクリームはんだの上に
取り出し用正極端子６７と取り出し用負極端子６８を取
り付け、はんだ付けする。
取り出し用正極端子６７と取り出し用負極端子６８を取
り付け、はんだ付けする。
【０１０１】次に、プリント基板６４の第１の実装面に
スクリーン印刷法を用いてクリームはんだを塗布する。
スクリーン印刷法を用いてクリームはんだを塗布する。
【０１０２】次に、印刷形成したクリームはんだの上に
保護用ＩＣ６５とＦＥＴユニット６６と面実装形ＰＴＣ
サーミスタ６９を取り付ける。
保護用ＩＣ６５とＦＥＴユニット６６と面実装形ＰＴＣ
サーミスタ６９を取り付ける。
【０１０３】次に、リフローはんだ付け炉を用いてプリ
ント基板６４と、保護用ＩＣ６５や面実装形ＰＴＣサー
ミスタ６９などの取り付け部品をピーク温度２５０℃の
プロファイルではんだ付けする。
ント基板６４と、保護用ＩＣ６５や面実装形ＰＴＣサー
ミスタ６９などの取り付け部品をピーク温度２５０℃の
プロファイルではんだ付けする。
【０１０４】一方で、角形素電池６１の負極端子６３に
負極側の接続リード７１を電気溶接によって接続し、正
極端子６２に正極側の接続リード７２を電気溶接によっ
て接続する。
負極側の接続リード７１を電気溶接によって接続し、正
極端子６２に正極側の接続リード７２を電気溶接によっ
て接続する。
【０１０５】次に、アニール処理後のプリント基板６４
と、角形素電池６１に取り付けられた負極側の接続リー
ド７１と正極側の接続リード７２とをはんだ接続する。
と、角形素電池６１に取り付けられた負極側の接続リー
ド７１と正極側の接続リード７２とをはんだ接続する。
【０１０６】最後に、エポキシ樹脂７０を面実装形ＰＴ
Ｃサーミスタ６９と角形素電池６１の負極端子６３と同
一面とに塗布し、約１００℃の周囲温度環境で５時間放
置する熱処理によって硬化接着させる。はんだ付けによ
って抵抗値が４０ｍΩ程度に増加した面実装形ＰＴＣサ
ーミスタ６９をエポキシ樹脂の硬化温度を利用した上記
の熱処理工程を行うことにより抵抗値を２０ｍΩ以下に
復帰させて、電池パックを製造するものである。
Ｃサーミスタ６９と角形素電池６１の負極端子６３と同
一面とに塗布し、約１００℃の周囲温度環境で５時間放
置する熱処理によって硬化接着させる。はんだ付けによ
って抵抗値が４０ｍΩ程度に増加した面実装形ＰＴＣサ
ーミスタ６９をエポキシ樹脂の硬化温度を利用した上記
の熱処理工程を行うことにより抵抗値を２０ｍΩ以下に
復帰させて、電池パックを製造するものである。
【０１０７】以上のように構成、製造された電池パック
について、以下にその動作を説明する。
について、以下にその動作を説明する。
【０１０８】まず、プリント基板６４と保護用ＩＣ６５
とＦＥＴユニット６６と面実装形ＰＴＣサーミスタ６９
によって構成された保護回路ユニット７３が、角形素電
池６１の過充電や過放電を保護する制御動作と、負荷の
短絡や保護回路自身の短絡などによって起る過電流から
の保護動作を行う。
とＦＥＴユニット６６と面実装形ＰＴＣサーミスタ６９
によって構成された保護回路ユニット７３が、角形素電
池６１の過充電や過放電を保護する制御動作と、負荷の
短絡や保護回路自身の短絡などによって起る過電流から
の保護動作を行う。
【０１０９】以上のように本実施の形態２においては、
実施の形態１の効果に加えて、面実装形ＰＴＣサーミス
タ６９と角形素電池６１を熱伝導部材であるエポキシ樹
脂７０によって接合することにより、面実装形ＰＴＣサ
ーミスタ６９に効率よく熱伝達することができる。さら
に、エポキシ樹脂を硬化させる工程と面実装形ＰＴＣサ
ーミスタ６９の抵抗値を復帰させる熱処理工程を同時に
行うことができる。
実施の形態１の効果に加えて、面実装形ＰＴＣサーミス
タ６９と角形素電池６１を熱伝導部材であるエポキシ樹
脂７０によって接合することにより、面実装形ＰＴＣサ
ーミスタ６９に効率よく熱伝達することができる。さら
に、エポキシ樹脂を硬化させる工程と面実装形ＰＴＣサ
ーミスタ６９の抵抗値を復帰させる熱処理工程を同時に
行うことができる。
【０１１０】なお、本実施の形態２において、エポキシ
樹脂を熱伝導部材として用いたが、フェノール樹脂、シ
リコーン樹脂などの接着性のある高分子化合物を用いて
も同様の効果を得ることができる。
樹脂を熱伝導部材として用いたが、フェノール樹脂、シ
リコーン樹脂などの接着性のある高分子化合物を用いて
も同様の効果を得ることができる。
【０１１１】なお、本実施の形態２において、エポキシ
樹脂を熱伝導部材として用いたが、アルミ板、ＳＵＳ板
などの金属を中間材としてエポキシ樹脂により角形素電
池と面実装形ＰＴＣサーミスタを接着することでより効
率よく熱伝達することができる。
樹脂を熱伝導部材として用いたが、アルミ板、ＳＵＳ板
などの金属を中間材としてエポキシ樹脂により角形素電
池と面実装形ＰＴＣサーミスタを接着することでより効
率よく熱伝達することができる。
【０１１２】なお、本実施の形態２において、熱処理工
程は、エポキシ樹脂の硬化工程と兼用したが、面実装形
ＰＴＣサーミスタをプリント基板にはんだ付けした以降
の工程で単独にアニール処理工程を行ってもよい。
程は、エポキシ樹脂の硬化工程と兼用したが、面実装形
ＰＴＣサーミスタをプリント基板にはんだ付けした以降
の工程で単独にアニール処理工程を行ってもよい。
【０１１３】なお、本実施の形態２において、プリント
基板への実装用はんだをＳｎＡｇ系またはＳｎＣｕ系の
Ｐｂフリー系はんだとしたが、その他のＰｂフリー系は
んだや従来のＳｎＰｂ系はんだを用いてもよい。
基板への実装用はんだをＳｎＡｇ系またはＳｎＣｕ系の
Ｐｂフリー系はんだとしたが、その他のＰｂフリー系は
んだや従来のＳｎＰｂ系はんだを用いてもよい。
【０１１４】（実施の形態３）以下、本発明の実施の形
態３における電池パックおよびその製造方法について、
図面を参照しながら説明する。
態３における電池パックおよびその製造方法について、
図面を参照しながら説明する。
【０１１５】図３は本発明の実施の形態３における電池
パックの斜視図である。
パックの斜視図である。
【０１１６】図３において、８１は角形素電池である。
８２は角形素電池８１の正極端子であり、外周金属ケー
スを兼ねているものである。８３は角形素電池８１の負
極端子であり、角形素電池８１の１面にのみ設けられた
ものである。８４は保護回路を構成するためのベースと
なるプリント基板であり、プリント基板８４の厚み方向
の面が負極端子８３のある角形素電池８１の面に近接し
ている。８５はプリント基板８４の第１の実装面上にＳ
ｎＡｇ系またはＳｎＣｕ系のＰｂフリーはんだによって
実装された保護用ＩＣである。８６はプリント基板８４
の第１の実装面上にＳｎＡｇ系またはＳｎＣｕ系のＰｂ
フリーはんだによって実装されたＦＥＴユニットであ
り、基本的には２個のＦＥＴで構成されている。８７と
８８はプリント基板８４の保護用ＩＣ８５の実装面と反
対面の第２の実装面上に取り付けた電池パックの取り出
し用正極端子と取り出し用負極端子である。８９はプリ
ント基板８４の第１の実装面上にＳｎＡｇ系またはＳｎ
Ｃｕ系のＰｂフリーはんだによって実装された外形が約
４．５ｍｍ×３．２ｍｍ、厚みが約１ｍｍで、実装前の
抵抗値が１５ｍΩから２０ｍΩで、保護動作温度が１１
０℃から１２０℃の範囲にある面実装形ＰＴＣサーミス
タであり、角形素電池８１に近接するようにプリント基
板８４の端部近傍に配置されている。９０は負極端子８
３とプリント基板８４を接続する負極側の接続リードで
ある。９１はプリント基板８４を介して電池パックの取
り出し用正極端子８７と外周金属ケースを兼ねた正極端
子８２を電気的に接続する正極側の接続リードである。
９２は面実装形ＰＴＣサーミスタ８９の側面電極端子９
３と負極側の接続リード９０を電気的に接続した融点が
３００℃以下、望ましくは２６０℃以下、より望ましく
は２４０℃以下のＳｎＡｇ系またはＳｎＣｕ系のＰｂフ
リーはんだ部材であり、実施の形態１の構成と異なると
ころは、はんだ部材９２を設けた点である。９４はプリ
ント基板８４と保護用ＩＣ８５とＦＥＴユニット８６と
面実装形ＰＴＣサーミスタ８９によって構成された保護
回路ユニットである。
８２は角形素電池８１の正極端子であり、外周金属ケー
スを兼ねているものである。８３は角形素電池８１の負
極端子であり、角形素電池８１の１面にのみ設けられた
ものである。８４は保護回路を構成するためのベースと
なるプリント基板であり、プリント基板８４の厚み方向
の面が負極端子８３のある角形素電池８１の面に近接し
ている。８５はプリント基板８４の第１の実装面上にＳ
ｎＡｇ系またはＳｎＣｕ系のＰｂフリーはんだによって
実装された保護用ＩＣである。８６はプリント基板８４
の第１の実装面上にＳｎＡｇ系またはＳｎＣｕ系のＰｂ
フリーはんだによって実装されたＦＥＴユニットであ
り、基本的には２個のＦＥＴで構成されている。８７と
８８はプリント基板８４の保護用ＩＣ８５の実装面と反
対面の第２の実装面上に取り付けた電池パックの取り出
し用正極端子と取り出し用負極端子である。８９はプリ
ント基板８４の第１の実装面上にＳｎＡｇ系またはＳｎ
Ｃｕ系のＰｂフリーはんだによって実装された外形が約
４．５ｍｍ×３．２ｍｍ、厚みが約１ｍｍで、実装前の
抵抗値が１５ｍΩから２０ｍΩで、保護動作温度が１１
０℃から１２０℃の範囲にある面実装形ＰＴＣサーミス
タであり、角形素電池８１に近接するようにプリント基
板８４の端部近傍に配置されている。９０は負極端子８
３とプリント基板８４を接続する負極側の接続リードで
ある。９１はプリント基板８４を介して電池パックの取
り出し用正極端子８７と外周金属ケースを兼ねた正極端
子８２を電気的に接続する正極側の接続リードである。
９２は面実装形ＰＴＣサーミスタ８９の側面電極端子９
３と負極側の接続リード９０を電気的に接続した融点が
３００℃以下、望ましくは２６０℃以下、より望ましく
は２４０℃以下のＳｎＡｇ系またはＳｎＣｕ系のＰｂフ
リーはんだ部材であり、実施の形態１の構成と異なると
ころは、はんだ部材９２を設けた点である。９４はプリ
ント基板８４と保護用ＩＣ８５とＦＥＴユニット８６と
面実装形ＰＴＣサーミスタ８９によって構成された保護
回路ユニットである。
【０１１７】以上のように構成された電池パックについ
て、以下にその製造方法を説明する。
て、以下にその製造方法を説明する。
【０１１８】まず、プリント基板８４の第２の実装面に
スクリーン印刷法を用いてクリームはんだを塗布する。
スクリーン印刷法を用いてクリームはんだを塗布する。
【０１１９】次に、印刷形成したクリームはんだの上に
取り出し用正極端子８７と取り出し用負極端子８８を取
り付け、はんだ付けする。
取り出し用正極端子８７と取り出し用負極端子８８を取
り付け、はんだ付けする。
【０１２０】次に、プリント基板８４の第１の実装面に
スクリーン印刷法を用いてクリームはんだを塗布する。
スクリーン印刷法を用いてクリームはんだを塗布する。
【０１２１】次に、印刷形成したクリームはんだの上に
保護用ＩＣ８５とＦＥＴユニット８６と面実装形ＰＴＣ
サーミスタ８９を取り付ける。
保護用ＩＣ８５とＦＥＴユニット８６と面実装形ＰＴＣ
サーミスタ８９を取り付ける。
【０１２２】次に、リフローはんだ付け炉を用いてプリ
ント基板８４と、保護用ＩＣ８５や面実装形ＰＴＣサー
ミスタ８９などの取り付け部品をピーク温度２５０℃の
プロファイルではんだ付けする。
ント基板８４と、保護用ＩＣ８５や面実装形ＰＴＣサー
ミスタ８９などの取り付け部品をピーク温度２５０℃の
プロファイルではんだ付けする。
【０１２３】次に、プリント基板８４に正極側の接続リ
ード９１をはんだ接続する。
ード９１をはんだ接続する。
【０１２４】次に、プリント基板８４と面実装形ＰＴＣ
サーミスタ８９の側面電極端子９３に負極側の接続リー
ド９０をはんだ部材９２によって接続する。
サーミスタ８９の側面電極端子９３に負極側の接続リー
ド９０をはんだ部材９２によって接続する。
【０１２５】次に、角形素電池８１の負極端子８３に負
極側の接続リード９０を電気溶接によって接続し、正極
端子８２に正極側の接続リード９１を電気溶接によって
接続する。
極側の接続リード９０を電気溶接によって接続し、正極
端子８２に正極側の接続リード９１を電気溶接によって
接続する。
【０１２６】最後に、プリント基板８４へのはんだ付け
やはんだ部材９２との接続によって抵抗値が４０ｍΩか
ら５０ｍΩ程度に増加した面実装形ＰＴＣサーミスタ８
９を８０℃の周囲温度環境に約３０分間放置し、その後
数分以内に２５℃の周囲温度環境に切り替えて約３０分
間放置する温度サイクルを５回繰り返し、望ましくは１
０回繰り返すことで抵抗値を２０ｍΩ以下に復帰させる
アニール処理を行うことにより、電池パックを製造する
ものである。
やはんだ部材９２との接続によって抵抗値が４０ｍΩか
ら５０ｍΩ程度に増加した面実装形ＰＴＣサーミスタ８
９を８０℃の周囲温度環境に約３０分間放置し、その後
数分以内に２５℃の周囲温度環境に切り替えて約３０分
間放置する温度サイクルを５回繰り返し、望ましくは１
０回繰り返すことで抵抗値を２０ｍΩ以下に復帰させる
アニール処理を行うことにより、電池パックを製造する
ものである。
【０１２７】以上のように構成、製造された電池パック
について、以下にその動作を説明する。
について、以下にその動作を説明する。
【０１２８】まず、プリント基板８４と保護用ＩＣ８５
とＦＥＴユニット８６と面実装形ＰＴＣサーミスタ８９
によって構成された保護回路ユニット９４が、角形素電
池８１の過充電や過放電を保護する制御動作と、負荷の
短絡や保護回路自身の短絡などによって起る過電流から
の保護動作を行う。
とＦＥＴユニット８６と面実装形ＰＴＣサーミスタ８９
によって構成された保護回路ユニット９４が、角形素電
池８１の過充電や過放電を保護する制御動作と、負荷の
短絡や保護回路自身の短絡などによって起る過電流から
の保護動作を行う。
【０１２９】以上のように本実施の形態３においては、
実施の形態１の効果に加えて融点が３００℃以下のはん
だ部材９２を用いて面実装形ＰＴＣサーミスタ８９の側
面電極端子９３と負極側の接続リード９０を電気的な接
続したことにより、角形素電池８１の発熱をはんだ部材
９２を介して面実装形ＰＴＣサーミスタ８９に伝達で
き、はんだ部材９２の接続によって抵抗値が増加した面
実装形ＰＴＣサーミスタ８９をアニール処理によって、
抵抗値を復帰させることができる。
実施の形態１の効果に加えて融点が３００℃以下のはん
だ部材９２を用いて面実装形ＰＴＣサーミスタ８９の側
面電極端子９３と負極側の接続リード９０を電気的な接
続したことにより、角形素電池８１の発熱をはんだ部材
９２を介して面実装形ＰＴＣサーミスタ８９に伝達で
き、はんだ部材９２の接続によって抵抗値が増加した面
実装形ＰＴＣサーミスタ８９をアニール処理によって、
抵抗値を復帰させることができる。
【０１３０】なお、本実施の形態３において、はんだ部
材はＳｎＡｇ系またはＳｎＣｕ系のＰｂフリーはんだと
したが、Ｓｎ、Ｂｉ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ａｕな
どから選択されたＰｂフリー系のはんだ部材や、ＳｎＰ
ｂ系はんだを用いても同様の効果が得られる。
材はＳｎＡｇ系またはＳｎＣｕ系のＰｂフリーはんだと
したが、Ｓｎ、Ｂｉ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ａｕな
どから選択されたＰｂフリー系のはんだ部材や、ＳｎＰ
ｂ系はんだを用いても同様の効果が得られる。
【０１３１】（実施の形態４）以下、本発明の実施の形
態４における電池パックおよびその製造方法について、
図面を参照しながら説明する。
態４における電池パックおよびその製造方法について、
図面を参照しながら説明する。
【０１３２】図４は本発明の実施の形態４における電池
パックの斜視図である。図５は図４の電池パックの展開
図である。
パックの斜視図である。図５は図４の電池パックの展開
図である。
【０１３３】図４、図５において、１０１は角形素電池
である。１０２は角形素電池１０１の正極端子であり、
外周金属ケースを兼ねているものである。１０３は角形
素電池１０１の負極端子であり、角形素電池１０１の１
面にのみ設けられたものである。１０４は保護回路を構
成するためのベースとなるプリント基板であり、プリン
ト基板１０４の第１の実装面が負極端子１０３のある角
形素電池１０１の面に対向している。１０５はプリント
基板１０４の第１の実装面上にＳｎＡｇ系またはＳｎＣ
ｕ系のＰｂフリーはんだによって実装された保護用ＩＣ
である。１０６はプリント基板１０４の第１の実装面上
にＳｎＡｇ系またはＳｎＣｕ系のＰｂフリーはんだによ
って実装されたＦＥＴユニットであり、基本的には２個
のＦＥＴで構成されている。１０７と１０８はプリント
基板１０４の保護用ＩＣ１０５の実装面と反対側の第２
の実装面に取り付けた電池パックの取り出し用正極端子
と取り出し用負極端子であり、プリント基板１０４から
はみ出して折り曲げられた部分の先端部が、角形素電池
１０１の正極端子１０２の上面に絶縁シート１０９を介
して近接している。１１０はプリント基板１０４の第１
の実装面上にＳｎＡｇ系またはＳｎＣｕ系のＰｂフリー
はんだによって実装された外形が約４．５ｍｍ×３．２
ｍｍ、厚みが約１ｍｍで、実装前の抵抗値が１５ｍΩか
ら２０ｍΩで、保護動作温度が１１０℃から１２０℃の
範囲にある面実装形ＰＴＣサーミスタであり、面実装形
ＰＴＣサーミスタ１１０の実装面と反対の上面が、負極
端子１０３のある角形素電池１０１の面に対向して近接
している。１１１は負極端子１０３とプリント基板１０
４を接続する負極側の接続リードである。１１２はプリ
ント基板１０４を介して電池パックの取り出し用正極端
子１０７と外周金属ケースを兼ねた正極端子１０２を電
気的に接続する正極側の接続リードである。１１３はプ
リント基板１０４と保護用ＩＣ１０５とＦＥＴユニット
１０６と面実装形ＰＴＣサーミスタ１１０によって構成
された保護回路ユニットである。
である。１０２は角形素電池１０１の正極端子であり、
外周金属ケースを兼ねているものである。１０３は角形
素電池１０１の負極端子であり、角形素電池１０１の１
面にのみ設けられたものである。１０４は保護回路を構
成するためのベースとなるプリント基板であり、プリン
ト基板１０４の第１の実装面が負極端子１０３のある角
形素電池１０１の面に対向している。１０５はプリント
基板１０４の第１の実装面上にＳｎＡｇ系またはＳｎＣ
ｕ系のＰｂフリーはんだによって実装された保護用ＩＣ
である。１０６はプリント基板１０４の第１の実装面上
にＳｎＡｇ系またはＳｎＣｕ系のＰｂフリーはんだによ
って実装されたＦＥＴユニットであり、基本的には２個
のＦＥＴで構成されている。１０７と１０８はプリント
基板１０４の保護用ＩＣ１０５の実装面と反対側の第２
の実装面に取り付けた電池パックの取り出し用正極端子
と取り出し用負極端子であり、プリント基板１０４から
はみ出して折り曲げられた部分の先端部が、角形素電池
１０１の正極端子１０２の上面に絶縁シート１０９を介
して近接している。１１０はプリント基板１０４の第１
の実装面上にＳｎＡｇ系またはＳｎＣｕ系のＰｂフリー
はんだによって実装された外形が約４．５ｍｍ×３．２
ｍｍ、厚みが約１ｍｍで、実装前の抵抗値が１５ｍΩか
ら２０ｍΩで、保護動作温度が１１０℃から１２０℃の
範囲にある面実装形ＰＴＣサーミスタであり、面実装形
ＰＴＣサーミスタ１１０の実装面と反対の上面が、負極
端子１０３のある角形素電池１０１の面に対向して近接
している。１１１は負極端子１０３とプリント基板１０
４を接続する負極側の接続リードである。１１２はプリ
ント基板１０４を介して電池パックの取り出し用正極端
子１０７と外周金属ケースを兼ねた正極端子１０２を電
気的に接続する正極側の接続リードである。１１３はプ
リント基板１０４と保護用ＩＣ１０５とＦＥＴユニット
１０６と面実装形ＰＴＣサーミスタ１１０によって構成
された保護回路ユニットである。
【０１３４】以上のように構成された電池パックについ
て、以下にその製造方法を説明する。
て、以下にその製造方法を説明する。
【０１３５】まず、プリント基板１０４の第１の実装面
にスクリーン印刷法を用いてクリームはんだを塗布す
る。
にスクリーン印刷法を用いてクリームはんだを塗布す
る。
【０１３６】次に、印刷形成したクリームはんだの上に
保護用ＩＣ１０５とＦＥＴユニット１０６と面実装形Ｐ
ＴＣサーミスタ１１０を取り付ける。
保護用ＩＣ１０５とＦＥＴユニット１０６と面実装形Ｐ
ＴＣサーミスタ１１０を取り付ける。
【０１３７】次に、リフローはんだ付け炉を用いてプリ
ント基板１０４と、保護用ＩＣ１０５や面実装形ＰＴＣ
サーミスタ１１０などの取り付け部品をピーク温度２５
０℃のプロファイルではんだ付けする。
ント基板１０４と、保護用ＩＣ１０５や面実装形ＰＴＣ
サーミスタ１１０などの取り付け部品をピーク温度２５
０℃のプロファイルではんだ付けする。
【０１３８】一方で、角形素電池１０１の負極端子１０
３に負極側の接続リード１１１を電気溶接によって接続
し、正極端子１０２に正極側の接続リード１１２を電気
溶接によって接続する。
３に負極側の接続リード１１１を電気溶接によって接続
し、正極端子１０２に正極側の接続リード１１２を電気
溶接によって接続する。
【０１３９】次に、プリント基板１０４と、角形素電池
１０１に取り付けられた負極側の接続リード１１１と正
極側の接続リード１１２とをはんだ接続する。
１０１に取り付けられた負極側の接続リード１１１と正
極側の接続リード１１２とをはんだ接続する。
【０１４０】次に、負極側の接続リード１１１と正極側
の接続リード１１２を折り曲げてプリント基板１０４の
第１の実装面を角形素電池１０１の負極端子１０３のあ
る面に対向させる。
の接続リード１１２を折り曲げてプリント基板１０４の
第１の実装面を角形素電池１０１の負極端子１０３のあ
る面に対向させる。
【０１４１】次に、約９０度に折り曲げられた取り出し
用正極端子１０７と取り出し用負極端子１０８を各々が
角形素電池１０１に取り付けた絶縁シート１０９とプリ
ント基板１０４の第２の実装面に接するようにプリント
基板１０４の第２の実装面にはんだ接続する。
用正極端子１０７と取り出し用負極端子１０８を各々が
角形素電池１０１に取り付けた絶縁シート１０９とプリ
ント基板１０４の第２の実装面に接するようにプリント
基板１０４の第２の実装面にはんだ接続する。
【０１４２】最後に、プリント基板１０４とのはんだ付
けによって抵抗値が４０ｍΩ程度に増加した面実装形Ｐ
ＴＣサーミスタ１１０を実装したプリント基板１０４を
角形素電池１０１と共に、８０℃の周囲温度環境に約３
０分間放置し、その後数分以内に２５℃の周囲温度環境
に切り替えて約３０分間放置する温度サイクルを３回繰
り返し、望ましくは５回繰り返して、抵抗値を２０ｍΩ
以下に復帰させるアニール処理を行うことにより、電池
パックを製造する。
けによって抵抗値が４０ｍΩ程度に増加した面実装形Ｐ
ＴＣサーミスタ１１０を実装したプリント基板１０４を
角形素電池１０１と共に、８０℃の周囲温度環境に約３
０分間放置し、その後数分以内に２５℃の周囲温度環境
に切り替えて約３０分間放置する温度サイクルを３回繰
り返し、望ましくは５回繰り返して、抵抗値を２０ｍΩ
以下に復帰させるアニール処理を行うことにより、電池
パックを製造する。
【０１４３】以上のように構成、製造された電池パック
について、以下にその動作を説明する。
について、以下にその動作を説明する。
【０１４４】まず、プリント基板１０４と保護用ＩＣ１
０５とＦＥＴユニット１０６と面実装形ＰＴＣサーミス
タ１１０によって構成された保護回路ユニット１１３
が、角形素電池１０１の過充電や過放電を保護する制御
動作と、負荷の短絡や保護回路自身の短絡などによって
起る過電流からの保護動作を行う。
０５とＦＥＴユニット１０６と面実装形ＰＴＣサーミス
タ１１０によって構成された保護回路ユニット１１３
が、角形素電池１０１の過充電や過放電を保護する制御
動作と、負荷の短絡や保護回路自身の短絡などによって
起る過電流からの保護動作を行う。
【０１４５】以上のように本実施の形態４においては、
面実装形ＰＴＣサーミスタ１１０をプリント基板１０４
上に保護用ＩＣ１０５やＦＥＴユニット１０６と同じよ
うにリフローソルダリング法などのはんだ付けによって
実装することにより、面実装形ＰＴＣサーミスタ１１０
は、リード付きＰＴＣサーミスタのようにリード端子の
曲げ加工や電気溶接によって角形素電池１０１の負極端
子１０３やプリント基板１０４と接続して回路を構成す
る必要がなく、曲げ加工ストレスおよび電気溶接による
高温の熱ストレスなどに起因する抵抗値変動をなくすこ
とが可能である。
面実装形ＰＴＣサーミスタ１１０をプリント基板１０４
上に保護用ＩＣ１０５やＦＥＴユニット１０６と同じよ
うにリフローソルダリング法などのはんだ付けによって
実装することにより、面実装形ＰＴＣサーミスタ１１０
は、リード付きＰＴＣサーミスタのようにリード端子の
曲げ加工や電気溶接によって角形素電池１０１の負極端
子１０３やプリント基板１０４と接続して回路を構成す
る必要がなく、曲げ加工ストレスおよび電気溶接による
高温の熱ストレスなどに起因する抵抗値変動をなくすこ
とが可能である。
【０１４６】また、本実施の形態４では、プリント基板
１０４に面実装形ＰＴＣサーミスタ１０１をはんだ付け
する工程と、角形素電池１０１の正極端子１０２と負極
端子１０３にそれぞれ正極側の接続リード１１２と負極
側の接続リード１１１を電気溶接する工程と、正極側の
接続リード１１２と負極側の接続リード１１１をプリン
ト基板１０４にはんだ接続する工程と、面実装形ＰＴＣ
サーミスタ１１０をはんだ付け後のプリント基板１０４
と角形素電池１０１を同時アニール処理する工程からな
るものとしたことにより、ＳｎＡｇ系やＳｎＣｕ系など
の融点が２００℃以上のＰｂフリーはんだを用いて、プ
リント基板１０４にはんだ付けした結果、抵抗値が４０
ｍΩまで２倍程度に増加した面実装形ＰＴＣサーミスタ
１１０は、アニール効果によって、抵抗値を２０ｍΩ以
下に短時間で小さくすることが可能である。
１０４に面実装形ＰＴＣサーミスタ１０１をはんだ付け
する工程と、角形素電池１０１の正極端子１０２と負極
端子１０３にそれぞれ正極側の接続リード１１２と負極
側の接続リード１１１を電気溶接する工程と、正極側の
接続リード１１２と負極側の接続リード１１１をプリン
ト基板１０４にはんだ接続する工程と、面実装形ＰＴＣ
サーミスタ１１０をはんだ付け後のプリント基板１０４
と角形素電池１０１を同時アニール処理する工程からな
るものとしたことにより、ＳｎＡｇ系やＳｎＣｕ系など
の融点が２００℃以上のＰｂフリーはんだを用いて、プ
リント基板１０４にはんだ付けした結果、抵抗値が４０
ｍΩまで２倍程度に増加した面実装形ＰＴＣサーミスタ
１１０は、アニール効果によって、抵抗値を２０ｍΩ以
下に短時間で小さくすることが可能である。
【０１４７】また、本実施の形態４では、プリント基板
１０４の実装面を、角形素電池１０１の負極端子１０３
の面に対向させ、面実装形ＰＴＣサーミスタ１１０の実
装面と反対の上面が、負極端子１０３のある角形素電池
１０１の面に対向して近接していることにより、特に、
面実装形ＰＴＣサーミスタ１１０の主要面が角形素電池
１０１と近接し、互いに熱結合状態となることで角形素
電池１０１からの直接的な熱伝達によって、より早く保
護動作状態に移行することができる。
１０４の実装面を、角形素電池１０１の負極端子１０３
の面に対向させ、面実装形ＰＴＣサーミスタ１１０の実
装面と反対の上面が、負極端子１０３のある角形素電池
１０１の面に対向して近接していることにより、特に、
面実装形ＰＴＣサーミスタ１１０の主要面が角形素電池
１０１と近接し、互いに熱結合状態となることで角形素
電池１０１からの直接的な熱伝達によって、より早く保
護動作状態に移行することができる。
【０１４８】また、本実施の形態４では、プリント基板
１０４の実装面を、角形素電池１０１の負極端子１０３
の面に対向させ、面実装形ＰＴＣサーミスタ１１０が実
装されたプリント基板１０４の実装面と反対側の実装面
に電池パックの取り出し用正極端子１０７と取り出し用
負極端子１０８を取り付けたことにより、プリント基板
１０４は対向する角形素電池１０１に支えられることと
なり、取り出し用正極端子１０７と取り出し用負極端子
１０８が安定して固定でき、外部電子機器の電極端子と
確実に接続できる。
１０４の実装面を、角形素電池１０１の負極端子１０３
の面に対向させ、面実装形ＰＴＣサーミスタ１１０が実
装されたプリント基板１０４の実装面と反対側の実装面
に電池パックの取り出し用正極端子１０７と取り出し用
負極端子１０８を取り付けたことにより、プリント基板
１０４は対向する角形素電池１０１に支えられることと
なり、取り出し用正極端子１０７と取り出し用負極端子
１０８が安定して固定でき、外部電子機器の電極端子と
確実に接続できる。
【０１４９】また、本実施の形態４では、取り出し用正
極端子１０７と取り出し用負極端子１０８のプリント基
板１０４からはみ出して折り曲げられた部分の先端部が
角形素電池１０１の正極端子１０２の上面に絶縁シート
１０９を介して近接していることにより、取り出し用正
極端子１０７と取り出し用負極端子１０８はプリント基
板１０４を仲介せずに角形素電池１０１の上面に支えら
れることとなり強固に固定でき、この面で外部電子機器
の電極端子と接続すれば、機械的ストレスからプリント
基板１０４を守ることができる。
極端子１０７と取り出し用負極端子１０８のプリント基
板１０４からはみ出して折り曲げられた部分の先端部が
角形素電池１０１の正極端子１０２の上面に絶縁シート
１０９を介して近接していることにより、取り出し用正
極端子１０７と取り出し用負極端子１０８はプリント基
板１０４を仲介せずに角形素電池１０１の上面に支えら
れることとなり強固に固定でき、この面で外部電子機器
の電極端子と接続すれば、機械的ストレスからプリント
基板１０４を守ることができる。
【０１５０】なお、本実施の形態４において、保護用Ｉ
ＣとＦＥＴユニットは、面実装形ＰＴＣサーミスタと同
じプリント基板の実装面に配置したが、取り出し用正極
端子や取り出し用負極端子を取り付けた面実装形ＰＴＣ
サーミスタと反対側のプリント基板の実装面に配置して
もよい。
ＣとＦＥＴユニットは、面実装形ＰＴＣサーミスタと同
じプリント基板の実装面に配置したが、取り出し用正極
端子や取り出し用負極端子を取り付けた面実装形ＰＴＣ
サーミスタと反対側のプリント基板の実装面に配置して
もよい。
【０１５１】なお、本実施の形態４において、アニール
処理温度は相対的に高い温度を８０℃、相対的に低い温
度を２５℃とし、放置時間を約３０分間としたが、面実
装形ＰＴＣサーミスタの動作温度１１０℃以下で−４０
℃以上であれば任意の温度を選択してもよいし、製造工
程での支障がなければ、放置時間も１２時間程度まで延
長してもよい。また、６０℃から１１０℃の温度範囲で
一定温度に数時間以上の長時間放置しておいてもはんだ
付けにより増加した抵抗値の低減が可能である。
処理温度は相対的に高い温度を８０℃、相対的に低い温
度を２５℃とし、放置時間を約３０分間としたが、面実
装形ＰＴＣサーミスタの動作温度１１０℃以下で−４０
℃以上であれば任意の温度を選択してもよいし、製造工
程での支障がなければ、放置時間も１２時間程度まで延
長してもよい。また、６０℃から１１０℃の温度範囲で
一定温度に数時間以上の長時間放置しておいてもはんだ
付けにより増加した抵抗値の低減が可能である。
【０１５２】なお、本実施の形態４において、プリント
基板への実装用はんだをＳｎＡｇ系やＳｎＣｕ系のＰｂ
フリー系はんだとしたが、その他のＰｂフリー系はんだ
や従来のＳｎＰｂ系はんだを用いてもよい。また、図４
の様に、面実装形ＰＴＣサーミスタ１１０と角形素電池
１０１を対向させることで、面実装形ＰＴＣサーミスタ
１１０は、角形素電池１０１の放射熱を受けるので、よ
り角形素電池１０１と熱結合をさせることができる。
基板への実装用はんだをＳｎＡｇ系やＳｎＣｕ系のＰｂ
フリー系はんだとしたが、その他のＰｂフリー系はんだ
や従来のＳｎＰｂ系はんだを用いてもよい。また、図４
の様に、面実装形ＰＴＣサーミスタ１１０と角形素電池
１０１を対向させることで、面実装形ＰＴＣサーミスタ
１１０は、角形素電池１０１の放射熱を受けるので、よ
り角形素電池１０１と熱結合をさせることができる。
【０１５３】（実施の形態５）以下、本発明の実施の形
態５における電池パックおよびその製造方法について、
図面を参照しながら説明する。
態５における電池パックおよびその製造方法について、
図面を参照しながら説明する。
【０１５４】図６は本発明の実施の形態５における電池
パックの斜視図である。
パックの斜視図である。
【０１５５】図６において、１２１は角形素電池であ
る。１２２は角形素電池１２１の正極端子であり、外周
金属ケースを兼ねているものである。１２３は角形素電
池１２１の負極端子であり、角形素電池１２１の１面に
のみ設けられたものである。１２４は保護回路を構成す
るためのベースとなるプリント基板であり、プリント基
板１２４の厚み方向の面が負極端子１２３のある角形素
電池１２１の面に近接している。１２５はプリント基板
１２４の第１の実装面上にＳｎＡｇ系またはＳｎＣｕ系
のＰｂフリーはんだによって実装された保護用ＩＣであ
る。１２６はプリント基板１２４の第１の実装面上にＳ
ｎＡｇ系またはＳｎＣｕ系のＰｂフリーはんだによって
実装されたＦＥＴユニットであり、基本的には２個のＦ
ＥＴで構成されている。１２７と１２８はプリント基板
１２４の保護用ＩＣ１２５の実装面と反対側の第２の実
装面に取り付けた電池パックの取り出し用正極端子と取
り出し用負極端子である。１２９はプリント基板１２４
の第１の実装面上にＳｎＡｇ系またはＳｎＣｕ系のＰｂ
フリーはんだによって実装された面実装形ＰＴＣサーミ
スタであり、保護用ＩＣ１２５を挟んでＦＥＴユニット
１２６と間隔を取り、角形素電池１２１と近接するプリ
ント基板１０４の端部と反対側の端部近傍に配置されて
いる。さらに、面実装形ＰＴＣサーミスタ１２９はプリ
ント基板１２４を介して取り出し用正極端子１２７と電
気的に接続している。１３０は負極端子１２３とプリン
ト基板１２４を接続する負極側の接続リードである。１
３１はプリント基板１２４を介して面実装形ＰＴＣサー
ミスタ１２９と外周金属ケースを兼ねた正極端子１２２
を電気的に接続する正極側の接続リードである。１３２
はプリント基板１２４と保護用ＩＣ１２５とＦＥＴユニ
ット１２６と面実装形ＰＴＣサーミスタ１２９によって
構成された保護回路ユニットである。
る。１２２は角形素電池１２１の正極端子であり、外周
金属ケースを兼ねているものである。１２３は角形素電
池１２１の負極端子であり、角形素電池１２１の１面に
のみ設けられたものである。１２４は保護回路を構成す
るためのベースとなるプリント基板であり、プリント基
板１２４の厚み方向の面が負極端子１２３のある角形素
電池１２１の面に近接している。１２５はプリント基板
１２４の第１の実装面上にＳｎＡｇ系またはＳｎＣｕ系
のＰｂフリーはんだによって実装された保護用ＩＣであ
る。１２６はプリント基板１２４の第１の実装面上にＳ
ｎＡｇ系またはＳｎＣｕ系のＰｂフリーはんだによって
実装されたＦＥＴユニットであり、基本的には２個のＦ
ＥＴで構成されている。１２７と１２８はプリント基板
１２４の保護用ＩＣ１２５の実装面と反対側の第２の実
装面に取り付けた電池パックの取り出し用正極端子と取
り出し用負極端子である。１２９はプリント基板１２４
の第１の実装面上にＳｎＡｇ系またはＳｎＣｕ系のＰｂ
フリーはんだによって実装された面実装形ＰＴＣサーミ
スタであり、保護用ＩＣ１２５を挟んでＦＥＴユニット
１２６と間隔を取り、角形素電池１２１と近接するプリ
ント基板１０４の端部と反対側の端部近傍に配置されて
いる。さらに、面実装形ＰＴＣサーミスタ１２９はプリ
ント基板１２４を介して取り出し用正極端子１２７と電
気的に接続している。１３０は負極端子１２３とプリン
ト基板１２４を接続する負極側の接続リードである。１
３１はプリント基板１２４を介して面実装形ＰＴＣサー
ミスタ１２９と外周金属ケースを兼ねた正極端子１２２
を電気的に接続する正極側の接続リードである。１３２
はプリント基板１２４と保護用ＩＣ１２５とＦＥＴユニ
ット１２６と面実装形ＰＴＣサーミスタ１２９によって
構成された保護回路ユニットである。
【０１５６】以上のように構成された電池パックについ
て、以下にその製造方法を説明する。
て、以下にその製造方法を説明する。
【０１５７】まず、プリント基板１２４の第２の実装面
にスクリーン印刷法を用いてクリームはんだを塗布す
る。
にスクリーン印刷法を用いてクリームはんだを塗布す
る。
【０１５８】次に、印刷形成したクリームはんだの上に
取り出し用正極端子１２７と取り出し用負極端子１２８
を取り付け、はんだ付けする。
取り出し用正極端子１２７と取り出し用負極端子１２８
を取り付け、はんだ付けする。
【０１５９】次に、プリント基板１２４の第１の実装面
にスクリーン印刷法を用いてクリームはんだを塗布す
る。
にスクリーン印刷法を用いてクリームはんだを塗布す
る。
【０１６０】次に、印刷形成したクリームはんだの上に
保護用ＩＣ１２５とＦＥＴユニット１２６と面実装形Ｐ
ＴＣサーミスタ１２９を取り付ける。
保護用ＩＣ１２５とＦＥＴユニット１２６と面実装形Ｐ
ＴＣサーミスタ１２９を取り付ける。
【０１６１】次に、リフローはんだ付け炉を用いてプリ
ント基板１２４と、保護用ＩＣ１２５や面実装形ＰＴＣ
サーミスタ１２９などの取り付け部品をピーク温度２５
０℃のプロファイルではんだ付けする。
ント基板１２４と、保護用ＩＣ１２５や面実装形ＰＴＣ
サーミスタ１２９などの取り付け部品をピーク温度２５
０℃のプロファイルではんだ付けする。
【０１６２】次に、はんだ付けによって抵抗値が４０ｍ
Ω程度に増加した面実装形ＰＴＣサーミスタ１２９を実
装したプリント基板１２４を８０℃の周囲温度環境に約
３０分間放置し、その後数分以内に２５℃の周囲温度環
境に切り替えて約３０分間放置する温度サイクルを３回
繰り返し、望ましくは５回繰り返して、抵抗値を２０ｍ
Ω以下に復帰させるアニール処理を行う。
Ω程度に増加した面実装形ＰＴＣサーミスタ１２９を実
装したプリント基板１２４を８０℃の周囲温度環境に約
３０分間放置し、その後数分以内に２５℃の周囲温度環
境に切り替えて約３０分間放置する温度サイクルを３回
繰り返し、望ましくは５回繰り返して、抵抗値を２０ｍ
Ω以下に復帰させるアニール処理を行う。
【０１６３】一方で、角形素電池１２１の負極端子１２
３に負極側の接続リード１３０を電気溶接によって接続
し、正極端子１２２に正極側の接続リード１３１を電気
溶接によって接続する。
３に負極側の接続リード１３０を電気溶接によって接続
し、正極端子１２２に正極側の接続リード１３１を電気
溶接によって接続する。
【０１６４】次に、アニール処理後のプリント基板１２
４と角形素電池１２１に取り付けられた負極側の接続リ
ード１３０をはんだ接続する。
４と角形素電池１２１に取り付けられた負極側の接続リ
ード１３０をはんだ接続する。
【０１６５】最後に、プリント基板１２４と正極側の接
続リード１３１をはんだ接続して、電池パックを製造す
るものである。
続リード１３１をはんだ接続して、電池パックを製造す
るものである。
【０１６６】以上のように構成、製造された電池パック
について、以下にその動作を説明する。
について、以下にその動作を説明する。
【０１６７】まず、プリント基板１２４と保護用ＩＣ１
２５とＦＥＴユニット１２６と面実装形ＰＴＣサーミス
タ１２９によって構成された保護回路ユニット１３２
が、角形素電池１２１の過充電や過放電を保護する制御
動作と、負荷の短絡や保護回路自身の短絡などによって
起る過電流からの保護動作を行う。
２５とＦＥＴユニット１２６と面実装形ＰＴＣサーミス
タ１２９によって構成された保護回路ユニット１３２
が、角形素電池１２１の過充電や過放電を保護する制御
動作と、負荷の短絡や保護回路自身の短絡などによって
起る過電流からの保護動作を行う。
【０１６８】以上のように本実施の形態５においては、
面実装形ＰＴＣサーミスタ１２９をプリント基板１２４
上に保護用ＩＣ１２５やＦＥＴユニット１２６と同じよ
うにリフローソルダリング法などのはんだ付けによって
実装することにより、面実装形ＰＴＣサーミスタ１２９
は、リード付きＰＴＣサーミスタのようにリード端子の
曲げ加工や電気溶接によって回路構成する必要がなく、
曲げ加工ストレスおよび電気溶接による高温の熱ストレ
スなどに起因する抵抗値変動をなくすことが可能であ
る。
面実装形ＰＴＣサーミスタ１２９をプリント基板１２４
上に保護用ＩＣ１２５やＦＥＴユニット１２６と同じよ
うにリフローソルダリング法などのはんだ付けによって
実装することにより、面実装形ＰＴＣサーミスタ１２９
は、リード付きＰＴＣサーミスタのようにリード端子の
曲げ加工や電気溶接によって回路構成する必要がなく、
曲げ加工ストレスおよび電気溶接による高温の熱ストレ
スなどに起因する抵抗値変動をなくすことが可能であ
る。
【０１６９】また、本実施の形態５では、プリント基板
１２４に面実装形ＰＴＣサーミスタ１２９をはんだ付け
する工程と、面実装形ＰＴＣサーミスタ１２９をはんだ
付け後のプリント基板１２４をアニール処理する工程
と、角形素電池１２１の正極端子１２２と負極端子１２
３にそれぞれ正極側の接続リード１３１と負極側の接続
リード１３０を電気溶接する工程と、正極側の接続リー
ド１３１と負極側の接続リード１３０をプリント基板４
４にはんだ接続する工程からなるものとしたことによ
り、ＳｎＡｇ系やＳｎＣｕ系などの融点が２００℃以上
のＰｂフリーはんだを用いて、プリント基板４４にはん
だ付けした結果、抵抗値が４０ｍΩまで２倍程度に増加
した面実装形ＰＴＣサーミスタ４９は、アニール効果に
よって、抵抗値を２０ｍΩ以下に短時間で小さくするこ
とが可能である。
１２４に面実装形ＰＴＣサーミスタ１２９をはんだ付け
する工程と、面実装形ＰＴＣサーミスタ１２９をはんだ
付け後のプリント基板１２４をアニール処理する工程
と、角形素電池１２１の正極端子１２２と負極端子１２
３にそれぞれ正極側の接続リード１３１と負極側の接続
リード１３０を電気溶接する工程と、正極側の接続リー
ド１３１と負極側の接続リード１３０をプリント基板４
４にはんだ接続する工程からなるものとしたことによ
り、ＳｎＡｇ系やＳｎＣｕ系などの融点が２００℃以上
のＰｂフリーはんだを用いて、プリント基板４４にはん
だ付けした結果、抵抗値が４０ｍΩまで２倍程度に増加
した面実装形ＰＴＣサーミスタ４９は、アニール効果に
よって、抵抗値を２０ｍΩ以下に短時間で小さくするこ
とが可能である。
【０１７０】また、本実施の形態５では、面実装形ＰＴ
Ｃサーミスタ１２９が角形素電池１２１の熱容量の大き
い外周金属ケースを兼ねた正極端子１２２と電気的に接
続し、角形素電池１２１と近接するプリント基板１０４
の端部と反対側の端部近傍に配置することにより、角形
素電池１２１の発熱に対して正極端子１２２は温度上昇
が遅く、面実装形ＰＴＣサーミスタ１２９と角形素電池
１２１との間隔によって角形素電池１２１からの熱影響
が小さくなり、面実装形ＰＴＣサーミスタ１２１は過電
流による自己発熱を主体として保護動作することができ
るので過電流による保護動作を優先する用途に適してい
る。尚、面実装形ＰＴＣサーミスタ１２９を角形素電池
１２１と対向しない側のプリント基板１０４の面に実装
することで、角形素電池１２１からの放射熱、または空
気の対流による熱の伝導を低減することができ、同様の
効果を奏する。また、面実装形ＰＴＣサーミスタ１２９
と角形素電池１２１との間に、両者を遮蔽する手段を設
けることにより、両者間の熱の伝達を減少させることも
できる。特に、電池パック全体の構成上、図４の様な構
成にせざるを得ない場合、ＰＴＣサーミスタ１２９と角
形素電池１２１の間に遮蔽手段を設けることは有用であ
る。
Ｃサーミスタ１２９が角形素電池１２１の熱容量の大き
い外周金属ケースを兼ねた正極端子１２２と電気的に接
続し、角形素電池１２１と近接するプリント基板１０４
の端部と反対側の端部近傍に配置することにより、角形
素電池１２１の発熱に対して正極端子１２２は温度上昇
が遅く、面実装形ＰＴＣサーミスタ１２９と角形素電池
１２１との間隔によって角形素電池１２１からの熱影響
が小さくなり、面実装形ＰＴＣサーミスタ１２１は過電
流による自己発熱を主体として保護動作することができ
るので過電流による保護動作を優先する用途に適してい
る。尚、面実装形ＰＴＣサーミスタ１２９を角形素電池
１２１と対向しない側のプリント基板１０４の面に実装
することで、角形素電池１２１からの放射熱、または空
気の対流による熱の伝導を低減することができ、同様の
効果を奏する。また、面実装形ＰＴＣサーミスタ１２９
と角形素電池１２１との間に、両者を遮蔽する手段を設
けることにより、両者間の熱の伝達を減少させることも
できる。特に、電池パック全体の構成上、図４の様な構
成にせざるを得ない場合、ＰＴＣサーミスタ１２９と角
形素電池１２１の間に遮蔽手段を設けることは有用であ
る。
【０１７１】また、本実施の形態５では、面実装形ＰＴ
Ｃサーミスタ１２９は保護用ＩＣ１２５を挟んでＦＥＴ
ユニット１２６と間隔を取り、ＦＥＴユニット１２６か
ら熱影響を受けない位置に配置することにより、面実装
形ＰＴＣサーミスタ１２９は角形素電池１２１とＦＥＴ
ユニット１２６の両方からの熱影響が小さくなり、過電
流による自己発熱を主体に保護動作ができるので過電流
による保護動作を優先する用途に適している。
Ｃサーミスタ１２９は保護用ＩＣ１２５を挟んでＦＥＴ
ユニット１２６と間隔を取り、ＦＥＴユニット１２６か
ら熱影響を受けない位置に配置することにより、面実装
形ＰＴＣサーミスタ１２９は角形素電池１２１とＦＥＴ
ユニット１２６の両方からの熱影響が小さくなり、過電
流による自己発熱を主体に保護動作ができるので過電流
による保護動作を優先する用途に適している。
【０１７２】なお、本実施の形態５において、面実装形
ＰＴＣサーミスタは、ＦＥＴユニットとプリント基板の
同一実装面に配置したが、熱的影響がより小さくなるよ
うに互いに反対側の実装面に配置してもよい。
ＰＴＣサーミスタは、ＦＥＴユニットとプリント基板の
同一実装面に配置したが、熱的影響がより小さくなるよ
うに互いに反対側の実装面に配置してもよい。
【０１７３】なお、本実施の形態５において、プリント
基板への実装用はんだをＳｎＡｇ系やＳｎＣｕ系のＰｂ
フリー系はんだとしたが、その他のＰｂフリー系はんだ
や従来のＳｎＰｂ系はんだを用いてもよい。
基板への実装用はんだをＳｎＡｇ系やＳｎＣｕ系のＰｂ
フリー系はんだとしたが、その他のＰｂフリー系はんだ
や従来のＳｎＰｂ系はんだを用いてもよい。
【０１７４】（実施の形態６）以下、本発明の実施の形
態６における電池パックについて、図面を参照しながら
説明する。
態６における電池パックについて、図面を参照しながら
説明する。
【０１７５】図７は本発明の実施の形態６における電池
パックの斜視図である。図８は図７の電池パックの回路
ブロック図である。
パックの斜視図である。図８は図７の電池パックの回路
ブロック図である。
【０１７６】図７および図８において、１４１は角形素
電池である。１４２は角形素電池１４１の正極端子であ
り、外周金属ケースを兼ねているものである。１４３は
角形素電池１４１の負極端子であり、角形素電池１４１
の１面にのみ設けられたものである。１４４は保護回路
を構成するためのベースとなるプリント基板であり、プ
リント基板１４４の厚み方向の面が負極端子１４３のあ
る角形素電池１４１の面に近接している。１４５はプリ
ント基板１４４の第１の実装面上にはんだ付けによって
実装された保護用ＩＣである。１４６はプリント基板１
４４の第１の実装面上にはんだ付けによって実装された
ＦＥＴユニットであり、基本的には２個のＦＥＴ１４７
とＦＥＴ１４８で構成されている。１４９と１５０はプ
リント基板１４４の保護用ＩＣ１４５の実装面と反対側
の第２の実装面に取り付けた電池パックの取り出し用正
極端子と取り出し用負極端子である。１５１はプリント
基板１４４の第１の実装面上にはんだ付けによって実装
された面実装形ＰＴＣサーミスタであり、ＦＥＴ１４７
と電気的に接続し、ＦＥＴユニット１４６と隣接実装可
能な０．１ｍｍ以上０．５ｍｍ以下の間隔を残して近接
して配置されている。１５２は負極端子１４３とプリン
ト基板１４４を接続する負極側の接続リードである。１
５３はプリント基板１４４を介して電池パック１４１の
取り出し用正極端子１４９と外周金属ケースを兼ねた正
極端子１４２を電気的に接続する正極側の接続リードで
ある。１５４はプリント基板１４４と保護用ＩＣ１４５
とＦＥＴユニット１４６と面実装形ＰＴＣサーミスタ１
５１によって構成された保護回路ユニットである。
電池である。１４２は角形素電池１４１の正極端子であ
り、外周金属ケースを兼ねているものである。１４３は
角形素電池１４１の負極端子であり、角形素電池１４１
の１面にのみ設けられたものである。１４４は保護回路
を構成するためのベースとなるプリント基板であり、プ
リント基板１４４の厚み方向の面が負極端子１４３のあ
る角形素電池１４１の面に近接している。１４５はプリ
ント基板１４４の第１の実装面上にはんだ付けによって
実装された保護用ＩＣである。１４６はプリント基板１
４４の第１の実装面上にはんだ付けによって実装された
ＦＥＴユニットであり、基本的には２個のＦＥＴ１４７
とＦＥＴ１４８で構成されている。１４９と１５０はプ
リント基板１４４の保護用ＩＣ１４５の実装面と反対側
の第２の実装面に取り付けた電池パックの取り出し用正
極端子と取り出し用負極端子である。１５１はプリント
基板１４４の第１の実装面上にはんだ付けによって実装
された面実装形ＰＴＣサーミスタであり、ＦＥＴ１４７
と電気的に接続し、ＦＥＴユニット１４６と隣接実装可
能な０．１ｍｍ以上０．５ｍｍ以下の間隔を残して近接
して配置されている。１５２は負極端子１４３とプリン
ト基板１４４を接続する負極側の接続リードである。１
５３はプリント基板１４４を介して電池パック１４１の
取り出し用正極端子１４９と外周金属ケースを兼ねた正
極端子１４２を電気的に接続する正極側の接続リードで
ある。１５４はプリント基板１４４と保護用ＩＣ１４５
とＦＥＴユニット１４６と面実装形ＰＴＣサーミスタ１
５１によって構成された保護回路ユニットである。
【０１７７】以上のように構成された電池パックについ
て、以下にその製造方法を説明する。
て、以下にその製造方法を説明する。
【０１７８】まず、プリント基板１４４の第２の実装面
にスクリーン印刷法を用いてクリームはんだを塗布す
る。
にスクリーン印刷法を用いてクリームはんだを塗布す
る。
【０１７９】次に、印刷形成したクリームはんだの上に
取り出し用正極端子１４９と取り出し用負極端子１５０
を取り付け、はんだ付けする。
取り出し用正極端子１４９と取り出し用負極端子１５０
を取り付け、はんだ付けする。
【０１８０】次に、プリント基板１４４の第１の実装面
にスクリーン印刷法を用いてクリームはんだを塗布す
る。
にスクリーン印刷法を用いてクリームはんだを塗布す
る。
【０１８１】次に、印刷形成したクリームはんだの上に
保護用ＩＣ１４５とＦＥＴユニット１４６と面実装形Ｐ
ＴＣサーミスタ１５１を取り付ける。
保護用ＩＣ１４５とＦＥＴユニット１４６と面実装形Ｐ
ＴＣサーミスタ１５１を取り付ける。
【０１８２】次に、リフローはんだ付け炉を用いてプリ
ント基板１４４と、保護用ＩＣ１４５や面実装形ＰＴＣ
サーミスタ１５１などの取り付け部品をピーク温度２５
０℃のプロファイルではんだ付けする。
ント基板１４４と、保護用ＩＣ１４５や面実装形ＰＴＣ
サーミスタ１５１などの取り付け部品をピーク温度２５
０℃のプロファイルではんだ付けする。
【０１８３】次に、はんだ付けによって抵抗値が４０ｍ
Ω程度に増加した面実装形ＰＴＣサーミスタ１５１を実
装したプリント基板４４を８０℃の周囲温度環境に約３
０分間放置し、その後数分以内に２５℃の周囲温度環境
に切り替えて約３０分間放置する温度サイクルを３回繰
り返し、望ましくは５回繰り返して、抵抗値を２０ｍΩ
以下に復帰させるアニール処理を行う。
Ω程度に増加した面実装形ＰＴＣサーミスタ１５１を実
装したプリント基板４４を８０℃の周囲温度環境に約３
０分間放置し、その後数分以内に２５℃の周囲温度環境
に切り替えて約３０分間放置する温度サイクルを３回繰
り返し、望ましくは５回繰り返して、抵抗値を２０ｍΩ
以下に復帰させるアニール処理を行う。
【０１８４】一方で、角形素電池１４１の負極端子１４
３に負極側の接続リード１５２を電気溶接によって接続
し、正極端子１４２に正極側の接続リード１５３を電気
溶接によって接続する。
３に負極側の接続リード１５２を電気溶接によって接続
し、正極端子１４２に正極側の接続リード１５３を電気
溶接によって接続する。
【０１８５】次に、アニール処理後のプリント基板１４
４と角形素電池１４１に取り付けられた負極側の接続リ
ード１５２をはんだ接続する。
４と角形素電池１４１に取り付けられた負極側の接続リ
ード１５２をはんだ接続する。
【０１８６】最後に、プリント基板１４４と正極側の接
続リード１５３をはんだ接続して、電池パックを製造す
るものである。
続リード１５３をはんだ接続して、電池パックを製造す
るものである。
【０１８７】以上のように構成、製造された電池パック
について、以下にその動作を説明する。
について、以下にその動作を説明する。
【０１８８】まず、プリント基板１４４と保護用ＩＣ１
４５とＦＥＴユニット１４６と面実装形ＰＴＣサーミス
タ１５１によって構成された保護回路ユニット１５４
が、角形素電池１４１の過充電や過放電を保護する制御
動作と、負荷の短絡や保護回路自身の短絡などによって
起る過電流からの保護動作を行う。
４５とＦＥＴユニット１４６と面実装形ＰＴＣサーミス
タ１５１によって構成された保護回路ユニット１５４
が、角形素電池１４１の過充電や過放電を保護する制御
動作と、負荷の短絡や保護回路自身の短絡などによって
起る過電流からの保護動作を行う。
【０１８９】以上のように本実施の形態６においては、
面実装形ＰＴＣサーミスタ１５１をプリント基板１４４
上に保護用ＩＣ１４５やＦＥＴユニット１４６と同じよ
うにリフローソルダリング法などのはんだ付けによって
実装することにより、面実装形ＰＴＣサーミスタ１５１
は、リード付きＰＴＣサーミスタのようにリード端子の
曲げ加工や電気溶接によって回路構成する必要がなく、
曲げ加工ストレスおよび電気溶接による高温の熱ストレ
スなどに起因する抵抗値変動をなくすことが可能であ
る。
面実装形ＰＴＣサーミスタ１５１をプリント基板１４４
上に保護用ＩＣ１４５やＦＥＴユニット１４６と同じよ
うにリフローソルダリング法などのはんだ付けによって
実装することにより、面実装形ＰＴＣサーミスタ１５１
は、リード付きＰＴＣサーミスタのようにリード端子の
曲げ加工や電気溶接によって回路構成する必要がなく、
曲げ加工ストレスおよび電気溶接による高温の熱ストレ
スなどに起因する抵抗値変動をなくすことが可能であ
る。
【０１９０】また、本実施の形態６では、プリント基板
１４４に面実装形ＰＴＣサーミスタ１５１をはんだ付け
する工程と、面実装形ＰＴＣサーミスタ１５１をはんだ
付け後のプリント基板１４４をアニール処理する工程
と、角形素電池１４１の正極端子１４２と負極端子１４
３にそれぞれ正極側の接続リード１５３と負極側の接続
リード１５２を電気溶接する工程と、正極側の接続リー
ド１５３と負極側の接続リード１５２をプリント基板１
４４にはんだ接続する工程からなるものとしたことによ
り、ＳｎＡｇ系やＳｎＣｕ系などの融点が２００℃以上
のＰｂフリーはんだを用いて、プリント基板１４４には
んだ付けした結果、抵抗値が４０ｍΩまで２倍程度に増
加した面実装形ＰＴＣサーミスタ１５１は、アニール効
果によって、抵抗値を２０ｍΩ以下に短時間で小さくす
ることが可能である。
１４４に面実装形ＰＴＣサーミスタ１５１をはんだ付け
する工程と、面実装形ＰＴＣサーミスタ１５１をはんだ
付け後のプリント基板１４４をアニール処理する工程
と、角形素電池１４１の正極端子１４２と負極端子１４
３にそれぞれ正極側の接続リード１５３と負極側の接続
リード１５２を電気溶接する工程と、正極側の接続リー
ド１５３と負極側の接続リード１５２をプリント基板１
４４にはんだ接続する工程からなるものとしたことによ
り、ＳｎＡｇ系やＳｎＣｕ系などの融点が２００℃以上
のＰｂフリーはんだを用いて、プリント基板１４４には
んだ付けした結果、抵抗値が４０ｍΩまで２倍程度に増
加した面実装形ＰＴＣサーミスタ１５１は、アニール効
果によって、抵抗値を２０ｍΩ以下に短時間で小さくす
ることが可能である。
【０１９１】また、本実施の形態６では、面実装形ＰＴ
Ｃサーミスタ１５１とＦＥＴユニット１４６と隣接実装
可能な０．１ｍｍ以上０．５ｍｍ以下の間隔を残して近
接して配置することにより、面実装形ＰＴＣサーミスタ
１５１はＦＥＴユニット１４６と熱結合状態となりＦＥ
Ｔユニット１４６の発熱によっても保護動作することが
できるものである。
Ｃサーミスタ１５１とＦＥＴユニット１４６と隣接実装
可能な０．１ｍｍ以上０．５ｍｍ以下の間隔を残して近
接して配置することにより、面実装形ＰＴＣサーミスタ
１５１はＦＥＴユニット１４６と熱結合状態となりＦＥ
Ｔユニット１４６の発熱によっても保護動作することが
できるものである。
【０１９２】また、本実施の形態６では、面実装形ＰＴ
Ｃサーミスタ１５１とＦＥＴ１４７と電気的に接続し、
ＦＥＴユニット１４６と隣接実装可能な０．１ｍｍ以上
０．５ｍｍ以下の間隔を残して近接して配置することに
より、プリント基板１４４上の配線を使って効率よくＰ
ＴＣサーミスタへ熱を伝えることができる。
Ｃサーミスタ１５１とＦＥＴ１４７と電気的に接続し、
ＦＥＴユニット１４６と隣接実装可能な０．１ｍｍ以上
０．５ｍｍ以下の間隔を残して近接して配置することに
より、プリント基板１４４上の配線を使って効率よくＰ
ＴＣサーミスタへ熱を伝えることができる。
【０１９３】なお、本実施の形態６において、図８の回
路ブロック図に示すように面実装形ＰＴＣサーミスタは
角形素電池の負極側とＦＥＴ間で回路接続し、ＦＥＴユ
ニットと熱結合状態となるように構成したが、図９に示
すように面実装形ＰＴＣサーミスタ１６１が角形素電池
１６２と電池パックの取り出し用正極端子１６３間で回
路接続し、ＦＥＴユニット１６４と熱結合状態となるよ
うに構成することで、角形素電池１６２の熱容量の大き
い正極端子１６３は発熱による温度上昇が遅くなること
により、面実装形ＰＴＣサーミスタ１６１は角形素電池
１６２からの熱影響を少なくしてＦＥＴユニット１６４
からの発熱を主体に保護動作することができるものであ
る。
路ブロック図に示すように面実装形ＰＴＣサーミスタは
角形素電池の負極側とＦＥＴ間で回路接続し、ＦＥＴユ
ニットと熱結合状態となるように構成したが、図９に示
すように面実装形ＰＴＣサーミスタ１６１が角形素電池
１６２と電池パックの取り出し用正極端子１６３間で回
路接続し、ＦＥＴユニット１６４と熱結合状態となるよ
うに構成することで、角形素電池１６２の熱容量の大き
い正極端子１６３は発熱による温度上昇が遅くなること
により、面実装形ＰＴＣサーミスタ１６１は角形素電池
１６２からの熱影響を少なくしてＦＥＴユニット１６４
からの発熱を主体に保護動作することができるものであ
る。
【０１９４】なお、本実施の形態６において、プリント
基板への実装用はんだをＳｎＡｇ系やＳｎＣｕ系のＰｂ
フリー系はんだとしたが、その他のＰｂフリー系はんだ
や従来のＳｎＰｂ系はんだを用いてもよい。
基板への実装用はんだをＳｎＡｇ系やＳｎＣｕ系のＰｂ
フリー系はんだとしたが、その他のＰｂフリー系はんだ
や従来のＳｎＰｂ系はんだを用いてもよい。
【０１９５】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、保護回路
ユニットは保護用ＩＣと面実装形のＰＴＣサーミスタを
含む複合体からなることにより、リード端子の曲げ加工
や溶接による接続を必要としない面実装形のＰＴＣサー
ミスタを保護回路ユニット内に直接取り付けることとな
り、取り付け時のストレスによる影響を軽減し、抵抗値
の不可逆的な抵抗値変動を小さくし、さらに、面実装形
ＰＴＣサーミスタをプリント基板にはんだ付けする工程
の以降で、熱処理する工程を設ける方法により、ポリマ
の融点以上の熱処理を行った場合でも、ＰＴＣサーミス
タの抵抗値のプラス側変動を小さくすることができるも
のであり、より高性能で使用時間の長い電池パックおよ
びその製造方法を提供できるものである。
ユニットは保護用ＩＣと面実装形のＰＴＣサーミスタを
含む複合体からなることにより、リード端子の曲げ加工
や溶接による接続を必要としない面実装形のＰＴＣサー
ミスタを保護回路ユニット内に直接取り付けることとな
り、取り付け時のストレスによる影響を軽減し、抵抗値
の不可逆的な抵抗値変動を小さくし、さらに、面実装形
ＰＴＣサーミスタをプリント基板にはんだ付けする工程
の以降で、熱処理する工程を設ける方法により、ポリマ
の融点以上の熱処理を行った場合でも、ＰＴＣサーミス
タの抵抗値のプラス側変動を小さくすることができるも
のであり、より高性能で使用時間の長い電池パックおよ
びその製造方法を提供できるものである。
【図１】本発明の実施の形態１における電池パックの斜
視図
視図
【図２】本発明の実施の形態２における電池パックの斜
視図
視図
【図３】本発明の実施の形態３における電池パックの斜
視図
視図
【図４】本発明の実施の形態４における電池パックの斜
視図
視図
【図５】同展開図
【図６】本発明の実施の形態５における電池パックの斜
視図
視図
【図７】本発明の実施の形態６における電池パックの斜
視図
視図
【図８】同回路ブロック図
【図９】本発明の他の実施の形態における回路ブロック
図
図
【図１０】（ａ）従来の電池パックの要部であるケース
の一部を切欠いた上面における断面図 （ｂ）従来の電池パックの要部であるケースの一部を切
欠いた正面における断面図
の一部を切欠いた上面における断面図 （ｂ）従来の電池パックの要部であるケースの一部を切
欠いた正面における断面図
【図１１】（ａ）リード付きＰＴＣサーミスタの上面図 （ｂ）同図１１（ａ）のＡ−Ａ線断面図
【図１２】従来の保護回路付き電池パックの斜視図
【図１３】同回路ブロック図
４１ 角形素電池 ４５ 保護用ＩＣ ４９ 面実装形ＰＴＣサーミスタ ５２ 保護回路ユニット
Claims (34)
- 【請求項１】 素電池と、前記素電池を過電流または加
熱から保護する保護回路ユニットからなる電池パックで
あって、前記保護回路ユニットは、保護用ＩＣと面実装
形のＰＴＣサーミスタを含む複合体からなることを特徴
とする電池パック。 - 【請求項２】 素電池と保護回路ユニットのＰＴＣサー
ミスタとは、熱結合状態にある請求項１記載の電池パッ
ク。 - 【請求項３】 素電池とＰＴＣサーミスタとの熱結合状
態は、熱伝導部材によって接合された請求項２記載の電
池パック。 - 【請求項４】 熱伝導部材は、高分子化合物と金属板の
何れか一方または両方からなる請求項３記載の電池パッ
ク。 - 【請求項５】 熱伝導部材は、融点が３００℃以下のは
んだ付け用金属または金属化合物からなる請求項１記載
の電池パック。 - 【請求項６】 保護回路ユニットは、保護用ＩＣとＰＴ
Ｃサーミスタが実装されたプリント基板からなる請求項
２記載の電池パック。 - 【請求項７】 プリント基板の厚み方向の面が、素電池
の少なくとも１面に近接し、ＰＴＣサーミスタが前記プ
リント基板の実装面の素電池側端部近傍に実装されてな
る請求項６記載の電池パック。 - 【請求項８】 プリント基板の第１の実装面が素電池に
対向するように配置され、ＰＴＣサーミスタが前記第１
の実装面に実装されてなる請求項６記載の電池パック。 - 【請求項９】 保護用ＩＣとＰＴＣサーミスタが実装さ
れたプリント基板の第１の実装面と反対側の第２の実装
面に少なくとも２つ金属端子が接続されてなる請求項８
記載の電池パック。 - 【請求項１０】 金属端子のプリント基板からはみ出し
た部分が、プリント基板の第１の実装面側に折り曲げら
れ、前記折り曲げられた部分または前記折り曲げられた
部分の一部が素電池の表面上に設けた絶縁シート上に配
置された請求項９記載の電池パック。 - 【請求項１１】 保護回路ユニットは、ＰＴＣサーミス
タが素電池の熱容量の異なる正負の電極に対して熱容量
の小さい方の電極と電気的に接続された回路構成からな
る請求項１記載の電池パック。 - 【請求項１２】 保護回路ユニットは、ＰＴＣサーミス
タが素電池の熱容量の異なる正負の電極に対して熱容量
の大きい方の電極と電気的に接続された回路構成からな
る請求項１記載の電池パック。 - 【請求項１３】 ＰＴＣサーミスタは、素電池から熱影
響を受けない位置に配置されてなる請求項１記載の電池
パック。 - 【請求項１４】 保護回路ユニットは、保護用ＩＣとＰ
ＴＣサーミスタが実装されたプリント基板からなる請求
項１３記載の電池パック。 - 【請求項１５】 プリント基板の厚み方向の面が、素電
池の少なくとも１面に近接し、ＰＴＣサーミスタが前記
プリント基板の実装面の素電池と反対側端部近傍に実装
されてなる請求項１４記載の電池パック。 - 【請求項１６】 保護回路ユニットは、保護用ＩＣ、Ｆ
ＥＴおよび面実装形のＰＴＣサーミスタを含む複合体か
らなる請求項１記載の電池パック。 - 【請求項１７】 保護回路ユニットは、保護用ＩＣ、Ｆ
ＥＴおよびＰＴＣサーミスタが実装されたプリント基板
からなる請求項１６記載の電池パック。 - 【請求項１８】 ＰＴＣサーミスタとＦＥＴとは、プリ
ント基板の実装面に隣接実装が可能な間隔を残して近接
するように配置された請求項１７記載の電池パック。 - 【請求項１９】 保護回路ユニットは、ＰＴＣサーミス
タがＦＥＴと電気的に接続された回路構成からなる請求
項１８記載の電池パック。 - 【請求項２０】 保護回路ユニットは、ＰＴＣサーミス
タが素電池の熱容量の異なる正負の電極に対して熱容量
の大きい方の電極と電気的に接続された回路構成からな
る請求項１８記載の電池パック。 - 【請求項２１】 ＰＴＣサーミスタは、ＦＥＴから熱影
響を受けない位置に配置されてなる請求項１６記載の電
池パック。 - 【請求項２２】 ＰＴＣサーミスタは、素電池とＦＥＴ
から熱影響を受けない位置に配置されてなる請求項１６
記載の電池パック。 - 【請求項２３】 プリント基板に保護用ＩＣと面実装形
ＰＴＣサーミスタをはんだ付けする工程と、前記はんだ
付け後のプリント基板を熱処理する工程と、素電池の正
極と負極にそれぞれ接続用リードを接続する工程と、前
記接続用リードと前記プリント基板を電気的に接続する
工程からなる電池パックの製造方法。 - 【請求項２４】 プリント基板の熱処理工程は、熱処理
温度が面実装形ＰＴＣサーミスタの保護動作温度以下で
ある請求項２３記載の電池パックの製造方法。 - 【請求項２５】 プリント基板の熱処理工程は、相対的
に高い温度の熱処理と、低い温度の熱処理が繰り返す工
程である請求項２４記載の電池パックの製造方法。 - 【請求項２６】 プリント基板に保護用ＩＣと面実装形
ＰＴＣサーミスタをはんだ付けする工程と、前記はんだ
付け後のプリント基板を熱処理する工程と、前記プリン
ト基板に正極と負極の接続用リードを電気的に接続する
工程と、素電池の正極と負極にそれぞれ前記正極と負極
の接続用リードを接続する工程からなる電池パックの製
造方法。 - 【請求項２７】 プリント基板の熱処理工程は、熱処理
温度が面実装形ＰＴＣサーミスタの保護動作温度以下で
ある請求項２６記載の電池パックの製造方法。 - 【請求項２８】 プリント基板の熱処理工程は、相対的
に高い温度の熱処理と、低い温度の熱処理が繰り返す工
程である請求項２７記載の電池パックの製造方法。 - 【請求項２９】 プリント基板に保護用ＩＣと面実装形
ＰＴＣサーミスタをはんだ付けする工程と、素電池の正
極と負極にそれぞれ接続用リードを接続する工程と、前
記接続用リードと前記プリント基板を電気的に接続する
工程と、前記素電池と前記プリント基板を熱処理する工
程からなる電池パックの製造方法。 - 【請求項３０】 素電池とプリント基板の熱処理工程
は、熱処理温度が面実装形ＰＴＣサーミスタの保護動作
温度以下である請求項２９記載の電池パックの製造方
法。 - 【請求項３１】 素電池とプリント基板の熱処理工程
は、相対的に高い温度の熱処理と、低い温度の熱処理が
繰り返す工程である請求項３０記載の電池パックの製造
方法。 - 【請求項３２】 プリント基板に保護用ＩＣと面実装形
ＰＴＣサーミスタをはんだ付けする工程と、前記プリン
ト基板に正極と負極の接続用リードを電気的に接続する
工程と、素電池の正極と負極にそれぞれ前記正極と負極
の接続用リードを接続する工程と、前記素電池と前記プ
リント基板を熱処理する工程からなる電池パックの製造
方法。 - 【請求項３３】 素電池とプリント基板の熱処理工程
は、熱処理温度が面実装形ＰＴＣサーミスタの保護動作
温度以下である請求項３２記載の電池パックの製造方
法。 - 【請求項３４】 素電池とプリント基板の熱処理工程
は、相対的に高い温度の熱処理と、低い温度の熱処理が
繰り返す工程である請求項３３記載の電池パックの製造
方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000187265A JP4904614B2 (ja) | 2000-06-22 | 2000-06-22 | 電池パックおよびその製造方法 |
| PCT/JP2001/005332 WO2001099211A1 (en) | 2000-06-22 | 2001-06-21 | Battery pack and method of producing the same |
| CNB018113419A CN1224131C (zh) | 2000-06-22 | 2001-06-21 | 电池组件及其制造方法 |
| KR1020027017404A KR100693057B1 (ko) | 2000-06-22 | 2001-06-21 | 전지팩 및 그 제조 방법 |
| US10/311,631 US6994926B2 (en) | 2000-06-22 | 2001-06-21 | Battery pack and method of producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000187265A JP4904614B2 (ja) | 2000-06-22 | 2000-06-22 | 電池パックおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002008608A true JP2002008608A (ja) | 2002-01-11 |
| JP4904614B2 JP4904614B2 (ja) | 2012-03-28 |
Family
ID=18687271
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000187265A Expired - Fee Related JP4904614B2 (ja) | 2000-06-22 | 2000-06-22 | 電池パックおよびその製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6994926B2 (ja) |
| JP (1) | JP4904614B2 (ja) |
| KR (1) | KR100693057B1 (ja) |
| CN (1) | CN1224131C (ja) |
| WO (1) | WO2001099211A1 (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003017025A (ja) * | 2001-06-28 | 2003-01-17 | Gs-Melcotec Co Ltd | 電池およびその製造方法 |
| EP1507306A1 (en) * | 2002-02-04 | 2005-02-16 | Byd Company Limited | Lithium secondary battery having internal protection circuit |
| WO2006049393A1 (en) * | 2004-11-02 | 2006-05-11 | Lg Chem, Ltd. | Member for measurement of cell voltage and temperature in battery pack |
| US7288337B2 (en) * | 2002-04-15 | 2007-10-30 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Battery pack for portable electronic equipment |
| US7391185B2 (en) | 2004-06-16 | 2008-06-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Battery pack protection circuit with plural protective means, and battery pack including the protection circuit |
| KR100859750B1 (ko) * | 2008-04-04 | 2008-09-24 | 충청북도 옥천군 | 야콘발효주의 제조방법 |
| JP2009087920A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-23 | Samsung Sdi Co Ltd | 二次電池用保護回路基板及びそれを用いた二次電池 |
| JP2009146879A (ja) * | 2007-12-17 | 2009-07-02 | Samsung Sdi Co Ltd | 保護回路基板及びこれを具備するバッテリーパック |
| JP2009193794A (ja) * | 2008-02-13 | 2009-08-27 | Sanyo Electric Co Ltd | パック電池 |
| JP2011505664A (ja) * | 2007-11-29 | 2011-02-24 | エルジー・ケム・リミテッド | 安全性部材を使用するｐｃｍを含むバッテリーパック |
| JP5270154B2 (ja) * | 2005-05-16 | 2013-08-21 | タイコエレクトロニクスジャパン合同会社 | 封口体 |
| WO2015019511A1 (ja) * | 2013-08-09 | 2015-02-12 | 株式会社東芝 | 基板および組電池モジュール |
| JP2015171224A (ja) * | 2014-03-06 | 2015-09-28 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | 給電装置 |
| WO2015167046A1 (ko) * | 2014-04-30 | 2015-11-05 | 주식회사 엘지화학 | 이차 전지용 회로 기판 및 이를 포함하는 배터리 팩 |
| JP2018527705A (ja) * | 2016-01-12 | 2018-09-20 | エルジー・ケム・リミテッド | 単位モジュールに対する安定した固定手段を備えている電池モジュールアセンブリ |
Families Citing this family (40)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4494713B2 (ja) | 2001-12-04 | 2010-06-30 | パナソニック株式会社 | 電池パック |
| KR100861166B1 (ko) * | 2002-02-13 | 2008-09-30 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 전지 팩의 제조방법 |
| JP4440548B2 (ja) | 2002-02-13 | 2010-03-24 | パナソニック株式会社 | 電池とその製造方法 |
| JP4629952B2 (ja) * | 2002-02-13 | 2011-02-09 | パナソニック株式会社 | 二次電池の製造方法 |
| JP4589596B2 (ja) * | 2002-03-22 | 2010-12-01 | パナソニック株式会社 | 電池パック |
| DE10214368B4 (de) | 2002-03-30 | 2007-09-13 | Robert Bosch Gmbh | Energiespeichermodul und dessen Verwendung für ein Elektrogerät |
| JP4079017B2 (ja) * | 2003-03-18 | 2008-04-23 | 松下電器産業株式会社 | リモコン送信機 |
| KR100496305B1 (ko) * | 2003-05-22 | 2005-06-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 파우치형 리튬 이차 전지와 이의 제조 방법 |
| US8999566B2 (en) * | 2003-05-22 | 2015-04-07 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Pouch-type lithium secondary battery and fabrication method thereof |
| EP1673821B1 (en) * | 2003-10-14 | 2017-08-30 | LG Chem, Ltd. | Cartridge-type lithium ion polymer battery pack |
| KR100561308B1 (ko) * | 2004-05-31 | 2006-03-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 이차전지 |
| KR100601519B1 (ko) * | 2004-06-22 | 2006-07-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 파우치형 리튬 폴리머 전지 및 그 제조 방법 |
| TWI243500B (en) * | 2004-07-08 | 2005-11-11 | Antig Tech Co Ltd | Rechargeable battery device with a connection interface |
| US20060024575A1 (en) * | 2004-07-30 | 2006-02-02 | Robinson Andre C | Sealed battery pack |
| TW200627688A (en) * | 2005-01-27 | 2006-08-01 | Exa Energy Technology Co Ltd | Method for producing secondary battery |
| JP4877455B2 (ja) * | 2005-03-28 | 2012-02-15 | ミツミ電機株式会社 | 二次電池保護モジュールおよびリード実装方法 |
| KR100760784B1 (ko) | 2006-07-04 | 2007-09-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 이차 전지용 보호회로모듈 및 이를 이용한 전지 팩 |
| JP4784485B2 (ja) * | 2006-11-02 | 2011-10-05 | トヨタ自動車株式会社 | リチウム二次電池 |
| KR100833745B1 (ko) * | 2007-01-17 | 2008-05-29 | 삼성에스디아이 주식회사 | 이차 전지 |
| US7723961B2 (en) * | 2007-08-07 | 2010-05-25 | Honeywell International Inc. | MEMS based battery monitoring technical field |
| KR100876266B1 (ko) * | 2007-09-28 | 2008-12-26 | 삼성에스디아이 주식회사 | 이차전지 |
| KR101004401B1 (ko) * | 2008-04-24 | 2010-12-28 | 삼성에스디아이 주식회사 | 배터리 팩 |
| KR101023874B1 (ko) * | 2008-10-22 | 2011-03-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 보호회로모듈 및 보호회로모듈을 포함하는 이차전지 |
| CN201436692U (zh) * | 2009-02-12 | 2010-04-07 | 上海比亚迪有限公司 | 一种圆柱形锂二次电池盖帽组件及使用该盖帽组件的电池 |
| KR101023886B1 (ko) * | 2009-02-17 | 2011-03-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 보호회로모듈을 구비하는 이차전지 |
| JP4749513B2 (ja) * | 2009-07-17 | 2011-08-17 | パナソニック株式会社 | 電池モジュールとそれを用いた電池パック |
| US8916278B2 (en) * | 2009-08-12 | 2014-12-23 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Heat transfer member for battery pack |
| KR101084900B1 (ko) | 2009-11-23 | 2011-11-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 이차 전지 및 그에 사용되는 회로기판 어셈블리 |
| US20110236727A1 (en) * | 2010-03-29 | 2011-09-29 | Young-Cheol Jang | Secondary battery pack |
| KR101274839B1 (ko) * | 2010-07-26 | 2013-06-13 | 삼성에스디아이 주식회사 | 리드 플레이트를 통해 배어셀의 열을 온도 감응 소자에 전달하는 이차 전지 |
| KR101192042B1 (ko) | 2010-11-01 | 2012-10-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 배터리 팩 |
| US8641273B2 (en) * | 2010-11-02 | 2014-02-04 | Sinoelectric Powertrain Corporation | Thermal interlock for battery pack, device, system and method |
| KR101440895B1 (ko) * | 2013-05-24 | 2014-09-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 배터리 팩 |
| US20150044511A1 (en) * | 2013-08-08 | 2015-02-12 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Battery pack |
| EP3236555A1 (en) | 2016-04-20 | 2017-10-25 | Braun GmbH | Circuit arrangement for protection against an undue overheating |
| CN205861226U (zh) * | 2016-08-12 | 2017-01-04 | 泰科电子(上海)有限公司 | 温度测量装置、电器组件及电池包 |
| JP6813321B2 (ja) * | 2016-09-29 | 2021-01-13 | ミネベアミツミ株式会社 | Ｄｃモータ |
| WO2018120007A1 (en) * | 2016-12-30 | 2018-07-05 | Littelfuse Electronics (Shanghai) Co., Ltd. | Polymeric positive temperature coefficient device for battery cell protection |
| KR20200098978A (ko) * | 2019-02-13 | 2020-08-21 | 주식회사 엘지화학 | 배터리 셀의 고온을 검출하는 배터리 모듈 |
| CN112234276B (zh) * | 2020-03-27 | 2022-01-28 | 蜂巢能源科技有限公司 | 电芯热失控仿真电路及方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11135090A (ja) * | 1997-10-30 | 1999-05-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電池パック |
| WO1999060637A1 (en) * | 1998-05-18 | 1999-11-25 | Tyco Electronics Raychem K.K. | Ptc element, ptc element-mounted pcb board, secondary cell protection circuit device and secondary cell assembly |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04206603A (ja) | 1990-11-30 | 1992-07-28 | Komatsu Ltd | 正特性サーミスタの製造方法 |
| JPH0757721A (ja) | 1993-08-06 | 1995-03-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ｐｔｃ装置およびｐｔｃ装置を備えた構成電池 |
| JPH07130342A (ja) | 1993-10-29 | 1995-05-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 角型電池を内蔵するパック電池 |
| JP3291146B2 (ja) * | 1994-12-14 | 2002-06-10 | 京セラ株式会社 | バッテリーパック |
| JP3244400B2 (ja) * | 1995-06-05 | 2002-01-07 | 三洋電機株式会社 | パック電池 |
| JPH10144356A (ja) * | 1996-09-12 | 1998-05-29 | Japan Storage Battery Co Ltd | 二次電池 |
| JPH1154110A (ja) * | 1997-07-31 | 1999-02-26 | N Ii C Mori Energ Kk | 正特性温度素子を備えた電池保護装置 |
| JP2000040503A (ja) * | 1998-07-22 | 2000-02-08 | Gs Merukotekku Kk | 非水電解質二次電池パック |
| GB9820132D0 (en) * | 1998-09-16 | 1998-11-11 | Raychem Ltd | Battery over-discharge protection |
| TW432736B (en) * | 1999-02-23 | 2001-05-01 | Sanyo Electric Co | Pack battery |
| JP3454748B2 (ja) * | 1999-02-26 | 2003-10-06 | 三洋電機株式会社 | パック電池 |
| EP1093178A4 (en) * | 1999-03-30 | 2007-12-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | RECHARGEABLE BATTERY WITH PROTECTION CIRCUIT |
-
2000
- 2000-06-22 JP JP2000187265A patent/JP4904614B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-06-21 US US10/311,631 patent/US6994926B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-06-21 WO PCT/JP2001/005332 patent/WO2001099211A1/ja active Application Filing
- 2001-06-21 CN CNB018113419A patent/CN1224131C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2001-06-21 KR KR1020027017404A patent/KR100693057B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11135090A (ja) * | 1997-10-30 | 1999-05-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電池パック |
| WO1999060637A1 (en) * | 1998-05-18 | 1999-11-25 | Tyco Electronics Raychem K.K. | Ptc element, ptc element-mounted pcb board, secondary cell protection circuit device and secondary cell assembly |
Cited By (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003017025A (ja) * | 2001-06-28 | 2003-01-17 | Gs-Melcotec Co Ltd | 電池およびその製造方法 |
| EP1507306A1 (en) * | 2002-02-04 | 2005-02-16 | Byd Company Limited | Lithium secondary battery having internal protection circuit |
| EP1507306A4 (en) * | 2002-02-04 | 2005-09-07 | Byd Co Ltd | LITHIUM SECONDARY BATTERY WITH INTERNAL PROTECTION |
| US7288337B2 (en) * | 2002-04-15 | 2007-10-30 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Battery pack for portable electronic equipment |
| USRE42592E1 (en) * | 2002-04-15 | 2011-08-02 | Samsung Sdi, Co., Ltd | Battery pack for portable electronic equipment |
| US7391185B2 (en) | 2004-06-16 | 2008-06-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Battery pack protection circuit with plural protective means, and battery pack including the protection circuit |
| US7550950B2 (en) | 2004-06-16 | 2009-06-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Battery pack and protection circuit including thermistor thermally connected to switching element |
| WO2006049393A1 (en) * | 2004-11-02 | 2006-05-11 | Lg Chem, Ltd. | Member for measurement of cell voltage and temperature in battery pack |
| KR100801635B1 (ko) * | 2004-11-02 | 2008-02-05 | 주식회사 엘지화학 | 전지 팩의 전지 전압 및 온도 측정용 부재 |
| JP5270154B2 (ja) * | 2005-05-16 | 2013-08-21 | タイコエレクトロニクスジャパン合同会社 | 封口体 |
| JP2009087920A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-23 | Samsung Sdi Co Ltd | 二次電池用保護回路基板及びそれを用いた二次電池 |
| US8237409B2 (en) | 2007-09-27 | 2012-08-07 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Protection circuit module of secondary battery and secondary battery using the same |
| JP2011505664A (ja) * | 2007-11-29 | 2011-02-24 | エルジー・ケム・リミテッド | 安全性部材を使用するｐｃｍを含むバッテリーパック |
| US9373833B2 (en) | 2007-11-29 | 2016-06-21 | Lg Chem, Ltd. | Battery pack containing PCM employed with conductive pattern having fusible part |
| JP2013101953A (ja) * | 2007-11-29 | 2013-05-23 | Lg Chem Ltd | 安全性部材を使用するｐｃｍを含むバッテリーパック |
| JP2009146879A (ja) * | 2007-12-17 | 2009-07-02 | Samsung Sdi Co Ltd | 保護回路基板及びこれを具備するバッテリーパック |
| US8709622B2 (en) | 2007-12-17 | 2014-04-29 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Protective circuit board and battery pack using the same |
| JP2009193794A (ja) * | 2008-02-13 | 2009-08-27 | Sanyo Electric Co Ltd | パック電池 |
| KR100859750B1 (ko) * | 2008-04-04 | 2008-09-24 | 충청북도 옥천군 | 야콘발효주의 제조방법 |
| JP2015035408A (ja) * | 2013-08-09 | 2015-02-19 | 株式会社東芝 | 基板および組電池モジュール |
| WO2015019511A1 (ja) * | 2013-08-09 | 2015-02-12 | 株式会社東芝 | 基板および組電池モジュール |
| JP2015171224A (ja) * | 2014-03-06 | 2015-09-28 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | 給電装置 |
| WO2015167046A1 (ko) * | 2014-04-30 | 2015-11-05 | 주식회사 엘지화학 | 이차 전지용 회로 기판 및 이를 포함하는 배터리 팩 |
| US9685801B2 (en) | 2014-04-30 | 2017-06-20 | Lg Chem, Ltd. | Circuit board for secondary battery having current interrupter and battery pack including the same |
| JP2018527705A (ja) * | 2016-01-12 | 2018-09-20 | エルジー・ケム・リミテッド | 単位モジュールに対する安定した固定手段を備えている電池モジュールアセンブリ |
| US10686172B2 (en) | 2016-01-12 | 2020-06-16 | Lg Chem, Ltd. | Battery module assembly having stable fixing means for unit module |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20030157399A1 (en) | 2003-08-21 |
| KR20030038560A (ko) | 2003-05-16 |
| CN1437775A (zh) | 2003-08-20 |
| US6994926B2 (en) | 2006-02-07 |
| WO2001099211A1 (en) | 2001-12-27 |
| JP4904614B2 (ja) | 2012-03-28 |
| CN1224131C (zh) | 2005-10-19 |
| KR100693057B1 (ko) | 2007-03-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4904614B2 (ja) | 電池パックおよびその製造方法 | |
| EP1946394B1 (en) | No-welding type battery pack | |
| JP5490713B2 (ja) | 安全性部材を使用するｐｃｍを含むバッテリーパック | |
| JP4396951B2 (ja) | 回路保護デバイス | |
| JP5851041B2 (ja) | 新規な構造のトップキャップアセンブリー | |
| JP5305523B2 (ja) | 保護素子 | |
| EP1102338B1 (en) | Ptc element, ptc element-mounted pcb board, secondary cell protection circuit device and secondary cell assembly | |
| WO1997006538A1 (en) | Ptc device and battery pack using the same | |
| KR100851963B1 (ko) | 피티시소자를 탑재한 보호회로모듈을 가진 이차전지 | |
| JP2000285778A (ja) | 保護素子 | |
| JP3819703B2 (ja) | 電池の保護部品と保護部品を有するパック電池 | |
| US7163757B2 (en) | Secondary batteries having a protective circuit | |
| KR101318531B1 (ko) | 이차전지 | |
| CN101373680B (zh) | 带电阻基板型温度保险丝以及二次电池保护电路 | |
| KR100883920B1 (ko) | 무용접 접촉 연결방식의 보호회로 모듈 및 그것을 포함하는전지팩 | |
| CN112218444B (zh) | 电池保护电路封装件及其制造方法 | |
| JP2003217416A (ja) | 温度ヒュ−ズおよびこれを装着した保護装置 | |
| JP4573865B2 (ja) | 温度ヒュ−ズを用いた保護装置 | |
| JP2002358939A (ja) | 電 池 | |
| KR19980038177A (ko) | 전지팩의 서미스터 장착방법 | |
| CN220873516U (zh) | 一种受控热断保护器 | |
| KR100713630B1 (ko) | 리드타입 정특성 폴리 스위치가 표면실장된 배터리보호회로 기판과 이를 제작하는 방법 | |
| WO2022196594A1 (ja) | 保護素子及びバッテリパック | |
| JP3843005B2 (ja) | 電池の保護部品と保護部品を有するパック電池 | |
| JP2001319552A (ja) | 保護素子およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070509 |
|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20070613 |
|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20091119 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101207 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110201 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111213 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111226 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150120 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150120 Year of fee payment: 3 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |